JPS622546A - 半導体薄膜の分解装置 - Google Patents
半導体薄膜の分解装置Info
- Publication number
- JPS622546A JPS622546A JP14023185A JP14023185A JPS622546A JP S622546 A JPS622546 A JP S622546A JP 14023185 A JP14023185 A JP 14023185A JP 14023185 A JP14023185 A JP 14023185A JP S622546 A JPS622546 A JP S622546A
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- Japan
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- thin film
- liquid
- vessel
- hydrofluoric acid
- decomposition
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体基板上に形成された酸化膜等の薄膜
を分解するための分解装置に関するものである。
を分解するための分解装置に関するものである。
［発明の技術的背景］
半導体基板上に形成された酸化膜等の薄膜中にＮａ 、
に、ＦＯ等の不純物が含まれていると、たとえそのめが
極く微量であっても半導体素子の電気的特性に大きな影
響を与えることはよく知られている。 それ故、素子の
電気的特性を向上させるには、これらの不純物の含有量
を正確に把握づるとともに該薄膜形成時には該不純物の
混入をできるかぎり抑制リーることか必要である。
に、ＦＯ等の不純物が含まれていると、たとえそのめが
極く微量であっても半導体素子の電気的特性に大きな影
響を与えることはよく知られている。 それ故、素子の
電気的特性を向上させるには、これらの不純物の含有量
を正確に把握づるとともに該薄膜形成時には該不純物の
混入をできるかぎり抑制リーることか必要である。
従来、半導体基板上の薄膜を分解してその中の不純物含
有量を測定するために第４図に示す構造の分解装置が用
いられていた。
有量を測定するために第４図に示す構造の分解装置が用
いられていた。
第４図において、１は蓋１ａを有する密閉容器であり、
該密閉容器１内には、弗化水素酸りを入れたビーカー２
と、半導体基板Ｗを立てた状態で収容したウェハキャリ
ヤ３と、該ウェハキャリヤ３を支持する支持台４と、該
支持台４に支持されるとともに該ウニハキ１ｒすＡ７３
の直下位置に配置される分解液受皿５とが収容されてい
る。 この装置によって半導体基板上の薄膜ｆを分解す
る時には図示の状態で常温に放置する。 そしてビーカ
ー２内の弗化水素酸りから発生した弗化水素の蒸気によ
って該ｍａｒが分解されて、その分解液ｌが液滴となっ
て分解液受皿５に溜るので、所定時間後に蓋を開いてウ
ェハキャリヤ３を取り出すとともに分解液受皿５中の分
解液をマイクロピペットで回収した後、該分解液をフレ
ームレス原子吸光装置で分析して該薄膜中の不純物量を
測定する。
該密閉容器１内には、弗化水素酸りを入れたビーカー２
と、半導体基板Ｗを立てた状態で収容したウェハキャリ
ヤ３と、該ウェハキャリヤ３を支持する支持台４と、該
支持台４に支持されるとともに該ウニハキ１ｒすＡ７３
の直下位置に配置される分解液受皿５とが収容されてい
る。 この装置によって半導体基板上の薄膜ｆを分解す
る時には図示の状態で常温に放置する。 そしてビーカ
ー２内の弗化水素酸りから発生した弗化水素の蒸気によ
って該ｍａｒが分解されて、その分解液ｌが液滴となっ
て分解液受皿５に溜るので、所定時間後に蓋を開いてウ
ェハキャリヤ３を取り出すとともに分解液受皿５中の分
解液をマイクロピペットで回収した後、該分解液をフレ
ームレス原子吸光装置で分析して該薄膜中の不純物量を
測定する。
［背景技術の問題点］
前記の如き従来の分解装置には次のような問題点があっ
た。
た。
（ａ ） 密閉容器１の容積が大きいうえ、常温で弗
化水素を蒸発させているので該容器内が飽和蒸気圧に達
するまでに長い時間がかかり、しかも薄膜の分解速度が
遅いため、該容器内に半導体基板をセットしてから分解
液を回収するまでに数時間もかかつていた。
化水素を蒸発させているので該容器内が飽和蒸気圧に達
するまでに長い時間がかかり、しかも薄膜の分解速度が
遅いため、該容器内に半導体基板をセットしてから分解
液を回収するまでに数時間もかかつていた。
（ｂ） 密閉容器の容積が大きいので、薄膜分解終了
摸、該装置りなわち該容器を分析装置の場所へ運搬する
ことができず、従って、従来は分解液を一度他の容器に
移し替えるなどしていたが、非常に手間がかかつていた
。
摸、該装置りなわち該容器を分析装置の場所へ運搬する
ことができず、従って、従来は分解液を一度他の容器に
移し替えるなどしていたが、非常に手間がかかつていた
。
（Ｃ）ｉｌ膜分解終了後、密閉容器の蓋をあける時に該
容器内に存在している弗化水素酸液や弗化水素ガスが人
に害を及ぼす危険性があった。
容器内に存在している弗化水素酸液や弗化水素ガスが人
に害を及ぼす危険性があった。
［発明の目的］
この発明の目的は、前記問題点を解決した新規な分解装
置を提供することである。 すなわち、この発明の目的
は、従来装置よりも短時間で、半導体ｉ＃躾を分解する
ことができるとともに小型で運搬が容易であり、しかも
測定者に弗化水素ガスの危険性を及ぼさない分解装置を
提供することである。
置を提供することである。 すなわち、この発明の目的
は、従来装置よりも短時間で、半導体ｉ＃躾を分解する
ことができるとともに小型で運搬が容易であり、しかも
測定者に弗化水素ガスの危険性を及ぼさない分解装置を
提供することである。
［発明の概要］
この発明による半導体薄膜の分解装置は、底部に弗化水
素酸の液溜りを有する密閉容器と、該容器内において該
液溜りよりも上方に配置された分解液受皿と、該分解液
受皿の上方に配置されたウニハキせリヤと、所望により
該弗化水素酸に熱を伝えるために該容器の底面を銀板な
どの加熱用金属板で構成するとともに該金属板に接して
取り付けられた加熱器とから成っていることを特徴とす
る。 また、この発明の実施例の装置では、前記の構成
部分に加えて、前記液溜りに連通ずる排液口兼排気口と
給液口とを具備していることを特徴とする。
素酸の液溜りを有する密閉容器と、該容器内において該
液溜りよりも上方に配置された分解液受皿と、該分解液
受皿の上方に配置されたウニハキせリヤと、所望により
該弗化水素酸に熱を伝えるために該容器の底面を銀板な
どの加熱用金属板で構成するとともに該金属板に接して
取り付けられた加熱器とから成っていることを特徴とす
る。 また、この発明の実施例の装置では、前記の構成
部分に加えて、前記液溜りに連通ずる排液口兼排気口と
給液口とを具備していることを特徴とする。
従って本発明の装置では弗化水素ガスの蒸発が常温以上
の温度で行われ、また、弗化水素ガスの発生源である弗
化水素酸の液溜りの直上位置にウェハキャリヤと分解液
受皿とが配置されているので、従来装置よりも短時間で
半導体薄膜を分解することができるとともに従来装置よ
りも小型で取扱いやすく、薄膜分解後の該容器及び分解
液の取扱いが簡単になる。 また、本発明の実施例に示
した装置では、前記の長所のほかに薄膜分解終了復に測
定者が弗化水素ガスに侵される危険性がなく作業できる
という長所を有している。
の温度で行われ、また、弗化水素ガスの発生源である弗
化水素酸の液溜りの直上位置にウェハキャリヤと分解液
受皿とが配置されているので、従来装置よりも短時間で
半導体薄膜を分解することができるとともに従来装置よ
りも小型で取扱いやすく、薄膜分解後の該容器及び分解
液の取扱いが簡単になる。 また、本発明の実施例に示
した装置では、前記の長所のほかに薄膜分解終了復に測
定者が弗化水素ガスに侵される危険性がなく作業できる
という長所を有している。
［発明の実施例］
以下に第１図乃至第３図を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明の第一実施例の分解装置の概略縦断面図
であり、第２図は第１図の一部の概略平面図である。
であり、第２図は第１図の一部の概略平面図である。
第１図及び第２図において、６は蓋６ａを有する密閉容
器であり、この密閉容器６の底面部は弗化水素ｗＪＬを
貯溜しておくための液溜りとなっており、該容器６は平
板状の加熱器７（ホットプレート）の」ニに載置されて
いる。 弗化水素酸しの液溜りの上方には、互いに並列
に隔置され！、：樋状部材から成る分解液受ｌ１１１８
が配置されており、該分解液受皿８の直上位置には半導
体基板Ｗを直立状態に保持するウェハキャリヤ９（第２
図参照）が配置されている（第１図ではウェハキャリヤ
９が図示されていないが、これは図を簡単にするためで
ある）。
器であり、この密閉容器６の底面部は弗化水素ｗＪＬを
貯溜しておくための液溜りとなっており、該容器６は平
板状の加熱器７（ホットプレート）の」ニに載置されて
いる。 弗化水素酸しの液溜りの上方には、互いに並列
に隔置され！、：樋状部材から成る分解液受ｌ１１１８
が配置されており、該分解液受皿８の直上位置には半導
体基板Ｗを直立状態に保持するウェハキャリヤ９（第２
図参照）が配置されている（第１図ではウェハキャリヤ
９が図示されていないが、これは図を簡単にするためで
ある）。
該密閉容器６の側壁には該液溜りに連通ずる排液口兼排
気口１０が設けられるとともに該排液口１０には弁１１
が設けられている。 また、密閉容器６内の液面より少
し上の位置には該容器６内に弗化水素酸を注入するため
の給液口１２が設置ノられており、該給液口１２には弁
１３が設けられている。 ｆ、にお、前記密閉容器６及
び蓋６ａ並びに該容器６内に収容される部分はすべて弗
化水素ガスに腐食されない弗素樹脂で構成されている。
気口１０が設けられるとともに該排液口１０には弁１１
が設けられている。 また、密閉容器６内の液面より少
し上の位置には該容器６内に弗化水素酸を注入するため
の給液口１２が設置ノられており、該給液口１２には弁
１３が設けられている。 ｆ、にお、前記密閉容器６及
び蓋６ａ並びに該容器６内に収容される部分はすべて弗
化水素ガスに腐食されない弗素樹脂で構成されている。
前記の如き本発明の装置を使用する場合、薄膜分解作業
に先立って、まず、密閉容器６内に混酸を入れて加熱し
て該容器内の洗浄を行う。 そして、洗浄接、該容器内
の混酸を流し出し、該容器内を乾燥させる。
に先立って、まず、密閉容器６内に混酸を入れて加熱し
て該容器内の洗浄を行う。 そして、洗浄接、該容器内
の混酸を流し出し、該容器内を乾燥させる。
該容器内を乾燥侵、給液口１２から該容器６内に弗化水
素ＭＬを所定液位になるまで注入した接、弁１３を閉じ
、簿ｓｒを有した半導体基板Ｗを該容器中のウェハキャ
リヤ９に収容し、１６ａを閉じて該容器内をＷ！■する
。 次いで加熱器７により密閉容器６の底部を８０℃ま
で加熱し、３０分間放置すると、該容器内の半導体基板
上の薄膜「は弗化水素１１Ｌから発生した多量の弗化水
素ガスによって分解され、その分解液ｌは分解液受皿８
に溜まる。 そこで、該容器の排液口兼排気口１０をポ
ンプ等を介して弗化水素酸廃液タンク等に接続した後、
弁１１を聞いて該容器６内の弗化水素酸りを排出した後
、更に該容器内の弗化水素ガスを排気する。 そして該
容器内に弗化水素ガスがなくなってから蓋６ａを開いた
債、分解液受皿８に溜まっている分解液をマイクロビベ
ツ１〜で回収し、これをフレームレス原子吸光装置で分
析して各半導体基板Ｗ上の簿膜「に含まれている不純物
量を測定する。
素ＭＬを所定液位になるまで注入した接、弁１３を閉じ
、簿ｓｒを有した半導体基板Ｗを該容器中のウェハキャ
リヤ９に収容し、１６ａを閉じて該容器内をＷ！■する
。 次いで加熱器７により密閉容器６の底部を８０℃ま
で加熱し、３０分間放置すると、該容器内の半導体基板
上の薄膜「は弗化水素１１Ｌから発生した多量の弗化水
素ガスによって分解され、その分解液ｌは分解液受皿８
に溜まる。 そこで、該容器の排液口兼排気口１０をポ
ンプ等を介して弗化水素酸廃液タンク等に接続した後、
弁１１を聞いて該容器６内の弗化水素酸りを排出した後
、更に該容器内の弗化水素ガスを排気する。 そして該
容器内に弗化水素ガスがなくなってから蓋６ａを開いた
債、分解液受皿８に溜まっている分解液をマイクロビベ
ツ１〜で回収し、これをフレームレス原子吸光装置で分
析して各半導体基板Ｗ上の簿膜「に含まれている不純物
量を測定する。
前記の如き本実施例の分解装置では弗化水素酸の液溜り
の上に分解液受ｌｌ１１８とウニハキ１ｊリヤ９とを配
置しているので密閉容器の大きさが従来装置にくらべて
小型となり、しかも、加熱装置によって弗化水素蒸気の
発生を促進させているため、該容器内が従来装置よりも
はるかに早く飽和蒸気圧に達し、その結果、半導体基板
をセットしてから分解液を取り出すまでの時間はわずか
３０分ですむようになった。 また、薄膜分解後に該容
器内の弗化水素酸及び弗化水素ガスを完全に排出してか
ら蓋６ａを開くので、測定作業者が有害ガスに曝される
危険性がなく安全に作業を行うことができる。 更に、
本実施例の装ｄは従来装置にくらべて小型であるため、
Ｍ膜分解終了後に該装置を分析装置の近くに運搬σるこ
とが容易であり、従って分解液を他の容器に移し替える
必要がない。
の上に分解液受ｌｌ１１８とウニハキ１ｊリヤ９とを配
置しているので密閉容器の大きさが従来装置にくらべて
小型となり、しかも、加熱装置によって弗化水素蒸気の
発生を促進させているため、該容器内が従来装置よりも
はるかに早く飽和蒸気圧に達し、その結果、半導体基板
をセットしてから分解液を取り出すまでの時間はわずか
３０分ですむようになった。 また、薄膜分解後に該容
器内の弗化水素酸及び弗化水素ガスを完全に排出してか
ら蓋６ａを開くので、測定作業者が有害ガスに曝される
危険性がなく安全に作業を行うことができる。 更に、
本実施例の装ｄは従来装置にくらべて小型であるため、
Ｍ膜分解終了後に該装置を分析装置の近くに運搬σるこ
とが容易であり、従って分解液を他の容器に移し替える
必要がない。
第３図は本発明の他の実施例を示したものであり、この
実施例で第１図の実施例と異なるところは、密閉容器６
の底板として加熱用金属板６ｂ（弗化水素酸に侵されな
い銀板なと）が使用されていることである。 従って第
１図の実施例の装置よりも熱伝導率及び熱効率がよいた
め、弗化水素ガスの発生開始が早くなり、その結果、半
導体基板をセットしてから分解液を取り出すまでの時間
は第１図図示の装置よりも更に短縮することができる。
実施例で第１図の実施例と異なるところは、密閉容器６
の底板として加熱用金属板６ｂ（弗化水素酸に侵されな
い銀板なと）が使用されていることである。 従って第
１図の実施例の装置よりも熱伝導率及び熱効率がよいた
め、弗化水素ガスの発生開始が早くなり、その結果、半
導体基板をセットしてから分解液を取り出すまでの時間
は第１図図示の装置よりも更に短縮することができる。
なお、第３図の装置のその他の構成部分は第１図の装
置と同じであり、且つ使用方法も第１図の装置と同じで
あるから説明を省略する。
置と同じであり、且つ使用方法も第１図の装置と同じで
あるから説明を省略する。
し発明の効果〕
前記実施例で説明したように、本発明によれば、従来装
置よりも小型で且つ分解時間がはるかに短くてすみ、し
かも薄膜分解後の装置の取扱いがしやすく、更に測定作
業者が有害ガスに曝される恐れのない半導体ｉｄ［ＩＩ
ｌの分解装置が提供される。
置よりも小型で且つ分解時間がはるかに短くてすみ、し
かも薄膜分解後の装置の取扱いがしやすく、更に測定作
業者が有害ガスに曝される恐れのない半導体ｉｄ［ＩＩ
ｌの分解装置が提供される。
第１図は本発明の第一実施例の概略縦断面図、第２図は
第１図の一部の概略横断面図、第３図は本発明の第二実
施例の概略縦断面図、第４図は従来の分解装置の縦断面
図である。 １・・・密閉容器、 １ａ・・・蓋、 ２・・・ビーカ
ー、３・・・ウェハキャリヤ、 ４・・・支持台、 ５
・・・分解液受皿、 ６・・・密閉容器、 ６ａ・・・
蓋、 ７・・・加熱器、 ８・・・分解液受皿、 ９・
・・ウェハキャリヤ、１０・・・排液口兼排気口、 １
１・・・弁、 １２・・・給液口、 １３・・・弁、
６ｂ・・・加熱用金属板、 ｆ・・・薄膜、 Ｗ・・・
半導体基板、 Ｌ・・・弗化水素酸、ｌ・・・分解液。 第１図 第３図
第１図の一部の概略横断面図、第３図は本発明の第二実
施例の概略縦断面図、第４図は従来の分解装置の縦断面
図である。 １・・・密閉容器、 １ａ・・・蓋、 ２・・・ビーカ
ー、３・・・ウェハキャリヤ、 ４・・・支持台、 ５
・・・分解液受皿、 ６・・・密閉容器、 ６ａ・・・
蓋、 ７・・・加熱器、 ８・・・分解液受皿、 ９・
・・ウェハキャリヤ、１０・・・排液口兼排気口、 １
１・・・弁、 １２・・・給液口、 １３・・・弁、
６ｂ・・・加熱用金属板、 ｆ・・・薄膜、 Ｗ・・・
半導体基板、 Ｌ・・・弗化水素酸、ｌ・・・分解液。 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化膜等の薄膜を有する半導体基板を密閉容器内に
立てた状態で収容し、該密閉容器内で弗化水素ガスによ
つて該薄膜を分解させるとともにその分解液を該密閉容
器内の分解液受皿にて受ける形式の半導体薄膜の分解装
置において、 底面部が弗化水素酸の液溜りとなっている密閉容器と、
該液溜りよりも上方位置に配置された分解液受皿と、該
分解液受皿の上に配置されたウェハキャリヤとから構成
されていることを特徴とする半導体薄膜の分解装置。 ２ 底面部が加熱用金属板により構成されるとともに該
加熱用金属板に接して取り付けられる加熱器を具備する
特許請求の範囲１項記 載の半導体薄膜の分解装置。 ３ 密閉容器が底面部の液溜りに連通する排液口兼排気
口と該液溜りの液面より上方に配置された給液口とを具
備している特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導
体薄膜の分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14023185A JPS622546A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14023185A JPS622546A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622546A true JPS622546A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15263955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14023185A Pending JPS622546A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215163U (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | ||
| US6573931B1 (en) * | 1996-04-19 | 2003-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Information transmission method and apparatus |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14023185A patent/JPS622546A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215163U (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | ||
| JPH0347661Y2 (ja) * | 1988-07-15 | 1991-10-11 | ||
| US6573931B1 (en) * | 1996-04-19 | 2003-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Information transmission method and apparatus |
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