JPS62264957A - インクジエツトプリントヘツドの製造方法 - Google Patents
インクジエツトプリントヘツドの製造方法Info
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- JPS62264957A JPS62264957A JP11222187A JP11222187A JPS62264957A JP S62264957 A JPS62264957 A JP S62264957A JP 11222187 A JP11222187 A JP 11222187A JP 11222187 A JP11222187 A JP 11222187A JP S62264957 A JPS62264957 A JP S62264957A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
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- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般的には熱インフジエラ）（ＴＩＪ）プリン
ティングに関し、特に熱インクジェットプリントヘッド
製造のための改善されたプロセスおよび製造されるプリ
ントヘッドの構造に関する。
ティングに関し、特に熱インクジェットプリントヘッド
製造のための改善されたプロセスおよび製造されるプリ
ントヘッドの構造に関する。
熱インクジエットプリンテインク技術において、熱エネ
ルギー発生のために薄膜抵抗器（ＴＦＲ）タイプのプリ
ントヘッドを備えることが知られており、該熱エネルギ
ーはインクジェットプリンティング動作中に複数個のイ
ンクだめに印加または転送される。通常、これらのイン
クためは薄膜抵抗器基板の個々のヒーター抵抗器と整列
される。プリントヘッドは通常、基礎となるシリコン基
板部材を含み、その上に二酸化シリコンの薄いパシベー
ション層が形成される。続いてタンタルアルミニウムの
ような抵抗器物質が二酸化シリコン層上に形成され、抵
抗ヒータの役割を果たす。次に、アルミニウムのような
導電物質で抵抗層上に予め決められたパターンを形成す
る。該パターンは個個の抵抗ヒータ素子の長さ、および
幅を定める。
ルギー発生のために薄膜抵抗器（ＴＦＲ）タイプのプリ
ントヘッドを備えることが知られており、該熱エネルギ
ーはインクジェットプリンティング動作中に複数個のイ
ンクだめに印加または転送される。通常、これらのイン
クためは薄膜抵抗器基板の個々のヒーター抵抗器と整列
される。プリントヘッドは通常、基礎となるシリコン基
板部材を含み、その上に二酸化シリコンの薄いパシベー
ション層が形成される。続いてタンタルアルミニウムの
ような抵抗器物質が二酸化シリコン層上に形成され、抵
抗ヒータの役割を果たす。次に、アルミニウムのような
導電物質で抵抗層上に予め決められたパターンを形成す
る。該パターンは個個の抵抗ヒータ素子の長さ、および
幅を定める。
シリコンカーバイトのような保護用不活性障壁層物質を
導電性パターンの頂上に沈積して下層の物質をインクの
腐食およびキャビテーション摩損から保護する。そのよ
うな腐食および摩損は蒸気泡がつぶれるときに引き起こ
される。この蒸気泡の崩壊は予め確立された形状で保護
障壁層の頂上に形作られたインクだめから伝送される。
導電性パターンの頂上に沈積して下層の物質をインクの
腐食およびキャビテーション摩損から保護する。そのよ
うな腐食および摩損は蒸気泡がつぶれるときに引き起こ
される。この蒸気泡の崩壊は予め確立された形状で保護
障壁層の頂上に形作られたインクだめから伝送される。
このタイプの構造は技術的にはよく知られており、たと
えばここでも参照するが、１９８５年５月に出版された
Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ第３
６巻、第５号に述べられている。
えばここでも参照するが、１９８５年５月に出版された
Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ第３
６巻、第５号に述べられている。
従来、これらのインクだめを形作るプロセスはシリコン
カーバイド障壁層の表面に沈積したポリマフィルム内に
パターンを形成することがら成叔下の抵抗ヒータ素子の
上に垂直に整列した１つ１つ別々にインクだめを形作っ
た。このプロセスを用いてフォトレジストポリマフィル
ムが不活性障壁層の表面で紫外線、および熱の両方で硬
化さへ次には別の粘着シスアムを用いてノズル板をポリ
マフィルムの頂上面にしつかり止める。このインクだめ
を形作るフィルムに適した典型的なポリマ物質はＤｅｌ
ａｗａｒｅ州Ｗｉ１ｍｉｎｇｔｏｎ ＫあるＤｕｐ
ｏｎｔ社からｌ”ＲＩｓＴＯＮｊおよび「ＶＡｃＲＢＬ
ｊという商標名で市販されている。
カーバイド障壁層の表面に沈積したポリマフィルム内に
パターンを形成することがら成叔下の抵抗ヒータ素子の
上に垂直に整列した１つ１つ別々にインクだめを形作っ
た。このプロセスを用いてフォトレジストポリマフィル
ムが不活性障壁層の表面で紫外線、および熱の両方で硬
化さへ次には別の粘着シスアムを用いてノズル板をポリ
マフィルムの頂上面にしつかり止める。このインクだめ
を形作るフィルムに適した典型的なポリマ物質はＤｅｌ
ａｗａｒｅ州Ｗｉ１ｍｉｎｇｔｏｎ ＫあるＤｕｐ
ｏｎｔ社からｌ”ＲＩｓＴＯＮｊおよび「ＶＡｃＲＢＬ
ｊという商標名で市販されている。
前述のプロセスは多くの点で申し分ないことがわかって
いるが、それでもやはり、ノズル板および障壁フィルム
の両方において平面度の変化が見られる。これらの平面
度の変化により、上述の従来プロセスを用いる中間ポリ
マ層と前述ノズルプレートおよび障壁フィルムとのそれ
ぞれの部材間にエアーギャップが生じ、これらエアーギ
ャップによりそこでの粘着ボンドが破壊するため機械的
不備を生ずる。さらに、これらのギャップにより、プリ
ントヘッド動作の周波数レスポンスが低下する。これら
のエアーギャップはプリントヘッドの表面を横切って存
在し、そこから不規則な量のインクを噴射し、該ギャッ
プはまたポリマ障壁層の第３番目の壁によって作られる
フローパターンを中断したり破壊したシしやすい。この
事実により抵抗器の寿命は短かくなり、キャビテーショ
ン破損が増加する。さらに上述したようにノズル板取付
には別個の粘着システムを使わねばならない。
いるが、それでもやはり、ノズル板および障壁フィルム
の両方において平面度の変化が見られる。これらの平面
度の変化により、上述の従来プロセスを用いる中間ポリ
マ層と前述ノズルプレートおよび障壁フィルムとのそれ
ぞれの部材間にエアーギャップが生じ、これらエアーギ
ャップによりそこでの粘着ボンドが破壊するため機械的
不備を生ずる。さらに、これらのギャップにより、プリ
ントヘッド動作の周波数レスポンスが低下する。これら
のエアーギャップはプリントヘッドの表面を横切って存
在し、そこから不規則な量のインクを噴射し、該ギャッ
プはまたポリマ障壁層の第３番目の壁によって作られる
フローパターンを中断したり破壊したシしやすい。この
事実により抵抗器の寿命は短かくなり、キャビテーショ
ン破損が増加する。さらに上述したようにノズル板取付
には別個の粘着システムを使わねばならない。
本発明の一般的な目的は新しく改良されたＴＩＪプリン
トヘッド製造プロセスおよび該プロセスで作られる構造
を提供することである。該構造はポリマ障壁層とそれに
付着されるノズル板間の前述のギャップを除去すると同
時に個々のインクだめを形作るポリマ障壁にノズル板を
付着するために別個の粘着システムを使う必要がなくな
る。
トヘッド製造プロセスおよび該プロセスで作られる構造
を提供することである。該構造はポリマ障壁層とそれに
付着されるノズル板間の前述のギャップを除去すると同
時に個々のインクだめを形作るポリマ障壁にノズル板を
付着するために別個の粘着システムを使う必要がなくな
る。
上記目的を遂行するために新しく改善されたプロセスを
発見し、発展させた。該プロセスは一群の抵抗ヒータ素
子を持つ薄膜抵抗器（ＴＦＲ）構造を提供し、その後薄
膜抵抗器構造の上部面のフォトレジストパターンを紫外
線（”ＵＶ”）で硬化（ｃｕｒｅ） （重合化）するが
、熱的に硬化させない（すなわち、分子交さリンキング
がない）ことから成る。このフォトレジストポリマフィ
ルムはパターン化され、一群の抵抗ヒータ素子上にそれ
ぞれ一群のインクだめが形成される。その後一群のイン
ク噴射オリフィスを持つノズル板をノズル板の個々のオ
リフィスが障壁層内のインクだめに整列するようにして
、フォトレジスト障壁層に重ね整列させる。
発見し、発展させた。該プロセスは一群の抵抗ヒータ素
子を持つ薄膜抵抗器（ＴＦＲ）構造を提供し、その後薄
膜抵抗器構造の上部面のフォトレジストパターンを紫外
線（”ＵＶ”）で硬化（ｃｕｒｅ） （重合化）するが
、熱的に硬化させない（すなわち、分子交さリンキング
がない）ことから成る。このフォトレジストポリマフィ
ルムはパターン化され、一群の抵抗ヒータ素子上にそれ
ぞれ一群のインクだめが形成される。その後一群のイン
ク噴射オリフィスを持つノズル板をノズル板の個々のオ
リフィスが障壁層内のインクだめに整列するようにして
、フォトレジスト障壁層に重ね整列させる。
次に、予め決められた量の熱および圧力を加熱器、すな
わちラミネータを通してノズル板に印加ズル板および薄
膜抵抗器基板構造の両方とフォトレジストフィルムとの
間に優秀な初期粘着が生じ、このプロセスの期間中に該
構造に印加される圧力が隣接した層のでこぼこから生じ
るエアーギャップを除去する。この硬化作用によりノズ
ル板とポリマフィルム間のエアーギャップが除去され、
さらに上述の隣接した部材をもう一方にしつかり止める
ための別個の粘着物質が不要になる。最後にプリントヘ
ッドが加熱器から除去され、オーブンのところまで移動
さ−れる。ここで熱硬化プロセスが予め決められた硬化
温度および時間で完了する。
わちラミネータを通してノズル板に印加ズル板および薄
膜抵抗器基板構造の両方とフォトレジストフィルムとの
間に優秀な初期粘着が生じ、このプロセスの期間中に該
構造に印加される圧力が隣接した層のでこぼこから生じ
るエアーギャップを除去する。この硬化作用によりノズ
ル板とポリマフィルム間のエアーギャップが除去され、
さらに上述の隣接した部材をもう一方にしつかり止める
ための別個の粘着物質が不要になる。最後にプリントヘ
ッドが加熱器から除去され、オーブンのところまで移動
さ−れる。ここで熱硬化プロセスが予め決められた硬化
温度および時間で完了する。
ここで第１図を参照すると本発明を実行する８ステツプ
のプロセスが示され、それは最新の半導体プロセシング
技術を用いて製造される薄膜抵抗器（ＴＦＲ）基板の提
供を含む。次に該薄膜抵抗器（ＴＦＲ）基板の上部面に
はドライボリマフイルムがラミネートされる。
のプロセスが示され、それは最新の半導体プロセシング
技術を用いて製造される薄膜抵抗器（ＴＦＲ）基板の提
供を含む。次に該薄膜抵抗器（ＴＦＲ）基板の上部面に
はドライボリマフイルムがラミネートされる。
この上部面は典型的にはＳｉＣかあるいはＳｉ３に現像
され、ＴＦＲ基板上にインクだめ障壁マスクを形成する
。次に障壁マスクはさらに紫外線光にさらされ、さらに
硬化される。
され、ＴＦＲ基板上にインクだめ障壁マスクを形成する
。次に障壁マスクはさらに紫外線光にさらされ、さらに
硬化される。
次にノズル板（ときとしてオリフィス板とも呼ばれる）
は加熱動作のために障壁マスクに重ねて整列される。加
熱動作については第３図を参照しながら以下にさらに詳
しく述べる。最後に上記加熱動作の完了後、プリントヘ
ッド構造は予め決められた時間とより高温度での最終硬
化のためにオープンに移される。
は加熱動作のために障壁マスクに重ねて整列される。加
熱動作については第３図を参照しながら以下にさらに詳
しく述べる。最後に上記加熱動作の完了後、プリントヘ
ッド構造は予め決められた時間とより高温度での最終硬
化のためにオープンに移される。
第２図は従来のインクジェットプリントヘッドにおける
薄膜抵抗器構造体の断面図であシ、その一部分を本発明
に適用できる。
薄膜抵抗器構造体の断面図であシ、その一部分を本発明
に適用できる。
ここで第２図を参照すると本発明の実行に用いられる薄
膜抵抗器構造は典型的にシリコン基板部材１０から成り
、該シリコン基板部材１ｏには薄いシリコン酸化物５ｉ
Ｏ２０表面障壁１２が既知の熱酸化技術を用いて沈積さ
れる。その後、タンタルアルミニウムＴａＡｌの抵抗層
１４がＳ ｉｏ２障壁層１２の頂上にスパッタリングさ
れ、その後典型的にはアルミニウムであるメタリゼーシ
ョンパターンがタンタルアルミニウム層１４０表面に形
成される。メタリゼーションパターン１６には穴があり
、ＴＦＲ構造における個々の抵抗器の横方向の寸法を定
める。
膜抵抗器構造は典型的にシリコン基板部材１０から成り
、該シリコン基板部材１ｏには薄いシリコン酸化物５ｉ
Ｏ２０表面障壁１２が既知の熱酸化技術を用いて沈積さ
れる。その後、タンタルアルミニウムＴａＡｌの抵抗層
１４がＳ ｉｏ２障壁層１２の頂上にスパッタリングさ
れ、その後典型的にはアルミニウムであるメタリゼーシ
ョンパターンがタンタルアルミニウム層１４０表面に形
成される。メタリゼーションパターン１６には穴があり
、ＴＦＲ構造における個々の抵抗器の横方向の寸法を定
める。
次にもう一つの外部面パンベーション層１８を導電パタ
ーン１６の外部面に沈積する。それは典型的にはシリコ
ンカーバイ）ＳｉＣかあるいはシリコン窒化物５ｉ３Ｎ
４−のどちらかから成る。これら後者の物質は非常に不
活性であり、したがって、熱インクジェットプリンティ
ング動作中にインクおよびインク噴射のそれぞれによシ
引き起こされるインク腐食およびキャビテーション摩損
の両方から下層の物質を保護する。第２図に示した薄膜
抵抗器基板構造に用いるプロセスの詳細は一般によく知
られており、１９８５年５月に出版された前述のＨｅｗ
ｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ によシ十
分に述べられている。
ーン１６の外部面に沈積する。それは典型的にはシリコ
ンカーバイ）ＳｉＣかあるいはシリコン窒化物５ｉ３Ｎ
４−のどちらかから成る。これら後者の物質は非常に不
活性であり、したがって、熱インクジェットプリンティ
ング動作中にインクおよびインク噴射のそれぞれによシ
引き起こされるインク腐食およびキャビテーション摩損
の両方から下層の物質を保護する。第２図に示した薄膜
抵抗器基板構造に用いるプロセスの詳細は一般によく知
られており、１９８５年５月に出版された前述のＨｅｗ
ｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕｒｎａｌ によシ十
分に述べられている。
ここで第３Ａ図〜第３Ｃ図を参照すると、第３Ａ図では
、第２図のＴＦＲ基板の個々の層は示さずにまとめて単
一の部材として図式的に示す。しかしながら、第３Ａ図
〜第３Ｃ図は４個のタンク穴２２と整列ξ緊重ねられる
。この障壁層２４はＶＡＣＲＥＬあるいはＲＩＳＴＯＨ
のような物質のドライフィルムとしてＴＦＲ基板１０の
上にラミネートされる。該ＶＡＣＲＥＬあるいはＲＩＳ
ＴＯＮはフォトレジストポリマ物質の商標名であり、Ｄ
ｅ ｌ ａｗａ ｒ ｅ州Ｗｉ Ｉｍｉｎｇｔｏｎのデ
ュポン社から市販されている。ポリマフィルム２４は伝
統的な写真食刻マスキング、紫外線露光、およびエツチ
ング技術を用いて処理される。それにより一群の穴２２
を形成し、この穴は４個の個々のインクだめの境界を形
作る。これらのインクためは薄膜基板１゜の４個の抵抗
ヒータ素子２０のすぐ上に配置される。ひとたび障壁層
２４が現像され、ドライフィルムの選択された不要部分
が除去され、そこに穴２２が開けられると、第３Ａ図の
構造がいくらか付加的に紫外線光に露光され、以下のプ
ロセスの詳細に従って障壁層２４がさらにＵＶ硬化され
る。
、第２図のＴＦＲ基板の個々の層は示さずにまとめて単
一の部材として図式的に示す。しかしながら、第３Ａ図
〜第３Ｃ図は４個のタンク穴２２と整列ξ緊重ねられる
。この障壁層２４はＶＡＣＲＥＬあるいはＲＩＳＴＯＨ
のような物質のドライフィルムとしてＴＦＲ基板１０の
上にラミネートされる。該ＶＡＣＲＥＬあるいはＲＩＳ
ＴＯＮはフォトレジストポリマ物質の商標名であり、Ｄ
ｅ ｌ ａｗａ ｒ ｅ州Ｗｉ Ｉｍｉｎｇｔｏｎのデ
ュポン社から市販されている。ポリマフィルム２４は伝
統的な写真食刻マスキング、紫外線露光、およびエツチ
ング技術を用いて処理される。それにより一群の穴２２
を形成し、この穴は４個の個々のインクだめの境界を形
作る。これらのインクためは薄膜基板１゜の４個の抵抗
ヒータ素子２０のすぐ上に配置される。ひとたび障壁層
２４が現像され、ドライフィルムの選択された不要部分
が除去され、そこに穴２２が開けられると、第３Ａ図の
構造がいくらか付加的に紫外線光に露光され、以下のプ
ロセスの詳細に従って障壁層２４がさらにＵＶ硬化され
る。
第３Ｂ図において、一群の穴２８を持つノズル板、ある
いはオリフィス板２６が図示したように障壁層２４上に
整列して重ねられ、その結果オリフィス２８は障壁層２
４内のインクだめ２２と正確に中心が合うように置かれ
る。こうしてノズルプレート２６は定位置に置かれ、加
熱装置の熱チャック３０が下に移動し、ノズル板２６の
上部面に熱および圧力を加える。そして、予め決められ
する。このステップで、障壁層とノズル板境界面および
障壁層とＴＦＲ基板境界面において、よい初期接着状態
とを輪かくのよい整合状態が得られる。
いはオリフィス板２６が図示したように障壁層２４上に
整列して重ねられ、その結果オリフィス２８は障壁層２
４内のインクだめ２２と正確に中心が合うように置かれ
る。こうしてノズルプレート２６は定位置に置かれ、加
熱装置の熱チャック３０が下に移動し、ノズル板２６の
上部面に熱および圧力を加える。そして、予め決められ
する。このステップで、障壁層とノズル板境界面および
障壁層とＴＦＲ基板境界面において、よい初期接着状態
とを輪かくのよい整合状態が得られる。
加熱器の熱チャック３０は十分な圧力でノズル板２６と
接触し、障壁物質２４を塑性変形し、ノズル板２６の上
部面の輪かくに一致して付着する。
接触し、障壁物質２４を塑性変形し、ノズル板２６の上
部面の輪かくに一致して付着する。
次にチャック３０をはずし、第３Ｃ図のインクジェット
プリントヘッドを熱いオープンのところまで移動し、以
下のプロセッシングスケジュールに従ってドライ障壁フ
ィルム２４を完全に硬化する。
プリントヘッドを熱いオープンのところまで移動し、以
下のプロセッシングスケジュールに従ってドライ障壁フ
ィルム２４を完全に硬化する。
前述のプロセスは本発明の要旨を逸脱せずに種種変形で
きる。例えば障壁層物質はＤｕｐｏｎｔ社が販売してい
るＶＡＣＲＥＬやＲＩＳＴＯＮポリマに限らず、他の適
当なポリマ物質を用いてもよい。
きる。例えば障壁層物質はＤｕｐｏｎｔ社が販売してい
るＶＡＣＲＥＬやＲＩＳＴＯＮポリマに限らず、他の適
当なポリマ物質を用いてもよい。
次の表の値は本発明の実施に成功したプロセスパラメー
タである。
タである。
表
１、ＴＦＲ基板の不活性保護層
物質−・・−８１Ｃｏｒ Ｓｉ３Ｎ４
厚さ・・・・・・１．５〜２．０ミクロン２、 ポリマ
障壁層 物質−・−Ｖａｃｒｅｌ ８０１５／Ｖａｃｒｅｌ ８
０２０厚さ・・・・・・１．５ ｍｉｌ／ ２．Ｏｍ１
１３、 ノズル板 物質・・・・・・ニッケル地に金 厚さ・・・・・・５０ミクロン ４ 紫外線硬化 硬化エネルギー＝ ５ Ｊｏｕｌｅｓ ／ｃｒｎ２ＵＶ
波長・・・・・・・・・・・・３６５ナノメータ５、加
熱硬化 硬化時間・・・・・・１６秒 硬化温度・・・・・・１６０度 硬化圧・・・・・・２００ｐｓｉ ６、オープン硬化 時 間・・・・・・１時間 温 度・・・・・・１６５−０ 〔発明の効果〕 本発明はノズル板付着動作中に部品のバッチ処理が可能
となるので図示したように障壁層２４にノズル板２６を
すばやく付着できる。このプロセスハトライフィルム障
壁層２４をノズル板２６の形に変形し、それによシ全ギ
ャップを埋めつくし、さらにノズル板付着プロセスの間
プリントヘッド基板１０が過熱するのを防ぐ。さらに、
このプロセスはクランピングを要せずに部品のバッチ処
理を可能とする。該クランピングは従来のドライフィル
ム 粘着硬化動作ではしばしば必要だったものである。
障壁層 物質−・−Ｖａｃｒｅｌ ８０１５／Ｖａｃｒｅｌ ８
０２０厚さ・・・・・・１．５ ｍｉｌ／ ２．Ｏｍ１
１３、 ノズル板 物質・・・・・・ニッケル地に金 厚さ・・・・・・５０ミクロン ４ 紫外線硬化 硬化エネルギー＝ ５ Ｊｏｕｌｅｓ ／ｃｒｎ２ＵＶ
波長・・・・・・・・・・・・３６５ナノメータ５、加
熱硬化 硬化時間・・・・・・１６秒 硬化温度・・・・・・１６０度 硬化圧・・・・・・２００ｐｓｉ ６、オープン硬化 時 間・・・・・・１時間 温 度・・・・・・１６５−０ 〔発明の効果〕 本発明はノズル板付着動作中に部品のバッチ処理が可能
となるので図示したように障壁層２４にノズル板２６を
すばやく付着できる。このプロセスハトライフィルム障
壁層２４をノズル板２６の形に変形し、それによシ全ギ
ャップを埋めつくし、さらにノズル板付着プロセスの間
プリントヘッド基板１０が過熱するのを防ぐ。さらに、
このプロセスはクランピングを要せずに部品のバッチ処
理を可能とする。該クランピングは従来のドライフィル
ム 粘着硬化動作ではしばしば必要だったものである。
上述のように本プロセスでは組立プロセスの間、別個の
粘着性物質および粘着性ポンディング動作を必要としな
い。最後に本プロセスにより製造されるプリントヘッド
構造は長寿命の一体構造となり、ドライフィルム障壁層
物質の塑性変形を恒久的に保証する。本発明は熱インク
ジェットプリンタに用いる薄膜抵抗器タイプのプリント
ヘッドの製造にして効果が極めて大である。
粘着性物質および粘着性ポンディング動作を必要としな
い。最後に本プロセスにより製造されるプリントヘッド
構造は長寿命の一体構造となり、ドライフィルム障壁層
物質の塑性変形を恒久的に保証する。本発明は熱インク
ジェットプリンタに用いる薄膜抵抗器タイプのプリント
ヘッドの製造にして効果が極めて大である。
第１図は本発明によるインクジェットプリントヘッドの
製造方法を示した流れ図、第２図は従来のインクジェッ
トプリントヘッドに使用される薄膜抵抗構造体の断面図
、第３Ａ図から第３Ｃ図は本発明によるインクジェット
プリントヘッドの製造工程を示した図である。 １０：シリコン基板、 １２：表面障壁層、 １４：抵抗層、 １６：金属パターン層、 １８：パシベーション層、 ２４：障壁層、 ２６：オリフィス（ノズル）板、 ３０：加熱装置。
製造方法を示した流れ図、第２図は従来のインクジェッ
トプリントヘッドに使用される薄膜抵抗構造体の断面図
、第３Ａ図から第３Ｃ図は本発明によるインクジェット
プリントヘッドの製造工程を示した図である。 １０：シリコン基板、 １２：表面障壁層、 １４：抵抗層、 １６：金属パターン層、 １８：パシベーション層、 ２４：障壁層、 ２６：オリフィス（ノズル）板、 ３０：加熱装置。
Claims (1)
- 基板上にポリマ障壁層を形成し、前記障壁層上にノズル
板を整列配置し、前記障壁層が塑性変形するのに十分な
所定時間と温度をもって前記ノズル板に熱と圧力とを与
え、次に前記基板、障壁層およびノズル板を所定温度で
加熱して前記障壁層を熱硬化させ、前記障壁層を前記基
板およびノズル板に固着する工程を含むインクジェット
プリントヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US86119286A | 1986-05-08 | 1986-05-08 | |
| US861192 | 1986-05-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264957A true JPS62264957A (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=25335136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11222187A Pending JPS62264957A (ja) | 1986-05-08 | 1987-05-08 | インクジエツトプリントヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0244643A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62264957A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000001904A (ko) * | 1998-06-15 | 2000-01-15 | 윤종용 | 일체형 버블 잉크젯 프린터 헤드 및 그 제조방법 |
| US6139761A (en) * | 1995-06-30 | 2000-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of ink jet head |
| EP1110743A1 (en) | 1999-12-22 | 2001-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid ejecting recording head and liquid ejecting recording apparatus |
| US6508946B1 (en) | 1999-06-09 | 2003-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing ink jet recording head, ink jet recording head, and ink jet recording apparatus |
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-
1987
- 1987-04-03 EP EP87104971A patent/EP0244643A3/en not_active Withdrawn
- 1987-05-08 JP JP11222187A patent/JPS62264957A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| US7255418B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid discharge head, substrate for liquid discharge head and method for working substrate |
| US6858152B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid discharge head, substrate for liquid discharge head and method for working substrate |
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| US7077503B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head |
| US6984025B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head |
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| EP1356937A2 (en) | 2002-04-23 | 2003-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head |
| US7527352B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and ink discharge method |
| US7175255B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-02-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus |
| US7296869B2 (en) | 2003-10-23 | 2007-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and ink jet recording apparatus |
| KR100887221B1 (ko) | 2005-12-27 | 2009-03-06 | 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 | 액적 토출 헤드 및 그 제조 방법, 액적 토출 장치 |
| US7748826B2 (en) | 2006-09-13 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing head and ink jet printing apparatus |
| US8287092B2 (en) | 2006-09-13 | 2012-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Printing head and ink jet printing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0244643A3 (en) | 1988-09-28 |
| EP0244643A2 (en) | 1987-11-11 |
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