JPS6227312A - 窒化チタンの製造法 - Google Patents
窒化チタンの製造法Info
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- JPS6227312A JPS6227312A JP16719285A JP16719285A JPS6227312A JP S6227312 A JPS6227312 A JP S6227312A JP 16719285 A JP16719285 A JP 16719285A JP 16719285 A JP16719285 A JP 16719285A JP S6227312 A JPS6227312 A JP S6227312A
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- Japan
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- titanium
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- ammonium halide
- titanium nitride
- ammonium
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/076—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は窒化チタンの製造方法に関するものであり、特
に常圧下で且つ比較的抵温で良質の窒化チタンを高収率
で製造する方法に関するものである。
に常圧下で且つ比較的抵温で良質の窒化チタンを高収率
で製造する方法に関するものである。
窒化チタンはその高融点、高耐熱性、高耐食性、高硬度
、高導電性等の優れた性質゛にょって超硬材料、耐熱材
料、装飾材料として各種用途への開発が進められている
。
、高導電性等の優れた性質゛にょって超硬材料、耐熱材
料、装飾材料として各種用途への開発が進められている
。
(従来技術)
窒化チタン(TiN )の主たる製造法としては従来次
のものが公知である; l)金属チタン粉末を窒素またはアンモニア雰囲気中で
soo〜1400℃に加熱する。
のものが公知である; l)金属チタン粉末を窒素またはアンモニア雰囲気中で
soo〜1400℃に加熱する。
2)水素化チタン(TiI(2)を窒素またはアンモニ
ア雰囲気中で1000℃以上に加熱する。
ア雰囲気中で1000℃以上に加熱する。
3)酸化チタン(TiO2)を炭素の存在下で1000
〜1500℃で窒素と反応させる。
〜1500℃で窒素と反応させる。
を高圧下に反応させる。
しかし、1)の方法は高温度を必要とし、得られる窒化
チタン粒子が大きく、2〕の方法は反応制御が難しく、
3)の方法は工業的には有利であるが、高純度の窒化チ
タンは得にくく、4)の方法は収率が悪い。
チタン粒子が大きく、2〕の方法は反応制御が難しく、
3)の方法は工業的には有利であるが、高純度の窒化チ
タンは得にくく、4)の方法は収率が悪い。
(発明の目的)
従って1本発明の目的は、比較的低い温度で且つ実質的
に常圧で反応が行えると同時に、粒径が極めて小さく且
つ純度が高い窒化チタンな高収率で製造する方法を提供
することにある。
に常圧で反応が行えると同時に、粒径が極めて小さく且
つ純度が高い窒化チタンな高収率で製造する方法を提供
することにある。
(発明の構成)
本発明の窒化チタンの製造法は金属チタンまたは水素化
チタンをハロゲン化アンモニウムと加熱下に反応させる
ことを特徴としている。
チタンをハロゲン化アンモニウムと加熱下に反応させる
ことを特徴としている。
上記金属チタンおよび水素化チタンは粉末やスポンジで
あるのが好ましいが場合によってはチタンの板状体2粒
状体等でもよい。また、上記ハロゲン化アンモニウムと
しては塩化アンモニウム(NH,C1)や臭化アンモニ
ウム(NI(4Br)が一般に用いられる。これらのハ
ロゲン化アンモニウムは一般的には加熱により気化し、
アンモニア、チッソ、その他のキャリヤーガスを用いて
上記金属チタンや水素化チタンと反応させるのが好まし
いが、金属チタンあるいは水素化チタンとの度忘時にハ
ロゲン化アンモニウムの形態になるような例えば水素化
ハロゲンとアンモニアとの混合ガス等の形であってもよ
い。
あるのが好ましいが場合によってはチタンの板状体2粒
状体等でもよい。また、上記ハロゲン化アンモニウムと
しては塩化アンモニウム(NH,C1)や臭化アンモニ
ウム(NI(4Br)が一般に用いられる。これらのハ
ロゲン化アンモニウムは一般的には加熱により気化し、
アンモニア、チッソ、その他のキャリヤーガスを用いて
上記金属チタンや水素化チタンと反応させるのが好まし
いが、金属チタンあるいは水素化チタンとの度忘時にハ
ロゲン化アンモニウムの形態になるような例えば水素化
ハロゲンとアンモニアとの混合ガス等の形であってもよ
い。
上記の反応は400℃〜700℃で行うのが好ましい。
反応温度が400℃未満では生成物中にハロゲン化アン
モニウムが残留し、また700℃を超えるとTi013
等の不純物が生成し、いずれの場合でも生成物の純度が
低下する。
モニウムが残留し、また700℃を超えるとTi013
等の不純物が生成し、いずれの場合でも生成物の純度が
低下する。
上記反応は実質的に常圧下で行うことができる。
実験室規模では、金属チタンまたは水素化チタン粉末ボ
ート上でを上記温度に加熱した後、ハロゲン化アンモニ
ウムガスなキャリヤーガスを用いて上記粉末と接触させ
ればよい。このキャリヤーガスとしてはアンモニア、チ
ッソ等を用いることができる。工業的には金属チタンあ
るいは水素化チタン粉末とハロゲン化アンモニウムとの
混合物全上記温度の反応帯域中を通油させる方法、金属
チタンあるいは水素化チタン粉末とハロゲン化アンモニ
ウムガスとを流動床、並流接触器、向流接触器等を用い
て反応させる方法が考えられる。
ート上でを上記温度に加熱した後、ハロゲン化アンモニ
ウムガスなキャリヤーガスを用いて上記粉末と接触させ
ればよい。このキャリヤーガスとしてはアンモニア、チ
ッソ等を用いることができる。工業的には金属チタンあ
るいは水素化チタン粉末とハロゲン化アンモニウムとの
混合物全上記温度の反応帯域中を通油させる方法、金属
チタンあるいは水素化チタン粉末とハロゲン化アンモニ
ウムガスとを流動床、並流接触器、向流接触器等を用い
て反応させる方法が考えられる。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
(実施例1)−水素化チタン−
第1図に示す反応管〔1)中に水素化チタン(TiH2
)粉末(B)を約12入れたボート(5)と塩化アンモ
ニウム(A)を約42入れたボート(4〕とをセットし
、系内をN2ガスで置換後、供給管(2)からキャリヤ
ーガスとしてNH3を50 m11分で流しながら先ず
電気炉3“9次いで3′に通電し、600℃で20分間
反応を行った。
)粉末(B)を約12入れたボート(5)と塩化アンモ
ニウム(A)を約42入れたボート(4〕とをセットし
、系内をN2ガスで置換後、供給管(2)からキャリヤ
ーガスとしてNH3を50 m11分で流しながら先ず
電気炉3“9次いで3′に通電し、600℃で20分間
反応を行った。
ボート(4)内に得られた粉末状度忘生成物の元素分析
結果は以下の通りであった: Ti 69.9 wt%0
6.53 C11,2 また、このX線回折図は図2に示してあり、これは反応
生成物がTiNであることを示している。
結果は以下の通りであった: Ti 69.9 wt%0
6.53 C11,2 また、このX線回折図は図2に示してあり、これは反応
生成物がTiNであることを示している。
またチッソ吸着法で測った反応生成物の比表面積は85
、.7.、であった。図3は実施例1により得られるT
iN (7)電顕写真の複写で・ある。これらデーター
から反応生成物の粒径は9oKであることがわかる。
、.7.、であった。図3は実施例1により得られるT
iN (7)電顕写真の複写で・ある。これらデーター
から反応生成物の粒径は9oKであることがわかる。
(実施例2.3)
実施例1と同じ操作によったが、反応温度を500℃お
よび700℃に変えて行った。結果は表1に示しである
。
よび700℃に変えて行った。結果は表1に示しである
。
(比較例1,2)
実施例1と同じ操作によったが反応温度を450℃およ
び800℃にした。結果は表1に示しである。
び800℃にした。結果は表1に示しである。
(実施例4,5.6 )−金属チタン−実施例1と同じ
操作を行ったが、ボート(5)には金属チタン(Ti)
粉末を入れた。反応温度を500℃、600℃および7
00℃にした場合の結果を表2に示した。
操作を行ったが、ボート(5)には金属チタン(Ti)
粉末を入れた。反応温度を500℃、600℃および7
00℃にした場合の結果を表2に示した。
(比較例3,4〕
実施例4と同じ操作を行ったが、反応温度を450℃お
よび800℃に変えた。結果は表2に示しである。
よび800℃に変えた。結果は表2に示しである。
第1図は本発明の実施例1で用いた反応装置の概念的断
面図。 第2図は実施例1で得られた反応生成物のX線回折図。 第3図は実施例1で得られた反応生成物の電顕写真のフ
ビーである。 (図中符号) l:反応管 2:ガス供給管 3′、3”:電気炉 45: ボート A : Ti TiH +2 B : NH4Cl 特許出願人 ダイセル化学工業株式会社第1図 第2図 毫 2θ Cu −に2 ) degree第3図 手 続 補 正 書 (方式)%式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第167192号 2、発明の名称 窒化チタンの製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 郵便番号 590 住 所 大阪府堺市鉄砲町1番地 昭和60年10月29日(発送日) 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
および図面6、補正の内容 1)明細書第6頁第4〜5行目の「であった。・・・こ
れからデータ」を下記の通りに補正する。 「であり、これと電顕写真による粒径測定データ」2)
同第10頁第6行〜7行目の[第3図・・・である。]
を削除する。 3)添附図面の中で第3図を削除する。
面図。 第2図は実施例1で得られた反応生成物のX線回折図。 第3図は実施例1で得られた反応生成物の電顕写真のフ
ビーである。 (図中符号) l:反応管 2:ガス供給管 3′、3”:電気炉 45: ボート A : Ti TiH +2 B : NH4Cl 特許出願人 ダイセル化学工業株式会社第1図 第2図 毫 2θ Cu −に2 ) degree第3図 手 続 補 正 書 (方式)%式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第167192号 2、発明の名称 窒化チタンの製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 郵便番号 590 住 所 大阪府堺市鉄砲町1番地 昭和60年10月29日(発送日) 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
および図面6、補正の内容 1)明細書第6頁第4〜5行目の「であった。・・・こ
れからデータ」を下記の通りに補正する。 「であり、これと電顕写真による粒径測定データ」2)
同第10頁第6行〜7行目の[第3図・・・である。]
を削除する。 3)添附図面の中で第3図を削除する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)金属チタンまたは水素化チタンをハロゲン化アンモ
ニウムと加熱下に反応させて窒化チタンを製造する方法
。 2)上記ハロゲン化アンモニウムが塩化アンモニウムま
たは臭化アンモニウムであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 3)上記ハロゲン化アンモニウムがアンモニアおよび/
またはチッソのキャリヤーガスによって供給されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載
の方法。 4)上記反応が400〜700℃で行われることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 5)上記反応が実質的に常圧で行われることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16719285A JPS6227312A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化チタンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16719285A JPS6227312A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化チタンの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6227312A true JPS6227312A (ja) | 1987-02-05 |
JPH0463803B2 JPH0463803B2 (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=15845135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16719285A Granted JPS6227312A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 窒化チタンの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6227312A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6311507A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Res Dev Corp Of Japan | 高圧アンモニア法による窒化ジルコニウム微粉末の製造方法 |
US5665326A (en) * | 1995-11-13 | 1997-09-09 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Method for synthesizing titanium nitride whiskers |
US7349616B1 (en) | 2007-01-12 | 2008-03-25 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7409138B1 (en) | 2007-03-12 | 2008-08-05 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7499622B2 (en) | 2007-02-28 | 2009-03-03 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic drop terminals for multiple dwelling units |
US7519258B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-04-14 | Corning Cable Systems Llc | Preconnectorized fiber optic local convergence points |
US7664360B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-02-16 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic drop terminal mounting plate |
US7702208B2 (en) | 2005-05-18 | 2010-04-20 | Corning Cable Systems Llc | High density optical fiber distribution enclosure |
CN108557783A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-21 | 重庆大学 | 高纯纳米氮化钛粉末的制备方法 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16719285A patent/JPS6227312A/ja active Granted
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6311507A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-19 | Res Dev Corp Of Japan | 高圧アンモニア法による窒化ジルコニウム微粉末の製造方法 |
US5665326A (en) * | 1995-11-13 | 1997-09-09 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Method for synthesizing titanium nitride whiskers |
US7702208B2 (en) | 2005-05-18 | 2010-04-20 | Corning Cable Systems Llc | High density optical fiber distribution enclosure |
US7936962B2 (en) | 2005-05-18 | 2011-05-03 | Corning Cable Systems Llc | High density optical fiber distribution enclosure |
US8050529B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-11-01 | Corning Cable Systems Llc | Preconnectorized fiber optic local convergence points |
US7519258B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-04-14 | Corning Cable Systems Llc | Preconnectorized fiber optic local convergence points |
USRE46525E1 (en) | 2007-01-12 | 2017-08-29 | Corning Optical Communications LLC | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7548680B2 (en) | 2007-01-12 | 2009-06-16 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7349616B1 (en) | 2007-01-12 | 2008-03-25 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
USRE46701E1 (en) | 2007-01-12 | 2018-02-06 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
USRE48082E1 (en) | 2007-01-12 | 2020-07-07 | Corning Optical Communications LLP | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
USRE48937E1 (en) | 2007-01-12 | 2022-02-22 | Corning Optical Communications LLC | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7499622B2 (en) | 2007-02-28 | 2009-03-03 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic drop terminals for multiple dwelling units |
US7409138B1 (en) | 2007-03-12 | 2008-08-05 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic local convergence points for multiple dwelling units |
US7664360B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-02-16 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic drop terminal mounting plate |
US7899298B2 (en) | 2007-04-17 | 2011-03-01 | Corning Cable Systems Llc | Fiber optic drop terminal mounting plate |
CN108557783A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-09-21 | 重庆大学 | 高纯纳米氮化钛粉末的制备方法 |
CN108557783B (zh) * | 2018-06-26 | 2022-02-11 | 重庆大学 | 高纯纳米氮化钛粉末的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0463803B2 (ja) | 1992-10-13 |
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