JPS62256781A - 金属被膜の形成方法 - Google Patents
金属被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS62256781A JPS62256781A JP9878886A JP9878886A JPS62256781A JP S62256781 A JPS62256781 A JP S62256781A JP 9878886 A JP9878886 A JP 9878886A JP 9878886 A JP9878886 A JP 9878886A JP S62256781 A JPS62256781 A JP S62256781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- silicate
- metal coating
- substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9878886A JPS62256781A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 金属被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9878886A JPS62256781A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 金属被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256781A true JPS62256781A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0455153B2 JPH0455153B2 (cs) | 1992-09-02 |
Family
ID=14229109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9878886A Granted JPS62256781A (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 金属被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256781A (cs) |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP9878886A patent/JPS62256781A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455153B2 (cs) | 1992-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0153737B1 (en) | Circuit substrate having high thermal conductivity | |
| JP4077888B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| Iwase et al. | Thick film and direct bond copper forming technologies for aluminum nitride substrate | |
| JPS5921032A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| US4901137A (en) | Electronic apparatus having semiconductor device | |
| JP3834351B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP2001332854A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH0679989B2 (ja) | 窒化アルミニウム上の銅電極形成法 | |
| JPS61281089A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造 | |
| JPH0323512B2 (cs) | ||
| JPS61270262A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JP3183090B2 (ja) | パッケージ用セラミックスリッド | |
| JPH0570954B2 (cs) | ||
| JPS61119094A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製造方法 | |
| JPS62256781A (ja) | 金属被膜の形成方法 | |
| JP2000086368A (ja) | 窒化物セラミックス基板 | |
| JPS5961054A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62297286A (ja) | 窒化アルミニウムセラミツクスのメタライズ方法 | |
| JPS6261549B2 (cs) | ||
| JPS61281074A (ja) | メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS62182182A (ja) | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPH0454378B2 (cs) | ||
| JPH08125310A (ja) | セラミックプリント配線板及びその製造方法 | |
| JPH04290488A (ja) | 非酸化物系セラミックス回路基板の製法および該基板を用いた電子装置の製法 | |
| JPH02240995A (ja) | 電子部品実装用セラミックス基板 |