JPS6226723A - 真空遮断器用接点材料の製造方法 - Google Patents
真空遮断器用接点材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS6226723A JPS6226723A JP16573085A JP16573085A JPS6226723A JP S6226723 A JPS6226723 A JP S6226723A JP 16573085 A JP16573085 A JP 16573085A JP 16573085 A JP16573085 A JP 16573085A JP S6226723 A JPS6226723 A JP S6226723A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- contact
- powder
- manufacturing
- circuit breaker
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は大電流を開閉する電路開閉器の接点材、なか
んずく真空開閉器、遮断器の接点材とその製造法に関し
、特に放出ガスの少ない焼結型あるいは溶浸型接点の製
造方法に関する。
んずく真空開閉器、遮断器の接点材とその製造法に関し
、特に放出ガスの少ない焼結型あるいは溶浸型接点の製
造方法に関する。
牧
〔発明の糠術的背景とその問題点〕
真空遮断器は小形、無保守、無公害性など、他の遮断器
に比べ優れた特徴を有するため、近年、〜７２ＫＶ以上
にまで適用されるようになった。高耐圧化は接点材料の
性質（二依存する。経験的には溶解法で製造していたＣ
ｕ−旧糸のように低融点。
に比べ優れた特徴を有するため、近年、〜７２ＫＶ以上
にまで適用されるようになった。高耐圧化は接点材料の
性質（二依存する。経験的には溶解法で製造していたＣ
ｕ−旧糸のように低融点。
高蒸気圧材（例えば旧）が接点の構成要素となっている
と、高耐圧化にはやや難点があった。
と、高耐圧化にはやや難点があった。
そこでＣｕ−Ｗ、Ｃｕ−Ｃｒのように粉末を焼結、ある
いはＷ、Ｃｒの多孔質スケルトンにＣｕ等を溶浸して接
点を製造していた。しかし粉体はその体積に比して表面
積が大きいので、その表面に付着したガスが多量にある
ので、この吸着ガスを無くす工程が接点の性質に重要な
影響を与えてきた。従来吸着ガスを取る工程として、真
空中での焼結処理（例えば、特開昭５９−９４３２０号
公報に記載の工程）、あるいは水素雰囲気中の処理（例
えば特開昭５９−１７１４２１号公報に記載の工程）な
どが知られている。
いはＷ、Ｃｒの多孔質スケルトンにＣｕ等を溶浸して接
点を製造していた。しかし粉体はその体積に比して表面
積が大きいので、その表面に付着したガスが多量にある
ので、この吸着ガスを無くす工程が接点の性質に重要な
影響を与えてきた。従来吸着ガスを取る工程として、真
空中での焼結処理（例えば、特開昭５９−９４３２０号
公報に記載の工程）、あるいは水素雰囲気中の処理（例
えば特開昭５９−１７１４２１号公報に記載の工程）な
どが知られている。
しかし、接点の耐溶着性の優れているＣｒ、Ｗ等はガス
吸着力が強く、上記の如き処理では十分吸着ガスを取る
ことが出来ない。
吸着力が強く、上記の如き処理では十分吸着ガスを取る
ことが出来ない。
例えばＷ上（二物理吸着された０（酸素）原子はＣＯ等
の還元性ガス中で２５００ Ｃで加熱しても取れないこ
とが知られている。
の還元性ガス中で２５００ Ｃで加熱しても取れないこ
とが知られている。
一方アークの陰極点の温度は３．．０００に〜３，５０
０に程度と考えられているので、電流遮断時には大址の
ガス放出が起り大電流の遮断性能を損なっていた。
０に程度と考えられているので、電流遮断時には大址の
ガス放出が起り大電流の遮断性能を損なっていた。
例えば従来の方式の製造方法で製作したＣｕ−Ｃｒ接点
ではガス含有量は約５００〜２０００ ｐｐｍにも及ぶ
。
ではガス含有量は約５００〜２０００ ｐｐｍにも及ぶ
。
吸着ガスを取るために処理温度を２０００ Ｋ以上にす
ることは装置価格、接点材の蒸気圧等の関連から実現困
難であった。
ることは装置価格、接点材の蒸気圧等の関連から実現困
難であった。
本発明の目的は、上述した事情に鑑み、所望の＃着防止
性能、高耐圧性能を維持しつつアーク発生時の遊離ガス
の生成の少ない真空遮断器用接点材料の製造方法を提供
すること（二ある。
性能、高耐圧性能を維持しつつアーク発生時の遊離ガス
の生成の少ない真空遮断器用接点材料の製造方法を提供
すること（二ある。
Ｃｕ−Ｃｒ接点材の製造で、ガス吸着の多いＣｒの処理
可能温度はその蒸気圧特性から高々１，２００Ｃでこの
条件で得られた接点のガス含有風は約４００〜７００
ｐｐｍであった。
可能温度はその蒸気圧特性から高々１，２００Ｃでこの
条件で得られた接点のガス含有風は約４００〜７００
ｐｐｍであった。
本発明に用いた接点製造方法では粉体または繊維体の表
面に付着している不純物、例えば油脂の除去、吸着ガス
の脱離を低温でも十分行えるように、活性ガス、還元性
ガスの励起、 ｉＮ＆状態を利用した。
面に付着している不純物、例えば油脂の除去、吸着ガス
の脱離を低温でも十分行えるように、活性ガス、還元性
ガスの励起、 ｉＮ＆状態を利用した。
先ず粉体の表面に吸着している水は真空中で約２００Ｃ
〜５００ Ｃの加熱で除去される。表面の油脂等の付着
物は１例えばＣＦ４を含むＡｒガス等の中でのガス放電
雰囲気に粉体な曝すことにより、取除ける。粉体表面上
にさらに強固に吸着、結合しているＯ（酸素原子）はＨ
６あるいはＣＯを含むＡｒガス等の中でのガス放電雰囲
気に粉体な曝すことによりほぼ完全に取り除かれる。
〜５００ Ｃの加熱で除去される。表面の油脂等の付着
物は１例えばＣＦ４を含むＡｒガス等の中でのガス放電
雰囲気に粉体な曝すことにより、取除ける。粉体表面上
にさらに強固に吸着、結合しているＯ（酸素原子）はＨ
６あるいはＣＯを含むＡｒガス等の中でのガス放電雰囲
気に粉体な曝すことによりほぼ完全に取り除かれる。
このような処理を経た後、焼結あるいは溶浸によって接
点の素材を製造する。
点の素材を製造する。
本発明の製造方法によって、ガス分析の結果ガス（王と
して０２ｓ ＮＪ含有量は約１ｏ ｐｐｍ程度となり、
溶解法で製造した接点材例えばＣｕ−旧材とほぼ同程度
の値が得られた。
して０２ｓ ＮＪ含有量は約１ｏ ｐｐｍ程度となり、
溶解法で製造した接点材例えばＣｕ−旧材とほぼ同程度
の値が得られた。
本発明の脱ガス処理は水素処理、真空処理：；比べ低温
で行えるので、焼結、溶浸の温度も低温で行うことが可
能となった。
で行えるので、焼結、溶浸の温度も低温で行うことが可
能となった。
粉末冶金で製造する接点材ではＡｋ、λｇ、Ｃｕ等の高
導電率材料の耐溶着性を改善するためｌ：１−Ｃｒ。
導電率材料の耐溶着性を改善するためｌ：１−Ｃｒ。
Ｍｏ、Ｗ等の高融点の粉体あるいは繊維体を高導電率材
も−ｍ合するものである。したがって、高融点の粉体、
繊維体の構成材が高導電率材料に拡散し固溶体あるいは
金属間化合物を生成しない方が望ましい。このために低
温で焼結、溶浸することが有利である。
も−ｍ合するものである。したがって、高融点の粉体、
繊維体の構成材が高導電率材料に拡散し固溶体あるいは
金属間化合物を生成しない方が望ましい。このために低
温で焼結、溶浸することが有利である。
高導電率材の粉体と高融点材の粉体または繊維体をあら
かじめ混合・攪拌した後に焼結して製造する方法では、
本発明脱ガス処理法が特に有効である。また金属硼化物
においても低温での焼結。
かじめ混合・攪拌した後に焼結して製造する方法では、
本発明脱ガス処理法が特に有効である。また金属硼化物
においても低温での焼結。
溶浸が特に重要である。高導電材と金属硼化物とを混合
し高温に維持しておくと硼化物中の硼素（Ｂ）が高導材
中に拡散し、新たな硼化物を生成し、接点の電気伝導度
を低下させる。
し高温に維持しておくと硼化物中の硼素（Ｂ）が高導材
中に拡散し、新たな硼化物を生成し、接点の電気伝導度
を低下させる。
このように本発明の接点製造法によれば、接点中の遊離
ガスをほぼ完全に除去出来るばかりでなく、接点の低温
製造が可能となり接点の電気伝導度の低下も防ぐことが
可能となった。
ガスをほぼ完全に除去出来るばかりでなく、接点の低温
製造が可能となり接点の電気伝導度の低下も防ぐことが
可能となった。
ｆｓ１図は本発明の実施装置の一例を示す。
真空炉１はバルブ（ｖｓ） ２を通し、排気装置（ＥＸ
）３により真空に排気される。接点の素材４はボート５
に納める。このボートには素材の粉体あるいは繊維体を
攪拌する装置（図示せず）と接続棒６を通してつらなっ
ている。′−！た素材加熱ヒータ７がボート５の底部に
設けてあり、ヒータは電源（ＰＳ、）８に接続されてい
る。電極９がボート中の素材４と対向して設置しである
。電極９と素材あるいはボートとの間に放電電源１ｏが
接続されている。
）３により真空に排気される。接点の素材４はボート５
に納める。このボートには素材の粉体あるいは繊維体を
攪拌する装置（図示せず）と接続棒６を通してつらなっ
ている。′−！た素材加熱ヒータ７がボート５の底部に
設けてあり、ヒータは電源（ＰＳ、）８に接続されてい
る。電極９がボート中の素材４と対向して設置しである
。電極９と素材あるいはボートとの間に放電電源１ｏが
接続されている。
ガス供給系は三つのガスリザーバ（ＧＲＩ）１１゜（Ｇ
Ｒ，） １２． （ＧＲ３） １３に各々希ガス等の
不活性ガス、 ＣＦ、等のハロゲン元素を含むガス、Ｈ
，、ＣＯ等の還元性ガスが貯えられている。これらのガ
スは各々バルブ（Ｖｌ） １４．（Ｌ） ｉｓ、 （’
ｉ’ｓ） １６１およびバルブ（Ｖ、）１７を通して真
空炉中に供給される。
Ｒ，） １２． （ＧＲ３） １３に各々希ガス等の
不活性ガス、 ＣＦ、等のハロゲン元素を含むガス、Ｈ
，、ＣＯ等の還元性ガスが貯えられている。これらのガ
スは各々バルブ（Ｖｌ） １４．（Ｌ） ｉｓ、 （’
ｉ’ｓ） １６１およびバルブ（Ｖ、）１７を通して真
空炉中に供給される。
先ず素材、例えばＣｕ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ等の粉
体あるいは繊維体を混合しボート内に納める。バルブ（
Ｖ、）〜（ｖ４）は閉じ真空炉を排気装ｇＥＸで１×１
０” Ｔｏ ｒ ｒ以下の圧力に排気する。
体あるいは繊維体を混合しボート内に納める。バルブ（
Ｖ、）〜（ｖ４）は閉じ真空炉を排気装ｇＥＸで１×１
０” Ｔｏ ｒ ｒ以下の圧力に排気する。
加熱ヒータ７により素材４を２００〜５００Ｃ１＝加熱
し、素材の表面に付着しているＨ、Ｏ（水）等を除去す
る。
し、素材の表面に付着しているＨ、Ｏ（水）等を除去す
る。
次に素材の前処理、例えばフレオン洗浄で十分除去出来
なかった油脂等を除くため、ガスリザーバ（ＧＲＩ）お
よび（ＧＲｌ）から各々不活性ガス、ハロゲン元素を含
むガスを適当な混合比で゛まぜ真空炉に導入し、放電電
源（ｐｓ２）ｔｏをＯＮＬ２、素材４と電極９との間に
均一な放電を起す。この放′磁によりガスは励起あるい
は電離され、熱的に加熱された状態よりはるかにエネル
ギーの高い状態になる。この状態のガスを素材表面に接
触させることにより容易１：表面層を除去することが可
能となる。除去されたものはハロゲン化物のガスとして
排気装置ｉｉ（ｇｘ）３を通じ外部：；排出される。素
材の表面が酸化層で覆われているような場合はガスリザ
ーバ（ＧＲｓ）＝ （ＧＲ，）から各々不活性ガス。
なかった油脂等を除くため、ガスリザーバ（ＧＲＩ）お
よび（ＧＲｌ）から各々不活性ガス、ハロゲン元素を含
むガスを適当な混合比で゛まぜ真空炉に導入し、放電電
源（ｐｓ２）ｔｏをＯＮＬ２、素材４と電極９との間に
均一な放電を起す。この放′磁によりガスは励起あるい
は電離され、熱的に加熱された状態よりはるかにエネル
ギーの高い状態になる。この状態のガスを素材表面に接
触させることにより容易１：表面層を除去することが可
能となる。除去されたものはハロゲン化物のガスとして
排気装置ｉｉ（ｇｘ）３を通じ外部：；排出される。素
材の表面が酸化層で覆われているような場合はガスリザ
ーバ（ＧＲｓ）＝ （ＧＲ，）から各々不活性ガス。
還元性ガスを適当な混合比でまぜ真空炉に導入し、放電
電源（ｐ ｓｔ）をＯＮＬ放電を起す。励起ガスと素材
表面との接触を良くするため、攪拌装置によって素材を
良く攪拌する。ハロゲン化物のガス放電による処理、還
元性ガスのガス放電による処理の両方を行うか、一方の
みで完了するかは素材の性質：二よる。
電源（ｐ ｓｔ）をＯＮＬ放電を起す。励起ガスと素材
表面との接触を良くするため、攪拌装置によって素材を
良く攪拌する。ハロゲン化物のガス放電による処理、還
元性ガスのガス放電による処理の両方を行うか、一方の
みで完了するかは素材の性質：二よる。
放電は電極を有しないマイクロ波放電を利用しても良い
。放電による処理を完了した後、真空炉中は高真空に排
気し、あるいはこの後不活性ガスを１００ Ｔｏｒｒ以
下満たす。
。放電による処理を完了した後、真空炉中は高真空に排
気し、あるいはこの後不活性ガスを１００ Ｔｏｒｒ以
下満たす。
次；二加熱ヒータの温度を上げ素材を焼結し接点材を製
造を完了する。
造を完了する。
Ｃｒを代表原料として具体的に述べる。
通常、原料のガス祉は、１０００〜７０００ ｐｐｍで
ある。これに本発明技術を付与することによって。
ある。これに本発明技術を付与することによって。
第１表に示すように、５０＝ １００ ｐｐｍになり１
／２０〜１／ＴＯに減少する。この原料Ｃｒを使用し９
５０Ｃの真空中で約１時間焼結して得たｃｒスケルトン
の残存空孔中に銅を溶浸させて得た５０％Ｃｕ−Ｃｒ合
金中のＯ，ガス量は１０〜３０ ｐｐｍであった。
／２０〜１／ＴＯに減少する。この原料Ｃｒを使用し９
５０Ｃの真空中で約１時間焼結して得たｃｒスケルトン
の残存空孔中に銅を溶浸させて得た５０％Ｃｕ−Ｃｒ合
金中のＯ，ガス量は１０〜３０ ｐｐｍであった。
（以下余白）
本発明効果を明らかにする為にこれと対比する実験とし
て本発明技術を付与しないＣｒ粉末を使用し、上記焼結
、溶浸条件と同一の熱処理を行って５０％Ｃｕ−Ｃｒ合
金を得た。この合金中のＯｔガス量は４００〜３０００
ｐｐｍであり、本発明技術を付与した５０’１ｒＣｕ
−Ｃ（合金中のガスは、付与しない場合の１／４０〜１
／ｌ ＯＱであった。（実施例−１）他のＴｔ、 Ｃｒ
ＢＣ１、ＴｉＣ，ＣｒＢ、 、 ＴｉＢ２． ＣｒＮ、
ＴｉＮ（実施例２〜８）についても表−１のように同
じ効果を得た。
て本発明技術を付与しないＣｒ粉末を使用し、上記焼結
、溶浸条件と同一の熱処理を行って５０％Ｃｕ−Ｃｒ合
金を得た。この合金中のＯｔガス量は４００〜３０００
ｐｐｍであり、本発明技術を付与した５０’１ｒＣｕ
−Ｃ（合金中のガスは、付与しない場合の１／４０〜１
／ｌ ＯＱであった。（実施例−１）他のＴｔ、 Ｃｒ
ＢＣ１、ＴｉＣ，ＣｒＢ、 、 ＴｉＢ２． ＣｒＮ、
ＴｉＮ（実施例２〜８）についても表−１のように同
じ効果を得た。
尚、このようにして得た接点を使用して再点弧発生確率
を調査するといずれの材料に対してもその発生頻度が１
／２〜１１５に減少している。
を調査するといずれの材料に対してもその発生頻度が１
／２〜１１５に減少している。
上述効果は、実施例１−８に示した材料以外にも前記材
料群のいずれに対してもその効果が認められる。又、実
施例１−８では、高導電性材料としてＣｕＯ例を示した
が、Ａｇ父はＣｕ−Ａｇ合金。
料群のいずれに対してもその効果が認められる。又、実
施例１−８では、高導電性材料としてＣｕＯ例を示した
が、Ａｇ父はＣｕ−Ａｇ合金。
人形などζ二対しても同じ効果が得られている。
ガス励起のための代表的条件は全ガス圧Ｉ Ｔｏｒｒで
アルゴンガス中に約１０％（圧力比）のＣ（Ｊ、混合ガ
ス中で直流放ｖＬ（放電電流密度ｚ １０ ｍＡ／ｃＩ
Ｉ）で約２０分処理後、再び全ガス圧Ｉ Ｔｏｒｒでア
ルゴン中に約１０％（圧力比）のＣＯ混合ガス中で前と
同様の放電で約１時間処理した。。
アルゴンガス中に約１０％（圧力比）のＣ（Ｊ、混合ガ
ス中で直流放ｖＬ（放電電流密度ｚ １０ ｍＡ／ｃＩ
Ｉ）で約２０分処理後、再び全ガス圧Ｉ Ｔｏｒｒでア
ルゴン中に約１０％（圧力比）のＣＯ混合ガス中で前と
同様の放電で約１時間処理した。。
ガス流量は処理開始直後は多く、処理終了近くでは少な
く絞って行った。
く絞って行った。
第１図ではガスの励起、電離に放電を用いたが、レーザ
光、特に紫外域の光源としてエキシマレーザを用いると
、脱ガス処理用ガス分子・原子は多光子吸収をし励起、
電離される。さらにレーザ光は素材４の表面も活性化す
るので、励起ガスによる脱ガス作用は能率よく行われる
。装置の概略を第２図に示す。レーザ発振装置１８から
出たビームをビームエキスバング１９で適当な角度に拡
げ、反射鏡２０で反射させ、真空炉１の上部に設けたビ
ーム照射窓２１を通して真空炉内に導く。照射窓２１は
紫外域の光を通す、石疫、サファイヤ等が良い。
光、特に紫外域の光源としてエキシマレーザを用いると
、脱ガス処理用ガス分子・原子は多光子吸収をし励起、
電離される。さらにレーザ光は素材４の表面も活性化す
るので、励起ガスによる脱ガス作用は能率よく行われる
。装置の概略を第２図に示す。レーザ発振装置１８から
出たビームをビームエキスバング１９で適当な角度に拡
げ、反射鏡２０で反射させ、真空炉１の上部に設けたビ
ーム照射窓２１を通して真空炉内に導く。照射窓２１は
紫外域の光を通す、石疫、サファイヤ等が良い。
ただしハロゲン元素を含むガスを脱ガス処理に用いる場
合は照射窓の内側を保護膜コーティングした方が窓材の
寿命が長くなる。
合は照射窓の内側を保護膜コーティングした方が窓材の
寿命が長くなる。
第１図および第２因では接点の素材をあらかじめ決めら
れた混合比で混ぜ焼結する方法を示したが、高融点素材
の粉体、繊維体に人−ｅ、 Ａ ｇ、 Ｃｕ等を溶浸さ
せる方法でも、粉体、繊維体の脱ガス処理は、基本的；
；第１囚あるいは第２図の方法によって行える。
れた混合比で混ぜ焼結する方法を示したが、高融点素材
の粉体、繊維体に人−ｅ、 Ａ ｇ、 Ｃｕ等を溶浸さ
せる方法でも、粉体、繊維体の脱ガス処理は、基本的；
；第１囚あるいは第２図の方法によって行える。
第１図は本発明による接点素材処理装置の構成図、第２
図は本発明の他の実施例を示す装置の構成図である。 １・・・真空炉 ５・・・素材入れボート６・・
・攪拌装置 ７・・・加熱装置１１・・・不活性ガ
ス源 １２・・・ハロゲン元素を含むガス源１３・・・
還元性ガス源 ９・・・放電電極１８・・・レーザ発振
装置
図は本発明の他の実施例を示す装置の構成図である。 １・・・真空炉 ５・・・素材入れボート６・・
・攪拌装置 ７・・・加熱装置１１・・・不活性ガ
ス源 １２・・・ハロゲン元素を含むガス源１３・・・
還元性ガス源 ９・・・放電電極１８・・・レーザ発振
装置
Claims (4)
- （１）金属、炭化物、硼化物、窒化物、硅化物の群から
選ばれた少なくとも１つの粉体あるいは繊維体を原料と
し焼結又は溶浸法によつて製造する真空バルブ用接点合
金において、前記原料粉体または繊維体は、それをあら
かじめ水素、一酸化炭素等の還元性ガスあるいはハロゲ
ン元素を成分として含むガスの励起あるいは電離状態の
雰囲気中で処理することを特徴とする真空遮断器用接点
材料の製造方法。 - （２）ガスの励起、電離状態を作る手段として、直流あ
るいは交流ガス放電またはレーザ光の少なくともいずれ
か一つを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の真空遮断器用接点材料の製造方法。 - （３）粉体あるいは繊維体を２００℃以上に加熱した状
態で処理することを特徴とする特許請求の範囲第１項も
しくは第２項記載の真空遮断器用接点材料の製造方法。 - （４）粉体あるいは繊維体はＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉＣ、ＶＣ
、Ｃｒ＿３Ｃ＿２、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＨｆＣ、
ＴａＣ、ＷＣ、Ｂ＿４Ｃ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＣｒＮ、Ｈ
ｆＮ、ＴａＮ、ＴｉＢ＿２、ＶＢ＿２、ＣｒＢ＿２、Ｚ
ｒＢ、ＮｂＢ＿２、ＭｏＢ＿２、ＴａＢ、ＷＢ＿２、Ｔ
ｉＳｉ＿２、Ｃｒ＿３Ｓｉ、ＺｒＳｉ＿２、ＮｂＳｉ＿
２、ＭｏＳｉ＿２、ＴａＳｉ＿２、ＷＳｉ＿２のいずれ
か一つ以上からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の真空遮断器用接点材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573085A JPH0670888B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 真空遮断器用接点材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16573085A JPH0670888B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 真空遮断器用接点材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226723A true JPS6226723A (ja) | 1987-02-04 |
| JPH0670888B2 JPH0670888B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15817980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16573085A Expired - Lifetime JPH0670888B2 (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 真空遮断器用接点材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670888B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110537A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-27 | Toray Ind Inc | 球状微粒子を有するプリプレグ |
| CN112735866A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-30 | 哈尔滨东大高新材料股份有限公司 | 一种低压电器用Cu-VB2-La触头材料及其制备方法 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16573085A patent/JPH0670888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110537A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-27 | Toray Ind Inc | 球状微粒子を有するプリプレグ |
| JPH0435495B2 (ja) * | 1987-10-22 | 1992-06-11 | Toray Industries | |
| CN112735866A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-30 | 哈尔滨东大高新材料股份有限公司 | 一种低压电器用Cu-VB2-La触头材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670888B2 (ja) | 1994-09-07 |
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