JPS62268129A - 石英ガラス製治具 - Google Patents

石英ガラス製治具

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JPS62268129A
JPS62268129A JP11239686A JP11239686A JPS62268129A JP S62268129 A JPS62268129 A JP S62268129A JP 11239686 A JP11239686 A JP 11239686A JP 11239686 A JP11239686 A JP 11239686A JP S62268129 A JPS62268129 A JP S62268129A
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JP
Japan
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bubbles
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quartz glass
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heat
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Application number
JP11239686A
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English (en)
Inventor
Kyoichi Inagi
恭一 稲木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体を熱処理する際に使用される炉芯管、
ペルジャー等の石英ガラス製治具に関し、特に耐熱性(
寸法安定性)、均熱性に優れ、しがも汚染防止効果を高
めた冶具の提供を目的とする。
(従来の技術とその問題点) 現在半導体業界では、半導体ウェーハの熱処理に使用さ
れる石英ガラス製治具たとえば炉芯管として、処理物を
汚染しないため高純度透明石英ガラスが使用されている
。しかし半導体熱処理温度である1100℃前後で長時
間の熱処理を行うと、石英ガラス製炉芯管に変形やたわ
みが生じる。ウェーハの大口径化が進んでいる半導体業
界では、炉芯管のたわみや変形は大きな問題である。
また熱処理炉炉壁からの不純物が、熱処理中に石英ガラ
ス裂炉芯管を透過して半導体ウェーハを汚染し、歩留ま
りの低下を招いている。
さらに炉芯管の均熱性が良好でないと、炉芯管内温度分
布が不均一となり、各ウェーハが均等に処理されない。
以上の問題点を解決するため、従来より以下の方法が行
なわれている。例えば耐熱性を高めるために、シリコン
カーバイト管等を使用する方法が行われているが、これ
は高価であり、しかも純度的に石英ガラスには及ばない
ので、ウェーハを汚染するおそれがある。
また均熱性、耐熱性を高めるために、気泡を包含した半
透明の石英ガラス炉芯管を使用する方法もあるが、不純
物の拡散防止効果はなく、また弗化水素酸等による洗浄
時に気泡が開口し、そこに不純物が残存しやすくなり、
失透の原因となるという欠点があった。
(問題点を解決するための手段) そこで本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、下記の結論
を得た。
一般に透明な天然石英ガラスは均熱効果が悪く、しかも
OH基の含有量はあまり多くないので、不純物の拡散防
止効果も少ない。また合成石英ガラスは、不純物の含有
量は非常に小さいのでウェーハを汚染するおそれは少な
く、OH基の含有量が多いため、不純物の拡散防止効果
は大きいものの、高温での寸法安定性が極端に悪い。さ
らに多数の気泡を包含する石英ガラスは高い均熱効果を
有しているが、弗化水素酸(HF)等による洗浄時に表
面の気泡が開口するので好ましくない。
上記したように各種の石英ガラスは、含有するOH基に
よって寸法安定性、不純物の拡散防止性が変化するし、
包含する気泡の量によって均熱性も大きく左右される。
OH基や気泡の状態は石英ガラスの製造方法によりつぎ
のように変化させることができる。
すなわち、ペグマタイト鉱石より選鉱して得た粒状水晶
を、ベルタイ法で溶融してつくった石英ガラスは、一般
にOH基の含有量が250ppm以下で、気泡はほとん
ど包含されていない。また四塩化珪素を直接火炎法で溶
融して得た石英ガラスは、OH基の含有量が500〜2
000 ppmで気泡は全く包含されていない。さらに
水晶をアーク放電で溶融した石英ガラスは、○I]基の
含有量は少ないが、多数の気泡を包含している。
このように、種々の原料および製法によっているいろな
特性をもつ石英ガラスが得られるが、それぞれ一長一短
があり、一種類の石英ガラスでは本発明の目的を達成す
ることができない。
本発明者は、上記の検討結果に基づいて、特性の異なっ
た石英ガラスを組合せた3層構造により、前記問題点を
解決する方法を見出し本発明に到達したもので、これは
内外表面に実質的に気泡のない透明層を有し、その両透
明層で挟まれた中心層が微細気泡入り半透明層であるこ
とを特徴とする石英ガラス製治具であり、さらにOH基
に関しては、外表面透明層におけるOH基含有量が30
0〜2000ppm、内表面透明層におけるOH基含有
量が250ppm以下である石英ガラス製治具を要旨と
するものである。
(作用) つまり本発明は、第1図、第2図に示すように、気泡1
を包含し、OH基含有量の少ない中心層2により均熱性
および寸法安定性を増し、OH基含有量の多い外表面透
明層3(以下外面層という)により不純物の拡散透過を
防止し、気泡をなくして透明化した内表面透明層4(以
下内面層という)と前記外面層3により、弗化水素酸等
で洗浄した際生じる開泡がないようにしたものである。
中心層の気泡は1mm’あたり20〜300個とすれば
均熱効果の効率が良<、20個以下では効果が望めず、
また300個以上では製造時に原料の粒度を細くする工
程を導入することになり、経済的に不利である。
気泡の形状については特に規定しないが、真球よりも楕
円球の方が均熱効果を高める。あまり大きな気泡では炉
芯管の強度が低下する。気泡の配位方向や分布は使用方
法や使用目的にあわせて調節すればよい。
気泡を包含する中心層の肉厚は特に規定しないが、全体
の肉圧に対しての比が大きくなれば耐熱性、均熱性は高
くなるので好ましい。しかし不純物拡散防止効果や弗化
水素酸による洗浄時に開泡しないようにするには、透明
な内外両面層は少なくとも50μm以上ある方が好まし
い。
外面層はOH基の含有量が多ければ不純物の拡散を防止
する効果がある。この効果は、OH基の含有量が多いほ
ど高いが、OH基の含有量が2000ppm以上になる
と寸法安定性が低下し、炉内での使用に支障をきたす、
また石英ガラス中に2000ppm以上のOH基を含有
させるには、製造時の母材の成長速度を非常に遅くしな
ければならず、経済的に不利である。また300ppm
以下では、内面層と同等の不純物防止効果しか得られず
効率的でない。内面層は○I(基の含有量が250pp
m以上になると、使用する際に、ガラス管内部に挿入し
た石英ガラス冶具と溶着してしまい好ましくない。
つぎに石英ガラスの純度について述べると、高集積化が
進む半導体処理工程では、アルカリ、アルカリ土類、ウ
ラン等の放射性元素含有量が少ない程ウェーハの歩留ま
りは向上する。また天然シリカを原料としなくても、合
成ガラス原料やゾル−ゲル法により装造した原料から製
造してもよい。
以上本発明を、主として半導体熱処理用石英ガラス炉芯
管を例として説明したが、本発明は炉芯管のみに限定す
るものではなく、半導体熱処理用石英ガラス管、ペルジ
ャー、チャンバー等の冶具においても有用であることは
もちろんである。
(実施例1) 四塩化珪素を原料として酸水素溶融法により、外径20
0Irn、肉厚50[lWn、長さ100mmのインゴ
ットを作製し、これをクラス100のクリーンルーム内
に設置したクリーン成型炉で、2300°Cに加熱しな
がら一方から延伸させ、外径230nvn、肉厚10n
mの合成石英ガラス管を作製した。ついでこの石英ガラ
ス管を縦型回転装置に装着し、100r四の速度で回転
しながら浮遊選鉱および仮焼処理を行った粒度100〜
300μmの粒状水晶粉を、自動吹付は装置を使用して
、石英ガラス管内側に50nn+の厚さに堆積させた。
つぎに天然水晶をベルソイ法にて溶融してつくった外径
130m、肉厚10mmの天然石英ガラス管を、粒状水
晶粉層の内側に挿入した。そして上記三層一体となった
石英ガラス管を上記成型炉にて加熱し、外径200m、
肉厚10nn、長さ2000mの石英ガラス製炉芯管を
得た。この場合炉芯管の中心層には1mm’あたり10
0個の気泡が包含され、OH基含有量は外表面透明層で
800ppm、内表面透明層で200ppmであった。
(実施例2) 実施例1におけるインゴットの成長速度を遅くして、O
H基含有量が1800ppmの合成石英ガラス管を外表
面透明層に使用した。その他は実施例1と同じであった
(比較例上) 実施例1における外表面透明層と同じ合成石英ガラス管
を内表面透明層に使用した。その他は実施例1と同しで
あった。
(比較例2) 実施例1における内表面透明層と同し天然石英ガラス管
を外表面透明層に使用した。その他は実施例1と同じで
あった。
(比較例3) 実施例1と同じ外表面透明層、中心層を形成し、内側に
石英ガラス管を挿入せず、二層構造の石英ガラス製炉芯
管を作成した。
(比較例4) 天然水晶をベルソイ法で溶融して得た石英ガラスだけで
炉芯管を作成した。このガラスのOH基含有量は200
ppmであった。
(比較例5) 粒度250〜450μmの粒状水晶粉を用いて中心層を
形成した以外は、実施例1と同様の材料、方法で石英ガ
ラス製炉芯管を作成したところ、中心層には1dあたり
10個の気泡を包含し、内、外表面透明層のOH基含有
量は実施例1と同じであった。
以上実施例1,2および比較例上、2.3.4.5の炉
芯管に対し、下記(A)、(B)、(C)、(D)の測
定または観察を行なった。
(A)1050℃に加熱した半導体ウェーハ熱処理用横
型炉に上記炉芯管を装着し、均熱長10001Trnで
の温度分布を測定した。
(B)表面薄膜法により、900°Cにおける22Na
の自己拡散係数を測定した。
(C)SOXの弗化水素酸洗浄液で上記r芯管を30分
洗浄した後、内外表面状態を観察した。
(D)1050°Cに加熱した半導体ウェーハ熱処理用
横型炉に上記炉芯管を装着し、炉芯管内に一般的な石英
ガラス製マザーボートを挿入し、一般的な方法によりウ
ェーハを熱処理した後。
炉芯管を外し内外表面状態を観察した。
この結果を次表に示す。
上表より明らかなように、実施例1,2における炉芯管
は均熱効果が大きく、Naの拡散速度が小さいので、不
純物の拡散、透過の防止力が大きく、弗化水素酸等によ
る洗浄時に開泡がなく、半導体処理用として好適である
これに対し比較例1は、炉芯管内に挿入した石英ガラス
ポートが溶着し、比較例2.4はいずれもNaの拡散速
度が大きく、そのうえ比較例3は開泡があり、比較例4
.5は均熱効果が悪く、いずれも半導体処理用として不
適であった・(発明の効果) 以上詳細に説明したように1本発明の石英ガラス製炉芯
管は、OH基の含有量が多い外表面透明層が不純物の拡
散、透過を防止し、中心層の気泡を包含しOH基の含有
量が少ない石英ガラスが高い均熱効果及び寸法安定性を
確保した。しかも内外表面透明層に全く気泡を包含しな
いので、洗浄後の石英ガラス表面にも開泡がない。この
ように、本発明は半導体処理用冶具にきわめて好適な石
英ガラスを開発した産業上有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一例である炉芯管の断面図、第2図は
本発明の他の例であるペルジャーの壁の一部断面図であ
る。 1・・・気泡、 2・・・中心層、 3・・外面層、4
・・・内面層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)内外表面に実質的に気泡のない透明層を有し、その
    両透明層で挟まれた中心層が微細気泡入り半透明層であ
    ることを特徴とする石英ガラス製治具。 2)半導体ウェーハの熱処理工程に使用される特許請求
    の範囲第1項記載の石英ガラス製治具。 3)外表面透明層におけるOH基含有量が300〜20
    00ppm、内表面透明層におけるOH基含有量が25
    0ppm以下である特許請求の範囲第1項記載の石英ガ
    ラス製治具。 4)半導体工業用炉芯管である特許請求の範囲第3項記
    載の石英ガラス製治具。
JP11239686A 1986-05-16 1986-05-16 石英ガラス製治具 Pending JPS62268129A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162423A (ja) * 1994-11-30 1996-06-21 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 枚葉式ウエーハ熱処理装置とその装置に用いる反応容器の製造方法
JPH10163122A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Fukui Shinetsu Sekiei:Kk 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917242A (ja) * 1982-07-20 1984-01-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体製造用石英ガラス

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