JPS62264595A - Ｅｌデイスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
Ｅｌデイスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPS62264595A JPS62264595A JP61106691A JP10669186A JPS62264595A JP S62264595 A JPS62264595 A JP S62264595A JP 61106691 A JP61106691 A JP 61106691A JP 10669186 A JP10669186 A JP 10669186A JP S62264595 A JPS62264595 A JP S62264595A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はディスプレイ装置等に用いられるＦ２Ｌ（エレ
クトロルミネッセンス）ディスプレイパネルに関し、特
て印加電圧が低くてすむＥＬパネル並びにその製造方法
に関する。
クトロルミネッセンス）ディスプレイパネルに関し、特
て印加電圧が低くてすむＥＬパネル並びにその製造方法
に関する。
（従来の技術）
従来、この種の技術として本願出願人の先の出願に係る
特願昭６０−１９３１３５号に開示される技術がある。
特願昭６０−１９３１３５号に開示される技術がある。
従来この種の装置は第２図に示す様にガラス基板１ノ上
に複数本の電極子として・ぐターニングされた透明電極
１２を設け、さらにその上に高抵抗率ＳｉＯ膜１３→低
抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４→発光層１５→低抵抗率Ｔａ２
Ｏ５膜１６→高抵抗率Ｓ ｔ Ｏ２膜１７→背面電極１
８と順次積層しである。背面電極１８は前記透明電極１
２とは直角に交差するように配設されており透明電極１
２と背面電極１８との間に交流電圧を印加すると両電極
の交差点部がドツトとして発光し、複数個のドツトをマ
） ＩＪクス状に発光させ、文字および画素を表示する
。ところで上記文献にも示される如く発光層１５の両側
に低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４及び１６を設けると高輝度
発光が得られることがわかっており、この低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜１４．１６はＴａ２Ｏ５粉末をプレス成形し、
５００℃以上の温度で焼成したペレットを電子ビーム蒸
着法を用いるにより容易に形成される。このＴａ２Ｏ５
膜１４．１６の抵抗率は１０〜１０ｂ（１０〜１０ ％
において）である。
に複数本の電極子として・ぐターニングされた透明電極
１２を設け、さらにその上に高抵抗率ＳｉＯ膜１３→低
抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４→発光層１５→低抵抗率Ｔａ２
Ｏ５膜１６→高抵抗率Ｓ ｔ Ｏ２膜１７→背面電極１
８と順次積層しである。背面電極１８は前記透明電極１
２とは直角に交差するように配設されており透明電極１
２と背面電極１８との間に交流電圧を印加すると両電極
の交差点部がドツトとして発光し、複数個のドツトをマ
） ＩＪクス状に発光させ、文字および画素を表示する
。ところで上記文献にも示される如く発光層１５の両側
に低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４及び１６を設けると高輝度
発光が得られることがわかっており、この低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜１４．１６はＴａ２Ｏ５粉末をプレス成形し、
５００℃以上の温度で焼成したペレットを電子ビーム蒸
着法を用いるにより容易に形成される。このＴａ２Ｏ５
膜１４．１６の抵抗率は１０〜１０ｂ（１０〜１０ ％
において）である。
また、高抵抗率ＳｉＯ膜１３及び１７はＳ ＩＯ２ター
ゲットをＡｒ＋Ｏ□ガス雰囲気中でス・ぐツタ法を用い
て形成されるもので、１０〜１０胎（１０〜１０６ｖ７
’、ｍにおいて）と高抵抗率である。通常低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜１４及び１６の膜厚は５００〜３５００＾、高
抵抗率ＳｉＯ□膜１３及び１７の膜厚は４００〜１００
０Ｘに選ばれている。また発光層１５はｚｎＳ ： Ｍ
ｎを電子ビーム蒸着法で形成されている。
ゲットをＡｒ＋Ｏ□ガス雰囲気中でス・ぐツタ法を用い
て形成されるもので、１０〜１０胎（１０〜１０６ｖ７
’、ｍにおいて）と高抵抗率である。通常低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜１４及び１６の膜厚は５００〜３５００＾、高
抵抗率ＳｉＯ□膜１３及び１７の膜厚は４００〜１００
０Ｘに選ばれている。また発光層１５はｚｎＳ ： Ｍ
ｎを電子ビーム蒸着法で形成されている。
このようなＥＬディスプレイパネルへの印加電圧を低電
圧化する方法としては高抵抗率Ｓ １０２膜１３゜１７
あるいは低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４．１６の少なくとも
いずれか一方に高誘電率材料を用いればよいが、高抵抗
率ＳｉＯ□膜１３及び１７の役割はＥＬディスプレイパ
ネルに流れる電流を制限するほかに、背面電極１８をノ
Ｐターニング１６とき、発光層１５がエツチング液に腐
食されないようにするノ４ッシペーション膜の役割も果
させるため、実験の結果、ＳｉＯ□膜が用いられている
。従って低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４及び１６の代りに高
誘電率の材料を用いる方がＥＬパネルの信頼性からは良
い。このような材料として、とくにＢ ａＴ ｉＯｓは
高誘電率材料の代表的なものであり、Ｅ Ｌ／＃ネルの
低電圧化が期待できる。
圧化する方法としては高抵抗率Ｓ １０２膜１３゜１７
あるいは低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４．１６の少なくとも
いずれか一方に高誘電率材料を用いればよいが、高抵抗
率ＳｉＯ□膜１３及び１７の役割はＥＬディスプレイパ
ネルに流れる電流を制限するほかに、背面電極１８をノ
Ｐターニング１６とき、発光層１５がエツチング液に腐
食されないようにするノ４ッシペーション膜の役割も果
させるため、実験の結果、ＳｉＯ□膜が用いられている
。従って低抵抗率Ｔａ２Ｏ５膜１４及び１６の代りに高
誘電率の材料を用いる方がＥＬパネルの信頼性からは良
い。このような材料として、とくにＢ ａＴ ｉＯｓは
高誘電率材料の代表的なものであり、Ｅ Ｌ／＃ネルの
低電圧化が期待できる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、Ｂ ａ Ｔ ｒ ０３をプレス成形し、
１０００℃以−ヒの温度で焼成したペレットを用い、電
子ビーム蒸着法で薄膜成形しようとしても融点が高いた
めＢａＯｒ ＴｉＯｒ ＴｉＯ２ｓ Ｏ□ガスなどに分
解し、放出されだ０２ガスで真空度が下がり電子ビーム
を照射できなくなったりＢａＯ、ＴｉＯが火花になって
飛散するため、Ｂ ａＴ ｉｏ ３の薄膜が形成できな
いという欠点があった。また、スパッタ法により薄膜成
形する場合もガラス基板を８００℃以上に加熱しなけれ
ば高誘電率を得られないため、ガラス基板が溶融し薄膜
形成できず、また、抵抗率も１ｏ Ωｔｒｎ以上になり
、このため高輝度発光が得られないという欠点があった
。
１０００℃以−ヒの温度で焼成したペレットを用い、電
子ビーム蒸着法で薄膜成形しようとしても融点が高いた
めＢａＯｒ ＴｉＯｒ ＴｉＯ２ｓ Ｏ□ガスなどに分
解し、放出されだ０２ガスで真空度が下がり電子ビーム
を照射できなくなったりＢａＯ、ＴｉＯが火花になって
飛散するため、Ｂ ａＴ ｉｏ ３の薄膜が形成できな
いという欠点があった。また、スパッタ法により薄膜成
形する場合もガラス基板を８００℃以上に加熱しなけれ
ば高誘電率を得られないため、ガラス基板が溶融し薄膜
形成できず、また、抵抗率も１ｏ Ωｔｒｎ以上になり
、このため高輝度発光が得られないという欠点があった
。
本発明は以上述べた高誘電率で、かつ、低抵抗率のＢａ
ＴｉＯ３膜が得られないという欠点を解決し、ＥＬディ
スプレイｉＥネルの低電圧化を図ることを目的とする。
ＴｉＯ３膜が得られないという欠点を解決し、ＥＬディ
スプレイｉＥネルの低電圧化を図ることを目的とする。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は前述の問題点を解決するために、透１】Ｊ″。
基板上に、透明電極と、高抵抗率の第１の絶縁膜と、低
抵抗率の第２の絶縁膜と、発光層と、低抵抗率の第３の
絶縁膜と、高抵抗率の第４の絶縁膜と、背面電極とを順
次積層してなるＥＬディスプレイノやネルにおいて、前
記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜がＴａ２Ｏ５とＢ
ａＴｉＯ３の混合物からなるようにしたものである。ま
た、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜においては
、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ３が８０重量％以下含まれること
が適当である。このようなＥ ｉ、 ｉｅネルにおいて
、第２．第３の絶縁膜は、Ｔａ２Ｏ５粉末と８０重量％
以下のＢ ａＴ ｓ Ｏｓ粉末もしくは（ＢａＣ０＋
Ｔｉ０２）粉末とを混合し、この混合物をプレス成形後
５００℃以上の温度で大気中もしくは真空中で焼成して
作ったぺドツトを用いて電子ビーム蒸着法によ膜形成さ
れる。
抵抗率の第２の絶縁膜と、発光層と、低抵抗率の第３の
絶縁膜と、高抵抗率の第４の絶縁膜と、背面電極とを順
次積層してなるＥＬディスプレイノやネルにおいて、前
記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜がＴａ２Ｏ５とＢ
ａＴｉＯ３の混合物からなるようにしたものである。ま
た、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜においては
、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏ３が８０重量％以下含まれること
が適当である。このようなＥ ｉ、 ｉｅネルにおいて
、第２．第３の絶縁膜は、Ｔａ２Ｏ５粉末と８０重量％
以下のＢ ａＴ ｓ Ｏｓ粉末もしくは（ＢａＣ０＋
Ｔｉ０２）粉末とを混合し、この混合物をプレス成形後
５００℃以上の温度で大気中もしくは真空中で焼成して
作ったぺドツトを用いて電子ビーム蒸着法によ膜形成さ
れる。
（作用）
前述の説明の如く、本発明は発光層の両側に低抵抗率絶
縁膜を設けたＥＬパネルておいて、Ｔａ２Ｏ５とＢ ａ
Ｔ ｒ ０３の混合材料を被レットとし、電子ビーム
蒸着法により、ガラス基板を加熱することなく、高誘電
率でかつ、低抵抗率の（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜
を形成しているため、ＥＬディスプレイ・クネルの低電
圧での駆動が可能となり、しかも高輝度発光に適したＴ
ａ２Ｏ５絶縁膜の特長も損なわれない。
縁膜を設けたＥＬパネルておいて、Ｔａ２Ｏ５とＢ ａ
Ｔ ｒ ０３の混合材料を被レットとし、電子ビーム
蒸着法により、ガラス基板を加熱することなく、高誘電
率でかつ、低抵抗率の（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜
を形成しているため、ＥＬディスプレイ・クネルの低電
圧での駆動が可能となり、しかも高輝度発光に適したＴ
ａ２Ｏ５絶縁膜の特長も損なわれない。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示すＥＬディスプレイツク
ネルの構造図であって、ガラス基板１上にＩｎＯＳｎＯ
などから成り、複数本の電極として２３ ｌ
２ パターニングされた透明電極２を設け、さらにこの各透
明電極２及びその間の部分の上全面に高抵抗率Ｓ ｓ
Ｏ２絶縁膜３を形成し、更に該高抵抗率Ｓ ＋ ０２膜
３上に低抵抗率（’ｒａ２ｏ５＋ ＢａＴｉＯ３）絶縁
膜４→発光層５→低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３
）絶縁膜６→高抵抗率Ｓ ｉ Ｏ２絶縁膜７→背面電極
８と順次積層しである。前記高抵抗率Ｓ ｉＯ２膜３及
び７は電流制限の機能をもたせるものであるから１０〜
１０１４Ωｃｒｎ（ｌＯ〜ｌＯｖ／ｃｒｎにおいて）の
抵抗率が必要であるのでＳｉＯをターゲットとしく Ａ
ｒ ＋ ０２ ）ガス雰囲気中でスパッタ法により４０
０〜１００ＯＸの膜厚に形成されている。ところで低抵
抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０５）膜４及び６は、高輝
度発光のための電子供給層としての機能を有するため特
願昭６０−１９３１３５号に示されている低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜と同様に】０〜１０ΩｃＩｎ（ｌＯ〜１０ｖ／
ｃｒｎの電界強度において）の抵抗率が必要となる。こ
の低抵抗Ｔａ２Ｏ５膜は特願昭６０−１’）３１３５号
にも記載の如く電子ビーム蒸着法により容易に得られる
ことがわかっている。しかし、Ｂ ａ Ｔ ｉＯｓは誘
電率を１０００以上にできる材料でちることは良く知ら
れているが、薄膜形成が難しく電子ビー、ム蒸着法では
、Ｂ ａＴ ｉＯｓのペレットに電子ビームを照射し、
局所的に加熱するとＢａＴｉ０ から０２ガスが分解さ
れ、０□ガスを放出し、蒸着装置の真空度を下げ、電子
ビームを発生できなくなるので、薄膜比できない。また
スパッタ法においても、高誘電率を得るためには８００
℃以上の温度を必要とするが、ガラス基板の融点よシ高
い温度であるため、ガラス基板上には形成できないし、
また抵抗率は１００口以上の高抵抗率となるため高輝度
が得られない。ところが、Ｔａ２Ｏ５はプレス成形後５
００℃以上、特に真空中で焼成するとＴａと０□ガスへ
の分解が少なく、電子ビーム蒸着法で容易に薄膜化でき
るのでＴａ２Ｏ５粉末にＢａＴｉＯ３粉末もしくは（Ｂ
ａＣＯ５＋ ＴｌＯ２）粉末を混合し、プレス成形後５
００℃以上の温度で焼成したペレットを用いて電子ビー
ム蒸着法で低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜４
および６が容易に形成できる。すなわち、（Ｔａ Ｏ＋
ＢａＴｉ０３）のペレットに電子ビームを照射するとＴ
ａ２Ｏ５は容易に溶融し、溶けたＴａ２Ｏ５でＢ ａ
Ｔ ＩＯ３を一様に加熱溶融し、Ｂ ａ Ｔ ｓ Ｏｓ
の分解を少なくするばかりでなく、ＢａＯ、ＴｉＯなど
に分解した分子が再び化学反応により、ＢａＴｉＯ３と
なり、ガラス基板１上に（Ｔａ２Ｏ５ ＋ ＢａＴｉＯ
３）膜として蒸着され、また、この膜は結晶化されてい
るため、高誘電率を示す。さらにこの膜中のＴａ２Ｏ５
及びＢａ Ｔ ｉ Ｏｓはともに酸素欠損状態となるの
で低抵抗率となる。実験によれば、１０〜１０Ｔｏｒｒ
の真空度で蒸着すれば、安定して１０〜ｌＯΩ１ｍ（１
０〜１０ｖ／ｃｒｎにおいて）の低抵抗率を示す絶縁膜
が得られる。この際ＢａＴｉＯ３の量が多くなると電子
ビーム蒸着では０２ガスの放出が多くなり、行いにくく
なるが、被レットを製作する時に焼成温度を１０００℃
以上に高め、真空中で焼成すると、プレス成形時に混入
した空気をペレット中から放出できるので蒸着中のガス
の放出を少なくでき、蒸着し易くなる。しかし、 Ｂａ
ＴｉＯ３の量を８０重量ツクーセント以上になると蒸着
できなくなる。上述の如くして形成される低抵抗率（Ｔ
ａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜４および６は５００〜３５
００Ｘの膜厚に設けられる。
ネルの構造図であって、ガラス基板１上にＩｎＯＳｎＯ
などから成り、複数本の電極として２３ ｌ
２ パターニングされた透明電極２を設け、さらにこの各透
明電極２及びその間の部分の上全面に高抵抗率Ｓ ｓ
Ｏ２絶縁膜３を形成し、更に該高抵抗率Ｓ ＋ ０２膜
３上に低抵抗率（’ｒａ２ｏ５＋ ＢａＴｉＯ３）絶縁
膜４→発光層５→低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３
）絶縁膜６→高抵抗率Ｓ ｉ Ｏ２絶縁膜７→背面電極
８と順次積層しである。前記高抵抗率Ｓ ｉＯ２膜３及
び７は電流制限の機能をもたせるものであるから１０〜
１０１４Ωｃｒｎ（ｌＯ〜ｌＯｖ／ｃｒｎにおいて）の
抵抗率が必要であるのでＳｉＯをターゲットとしく Ａ
ｒ ＋ ０２ ）ガス雰囲気中でスパッタ法により４０
０〜１００ＯＸの膜厚に形成されている。ところで低抵
抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０５）膜４及び６は、高輝
度発光のための電子供給層としての機能を有するため特
願昭６０−１９３１３５号に示されている低抵抗率Ｔａ
２Ｏ５膜と同様に】０〜１０ΩｃＩｎ（ｌＯ〜１０ｖ／
ｃｒｎの電界強度において）の抵抗率が必要となる。こ
の低抵抗Ｔａ２Ｏ５膜は特願昭６０−１’）３１３５号
にも記載の如く電子ビーム蒸着法により容易に得られる
ことがわかっている。しかし、Ｂ ａ Ｔ ｉＯｓは誘
電率を１０００以上にできる材料でちることは良く知ら
れているが、薄膜形成が難しく電子ビー、ム蒸着法では
、Ｂ ａＴ ｉＯｓのペレットに電子ビームを照射し、
局所的に加熱するとＢａＴｉ０ から０２ガスが分解さ
れ、０□ガスを放出し、蒸着装置の真空度を下げ、電子
ビームを発生できなくなるので、薄膜比できない。また
スパッタ法においても、高誘電率を得るためには８００
℃以上の温度を必要とするが、ガラス基板の融点よシ高
い温度であるため、ガラス基板上には形成できないし、
また抵抗率は１００口以上の高抵抗率となるため高輝度
が得られない。ところが、Ｔａ２Ｏ５はプレス成形後５
００℃以上、特に真空中で焼成するとＴａと０□ガスへ
の分解が少なく、電子ビーム蒸着法で容易に薄膜化でき
るのでＴａ２Ｏ５粉末にＢａＴｉＯ３粉末もしくは（Ｂ
ａＣＯ５＋ ＴｌＯ２）粉末を混合し、プレス成形後５
００℃以上の温度で焼成したペレットを用いて電子ビー
ム蒸着法で低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜４
および６が容易に形成できる。すなわち、（Ｔａ Ｏ＋
ＢａＴｉ０３）のペレットに電子ビームを照射するとＴ
ａ２Ｏ５は容易に溶融し、溶けたＴａ２Ｏ５でＢ ａ
Ｔ ＩＯ３を一様に加熱溶融し、Ｂ ａ Ｔ ｓ Ｏｓ
の分解を少なくするばかりでなく、ＢａＯ、ＴｉＯなど
に分解した分子が再び化学反応により、ＢａＴｉＯ３と
なり、ガラス基板１上に（Ｔａ２Ｏ５ ＋ ＢａＴｉＯ
３）膜として蒸着され、また、この膜は結晶化されてい
るため、高誘電率を示す。さらにこの膜中のＴａ２Ｏ５
及びＢａ Ｔ ｉ Ｏｓはともに酸素欠損状態となるの
で低抵抗率となる。実験によれば、１０〜１０Ｔｏｒｒ
の真空度で蒸着すれば、安定して１０〜ｌＯΩ１ｍ（１
０〜１０ｖ／ｃｒｎにおいて）の低抵抗率を示す絶縁膜
が得られる。この際ＢａＴｉＯ３の量が多くなると電子
ビーム蒸着では０２ガスの放出が多くなり、行いにくく
なるが、被レットを製作する時に焼成温度を１０００℃
以上に高め、真空中で焼成すると、プレス成形時に混入
した空気をペレット中から放出できるので蒸着中のガス
の放出を少なくでき、蒸着し易くなる。しかし、 Ｂａ
ＴｉＯ３の量を８０重量ツクーセント以上になると蒸着
できなくなる。上述の如くして形成される低抵抗率（Ｔ
ａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）膜４および６は５００〜３５
００Ｘの膜厚に設けられる。
また、発光層５はＺｎＳを母材とし、Ｍｎ 、 Ｔｂな
どを発光中心としだ薄膜として電子ビーム蒸着法又はス
パッタ法で形成される。
どを発光中心としだ薄膜として電子ビーム蒸着法又はス
パッタ法で形成される。
さらに、背面電極８は透明電極２に対し直角方向に配設
されており、背面電極８と透明電極２との間に交流電圧
を印加すると両電極の交差点部がドツトとして発光する
。このようなＥＬディスプレイ／ｅネルにおいて複数個
のドツトをマトリクス状に発光させ１文字および図形を
表示する。
されており、背面電極８と透明電極２との間に交流電圧
を印加すると両電極の交差点部がドツトとして発光する
。このようなＥＬディスプレイ／ｅネルにおいて複数個
のドツトをマトリクス状に発光させ１文字および図形を
表示する。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように本発明によれば、高誘電率
材料であるＢ ａ Ｔ ｉＯ３をＴａ ２Ｏ ｓに混合
させた被レットを用いて電子ビーム蒸着法で（Ｔａ２ｏ
５＋Ｂａ Ｔ ｉＯ３）薄膜の形成ができ、（Ｔａ２Ｏ
５＋ＢａＴｌ０３）膜を発光１の上、下面に設けたこと
により、高輝度発光が得られるＴａ２Ｏ５の特長を生か
し、かつ、高誘電率が得られるＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓの
特長をも生かしたＥＬディスプレイパネルが実現でき、
高輝度発光かっ、印加電圧の低電圧化が図れるという効
果が期待できる。
材料であるＢ ａ Ｔ ｉＯ３をＴａ ２Ｏ ｓに混合
させた被レットを用いて電子ビーム蒸着法で（Ｔａ２ｏ
５＋Ｂａ Ｔ ｉＯ３）薄膜の形成ができ、（Ｔａ２Ｏ
５＋ＢａＴｌ０３）膜を発光１の上、下面に設けたこと
により、高輝度発光が得られるＴａ２Ｏ５の特長を生か
し、かつ、高誘電率が得られるＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓの
特長をも生かしたＥＬディスプレイパネルが実現でき、
高輝度発光かっ、印加電圧の低電圧化が図れるという効
果が期待できる。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す断面図、第２図
は従来のＥＬディスプレイパネルの構造を示す断面図。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・高抵
抗率Ｓ １０２絶縁膜、４−・・低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５
＋ＢａＴｉｏ３）絶縁膜、５・・・発光層、６・・・低
抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）絶縁膜、７・・・
高抵抗率Ｓ ｉＯ２絶縁膜、８・・・背面電極。
は従来のＥＬディスプレイパネルの構造を示す断面図。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・高抵
抗率Ｓ １０２絶縁膜、４−・・低抵抗率（Ｔａ２Ｏ５
＋ＢａＴｉｏ３）絶縁膜、５・・・発光層、６・・・低
抵抗率（Ｔａ２Ｏ５＋ＢａＴｉ０３）絶縁膜、７・・・
高抵抗率Ｓ ｉＯ２絶縁膜、８・・・背面電極。
Claims (3)
- （１） 透明基板上に、透明電極と、高抵抗率の第１の
絶縁膜と、低抵抗率の第２の絶縁膜と、発光層と、低抵
抗率の第３の絶縁膜と、高抵抗率の第４の絶縁膜と、背
面電極とを順次積層してなるＥＬディスプレイパネルに
おいて、 前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜がＴａ＿２Ｏ＿
５とＢａＴｉＯ＿３との混合物からなることを特徴とす
るＥＬディスプレイパネル。 - （２） 前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜におい
て、 ＢａＴｉＯ＿３が８０重量％以下含まれることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載のＥＬディスプレイ
パネル。 - （３） 透明基板上に、透明電極と、高抵抗の第１の絶
縁膜と、低抵抗の第２の絶縁膜と、発光層と、低抵抗の
第３の絶縁層と、高抵抗の第４の絶縁膜と、背面電極と
を順次積層する各工程を具備するＥＬディスプレイパネ
ルの製造方法において、Ｔａ＿２Ｏ＿５粉末と８０重量
％以下のＢａＴｉＯ＿３粉末もしくは（ＢａＣＯ＿３＋
ＴｉＯ＿２）粉末とを混合し、この混合物をプレス成形
後５００℃以上の温度で大気中もしくは真空中で焼成し
て作ったペレットを用いて電子ビーム蒸着法により前記
第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜を形成することを特
徴とするＥＬディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106691A JPS62264595A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | Ｅｌデイスプレイパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61106691A JPS62264595A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | Ｅｌデイスプレイパネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264595A true JPS62264595A (ja) | 1987-11-17 |
| JPH0464160B2 JPH0464160B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=14440063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61106691A Granted JPS62264595A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | Ｅｌデイスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264595A (ja) |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61106691A patent/JPS62264595A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0464160B2 (ja) | 1992-10-14 |
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