JPS62278184A - 結晶成長用ボ−ト - Google Patents
結晶成長用ボ−トInfo
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- JPS62278184A JPS62278184A JP11913786A JP11913786A JPS62278184A JP S62278184 A JPS62278184 A JP S62278184A JP 11913786 A JP11913786 A JP 11913786A JP 11913786 A JP11913786 A JP 11913786A JP S62278184 A JPS62278184 A JP S62278184A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 2
- 241000219104 Cucurbitaceae Species 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は■−ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ化合物半導
体等を結晶成長させるときに用いるボートに関し、結晶
成長法としては水平ブリッジマン法、三温度水平ブリッ
ジマン法、グラジェントフリーズ法、ゾーンメルティン
グ法等に用いる結晶成長用ボートに関する。
体等を結晶成長させるときに用いるボートに関し、結晶
成長法としては水平ブリッジマン法、三温度水平ブリッ
ジマン法、グラジェントフリーズ法、ゾーンメルティン
グ法等に用いる結晶成長用ボートに関する。
成長結晶は単結晶に限らず多結晶にも適用できるもので
ある。
ある。
水平ブリッジマン法を例にして従来の結晶成長を第１図
及び第２図によって説明する。第１図は結晶成長装置の
正断面図であシ、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である
。（従来は被覆１３がない。） 結晶原料７を入れたボート２を反応管５の一方に置き、
他方に揮発性成分８を入れて内部を真空に引いた後反応
管５を密封する。ボート２と揮発性成分８の中間に、連
通孔１２を有する隔壁１１を設けである。この反応管を
多数に分割された槓型加熱炉に挿入し、水平方向の適当
な温度分布を形成するように加熱した。ボート２の中の
結晶原料７は溶融され他方、揮発性成分８は一部揮発し
て、前記連通孔１２を通ってボート２がある反応管５の
中を満す。前記温度分布の中を反応管５又は加熱炉を移
動することによりボート２の前壁９よシ融液の温度を降
下させ固体結晶６を成長させる。
及び第２図によって説明する。第１図は結晶成長装置の
正断面図であシ、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である
。（従来は被覆１３がない。） 結晶原料７を入れたボート２を反応管５の一方に置き、
他方に揮発性成分８を入れて内部を真空に引いた後反応
管５を密封する。ボート２と揮発性成分８の中間に、連
通孔１２を有する隔壁１１を設けである。この反応管を
多数に分割された槓型加熱炉に挿入し、水平方向の適当
な温度分布を形成するように加熱した。ボート２の中の
結晶原料７は溶融され他方、揮発性成分８は一部揮発し
て、前記連通孔１２を通ってボート２がある反応管５の
中を満す。前記温度分布の中を反応管５又は加熱炉を移
動することによりボート２の前壁９よシ融液の温度を降
下させ固体結晶６を成長させる。
従来の結晶成長用ボートは主として石英で作られている
が、結晶成長のための長時間約１０００℃以上の高温の
下に置かれ、結晶原料融液の荷重を受けて変形を起す。
が、結晶成長のための長時間約１０００℃以上の高温の
下に置かれ、結晶原料融液の荷重を受けて変形を起す。
ボートを用いる結晶酸□長においてはボートの形状に沿
った外形を有する結晶が得られるので、ボートの変形は
結晶の変形に直結する。また、半導体結晶はウェハ状に
切出して用いるが結晶の変形はウェハの形状をも変化さ
せることになシ、ウェハを加工するときに必要な形状が
取れなかったυ、ロスが増加したりする。結晶成長の過
程においては、ボートの変形が大きくなると融液がボー
トからこぼれてボートや反応管が割れるというＦフプル
が発生する。さらに変形したボートは反応管に入らなく
なるなどのことから再使用ができなくなる場合もある。
った外形を有する結晶が得られるので、ボートの変形は
結晶の変形に直結する。また、半導体結晶はウェハ状に
切出して用いるが結晶の変形はウェハの形状をも変化さ
せることになシ、ウェハを加工するときに必要な形状が
取れなかったυ、ロスが増加したりする。結晶成長の過
程においては、ボートの変形が大きくなると融液がボー
トからこぼれてボートや反応管が割れるというＦフプル
が発生する。さらに変形したボートは反応管に入らなく
なるなどのことから再使用ができなくなる場合もある。
このような現象は石英製のボートに限らず、他のボート
でも起ることがあシ同様にトップ〃の原因となる。
でも起ることがあシ同様にトップ〃の原因となる。
本発明は従来の結晶成長用ボートの欠点を解消し、ボー
、トの熱的強度を高めることにより、ボートの変形を抑
止し、変形のない成長結晶を得ることを可能にした結晶
成長用ボートを提供しようとするものである。
、トの熱的強度を高めることにより、ボートの変形を抑
止し、変形のない成長結晶を得ることを可能にした結晶
成長用ボートを提供しようとするものである。
本発明はボートの外面を不活性物質で被覆してボートの
熱的強度を高めたことを特徴とする結晶成長用ボートで
ある。
熱的強度を高めたことを特徴とする結晶成長用ボートで
ある。
なお、上記被覆は高温でボートに熱的強度を付与すると
ともに、それ自体不活性であって、揮発等によシ成長結
晶に不純物を与えることのないものであれば種類は問わ
ない。石英製ボートにはカーボン（無定形炭素、グラフ
ァイト、ダイヤモンドのいずれも可）やアルミナの被覆
が適している。
ともに、それ自体不活性であって、揮発等によシ成長結
晶に不純物を与えることのないものであれば種類は問わ
ない。石英製ボートにはカーボン（無定形炭素、グラフ
ァイト、ダイヤモンドのいずれも可）やアルミナの被覆
が適している。
被覆の厚さはボートの形状及び厚さや結晶成長条件によ
シ異なるが一般的には１０〜１００μｍが好ましい。被
覆の形成方法としては真空蒸着法、熱分解気相反応法な
どによることができる。
シ異なるが一般的には１０〜１００μｍが好ましい。被
覆の形成方法としては真空蒸着法、熱分解気相反応法な
どによることができる。
図面で説明すると次のようになる。第１図は、本発明に
係る結晶成長用反応管の正断面図であシ、第２図は第１
図のＡ−Ａ断面図である。本発明の特徴はボート２の外
表面に被覆１３を形成する点にある。
係る結晶成長用反応管の正断面図であシ、第２図は第１
図のＡ−Ａ断面図である。本発明の特徴はボート２の外
表面に被覆１３を形成する点にある。
〔実施例１〕
断面外形が直径８ｃ！ＩＩの半円形で長さが６０ ｃｍ
。
。
厚さが２瓢、石英製ボートの外表面を厚さ約１０μの無
定形カーボンで被覆した。被覆はアセトンを８００℃で
熱分解する気相反応で形成した。
定形カーボンで被覆した。被覆はアセトンを８００℃で
熱分解する気相反応で形成した。
このボートにＧａ及びＡｓを１：１．Ｑ７５の割合で合
１計約１０時の原料を投入し１２５０℃で加熱溶解後金
体を徐冷してＧａＡｓ多結晶を製造した。この間２日を
要した。ボートの変形は０．５−以下であった。
１計約１０時の原料を投入し１２５０℃で加熱溶解後金
体を徐冷してＧａＡｓ多結晶を製造した。この間２日を
要した。ボートの変形は０．５−以下であった。
なお、上記のＧａＡｓ多結晶の製造においてカーボン被
覆のない石英製ボートを使用すると、ボートの変形は２
〜１０謔でちった。
覆のない石英製ボートを使用すると、ボートの変形は２
〜１０謔でちった。
〔実施例２〕
断面外形が直径６ａｎの半円形で長さが５０α、厚さが
２瓢の石英製ボートの外表面を厚さ約２０μの無定形カ
ーボンで被覆した。被覆の形成法は実施例１と同じであ
る。このボートに原料（Ｇａ ： Ａｓ −１： １．
０７５ ）を約４ｋｇ投入し、全体を溶融した後、ボー
トの一端から単結晶化して約７日をかけて結晶成長を行
なった。この場合のボートの変形は０５ｍ以下であった
。
２瓢の石英製ボートの外表面を厚さ約２０μの無定形カ
ーボンで被覆した。被覆の形成法は実施例１と同じであ
る。このボートに原料（Ｇａ ： Ａｓ −１： １．
０７５ ）を約４ｋｇ投入し、全体を溶融した後、ボー
トの一端から単結晶化して約７日をかけて結晶成長を行
なった。この場合のボートの変形は０５ｍ以下であった
。
なお、上記のＧａＡｓ単結晶の製造において、カーボン
被覆のない石英製ボートを使用して同様の結晶成長を行
なった。そのときのボートの変形は２〜６瓢であった。
被覆のない石英製ボートを使用して同様の結晶成長を行
なった。そのときのボートの変形は２〜６瓢であった。
〔実施例３〕
断面外形が直径５ｃＩｎの半円形で長さが４５０、厚さ
が２ｍの石英製ボートの外表面を厚さ約１０μの無定形
カーボンで被覆した。被覆形成法は実施例１と同じであ
る。このボートに原料（Ｉｎ ： Ａｓ ＝ １ ：
１． Ｏ７５）を約４ｋｇ投入して１０００℃に加熱溶
解後金体を徐冷してＩｎＡｓの多結晶を製造した。この
間３日を要した。このときのボートの変形はα１ａｍ以
下であった。
が２ｍの石英製ボートの外表面を厚さ約１０μの無定形
カーボンで被覆した。被覆形成法は実施例１と同じであ
る。このボートに原料（Ｉｎ ： Ａｓ ＝ １ ：
１． Ｏ７５）を約４ｋｇ投入して１０００℃に加熱溶
解後金体を徐冷してＩｎＡｓの多結晶を製造した。この
間３日を要した。このときのボートの変形はα１ａｍ以
下であった。
本発明は、上記構成を採用することにより、ボートの熱
的強度を高めることができ、その結果ボートの変形を未
然に防ぎ、形状不良のない良好な結晶を製造することを
可能とした。また、ボートの変形がなくなり、再使用が
可能となった。なお、このようなボートは従来のボート
に対して簡単な表面処理によυ容易に作成することので
きるものである。
的強度を高めることができ、その結果ボートの変形を未
然に防ぎ、形状不良のない良好な結晶を製造することを
可能とした。また、ボートの変形がなくなり、再使用が
可能となった。なお、このようなボートは従来のボート
に対して簡単な表面処理によυ容易に作成することので
きるものである。
第１図は、本発明に係る結晶成長用反応管の正断面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
Claims (2)
- （１）ボートの外面を不活性物質で被覆して、ボートの
熱的強度を高めたことを特徴とする結晶成長用ボート。 - （２）石英製ボートの外面をカーボン又はアルミナで被
覆することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の結
晶成長用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119137A JPH0761916B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 結晶成長用ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119137A JPH0761916B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 結晶成長用ボ−ト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278184A true JPS62278184A (ja) | 1987-12-03 |
| JPH0761916B2 JPH0761916B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=14753848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119137A Expired - Fee Related JPH0761916B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 結晶成長用ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0761916B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914382A (ja) * | 1972-05-22 | 1974-02-07 | ||
| JPS571874U (ja) * | 1980-06-04 | 1982-01-07 | ||
| JPS5771900A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of signal crystal |
| JPS5891095A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-30 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS598690A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61119137A patent/JPH0761916B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914382A (ja) * | 1972-05-22 | 1974-02-07 | ||
| JPS571874U (ja) * | 1980-06-04 | 1982-01-07 | ||
| JPS5771900A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of signal crystal |
| JPS5891095A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-30 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS598690A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-17 | Hitachi Cable Ltd | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0761916B2 (ja) | 1995-07-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |