JPS62277782A - パルスガスレ−ザ装置 - Google Patents
パルスガスレ−ザ装置Info
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- JPS62277782A JPS62277782A JP12157386A JP12157386A JPS62277782A JP S62277782 A JPS62277782 A JP S62277782A JP 12157386 A JP12157386 A JP 12157386A JP 12157386 A JP12157386 A JP 12157386A JP S62277782 A JPS62277782 A JP S62277782A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000272201 Columbiformes Species 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明はパルスガスレーザ装置に関し、特に容量移行型
励起回路を有するパルスガスレーザ装置に関する。
励起回路を有するパルスガスレーザ装置に関する。
パルスガスレーザ装置にはエキンマレーザ装置やＴＥＡ
Ｃｏ２レーザ装飯などが知られている。
Ｃｏ２レーザ装飯などが知られている。
これらのパルスガスレーザ装置において、レーザガスを
励起するための均一なグロー放電を得るためには、グロ
ー放電を起こす放電電極対に高速な高速な高ｌ圧パルス
を印加する励起回路が必要である。この励起回路として
は、簡便さ及びコストが安価であることなどから、容量
移行型励起回路が一般的に用いられている。なお、容量
移行型励起回路については、雑誌「レーザ研究」第９巻
。
励起するための均一なグロー放電を得るためには、グロ
ー放電を起こす放電電極対に高速な高速な高ｌ圧パルス
を印加する励起回路が必要である。この励起回路として
は、簡便さ及びコストが安価であることなどから、容量
移行型励起回路が一般的に用いられている。なお、容量
移行型励起回路については、雑誌「レーザ研究」第９巻
。
第６号、６８２〜６８７ページに詳しく記載されている
。
。
第３図は従来の□パルスガスレーザ装置の一例を示す模
式図である。
式図である。
このパルスガスレーザ装置は、レーザ管ｌの放電電極対
２と、ビーキングコンデンｔ３と、これらの対応する各
を極間をそれぞれ接続する高電圧導入板４ｂ及びアース
導入板５ｂとによ多形成された主放電回路２０ｂの放電
電極対２ Ｋ、充電された主コンデンサ６の高電圧を印
加しレーザガスを励起する容量移行型励起回路を有し、
所定のパルス幅のレーザパルスを発生す為構成となって
いる。
２と、ビーキングコンデンｔ３と、これらの対応する各
を極間をそれぞれ接続する高電圧導入板４ｂ及びアース
導入板５ｂとによ多形成された主放電回路２０ｂの放電
電極対２ Ｋ、充電された主コンデンサ６の高電圧を印
加しレーザガスを励起する容量移行型励起回路を有し、
所定のパルス幅のレーザパルスを発生す為構成となって
いる。
とのピーキングコンデンサ３と放＊Ｘ極対２と高電圧導
入板４ｂとアース導入板５ｂとで形成する閉回路により
囲まれた断面積により、主放電回路２０ｂのインダクタ
ンスは定まシ、このインダクタンスを増すと、放電電極
対２の間隙の放電９間にピーキングコンデンサ３から注
入される励起′電流パルスのパルス幅が増し、それに伴
ってレーザパルスのパルス幅が増加することが知られて
いる（２）４６（ロ）応用物理学会学術講演会講演予稿
集。
入板４ｂとアース導入板５ｂとで形成する閉回路により
囲まれた断面積により、主放電回路２０ｂのインダクタ
ンスは定まシ、このインダクタンスを増すと、放電電極
対２の間隙の放電９間にピーキングコンデンサ３から注
入される励起′電流パルスのパルス幅が増し、それに伴
ってレーザパルスのパルス幅が増加することが知られて
いる（２）４６（ロ）応用物理学会学術講演会講演予稿
集。
２ｐ−に−６）。
一方、このパルスガスレーザ装＃ハ、リングラフィや光
ＣＶＤなどの半導体プロセス用光源としての応用が期待
され、この場合、レーザ光の可干渉性を変化させること
が要求されている。そのためにｒｔ％レーザパルスのパ
ルス幅を変えることができるパルスガスレーザ装置が必
要である。
ＣＶＤなどの半導体プロセス用光源としての応用が期待
され、この場合、レーザ光の可干渉性を変化させること
が要求されている。そのためにｒｔ％レーザパルスのパ
ルス幅を変えることができるパルスガスレーザ装置が必
要である。
しかしながら、上述した従来のパルスガスレーザ装置は
、主放電回路２０ｂの各素子で形成され、た閉回路で囲
まれた断面績が固定されているので。
、主放電回路２０ｂの各素子で形成され、た閉回路で囲
まれた断面績が固定されているので。
主放電回路２０ｂのもつインダクタンスが同定され、従
って、ピーキングコンデンサ３かむ放電空間に注入され
る励起″磁流パルスのパルス幅が固定され、その結果と
して、レーザパルスのパルス幅を変えることができない
という欠点があった。
って、ピーキングコンデンサ３かむ放電空間に注入され
る励起″磁流パルスのパルス幅が固定され、その結果と
して、レーザパルスのパルス幅を変えることができない
という欠点があった。
本発明の目的は、レーザパルスのパルス幅を変えること
ができ、半導体プロセス用光源等とじての期待にこたえ
ることができるパルスガスレーザ装置を提供することに
ある。
ができ、半導体プロセス用光源等とじての期待にこたえ
ることができるパルスガスレーザ装置を提供することに
ある。
本発明のパルスガスレーザｉ＊ｒｒ、レーザ管の放’ｍ
ｗｓ対と、ピーキングコンデンサと、このピーキングコ
ンデンサの各電極とこれら各電極に対応した前記放ｔ＊
極対の各１ｈ、＊とをそれぞれ接続する複数の導入板
とを設けた主放・１回路の前記放電電極対に、充電され
た主コンデンサの高電圧を印加しレーザガスを励起する
容シ移行型励起団路を有し、所定のパルス幅のレーザパ
ルスを発生するパルスガスレーザ装置において、前記ピ
ーキングコンデンサの電極と前記導入板との各接紗点の
少なくとも１つを、このピーキングコンデンサの電極と
この導入板とが互いに電気的導通を←ちながら摺動でき
る構造とし、この接続点を摺動肯せて前記ピーキングコ
ンデンサと前記放電＊、ｇ対と前記各導入板とで形成す
る閉回路により囲まれた断面積を変化させ、前記レーザ
パルスのパルス幅を変化させる構成を有している。
ｗｓ対と、ピーキングコンデンサと、このピーキングコ
ンデンサの各電極とこれら各電極に対応した前記放ｔ＊
極対の各１ｈ、＊とをそれぞれ接続する複数の導入板
とを設けた主放・１回路の前記放電電極対に、充電され
た主コンデンサの高電圧を印加しレーザガスを励起する
容シ移行型励起団路を有し、所定のパルス幅のレーザパ
ルスを発生するパルスガスレーザ装置において、前記ピ
ーキングコンデンサの電極と前記導入板との各接紗点の
少なくとも１つを、このピーキングコンデンサの電極と
この導入板とが互いに電気的導通を←ちながら摺動でき
る構造とし、この接続点を摺動肯せて前記ピーキングコ
ンデンサと前記放電＊、ｇ対と前記各導入板とで形成す
る閉回路により囲まれた断面積を変化させ、前記レーザ
パルスのパルス幅を変化させる構成を有している。
主放電回路のインダクタンス（以下、主放電インダクタ
ンスという。）を増すと、ビーキングコ。
ンスという。）を増すと、ビーキングコ。
ンデンサから放″屯空間に注入される励起電流パルスの
パルス幅が増し、それに伴ってレーザパルスのパルス幅
が増加することが知られている。
パルス幅が増し、それに伴ってレーザパルスのパルス幅
が増加することが知られている。
即ち、ピーキングコンデンサの容量Ｃ９生放電インダク
タンスをり、主放電を開始する時点でのピーキングコン
デンサの充電電圧をＶとし、主放電を開始する時点を時
間ｔの原点に取ると、ピーキングコンデンサから放’ｍ
ｙ間内に注入される励起電流■の時間変化は、近似的に と表わされる。この式から、主放電インダクタンスＬを
増すと励起電流パルスのパルス幅が増加することが判る
。
タンスをり、主放電を開始する時点でのピーキングコン
デンサの充電電圧をＶとし、主放電を開始する時点を時
間ｔの原点に取ると、ピーキングコンデンサから放’ｍ
ｙ間内に注入される励起電流■の時間変化は、近似的に と表わされる。この式から、主放電インダクタンスＬを
増すと励起電流パルスのパルス幅が増加することが判る
。
例えば、ピーキングコンデンサの容ｆ［Ｃを１５ｎＦと
し、主放電インダクタンスＬを１０ｎＨから７０ロＨま
で変化させると、励起電流のパルス暢（半値全幅）ｒｔ
約２６ｎＳから約７Ｑｎｓまで変化する。また、励起電
流パルスのパルス幅が増すと、それに伴ってレーザパル
スのパルス幅が増加する。
し、主放電インダクタンスＬを１０ｎＨから７０ロＨま
で変化させると、励起電流のパルス暢（半値全幅）ｒｔ
約２６ｎＳから約７Ｑｎｓまで変化する。また、励起電
流パルスのパルス幅が増すと、それに伴ってレーザパル
スのパルス幅が増加する。
一方、閉回路に電流を流したとき、その閉回路のもつイ
ンダクタンスはその閉回路によυ囲まれた断面積に比例
する。
ンダクタンスはその閉回路によυ囲まれた断面積に比例
する。
そこで、本発明においては、主放電回路を形成するピー
キングコンデンサと放電電極対と対応するこれらの各電
極間をそれぞれ接続する各導入板とで作る閉回路により
囲まれた断面積を変化させルタめに、ピーキングコンデ
ンサと導入板との各接続点のうちの少なくとも１つを、
電気的導通を保ちながら摺動できる構造とし、この接続
点を摺動させて主放電インダクタンスを連続的に増減で
きるようにし、レーザパルスのパルス幅を変化させるよ
うにした。
キングコンデンサと放電電極対と対応するこれらの各電
極間をそれぞれ接続する各導入板とで作る閉回路により
囲まれた断面積を変化させルタめに、ピーキングコンデ
ンサと導入板との各接続点のうちの少なくとも１つを、
電気的導通を保ちながら摺動できる構造とし、この接続
点を摺動させて主放電インダクタンスを連続的に増減で
きるようにし、レーザパルスのパルス幅を変化させるよ
うにした。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第ｌの実施例を示す模式図でン・る。
第１の実施例では、ピーキングコンデンｆ３を２個設け
、これらを取付板９に固定し、この取付板９に取り付け
られ固定ギヤ１１とかみ合う回転ギヤ１０をモータ等で
回転きせることによって、ピーキングコンデンサ３を矢
印で示すように左右にスライドさせるようになっている
。
、これらを取付板９に固定し、この取付板９に取り付け
られ固定ギヤ１１とかみ合う回転ギヤ１０をモータ等で
回転きせることによって、ピーキングコンデンサ３を矢
印で示すように左右にスライドさせるようになっている
。
一方、各ピーキングコンデンサ３の一方の電極はそれぞ
れ各アース導入板５に、もう一方の電極は１つの藁電圧
鳩人板４にそれぞれ接触させたまま、左右にスライドさ
せる構造になっている。
れ各アース導入板５に、もう一方の電極は１つの藁電圧
鳩人板４にそれぞれ接触させたまま、左右にスライドさ
せる構造になっている。
従って、モータ等で回転ギヤ１０を回転させることによ
り、主放電回路の２つのピーキングコンデンサ３と放゛
緘１！極対２と高電圧導入板４と２つのアース導入板５
とで形成する２つの閉回路により囲まれた断面損金連続
的に変化させることができ、主放電回路２０のインダク
タンスを連続的に変化させることが可能となる。
り、主放電回路の２つのピーキングコンデンサ３と放゛
緘１！極対２と高電圧導入板４と２つのアース導入板５
とで形成する２つの閉回路により囲まれた断面損金連続
的に変化させることができ、主放電回路２０のインダク
タンスを連続的に変化させることが可能となる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す模式図である。
第２の実施例では、＾電圧導入板側の接続点は固定にし
、アース導入板側の接続点に湾曲したアース導入板５ａ
とこれに接触するアース導入回転部１２とを設け、この
アース導入回転部１２を湾曲したアース導入板５３に接
触させたままモータなどによって矢印のように回転させ
主放電回路２０ａの閉回路により囲まれた断面積を連続
的に変化させる構造になっている。
、アース導入板側の接続点に湾曲したアース導入板５ａ
とこれに接触するアース導入回転部１２とを設け、この
アース導入回転部１２を湾曲したアース導入板５３に接
触させたままモータなどによって矢印のように回転させ
主放電回路２０ａの閉回路により囲まれた断面積を連続
的に変化させる構造になっている。
従って、モータ等によりアース導入回転部１２を回転さ
ゼることによ１り主放電回路２０ａのインダクタンスを
連続的に変化させることが可能となり、その結果として
、ピーキングコンデンサ３から放１１窒間に注入される
励起′磁流パルスのパルス幅を変えることができ、レー
ザパルスのパルス幅を変えることができる。
ゼることによ１り主放電回路２０ａのインダクタンスを
連続的に変化させることが可能となり、その結果として
、ピーキングコンデンサ３から放１１窒間に注入される
励起′磁流パルスのパルス幅を変えることができ、レー
ザパルスのパルス幅を変えることができる。
第１の実施例において、ピーキングコンデンサ３の容量
を２８ｎＰとし、主放′邂回路２０の閉回路により囲ま
れたシＴｌｌ１１檜を変化きせることによって主放電回
路２０のインダクタンスを１２ｎＨ〜７８ ｎ ｆ（ま
で変化させた場合にイりられるピーキングコンデンサか
ら放亀空同に注入される励起ｔＩｌハルスノハルス幅及
びレーザパルスのパルス幅）５Ｔ変範囲の一例を第１表
に示す。
を２８ｎＰとし、主放′邂回路２０の閉回路により囲ま
れたシＴｌｌ１１檜を変化きせることによって主放電回
路２０のインダクタンスを１２ｎＨ〜７８ ｎ ｆ（ま
で変化させた場合にイりられるピーキングコンデンサか
ら放亀空同に注入される励起ｔＩｌハルスノハルス幅及
びレーザパルスのパルス幅）５Ｔ変範囲の一例を第１表
に示す。
第１表
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ピーキングコン、デンす
の電極と導入板との各接鞭点の少なくとも１つを、１Ｙ
気的導通を保ちながら摺動できる構造としこの接続点を
摺動させることにより、レーザパルスのパルス幅を変え
ることができ、半専体プロセス＋１１光ａ６として期待
にこたえることができる効果かある。
の電極と導入板との各接鞭点の少なくとも１つを、１Ｙ
気的導通を保ちながら摺動できる構造としこの接続点を
摺動させることにより、レーザパルスのパルス幅を変え
ることができ、半専体プロセス＋１１光ａ６として期待
にこたえることができる効果かある。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例を示す模式図、第３ｍ１ｉ忰米のパルスガスレーザ
較餘の一例を示す皆弐図である。 ｌ・・・・・・レーザ管、２・・・・・・放ｓｉ、電極
対、３・・・・・・ビーキングコンテンサ％４，４ａ＃
４ｂ・・・・・・高電圧導入板、５．５ａ 、５ｂ・・
・・・・アース導入板％ ６・・・・・・王コンデンサ
、７・・・・・・スイ、ッチ、８・・・・・・アース板
、９・・・・・・取付版、１０・・・・・・回転ギヤ、
１１・・・・・・固定ギヤ、１２・・・・・・アース尋
人−！％一部、２０．２０ａ 、２０ｂ・・・・・・主
放電回路。 ４１回 、 寮２’ｆｆｉ
施例を示す模式図、第３ｍ１ｉ忰米のパルスガスレーザ
較餘の一例を示す皆弐図である。 ｌ・・・・・・レーザ管、２・・・・・・放ｓｉ、電極
対、３・・・・・・ビーキングコンテンサ％４，４ａ＃
４ｂ・・・・・・高電圧導入板、５．５ａ 、５ｂ・・
・・・・アース導入板％ ６・・・・・・王コンデンサ
、７・・・・・・スイ、ッチ、８・・・・・・アース板
、９・・・・・・取付版、１０・・・・・・回転ギヤ、
１１・・・・・・固定ギヤ、１２・・・・・・アース尋
人−！％一部、２０．２０ａ 、２０ｂ・・・・・・主
放電回路。 ４１回 、 寮２’ｆｆｉ
Claims (1)
- レーザ管の放電電極対と、ピーキングコンデンサと、こ
のピーキングコンデンサの各電極とこれら各電極に対応
した前記放電電極対の各電極とをそれぞれ接続する複数
の導入板とを設けた主放電回路の前記放電電極対に、充
電された主コンデンサの高電圧を印加しレーザガスを励
起する容量移行型励起回路を有し、所定のパルス幅のレ
ーザパルスを発生するパルスガスレーザ装置において、
前記ピーキングコンデンサの電極と前記導入板との各接
続点の少なくとも１つを、このピーキングコンデンサの
電極とこの導入板とが互いに電気的導通を保ちながら摺
動できる構造とし、この接続点を摺動させて前記ピーキ
ングコンデンサと前記放電電極対と前記各導入板とで形
成する閉回路により囲まれた断面積を変化させ、前記レ
ーザパルスのパルス幅を変化させることを特徴とするパ
ルスガスレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157386A JPS62277782A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | パルスガスレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12157386A JPS62277782A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | パルスガスレ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277782A true JPS62277782A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14814578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12157386A Pending JPS62277782A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | パルスガスレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04310013A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Nissin Electric Co Ltd | 高電圧パルス発生装置 |
| EP1867014A2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-12-19 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser output light beam parameter control |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP12157386A patent/JPS62277782A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04310013A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Nissin Electric Co Ltd | 高電圧パルス発生装置 |
| EP1867014A2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-12-19 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser output light beam parameter control |
| JP2008535260A (ja) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | サイマー インコーポレイテッド | ガス放電レーザ出力光のビームパラメータ制御 |
| EP1867014A4 (en) * | 2005-03-31 | 2011-04-06 | Cymer Inc | PARAMETERS CONTROL OF THE GAS DISCHARGE LASER OUTPUT LIGHT BEAM |
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