JPS62257513A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPS62257513A
JPS62257513A JP10299086A JP10299086A JPS62257513A JP S62257513 A JPS62257513 A JP S62257513A JP 10299086 A JP10299086 A JP 10299086A JP 10299086 A JP10299086 A JP 10299086A JP S62257513 A JPS62257513 A JP S62257513A
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JP
Japan
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buses
parallel
bus
input
semiconductor device
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JP10299086A
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Japanese (ja)
Inventor
Takaitsu Nakaya
崇厳 中家
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Sharp Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide flexibility to bus connection between semiconductor devices by providing a data select circuit included in parallel buses, selecting a desired bus and incorporating a switching circuit connected to an internal terminal. CONSTITUTION:In a unit that handles, for instance, parallel buses A1-A8 as input, output or bidirectional input/output, eight data select circuits 1a-1h are provided to correspond to parallel buses of 8 bits. Each data select circuit 1a-1h introduce, for instance, two buses (A1, A8), (A2, A7)-(A8, A1) selected from parallel buses as a parallel bus introducing section. A switching circuit that selects either of the two introduced buses according to the state of a controlling signal LM and leads out signals of parallel buses to internal buses B1-B8 is incorporated. Thus, the unit can be designed without considering bit arrangement of a semiconductor device to be connected even when parallel buses increase, and accordingly, the degree of freedom of designing is made larger.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、入力、出力又は双方向入出力が可能なパラレ
ルバス(データバス、アドレスバス等)を備えた半導体
装置に関し、特には同一端子におけるパラレルバスの導
入関係を切換えることができる半導体装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a semiconductor device equipped with a parallel bus (data bus, address bus, etc.) capable of input, output, or bidirectional input/output, and particularly relates to a semiconductor device equipped with a parallel bus (data bus, address bus, etc.) capable of input, output, or bidirectional input/output. The present invention relates to a semiconductor device capable of switching the introduction relationship of parallel buses in a semiconductor device.

〈従来の技術〉 例えばDAコンバータ、デジタルフィルタラ中心とする
ような信号処理用集積回路や、多くのマイクロコンピュ
ータシステムにおいてもパラレルバスを用いて信号の処
理が行われている。
<Prior Art> For example, signal processing is performed using parallel buses in signal processing integrated circuits such as DA converters and digital filters, and in many microcomputer systems.

処で上述のようなパラレルバスを扱う場合、第2図(A
)に示す如く、互いに接続することが必要な2個の半導
体装置2 b + 2 cが、お互いのパラレルバスの
ビット配列において1対1に対応して構成されているな
らば、図に示すように対応する端子間を結ぶことによっ
て簡単に結合することができる。
When dealing with a parallel bus such as the one described above, Figure 2 (A
), if the two semiconductor devices 2 b + 2 c that need to be connected to each other are configured in a one-to-one correspondence in the bit arrays of their parallel buses, then as shown in the figure The connection can be easily made by connecting the corresponding terminals.

しかしながら、M2図(B)に示す如く、パラレルバス
のビット配列が1対IK対応していない半導体装置2 
d + 2 e間では、それらの間を接続する場合、半
導体装置の配置を変えたり、プリント基板上の配線パタ
ー72aを引き回すことによって対処さね、ている。
However, as shown in FIG.
When connecting between d + 2 e, it is necessary to change the arrangement of the semiconductor device or route the wiring pattern 72a on the printed circuit board.

〈発明が解決しようとする問題点ン 上述のように従来の半導体装置では、装置間のバスを接
続するために配線パターンを引き回したり、或いは半導
体装置を配置転換しなければならず、設計が複雑になる
だけでなく、プリント基板上の占有面積としてもかなり
の広さを要するという欠点があった。
<Problems to be solved by the invention> As mentioned above, in conventional semiconductor devices, in order to connect buses between devices, wiring patterns must be routed or semiconductor devices must be rearranged, making the design complicated. Not only does it take up a lot of space, but it also has the disadvantage of requiring a considerable amount of space on the printed circuit board.

また最近のICパッケージにみられるように、シュリン
クパッケージやフラットパッケージというような端子間
の隙間が非常に狭いICパッケージが増えている中で、
パラレルバスのプリント基板設計が非常に難かしくなっ
てきている。特にシグナルプロセッサやマイクロコンピ
ュータにみられるように16ピント、32ビツトという
パラレルバスが走るプリント基板設計は非常に困雅なも
のである。
In addition, as seen in recent IC packages, the number of IC packages with very narrow gaps between terminals, such as shrink packages and flat packages, is increasing.
Designing printed circuit boards for parallel buses is becoming extremely difficult. In particular, the design of printed circuit boards running 16-pin, 32-bit parallel buses, such as those found in signal processors and microcomputers, is extremely difficult.

く問題点を解決するための手段〉 本発明は上記従来の半導体装置の欠点を除去し、半導体
装置間のバス接続に開通性を持たせることができる半導
体装置を提供する。
Means for Solving the Problems> The present invention provides a semiconductor device that eliminates the drawbacks of the conventional semiconductor devices described above and can provide openness to bus connections between semiconductor devices.

本発明は、第1図に示す如く、入力、出力又は双方向入
出力として例えばパラレルバスA I−A sを扱う半
導体装置において、上記8ビツトのパラレルバスに対応
させて8個のデータセレクト回路1a〜1hを設け、各
データセレクト回路1a〜1hは、パラレルバス導入部
として上記パラレルバスから選ばれた例えば2本のバス
(A++ As ) 。
As shown in FIG. 1, the present invention provides a semiconductor device that handles, for example, a parallel bus AIAs as input, output, or bidirectional input/output, in which eight data select circuits are provided corresponding to the 8-bit parallel bus. 1a to 1h are provided, and each data select circuit 1a to 1h has, for example, two buses (A++As) selected from the above-mentioned parallel buses as a parallel bus introducing section.

(A2. A7 )・・・(As 、 A+ )を導入
してなり、該導入された2本のバスに対していずれかを
制御信号LMの状態によって選択してパラレルバスの信
号を内部バスB1〜B8に導出する切換回路を内蔵させ
て構成する。
(A2, A7) ... (As, A+) is introduced, and one of the two introduced buses is selected depending on the state of the control signal LM, and the parallel bus signal is transferred to the internal bus B1. It is constructed by incorporating a switching circuit derived from ~B8.

〈作 用〉 上述の如く8ピントのパラレルバスA1〜A8について
、2本のバスが互いに最下位ピッ) (LSB)と最上
位ピッl−(MSB)とが反転するように組合せられた
装置においては、データセレクト回路1a〜1hKパラ
レルバスデータA t −A sを入力すると、制御信
号LMの状態によって、半導体装置の内部バスB+〜B
8は次のように結合される。
<Function> As described above, in a device in which the two buses are combined so that the lowest pin (LSB) and the highest pin (MSB) are inverted with respect to the 8-pin parallel buses A1 to A8. When the data select circuits 1a to 1hK parallel bus data A t -A s are input, the internal buses B+ to B of the semiconductor device are selected depending on the state of the control signal LM.
8 are combined as follows.

■ LM= 1のとき B+ +At 、 B2−A21B3←A3 、 B4
←A4Bs=As 、 B6←A61B7←A?、B8
←As■ LM=0のとき(第3図参照) B1←As + B2←Ay 、B3←A6.B4←A
3B5″A4・B6″A 3 、 B 7 ”−kg・
33 s 8A 1パラレルパスラインは何bitfあ
っても半導体装置内部では、配線とデータセレクタ回路
によって対応できるため半導体装置のチップサイズには
ほとんど影響を与えない。
■ When LM=1, B+ +At, B2-A21B3←A3, B4
←A4Bs=As, B6←A61B7←A? ,B8
←As■ When LM=0 (see Figure 3) B1←As + B2←Ay, B3←A6. B4←A
3B5″A4・B6″A3, B7″-kg・
33s 8A 1 No matter how many bitf there are of parallel path lines, it can be handled by wiring and data selector circuits inside the semiconductor device, so it has almost no effect on the chip size of the semiconductor device.

尚、双方向パラレルバスでデータ入力モードのときは上
記動作を行うがデータ出力モードのときは、制御信号L
Mの状態によって内部バスとパラレルバスは次のような
対応をとる。
Note that the above operation is performed when the bidirectional parallel bus is in data input mode, but when it is in data output mode, the control signal L is
Depending on the state of M, the internal bus and parallel bus take the following correspondence.

■ LM=1のとき A1←B宜 IA2 ←B2.A3 ←B3  、  
A 4←B41A5←B5.A6←B6.A7←B7.
A8←B8■ LM=0のとき A!←B11.A2←B7. A3←B6.A4←B5
+A5←B4.A6←B3.A7←B2.AII←B+
〈実施例〉 ここでは信号処理ICとDAコンバータIC(7)パラ
レルデータバスをプリント基板上で接続する場合を例に
、外部データバス(D+ =D+a )の並びを変更す
ることなく内部データバス(I+〜■16)との関係が
保たれた接続が得られる場合を挙げて説明する。
■ When LM=1, A1 ← B, IA2 ← B2. A3 ←B3,
A4←B41A5←B5. A6←B6. A7←B7.
A8←B8■ A when LM=0! ←B11. A2←B7. A3←B6. A4←B5
+A5←B4. A6←B3. A7←B2. AII←B+
<Example> Here, we will take as an example a case where a signal processing IC and a DA converter IC (7) parallel data bus are connected on a printed circuit board, and the internal data bus ( A case will be described in which a connection is obtained in which the relationship with I+ to (16) is maintained.

第4図(A)に於て、16ビツト外部データバスD+−
D+sが導入される半導体装置のデータバス導入端には
、各ビットに対応させて16個のデータセレクト回路3
a〜3pが設けられている。各データセレクト回路3a
〜3pのデータバス接続は、第1番目のデータセレクト
回路3aに対しては、第1ビツトデータバスD1及び第
16ビソトデータバスDI6が導入され、第2番目のデ
ータセレクト回路3bには第2ピツトデータバスD2及
び第15ビツトデータバスD15が導入され、同様に1
6ビツトのデータバスD1〜DI6が最下位ビットから
順方向に配分したものと最上位ビットの逆方向に配分し
たものとを順次2ピツトを組にして各データセレクト回
路に導入される。
In FIG. 4(A), the 16-bit external data bus D+-
At the data bus introduction end of the semiconductor device into which D+s is introduced, there are 16 data select circuits 3 corresponding to each bit.
A to 3p are provided. Each data select circuit 3a
~3p, the first bit data bus D1 and the 16th bit data bus DI6 are introduced to the first data select circuit 3a, and the second data select circuit 3b is connected to the A 2-bit data bus D2 and a 15th bit data bus D15 are introduced, and a 1-bit data bus D15 is also introduced.
A 6-bit data bus D1 to DI6 is sequentially introduced into each data select circuit in sets of two pits, one distributed in the forward direction from the least significant bit and one distributed in the opposite direction from the most significant bit.

各データセレクト回路は、第4図(B)に示すようなゲ
ート回路で構成されている。即ち、第1アントゲ−)3
s及び第2アントゲ−)3tが設けられ、第1アントゲ
−)3sには順方向配分のビットデータバス5i(i:
1〜16)と制御信号LMをインバータ3uで反転した
信号]が入力さね、また第2アンドゲート3tには逆方
向配分(゛ のビットデータバスt−@ss@ユ(i:1〜16〕及
び制御信号LMが入力され、両アンドゲートの出力信号
はオアゲー)3uに入力されて内部パス■i として出
力される。上記制御信号LMは、外部回路より110“
、11“が任意に設定される。
Each data select circuit is composed of a gate circuit as shown in FIG. 4(B). That is, the first anime game) 3
A bit data bus 5i (i:
1 to 16) and a signal obtained by inverting the control signal LM by an inverter 3u] are input to the second AND gate 3t, and the bit data bus t-@ss@yu (i: 1 to 16) is input to the second AND gate 3t. ] and control signal LM are input, and the output signals of both AND gates are input to OR game) 3u and output as internal path ■i.The above control signal LM is input to 110" from an external circuit.
, 11" are arbitrarily set.

上記外部からのパラレルデータバスD1〜D16が入力
端子S、、を二に入力された構造のデータセレクト回路
3a〜3pを備えた半導体装置において、制御信号LM
が% 0 /lレベルであれば、アンドゲート3tがオ
フ、アンドゲート3sがオンとなるため内部データバス
■1〜IISにはD1〜I)+6が入力されて、内部デ
ータバス■1〜IIIIはL←D1・■2″D2− I
 +s°D l 5・116″DI6が選択さ力・る〇 一方制御信号LMが11”レベルであれば、データセレ
クト回路3a〜3pは逆にアンドゲート3sがオフ、ア
ンドゲート3tがオンとなるため切換えられて内部デー
タバス■1〜I16は■1←D!6゜I2←I)ts・
・・I15←D2 + I 16←D+が選択される。
In a semiconductor device equipped with data select circuits 3a to 3p having a structure in which parallel data buses D1 to D16 from the outside are inputted to input terminals S, .
If is at the %0/l level, the AND gate 3t is turned off and the AND gate 3s is turned on, so D1 to I)+6 are input to the internal data buses ■1 to IIS, and the internal data buses ■1 to III is L←D1・■2″D2− I
+s°D l 5・116″DI6 is selected Power・ru〇On the other hand, if the control signal LM is at the 11″ level, the data select circuits 3a to 3p conversely turn off the AND gate 3s and turn on the AND gate 3t. Therefore, the internal data buses ■1 to I16 are switched to ■1←D! 6゜I2←I)ts・
...I15←D2+I16←D+ is selected.

即ち制御信号LMの論理レベルによって内部データバス
(■1〜l16)には外部データバス(D+〜D+s)
の下位ビットと上位ビットの配分が反転したものが出力
される。
That is, depending on the logic level of the control signal LM, the internal data bus (■1 to l16) is connected to the external data bus (D+ to D+s).
The output is an inverted version of the distribution of the lower bits and upper bits.

上記実施例は入力パラレルパス構造を挙げて説明したが
、次に双方向パラレルパスに接続される半導体装置を挙
げて説明する。
The above embodiment has been explained by citing the input parallel path structure, but next will be explained by citing the semiconductor device connected to the bidirectional parallel path.

第5図(A)において、16ビノト外部データバスD1
〜DI6は半導体装置に設けられた16個のデータセレ
クト回路5a〜5pを介して内部データバスll−11
6に接続されている。
In FIG. 5(A), the 16 bit external data bus D1
~DI6 is an internal data bus ll-11 via 16 data select circuits 5a to 5p provided in the semiconductor device.
6.

ここで上記各データセレクト回路は第5図(B)に示す
如く、前記実施例と同様の第1アンドゲート3s1第2
アンドゲート3を及びオアゲート3uに加えて第1乃至
第3のスリーステートバッファ5v、5w、5xを付加
して構成されている上記スリーステートバッフy5v、
5w、5xに与えられた信号X、倍信号は、第5図(A
)に示す如く、入出力選択制御信号IOを第1ナントゲ
ート5s。
Here, as shown in FIG. 5(B), each of the data selection circuits described above includes a first AND gate 3s1, a second
The three-state buffer y5v is configured by adding first to third three-state buffers 5v, 5w, and 5x in addition to the AND gate 3 and the OR gate 3u;
The signal X and double signal given to 5w and 5x are shown in Fig. 5 (A
), the input/output selection control signal IO is input to the first Nant gate 5s.

第2ナントゲート5tで制御信号LM、LMとの間で論
理をとることによって形成され、各データセレクト回路
3a〜3pに与えられる。
It is formed by performing logic between the control signals LM and LM in the second Nant gate 5t, and is applied to each data select circuit 3a to 3p.

上記双方向パラレルパス構成においては、入出力選択制
御信号IOの論理レベルが%0”のときは、第1スリー
ステートバツフア5vが導通状態、他の22.i3スリ
ーステートバッファ5w、5xが非導通状態となり、入
力モード(外部データバスD1〜DI6の内容が内部デ
ータバスr+”Iu+に入力される)となる。このとき
の回路動作は前記実施例と同様に行われる。
In the above bidirectional parallel path configuration, when the logic level of the input/output selection control signal IO is %0'', the first three-state buffer 5v is in a conductive state, and the other 22.i3 three-state buffers 5w and 5x are in a non-conducting state. It becomes conductive and enters the input mode (the contents of the external data buses D1 to DI6 are input to the internal data bus r+"Iu+). The circuit operation at this time is the same as in the previous embodiment.

次に入出力選択制御信号IOの論理レベルが亀1//レ
ベルのときは、まずナントゲート5 s +5tを用い
て制御信号LMとの間で論理をとることにより、信号X
及び信号Yの論理レベルが決定される。即ち制御信号L
Mがゝl”レベルの状態で信号Xの論理レベルが気0”
レベル、Yの論理レベルが11”レベルになることによ
り第2スリーステートバツフy5wが非導通、第3スリ
ーステートバツフy5xが導通状態となり、内部データ
バスエ1〜11gが端子t1〜t16に入力さね5、D
+←■Is + D2←I15・・・D + s←I2
 + Dos←h の関係に接続される。逆に制御信号
LMが10”レベルになると信号Xの論理レベルが“1
”レベル。
Next, when the logic level of the input/output selection control signal IO is the turtle 1// level, the signal
and the logic level of signal Y is determined. That is, the control signal L
The logic level of signal X is 0 when M is at level 1.
When the logic level of Y reaches the 11" level, the second three-state buffer y5w becomes non-conductive, the third three-state buffer y5x becomes conductive, and the internal data buses 1 to 11g are input to the terminals t1 to t16. Ne5, D
+←■Is + D2←I15...D + s←I2
+Dos←h. Conversely, when the control signal LM reaches the 10" level, the logic level of the signal X becomes 1.
"level.

信号Yの論理レベルが−0”レベルとなることにより第
2スリーステートバッファ5wが導通、第3スリーステ
ートバツフ75xが非導通状態となり内部データバスI
I〜II6が導入端子81〜S+sに入力され、次の対
応関係に接続される。D1←I+・D2←工2・Dos
 ” I ts・D l 6←I16上述のようにデー
タセレクト回路を設けることによってパラレルバスの配
置を変更することなく、下位ピント配列と上位ビット配
列が反転したバスに対しても同一構成の半導体装置で対
応することができる。
When the logic level of the signal Y becomes -0'' level, the second three-state buffer 5w becomes conductive, the third three-state buffer 75x becomes non-conductive, and the internal data bus I
I to II6 are input to the introduction terminals 81 to S+s and connected to the next corresponding relationship. D1←I+・D2←Work2・Dos
”I ts・D l 6←I16 By providing a data select circuit as described above, a semiconductor device with the same configuration can be used for buses with the lower focus arrangement and upper bit arrangement reversed, without changing the arrangement of the parallel bus. You can respond with

〈発明の効果〉 本発明により次のような効果が得られる。<Effect of the invention> The present invention provides the following effects.

(1)パラレルバスのパターンの引きまわしがなくなる
ため、配線長が短かくなり、配線に上り生り じるインダ4タンスや浮遊容量が小さくなるから高スピ
ード半導体装置を使用したシステムに有利である。
(1) Since there is no need to run parallel bus patterns, the wiring length becomes shorter, and the inductance and stray capacitance that occur in the wiring are reduced, which is advantageous for systems using high-speed semiconductor devices. .

(2)高密度実装が可能となる。(2) High-density packaging becomes possible.

(3)8ピツト、16ビノト、32ビツトとパラレルバ
スが増えてきても接続する半導体装置のビット配列を考
えなくても設計できるので設計の自由度が大きくなる。
(3) Even if the number of parallel buses increases to 8 bits, 16 bits, and 32 bits, design can be done without considering the bit arrangement of the semiconductor devices to be connected, increasing the degree of freedom in design.

(4)  シュリンクパッケージやフラットパッケージ
のように端子間隔が狭く端子間をパターンが走らない半
導体装置のプリント基板設計が非常に楽になる1、
(4) Printed circuit board design for semiconductor devices with narrow terminal spacing and no pattern running between terminals, such as shrink packages and flat packages, becomes much easier1.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の原理図、第2図(A)、(B)はプリ
ント基板上での半導体装置の実装状態を示す図、第3図
は下位ビット、上位ビットを反転させたパラレルバス接
続関係を示す図、第4図(A)。 (B)は本発明の具体的な一例を示す図、第5図(A)
、 (B)は本発明の他の具体的な例を示す図である。 D I−D + 6 m外部データバス、I+〜l16
11内部データバス、3a〜3p:データセレクト回路
、3s、3t:アンドゲート、3uニオアゲート、5v
、w、xニスリーステートバッフ7、IO二人出力選択
制御信号、LM:制御信号 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)(A)  
           (B)第2図 、゛さ3図 第43 +8)    、 5゜
Figure 1 is a diagram of the principle of the present invention, Figures 2 (A) and (B) are diagrams showing the mounting state of a semiconductor device on a printed circuit board, and Figure 3 is a parallel bus with lower bits and upper bits inverted. A diagram showing connection relationships, FIG. 4(A). (B) is a diagram showing a specific example of the present invention, FIG. 5 (A)
, (B) is a diagram showing another specific example of the present invention. D I-D + 6 m external data bus, I+ ~ l16
11 internal data bus, 3a to 3p: data select circuit, 3s, 3t: AND gate, 3u NOR gate, 5v
, w, x Nissly state buffer 7, IO two-person output selection control signal, LM: Control signal agent Patent attorney Takeshi Sugiyama (1 other person) (A)
(B) Figure 2, Figure 3, Figure 43 +8), 5゜

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)入力、出力又は双方向入出力が可能なパラレルバス
を備えた半導体装置において、 各バスの上記パラレルバスに含まれた少なくとも2本の
バスが端子に与えられたデータセレクト回路を設け、 上記データセレクト回路に、制御信号に基いて上記端子
に与えられた少なくとも2本のバスから所望のバスを選
択して内部端子に接続する切換回路を内蔵させてなるこ
とを特徴とする半導体装置。 2)前記各データセレクト回路の端子には、パラレルバ
スに含まれた2本のバスが入力され、該2本のバスは上
位ビットと下位ビットを反転させた関係に選ばれてなる
ことを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体装置。
[Claims] 1) In a semiconductor device equipped with a parallel bus capable of input, output, or bidirectional input/output, data provided to a terminal of at least two buses included in the parallel bus of each bus. A select circuit is provided, and the data select circuit includes a switching circuit that selects a desired bus from at least two buses applied to the terminal based on a control signal and connects it to the internal terminal. semiconductor device. 2) Two buses included in a parallel bus are input to the terminals of each data select circuit, and the two buses are selected in such a manner that upper bits and lower bits are inverted. A semiconductor device according to claim 1.
JP10299086A 1986-04-30 1986-04-30 Semiconductor device Pending JPS62257513A (en)

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