JPS62269315A - 投影露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びデバイス製造方法Info
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- JPS62269315A JPS62269315A JP61114194A JP11419486A JPS62269315A JP S62269315 A JPS62269315 A JP S62269315A JP 61114194 A JP61114194 A JP 61114194A JP 11419486 A JP11419486 A JP 11419486A JP S62269315 A JPS62269315 A JP S62269315A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造用の露光装置及び露光方法に関し、
特にＩＣ，ＬＳＩ等の微細な回路パターンか形成されて
いるレチクル面上の回路パターンを投影光学系を介して
ウェハ面上に投影し露光する際に高粒度にしかも高速に
投影し露光させることのできる露光装置及び露光方法に
関するものである。
特にＩＣ，ＬＳＩ等の微細な回路パターンか形成されて
いるレチクル面上の回路パターンを投影光学系を介して
ウェハ面上に投影し露光する際に高粒度にしかも高速に
投影し露光させることのできる露光装置及び露光方法に
関するものである。
（従来の技術）
最近の半導体製造技術は電子回路の高集積化、微細化の
一途を辿り、光学的な露光方式も高解像力の投影光学系
の開発等でますますその領域を拡げつつある。このよう
な半導体製造における露光装置において、レチクル面上
の回路パターンをウェハ面上に転写、焼付ける場合には
、レチクル面上の回路パターンをウェハ面上に高精度に
投影結像させること、即ち高精度に焦点合わせなするこ
とが必要となってくる。
一途を辿り、光学的な露光方式も高解像力の投影光学系
の開発等でますますその領域を拡げつつある。このよう
な半導体製造における露光装置において、レチクル面上
の回路パターンをウェハ面上に転写、焼付ける場合には
、レチクル面上の回路パターンをウェハ面上に高精度に
投影結像させること、即ち高精度に焦点合わせなするこ
とが必要となってくる。
従来はこの時の焦点合わせを観察系を利用してレチクル
面」二の回路パターンのウェハ面上での結像状態を観察
し、合焦位置でレチクル若しくはウェハの移動を一時、
停止させて行っていた。この為どうしてもスルーブツト
か低下してくる傾向かあった。
面」二の回路パターンのウェハ面上での結像状態を観察
し、合焦位置でレチクル若しくはウェハの移動を一時、
停止させて行っていた。この為どうしてもスルーブツト
か低下してくる傾向かあった。
又回路パターンをウェハ面上に何度も縁り返して投影し
露光する過程において、その都度焦点調節を厳密に行う
ことは多くの時間を費す為に、その都度、高精度に焦点
調節をしてから露光することは現実には大変困難であっ
た。
露光する過程において、その都度焦点調節を厳密に行う
ことは多くの時間を費す為に、その都度、高精度に焦点
調節をしてから露光することは現実には大変困難であっ
た。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はレチクル面上の回路パターンをウェハ面上に投
影し露光する際に高精度にしかも高速に投影し露光させ
ることのできる露光装置及び露光方法の提供を特徴とす
る 特に本発明はレチクル面とウニへ面とが合焦関係となっ
たときにレチクル若しくはウェハの動作を一時、停止さ
せることなくウニへ面の露光を行うことにより高スルー
ブツト化を図った露光装置及び露光方法の提供をｌ」的
とする。
影し露光する際に高精度にしかも高速に投影し露光させ
ることのできる露光装置及び露光方法の提供を特徴とす
る 特に本発明はレチクル面とウニへ面とが合焦関係となっ
たときにレチクル若しくはウェハの動作を一時、停止さ
せることなくウニへ面の露光を行うことにより高スルー
ブツト化を図った露光装置及び露光方法の提供をｌ」的
とする。
（問題点を解決するための手段）
まず露光装置としては露光用光源により第１物体を照射
し、該第１物体を投影光学系により第２物体面上に投影
し露光する露光装置において検出手段により前記第２物
体面上での前記第１物体の結像状態を、該第１物体若し
くは該第２物体を前記投影光学系の光軸方向に沿って移
動させつつ検出し、前記検出手段からの出力信号を利用
して、前記第１物体若しくは前記第２物体の移動中に前
記第２物体面の露光を行ったことである。
し、該第１物体を投影光学系により第２物体面上に投影
し露光する露光装置において検出手段により前記第２物
体面上での前記第１物体の結像状態を、該第１物体若し
くは該第２物体を前記投影光学系の光軸方向に沿って移
動させつつ検出し、前記検出手段からの出力信号を利用
して、前記第１物体若しくは前記第２物体の移動中に前
記第２物体面の露光を行ったことである。
又露先方法としては露光用光源により第１物体を照射し
、該第１物体を投影光学系により第２物体面上に投影し
露光する前に前記第１物体若しくは前記第２物体を前記
投影光学系の光軸方向に往復移動可能に構成し、この時
前記第１物体若しくは前記第２物体の一方向の移動中に
おける前記第１物体の前記第２物体面上における結像状
態を検出手段により検出し、次いでボｆ記第１物体若し
くは前記第２物体の前記移動方向と逆方向若しくは同方
向の移動中に前記検出手段からの出力信号を利用して前
記第２物体面の露光を行ったことである。
、該第１物体を投影光学系により第２物体面上に投影し
露光する前に前記第１物体若しくは前記第２物体を前記
投影光学系の光軸方向に往復移動可能に構成し、この時
前記第１物体若しくは前記第２物体の一方向の移動中に
おける前記第１物体の前記第２物体面上における結像状
態を検出手段により検出し、次いでボｆ記第１物体若し
くは前記第２物体の前記移動方向と逆方向若しくは同方
向の移動中に前記検出手段からの出力信号を利用して前
記第２物体面の露光を行ったことである。
この側木発明の特徴は実施例において記載されている。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の概略図である。同図におい
て１はパルス発光する露光用光源で例えばエキシマレー
ザ−から成っている。２は露光用光源１からの光束を反
射させるミラー、３は光束を所定の開口数ＮＡの光束に
変換し後述するレチクル４面上を均一照明する為の照明
光学系、４は第１物体である電子回路等の微細パターン
が形成されているレチクルであり、その面上の一部には
回路パターンと同様な微細のヌキパターン等から成る自
動焦点検出用のフォーカスマーク（以下ＡＦマーク）５
が設けられている。６は投影光学系でありレチクル４面
上の回路パターンを第２物体であるウェハ７面上に投影
している。この投影は一般に７５＋’／＋ｏ等の縮少投
影である。ウェハ７は焦点調節の為に投影光学系６の光
軸方向と同方向に往復移動するＺステージ８とレチクル
４との相対位置合わせの為のＸＹステージ９上に保持さ
れている。
て１はパルス発光する露光用光源で例えばエキシマレー
ザ−から成っている。２は露光用光源１からの光束を反
射させるミラー、３は光束を所定の開口数ＮＡの光束に
変換し後述するレチクル４面上を均一照明する為の照明
光学系、４は第１物体である電子回路等の微細パターン
が形成されているレチクルであり、その面上の一部には
回路パターンと同様な微細のヌキパターン等から成る自
動焦点検出用のフォーカスマーク（以下ＡＦマーク）５
が設けられている。６は投影光学系でありレチクル４面
上の回路パターンを第２物体であるウェハ７面上に投影
している。この投影は一般に７５＋’／＋ｏ等の縮少投
影である。ウェハ７は焦点調節の為に投影光学系６の光
軸方向と同方向に往復移動するＺステージ８とレチクル
４との相対位置合わせの為のＸＹステージ９上に保持さ
れている。
又投影光学系は射出側が所謂テレセントリック光学系に
なっており、投影面即ちウェハ７の光軸方向の微少移動
によって投影倍率が変化しないようになっている。ウェ
ハ７、Ｚステージ８そしてｘｙステージ９は定盤１０上
に配置され防振対策がなされている。１１はハーフミラ
−１１２は焦点検出用の光学系で例えば顕微鏡等から成
フている。１３はスリット、１４は光検出器である。光
学系１２．スリット１３．光検出器１４は受光手段２１
の一部を構成している。１８はミラー、１９は投光用光
学系、２０は連続発振する水銀灯等の照明用光源である
。照明用光源２０、投光用光学系１９は照明手段２２の
一部を構成している。受光手段２１と照明手段２２は検
出手段２３の一部を構成している。１５は処理手段であ
り光検出器１４からの信号に応じて内部に有するトリカ
ーパルス発生回路からトリガーパルスを発生させて露光
用光源１をパルス発光させるようになっている。
なっており、投影面即ちウェハ７の光軸方向の微少移動
によって投影倍率が変化しないようになっている。ウェ
ハ７、Ｚステージ８そしてｘｙステージ９は定盤１０上
に配置され防振対策がなされている。１１はハーフミラ
−１１２は焦点検出用の光学系で例えば顕微鏡等から成
フている。１３はスリット、１４は光検出器である。光
学系１２．スリット１３．光検出器１４は受光手段２１
の一部を構成している。１８はミラー、１９は投光用光
学系、２０は連続発振する水銀灯等の照明用光源である
。照明用光源２０、投光用光学系１９は照明手段２２の
一部を構成している。受光手段２１と照明手段２２は検
出手段２３の一部を構成している。１５は処理手段であ
り光検出器１４からの信号に応じて内部に有するトリカ
ーパルス発生回路からトリガーパルスを発生させて露光
用光源１をパルス発光させるようになっている。
この側木実施例ではレチクル４とウェハ７との相対的位
置合わせな行う為のアライメント光学系が配置されてい
るが簡単の為に同図では省略しである。
置合わせな行う為のアライメント光学系が配置されてい
るが簡単の為に同図では省略しである。
本実施例では処理手段１５からの指令により照明用光源
２０を動作させ、照明用光源２０から連続発振した光束
を投光用光学系１９て集光し、ミラー１８で反射させた
後レチクル４面上の一部に設けたＡＦマーク５を照明し
ている。そしてＡＦマーク５を投影光学系６によりウェ
ハ７面上に投影している。ウェハ７面上のＡＦマーク５
の像は反射し投影光学系６とハーフミラ−１１を介して
結像面１６に形成し、更に焦点検出用の光学系１２によ
りスリット１３の近傍に再結像している。スリット１３
とし子クル４とは光学的に共役位置に配置しである。こ
の７４ＡＦマーク５の像がウェハ７面上に合焦して投影
されているときはスリット１３上のＡＦマーク５の像は
鮮明に結像される。
２０を動作させ、照明用光源２０から連続発振した光束
を投光用光学系１９て集光し、ミラー１８で反射させた
後レチクル４面上の一部に設けたＡＦマーク５を照明し
ている。そしてＡＦマーク５を投影光学系６によりウェ
ハ７面上に投影している。ウェハ７面上のＡＦマーク５
の像は反射し投影光学系６とハーフミラ−１１を介して
結像面１６に形成し、更に焦点検出用の光学系１２によ
りスリット１３の近傍に再結像している。スリット１３
とし子クル４とは光学的に共役位置に配置しである。こ
の７４ＡＦマーク５の像がウェハ７面上に合焦して投影
されているときはスリット１３上のＡＦマーク５の像は
鮮明に結像される。
スリン１〜１３の開口の大きさをＡＦマーク５の大きさ
と同程度にしておくことによりＡＦマーク５がウェハ７
面上に完全に合焦したときにスリット１３を通過する光
量が最大となるようにしている。それ以外のときはスリ
ット１３面」二のＡＦマーク５の像がポケるのでスリッ
ト１３を通過する光量は減少する。スリット１３を通過
する光量を光検出器１４で検出し、電気信号に変換して
処理手段１５に人力している。このとき本実施例ではウ
ェハ７を保持している２ステージ８を投影光学系６の光
軸方向と同方向に往復移動させ、この時の一方向に連続
的に移動させることによりウェハ７面」−に投影される
ＡＦマーク５の結像状態を連続的に変化させている。こ
れにより光検出器１４より得られる出力信号は横軸にＺ
ステージ８の一方向の移動量を採ると第２図に示すよう
になる。光検出器１４から得られる出力信号か最大とな
るＺステージの位置Ｆが合焦位置、即ちレチクル４面上
の回路パターンがウェハ７面上に最も良好に投影結像さ
れている位置となる。本実施例ではこのときの位置Ｆを
検出することにより合焦調節を行っている。そして処理
手段１５により位置Ｆ若しくは位置Ｆでの光検出器１４
からの出力信号を記憶しておき、即ち光検出器１４から
の出力信号を利用して、Ｚステージ８の先の移動方向と
は逆方向の移動中に若しくは逆戻りし、再度同方向への
移動中にウェハ７が位置Ｆにきたときにウェハ７の移動
を停止させることなく処理手段１５内のトリカーパルス
発生回路からトリカーパルスを発生させ露光用光源１を
パルス発光させている。これによりレチクル４面上の回
路パターンをウェハ７面上に投影露光している。
と同程度にしておくことによりＡＦマーク５がウェハ７
面上に完全に合焦したときにスリット１３を通過する光
量が最大となるようにしている。それ以外のときはスリ
ット１３面」二のＡＦマーク５の像がポケるのでスリッ
ト１３を通過する光量は減少する。スリット１３を通過
する光量を光検出器１４で検出し、電気信号に変換して
処理手段１５に人力している。このとき本実施例ではウ
ェハ７を保持している２ステージ８を投影光学系６の光
軸方向と同方向に往復移動させ、この時の一方向に連続
的に移動させることによりウェハ７面」−に投影される
ＡＦマーク５の結像状態を連続的に変化させている。こ
れにより光検出器１４より得られる出力信号は横軸にＺ
ステージ８の一方向の移動量を採ると第２図に示すよう
になる。光検出器１４から得られる出力信号か最大とな
るＺステージの位置Ｆが合焦位置、即ちレチクル４面上
の回路パターンがウェハ７面上に最も良好に投影結像さ
れている位置となる。本実施例ではこのときの位置Ｆを
検出することにより合焦調節を行っている。そして処理
手段１５により位置Ｆ若しくは位置Ｆでの光検出器１４
からの出力信号を記憶しておき、即ち光検出器１４から
の出力信号を利用して、Ｚステージ８の先の移動方向と
は逆方向の移動中に若しくは逆戻りし、再度同方向への
移動中にウェハ７が位置Ｆにきたときにウェハ７の移動
を停止させることなく処理手段１５内のトリカーパルス
発生回路からトリカーパルスを発生させ露光用光源１を
パルス発光させている。これによりレチクル４面上の回
路パターンをウェハ７面上に投影露光している。
即ち、本実施例では２ステージの移動速度なＶ （ｍｍ
／５ｅｃ） 、ウェハ面の露光時間をＳ （ｓｅｃ ）
そして所定の解像力を得る為の投影光学系の焦点深度な
δ（＋＋ｕｎ）とするとき Ｖ−Ｓ（δ となるように各要素を構成している。
／５ｅｃ） 、ウェハ面の露光時間をＳ （ｓｅｃ ）
そして所定の解像力を得る為の投影光学系の焦点深度な
δ（＋＋ｕｎ）とするとき Ｖ−Ｓ（δ となるように各要素を構成している。
これによりＺステージを停止１−させることなくウェハ
面の露光を行い、従来のようにその都度Ｚステージを停
止させて露光していたことによるスループットの低下を
改善し、高スループツト化を達成している。
面の露光を行い、従来のようにその都度Ｚステージを停
止させて露光していたことによるスループットの低下を
改善し、高スループツト化を達成している。
尚本実施例においてウェハ面の露光をパルス発光する光
源の代わりに水銀灯等の連続発振する光源と処理手段と
連結したシャッターを利用して行っても良い。この場合
シャッターは露光用光束の光路中であればどこに配置し
ても良い。
源の代わりに水銀灯等の連続発振する光源と処理手段と
連結したシャッターを利用して行っても良い。この場合
シャッターは露光用光束の光路中であればどこに配置し
ても良い。
尚本実施例において光学系１２を用いずにスリット１３
を直接結像面１６の位置に配置するようにしても良い。
を直接結像面１６の位置に配置するようにしても良い。
又本実施例において第２物体であるウェハ７の代わりに
第１物体であるレチクル４を投影光学系６の光軸方向へ
移動させるようにしても良い。
第１物体であるレチクル４を投影光学系６の光軸方向へ
移動させるようにしても良い。
又第１．第２物体を固定させ投影光学系６を構成してい
る一部の光学部材を光軸方向へ移動させることにより結
像状態を変化させるようにしても良い。
る一部の光学部材を光軸方向へ移動させることにより結
像状態を変化させるようにしても良い。
本実施例における投影光学系６の焦点深度及び上２１〜
位置変動量は各々数μｍ程度なのでＺステージ８の駆動
ストロークは２０μｍ程度で十分となる。従って焦点検
出粒度を向」ニさせる為にＺステージ８を繰り返し数回
移動させても短時間で完了するので高粘度にしかも迅速
に焦点検出を行うことかできる。尚Ｚステージ８は連続
的に移動させても良く又段階的に移動させるようにして
も良い。本実施例において露光用光源１としてエキシマ
レーザ−を用いれば、エキシマレーザ−のパルス幅は一
般に１０〜２０ｎｓｅｃ程度と非常に短いので発光時間
内でＺステージ８を停止させないで露光してもＺステー
ジ８の移動量が少なくどントすれを無視することが出来
る。この為エキシマレーザ−を用いれば高スループツト
化が可能となる。
位置変動量は各々数μｍ程度なのでＺステージ８の駆動
ストロークは２０μｍ程度で十分となる。従って焦点検
出粒度を向」ニさせる為にＺステージ８を繰り返し数回
移動させても短時間で完了するので高粘度にしかも迅速
に焦点検出を行うことかできる。尚Ｚステージ８は連続
的に移動させても良く又段階的に移動させるようにして
も良い。本実施例において露光用光源１としてエキシマ
レーザ−を用いれば、エキシマレーザ−のパルス幅は一
般に１０〜２０ｎｓｅｃ程度と非常に短いので発光時間
内でＺステージ８を停止させないで露光してもＺステー
ジ８の移動量が少なくどントすれを無視することが出来
る。この為エキシマレーザ−を用いれば高スループツト
化が可能となる。
本実ｈｈ例において処理手段１５から露光用光源１へ金
魚信号を送り露光用光源１をパルス発光させるまでに電
気回路上の理由から時間的な遅れが生ずる場合は予めそ
の時間を見込んだ補正回路を設は光源のパルス発光時間
を早めるように構成するのが好ましい。本実施例におい
て合焦位置の検出方法としてはどのような方法を用いて
も良く、例えば光量分布の重心位置を評価量にとっても
良く又Ｚステージの移動変位に対する光量変化の微分値
を評価量にとり微分値が０になったところを合焦位置Ｆ
に選ぶようにしても良い。微分値を利用すればＺステー
ジの送りを基準位置から位置Ｆまでの片道だけ行ってや
れば良いので、より高速に合焦検出が可能となる。
魚信号を送り露光用光源１をパルス発光させるまでに電
気回路上の理由から時間的な遅れが生ずる場合は予めそ
の時間を見込んだ補正回路を設は光源のパルス発光時間
を早めるように構成するのが好ましい。本実施例におい
て合焦位置の検出方法としてはどのような方法を用いて
も良く、例えば光量分布の重心位置を評価量にとっても
良く又Ｚステージの移動変位に対する光量変化の微分値
を評価量にとり微分値が０になったところを合焦位置Ｆ
に選ぶようにしても良い。微分値を利用すればＺステー
ジの送りを基準位置から位置Ｆまでの片道だけ行ってや
れば良いので、より高速に合焦検出が可能となる。
本実施例ではＡＦマークを有する検出手段を投影光学系
の画面内に複数個設けても良く、これによればウェハの
湾曲や傾き等を考慮したより高精度の焦点検出が可能と
なる。
の画面内に複数個設けても良く、これによればウェハの
湾曲や傾き等を考慮したより高精度の焦点検出が可能と
なる。
又受光手段２１の一部をレチクルと投影光学系との間に
配置する代わりに投影光学系とウェハとの間に配置する
ようにしても良い。
配置する代わりに投影光学系とウェハとの間に配置する
ようにしても良い。
又投影光学系６が入射側が所謂テレセントリック光学系
である場合には、ウェハ７を固定して、レチクル４を上
下移動させることによって合焦を行っても良い。この場
合は、レチクル４近傍ではウェハ７近傍に比べ焦点深度
が投影光学系６の縮少率の２乗倍に増える（例えば１７
５投影系なら２５倍）ので、より高精度の合焦が行える
。
である場合には、ウェハ７を固定して、レチクル４を上
下移動させることによって合焦を行っても良い。この場
合は、レチクル４近傍ではウェハ７近傍に比べ焦点深度
が投影光学系６の縮少率の２乗倍に増える（例えば１７
５投影系なら２５倍）ので、より高精度の合焦が行える
。
尚本実施例において照明用光源２０からの波長と露光用
光源１からの波長は同一である必要はなくＷっでいても
良い。異っているときは投影光学系６を各々の波長で色
収差補正をしておくか若しくは補正用光学系を新たにＡ
Ｆマーク５からの光束が通過する位置に設ければ本発明
の目的を同様に達成することができる。
光源１からの波長は同一である必要はなくＷっでいても
良い。異っているときは投影光学系６を各々の波長で色
収差補正をしておくか若しくは補正用光学系を新たにＡ
Ｆマーク５からの光束が通過する位置に設ければ本発明
の目的を同様に達成することができる。
本実施例ではＡＦマークをレチクル面上に設けて投影光
学系を介してウェハ面上に投影した場合を示したが、投
影光学系を介さずにＡＦマークをウェハ面上に投影し、
この時のＡＦマークの結像状態を検出することによりマ
スクとウェハとの合焦状態を検出するようにしても良い
。
学系を介してウェハ面上に投影した場合を示したが、投
影光学系を介さずにＡＦマークをウェハ面上に投影し、
この時のＡＦマークの結像状態を検出することによりマ
スクとウェハとの合焦状態を検出するようにしても良い
。
（発明の効果）
本発明によれば第１物体を投影光学系を介して第２物体
面上に投影露光する際、第１物体面に設けたＡＦマーク
の第２物体面上ての結像状態を検出手段により第１物体
若しくは第２物体を投影光学系の光軸方向へ移動させな
から検出し、この時の検出手段からの信号を利用するこ
とにより第１物体若しくは第２物体の移動を停止させる
ことなく第２物体面を露光することにより高精度にしか
も迅速に焦点調節を行うことのできる露光装置及び露光
方法を達成することができる。
面上に投影露光する際、第１物体面に設けたＡＦマーク
の第２物体面上ての結像状態を検出手段により第１物体
若しくは第２物体を投影光学系の光軸方向へ移動させな
から検出し、この時の検出手段からの信号を利用するこ
とにより第１物体若しくは第２物体の移動を停止させる
ことなく第２物体面を露光することにより高精度にしか
も迅速に焦点調節を行うことのできる露光装置及び露光
方法を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の概略図、第２図は本発明に
おいて焦点検出を行ったときの光検出器からの出力括号
の説明図である。 図中１は露光用光源、３は照明光学系、４は第１物体と
してのレチクル、５はＡＦマーク、６は投影光学系、７
は第２物体としてのウェハ、８は２ステージ、１１はハ
ーフミラ−１１２は焦点検出用の光学系、１３はスリッ
ト、１４は光検出器、１５は処理手段、１９は投光用光
学系、２０は照明用光源、２１は受光手段、２２は照明
手段、２３は検出手段である。 特許出願人 キャノン株式会社 ：、２ゴリ
おいて焦点検出を行ったときの光検出器からの出力括号
の説明図である。 図中１は露光用光源、３は照明光学系、４は第１物体と
してのレチクル、５はＡＦマーク、６は投影光学系、７
は第２物体としてのウェハ、８は２ステージ、１１はハ
ーフミラ−１１２は焦点検出用の光学系、１３はスリッ
ト、１４は光検出器、１５は処理手段、１９は投光用光
学系、２０は照明用光源、２１は受光手段、２２は照明
手段、２３は検出手段である。 特許出願人 キャノン株式会社 ：、２ゴリ
Claims (6)
- （１）露光用光源により第１物体を照射し、該第１物体
を投影光学系により第２物体面上に投影し露光する露光
装置において検出手段により前記第２物体面上での前記
第１物体の結像状態を、該第１物体若しくは該第２物体
を前記投影光学系の光軸方向に沿って移動させつつ検出
し、前記検出手段からの出力信号を利用して、前記第１
物体若しくは前記第２物体の移動中に前記第２物体面の
露光を行ったことを特徴とする露光装置。 - （２）前記露光用光源にパルス光束を放射するパルス光
源を用い、該パルス光束を利用して前記第２物体面の露
光を行ったことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の露光装置。 する特許請求の範囲第２項記載の投影露光装置。 - （３）前記露光用光源に連続光束を放射する連続光源を
用い、該連続光束を露光用光路中に配置したシャッター
を利用して前記第２物体面に導光し露光を行ったことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 - （４）露光用光源により第１物体を照射し、該第１物体
を投影光学系により第２物体面上に投影し露光する前に
前記第１物体若しくは前記第２物体を前記投影光学系の
光軸方向に往復移動可能に構成し、この時前記第１物体
若しくは前記第２物体の一方向の移動中における前記第
１物体の前記第２物体面上における結像状態を検出手段
により検出し、次いで前記第１物体若しくは前記第２物
体の前記移動方向と逆方向若しくは同方向の移動中に前
記検出手段からの出力信号を利用して前記第２物体面の
露光を行ったことを特徴とする露光方法。 - （５）前記露光用光源にパルス光束を放射するパルス光
源を用い、該パルス光束を利用して前記第２物体面の露
光を行ったことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の露光方法。 する特許請求の範囲第２項記載の投影露光装置。 - （６）前記露光用光源に連続光束を放射する連続光源を
用い、該連続光束を露光用光路中に配置したシャッター
を利用して前記第２物体面に導光し露光を行ったことを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114194A JPH06105676B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
| US07/724,451 US5114223A (en) | 1985-07-15 | 1991-07-03 | Exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61114194A JPH06105676B2 (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269315A true JPS62269315A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH06105676B2 JPH06105676B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=14631553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61114194A Expired - Fee Related JPH06105676B2 (ja) | 1985-07-15 | 1986-05-19 | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105676B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009288608A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | 光学部品の製造方法およびカラーフィルタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5459883A (en) * | 1978-10-11 | 1979-05-14 | Hitachi Ltd | Pattern printing apparatus |
| JPS5918950A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-31 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシユタルト | 加工片上へのマスクの投影転写装置およびその調整方法 |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP61114194A patent/JPH06105676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5459883A (en) * | 1978-10-11 | 1979-05-14 | Hitachi Ltd | Pattern printing apparatus |
| JPS5918950A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-31 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシユタルト | 加工片上へのマスクの投影転写装置およびその調整方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009288608A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | 光学部品の製造方法およびカラーフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105676B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |