JPS62254475A - アモルフアス半導体から形成されるｐｉｎホトダイオ−ド - Google Patents

アモルフアス半導体から形成されるｐｉｎホトダイオ−ド

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JPS62254475A
JPS62254475A JP62098471A JP9847187A JPS62254475A JP S62254475 A JPS62254475 A JP S62254475A JP 62098471 A JP62098471 A JP 62098471A JP 9847187 A JP9847187 A JP 9847187A JP S62254475 A JPS62254475 A JP S62254475A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １艶立且１ 本発明はアモルファス半導体から形成されるＰＩＮホト
ダイオードに係わる。
１ユ且薫 ＰＩＮホトダイオードをアモルファスシリコンから形成
することは公知である。
アモルファスシリ：」ンは様々な理由で、結晶シリコン
よりむしろ使用されている。理由の１つはアモルファス
シリコンが結晶シリコンとは異なる特性をもち、使い方
によってはより興味深いことにある。
この場合、結晶シリコンの禁制帯幅が１．１８Ｖ〜１．
１５ｅＶであるのに対し、アモルファスシリコンのそれ
は１．６〜１．７５ｅＶである。結晶シリコンは可視範
囲内でアモルファスシリコンの厚さに対比して非常に大
ぎな厚さに及んで検出ができる（０．５マイクロメート
ルに対して数十マイクロメートル）。
結晶シリコンよりむしろアモルファスシリコンを使用す
るもう−・つの理由は、ガラスのような安価な材料上に
アモルファスシリコンを迅速に大面積にデポジットでき
ることにある。これに反して結晶シリコンは小面積にし
かデポジットできず、それも非常に高い温度を必要とす
る。
その無秩序性のために、術語上の結晶学的意味ではアモ
ルファスシリコンには数多くの欠陥がある。これらの欠
陥は禁制帯内部にいわゆる局所化状態を導入する。水素
化処理したアモルファスシリコンが一般に使用されるが
、これは水素を含む変型であって、水素は未決定額、つ
まりシリ」ン原子の不結合鎖に取り付いて欠陥の濃度を
減らし、アモルファスシリコンの品質を向上させる。
アモルファスシリコンはより特定的には、例えば遠隔複
写用計算機及び検出器帯条に取付ける太陽電池に用いら
れる。
公知のアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオードは多
数の欠点をもつ。これらの欠点のうち、Ｐ及びＮ層がド
ーピングによって得られ、これにより欠陥の数が１００
倍のオーダーの係数によってかけ合わされるから、アモ
ルファスシリコンの欠陥の数がかなり増えてしまうこと
が指摘される。
もう一つの欠点はＰ又はＮ形アモルコアスシリコンを得
るに当って、シランに対し熱分解を加える必要があり、
その際アモルファスシリコンにＰ形を得るためにはジボ
ラン、Ｎ形を得るためにはホスフィンのような５〜１０
０００ＤＤｆｆｉのオーダーの高濃度ドーピングガスを
添加することがある。ところで、ジボランとホスフィン
は濃度が高いと極めて危険なガスである。人体器筐に許
容される最大量はジボランは０．ｌｐｐｍ　、ホスフィ
ンは０．３ｐｐｍであり、このためリークを防止し、か
つデポジット機械からの廃山を処理するため非常に高価
な安全対策を必要とする。
公知のアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオードのも
う一つの欠点は、検出すべき放射をホトダイオードのＮ
側又はＰ側に任意に送ることかできないことである。第
１図の具体例では、放射がＰ側に到達している。もしＮ
側を照射したいと望む場合は、それは可能だが、但しＮ
型層の厚みをその吸収力を低めるため減らすようにして
ホトダイオードの構造を修正する必要がある。強いドー
ピングの付加的欠点は、材料の吸収力を高くしてしまう
ことである。
公知のアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオ！ 一ドのもう一つの欠点は、容１が高いため、相互接続さ
れた感光素子から構成される感光マトリックス構造への
使用が制限されてしまうことである。
各感光素子はＰＩＮホトダイオードを含む。これらの感
光構造はあらゆる種類の光線の検出に用いられてもよく
、例えば感光構造がシンチレータに接続されていれば、
Ｘ線検出ができる。
本発明は具体例によって上記欠点の１部又は全部を克服
する、アモルファスシリコンから形成されるＰＩＮホト
タイオードに係わる。それらは、材料がアモルファス半
導体であるときの特定形状である多層結晶半導体の量子
効果を用いる。
これらの多層は「フィジカル　レビュー　ビー（Ｐｈｙ
ｓｉｃａｌ　ｒｅｖｉｅｗ　Ｂ）　Ｊ誌　１９８５年　
１月１５日第３２巻第２号８８５頁に掲載されたイナン
・チＩン（［ｎａｎ　ＣＨＥＮ）による論文に理論的に
説明されている。
多層には２つの大きな種類がある。第１の種類は、ドー
プしたあるいはしない異なる物理化学的性質の層を重ね
合せた多層構造である。第２の種類は、ＰとＮに交代に
ドープした同じ物理化学的性質の層を重ね合せたドーピ
ング多層構造である。
発明の要約 本発明はアモルファス半導体から形成されたＰＩＮホト
ダイオードであって、Ｐ形層、真１層及びＮ形層である
３つの重ね合せた層をもち、少なくともこれらの層の１
つが重ね合ゼたアモルファス半導体とドープされない絶
縁層をもつ多層構造によって形成され、他のＩＪＢ又は
数層はアモルファス半導体から形成される。
本発明では、多層構造は異なる物理化学的性質の、ＰＩ
ＮホトダイオードのＰ、Ｎ又は真性層の少なくとも１つ
を形成するようドープされない層の重ね合せによって形
成されて用いられる。
本発明ＰＩＮホトダイオードは、Ｐ及びＮ層が多層によ
って形成されているときは、製造中にドーピングガスを
使用することをもはや必要としない。従ってその製造に
求められる設備は単純化されている。加えて、得られた
Ｐ又はＮ形層は、数置くの欠陥の原因であるドーピング
が無いからより優れた品質になる。
多層によって形成されるＰ及びＮａはドーピングによっ
て得られる層より透明度が高い。本発明ＰＩＮホトダイ
オードは従ってＰ側かＮ側かのどちらからでも、あるい
は同時に両方側からでも、任意に照明されてもよい。
真性層を形成するための多層の使用はＰＩＮホトダイオ
ードの容量、を減らし、従ってマトリクス装置に使用し
てもよい。また望むならば、多層は真性層を形成するた
めに用いられるからＰＩＮホトダイオードの容量を増や
すことも可能であることを指摘するべきである。
本発明のその他の目的、特徴及び結果は、非限定例とし
て示した、添付図面を参照しておこなう以下の説明から
明確になるであろう。
好適具体例 異なる図の同じ参照番号は同じ素子を示すが、但し明確
化のため、素子の寸法やつりあいについては配慮してい
ない。
第１図は先行技術のホトダイオードの１具体例を断面図
で示す。
このホトダイオードは次の層を重ね合わせることによっ
て形成される。
一波矢印によって象徴的に示した分析すべき光を受光す
るガラス基板１゜ −厚さが５０〜２００Ｍの間で変化させ得る透明導伝危
２゜ 一シリ１ンより青色光子の透過性の優れた、水素化処理
アモルファスシリコン又は水素化処理アモルファスシリ
コンカーバイドから作られたＰ形層３゜ｌｌ！３の厚さ
は１０〜３０項の間で変化さ・せ得る。２形導伝性は通
例ではホウ素ドーピングによって得られる。
一符号４の付いた真性層１゜これはドープしない水素化
処理アモルファスシリコンから作られ、分析すべき光束
の吸収によって生じる電荷キャリヤを分離するため広が
る電界が通る帯域である。真性層４の厚さは５０〜１０
００ｎ−の間で変化する。
一水素化処理したＮ形アモルコアスシリコン１ｌ１５゜
この層の厚さは３０〜５０ｎｍまで変化する。Ｎ形感イ
云性は通例ではリンをドーピングすることによって得ら
れる。
一通例では金属からつくられる導伝層６゜第２図は本発
明ＰＩＮホトダイオードの１具体例の断面図を示す。
この具体例は、ＰＩとＮ層が、それぞれＰ形材材及びＮ
形材材のように挙動するドープされないアモルファス半
導体層及び絶縁層の重ね合ゼによって形成される多層Ｉ
ｌ造によって構成されるから、第１図の具体例とは異な
る。
真性層１は先行技術に関する第１図の都合のように、固
体のアモルファス半導体で形成される。
Ｐ形層は、水素化処理されたアモルファスシリコン（ａ
−８ｉ：Ｈと書く）から作られた厚さおよそ４１１の９
７と、正帯電の水素化処理したアモルファス絶縁体く例
えば式ａ−８ｉＯ：Ｈ（但× しｘ≦２）で表わされる）から作られた層８とを重ね合
わせることによって形成される。層８の厚さおよそ２ｎ
ＩＩで材料は全体的に化学量論的ではない。２１１１７
及び８の重ね合わせは周期と呼ばれる。
Ｐ形層を形成する多層はＰ１〜Ｐ５までの５周期をもつ
。使用される絶縁体はアモルファスでも結晶でもよく、
この場合はＸ−２である。本発明の問題である多層の製
造法を考えて、絶縁体はアモルファスとする。製造はグ
ロー放電により行なわれる。
Ｐ形層の後には、符号工で示す真性層が見られる。これ
はおよそ５００ｎｍ厚の水素化処理されたアモルファス
シリコンａ−３ｉ：ｌ−１から形成される。
真性層の侵は、符号Ｎ１〜Ｎ９を付けた９周期の多層か
ら成るＮ形層がある。各周期は負帯電荷の絶縁層９によ
って形成される。この層は例えば式ａ−５ｉ　　Ｎ　　
：Ｈ（但しｘ、／＜４．ｙ≦３）ｙｘ で表わされ、厚さはおよそ２ｎｍの水素化処理されたア
モルファスシリコン層１０ａ−３ｉ：Ｈである。
多層を構成する層の厚さ及びそれらの周期数は、形成す
べきＰｌＮ又はｔＳについて求められる導伝性に従って
、ざらにホトダイオードに求められる透明度に従って選
ばれる。３つの重ね合わせた層は多層構造を得るため１
絶縁層、１半導体層及び１絶縁層が最少でも必要である
。
絶縁層の厚さは、真性シリコンの空間電荷領域内に生じ
る電荷キャリアがトンネル効果によって絶縁体から成る
電位障壁を充分横切ることができるように小さくなけれ
ばならない。
ドープしない絶縁層の性質が関係する限りにおいて、第
２図で説明した具体例は少しも限定されないことは明ら
かである。絶縁材料ａ−８ｉＯ：Ｈ及び　　　°　　　
　　　ａ−８ｉ　　Ｎ　　：Ｈｘ　　　　　　　　　ｙ
ｘ のほかに、式ＡｌｘＯｙ（但し≦２及びｙ＜３）の負帯
電絶縁体、ＡＩＮ、Ａ１０Ｎ、Ｓ　ｉＯＮ。
５ｉＣｘ　（但しｘ＞０．５）の正帯電絶縁材料等々を
アモルファスの形であるいはアモルファスの形でなく、
水素化処理しであるいは水素化処理せずに使用してもよ
い。
同様に、多層を形成するために用いるアモルファス半導
体に関するかぎり、シリコンのみに限定定されない。例
えばヒ化ガリウム、ゲルマニウム、カルコゲナイドのよ
うな、周期律表の第２ａｌの元素をいくつか含む第■−
第Ｖ族形材料のようなアモルファス半導体も使用されて
もよい。
第３ａ、３ｂ図及び第４ａ１４ｂ図は第２図の具体例に
使用された多層の動作を説明する。
第３ａ図と第３ｂ図には、１ｇ４）を縦座標にとり、特
に価電子帯域ＢＹと伝導帯ＢＣの位置及びフェルミ準位
φＦの位置を示す。
これらの図では絶縁１ｉｌｉ及び半導体ＳＣの連続が横
座標にとられている。
実線で示す電位は、絶縁体の存在によって電位に加えら
れる修正を考慮に入れなければ、半導体と絶縁体におけ
る伝導嘩と価電子帯の位置に一致゛する。
点線によって、これらの電位が絶縁体の存在のためにど
のように修正されるかを示した。
絶縁層の厚さが変わらないと考えれば、電位は非常に厚
いアモルファス半導体層の場合は点の連続によって、薄
形アモルファス半導体層の場合は十字の連続によって表
わされる。
第３ａ図は負帯電の絶縁体の場合に相当し、これはアモ
ルファス水素化処理Ｓｉ、Ｎｘの場合で、Ｎ形層と動作
の等しい多層が得られることを可能にする。
第３ｂ図は正帯電絶縁層の場合で、Ｐ形層と動作の等し
い多層を得ることを可能にするアモルファス水素化処理
５ｉｎｘの場合である。
アモルファス多層はＰ形材料又はＮ形材料のように挙動
し、従って第３ａ図と第３ｂ図に見ることができる通り
、広い禁止帯幅をもつ絶縁層ｉと、より狭い禁止帯幅を
もつアモルファス半導体ＳＣを交互にすることによって
構成される。
結晶多層の場合のように、禁止帯内には不連続があって
、障壁と電位井戸となる。
１絶縁層と１アモルファスＳＣ層とを１周期とする図示
の層交替の場合は、絶縁体が存在することによって帯域
の接続が変わる。絶縁体は通例では１０１１〜１０１２
電荷／ａａ２の表面密度をもつ電荷キャリアとして公知
である。これらの電荷は絶縁体の性質によって正または
負であり得る。それらは隣接半導体に注入される。
絶縁物が第３図のように負帯電の場合は、電位は絶縁体
の側で降下し、半導体の側で増加する。
伝導帯のレベルでは、電位井戸が深くなり、半導体の厚
さが薄くなる程大きくなる。従って抵抗率は価電子帯の
レベルで減少し、電位井戸は浅くなる。　ず導体層の厚
さが１０ｎｌｌ以下については、これらの層内の電位は
それらの厚さ全体にわたってほぼ一定である。
正帯電の絶縁体の場合には、第３ａ図の場合は伝導帯に
達した電位変化が、第３ｂ図のようにこの場合は価電子
帯にまで達し、あるいはその逆であることがわかる。
フェルミ準位φＦの位置は絶縁体によって決定される。
１０ｒｖ以下の厚さについては、フェルミ学位φ、は、
負帯電荷の絶縁体を用いる多層の場合は伝導帯の縁から
およそ０．１７５　ｅＶに位置し、正帯電の絶縁体を用
いる多層の場合は価電子帯の縁から０．２２ｅＶに位置
する。
従って、用いられる絶縁体によって、多層はＰ形層とし
てかあるいはＮ形層として、ドーピングを行わずども挙
動する。これは空間電荷ドーピングと呼ばれる。ドープ
された材料を禁止すれば極めて多数の欠陥が減少化され
る。
半導体層の厚さを修正し、かつ絶縁層の厚さを一定（保
つことによって、多層はＰ形又はＮ形材料として挙動し
、そのドーピングを変更することができることに注目す
べきである。
第４ａ図及び第４ｂ図は第２図のホトダイオードに対応
する帯域線図である。
第４ａ図はバイアスを受けないホトダイオードの場合、
第４ｂ図は逆バイアスをかけられるホトダイオードの場
合を示す。
左から右へ、Ｎ、Ｉ及びＰ層の状態を横座標に示した。
伝導帯Ｅ　１フ工ルミ準位Ｅ、及び価電子帯Ｅ、縦座標
に示す。
真性非ドープアモルファスシリコン層にっｔ＋Ａ、フェ
ルミ準位Ｅ、は電導体の縁から０．７２ｅＶのところに
事実上位置する。
第４ｂ図では、ホトダイオードが逆バイアスをかけられ
るとぎ得られるフェルミ単位の位置は、整流効果が得ら
れることを示している。Ｐ帯域及びＮ帯域間のフェルミ
準位の移行はＱ、Ｖに等しいことがわかる（但しｑは電
子の電荷、■は逆バイアス電圧）。
半導体層の厚さが小さい多層のその他の利点は、水素化
処理アモルファスシリコンに対比して禁止帯幅が増加す
ることである。光吸収係数は光波が等しいとぎは、多層
の場合は固体アモルファスシリコンの場合より小さい。
従って、透明度は先行技術のＰＩＮダイオードより多層
を用いる本発明ＰＩＮダイオードのほうがより優れてお
り、分光応答が青へと伸びることを可能にする。
それ故、本発明ダイオードを、第２図に示す通り、構造
を変えずに一方又は他方側から、あるいは両側から照射
することが可能である。先行技術の場合のように、青−
緑光子の伝達を向上させ、かつそれらを真性シリコ、ン
層に吸収するため、アモルファスシリコンの場所にアモ
ルファスシリコン炭化物を使用することは本発明ではも
はや必要がない。
第５図１１本発明ＰＩＮホトダイオードの１具体例で、
第２図の具体例とは真性層重がＰ形及びＮ形層を形成す
る多層と同じ形の多層によっても形成される点で異なっ
ている。
真性層■は従ってアモルファス半導体及びアモルファス
又は非アモルファス絶縁体の非ドープ重合層による多層
構造で形成される。
第５図の具体例では、真性層を形成する多層は２２の周
期１１〜Ｉ　２２を含む。各周期は例えば式ａ−８ｉ　
　Ｎ　　：Ｈで、厚さおよそ１００１のアモルフｘ アス絶縁釦１、及び例えば水素化処理アモルコア７ｔル
ファス スシリコンから作られた、厚さおよそａｏイヒ〒一体層
１３で形成される。
水素化処理アモルファスシリコン層１１は帯域Ｐ及び１
間の遷移を提供する。その厚さは１及び１゜ｎｍ間で変
化し得る。帯域■及びＮ間では、帯域Ｐ及びＮは第２図
の例と同じ性質をもつと仮定されるから遷移層は存在し
ない。そしてこの場合、帯域Ｎの絶縁体Ｎは帯域■の絶
縁体１２と同じ性質をもつ。
第５図の構造の利点は、ホトダイオードの容重を先行技
術に対比して変化させることかできることにある。
し、は半導体層の厚さを表わし、Ｌｌは真性層■を形成
する多層内で使用される絶縁層の厚さを示す。ε　及び
ε１は半導体及び絶縁体の誘電率を示す。
多層の１つの効果は、それらが得られる誘電率の異方性
を生じること、つまり層の平面に対して垂直な誘電率ε
工が、目の平面にメ対して平行方向の誘電率ε０．とは
異なることである。
これらの誘電率の式は次の通りである。
ε、、＝　（Ｌ、＋　Ｌｌ）・Ｅ、・εピ（ε、［１＋
εＩ’Ｓ）　−’ＥエニーＪε１＋　Ｌ５εｓ）・（Ｌ
■＋［ｓ）−１例えば、厚さＬｓ＝８０ｎｓ＋及びＬ！
−１０ｎｍについて、ε５＝ｉｏ及びε■＝３．９であ
れば、ε工＝７が得られ、このとぎ抵抗率は事実上１０
９Ωαのオーダーに保持される。
誘電率εエ　をこのように変えれば、本発明ＰＩＮホト
ダイオードの容量を減じることができる。
事実、ホトダイオードの総空乏容聞は主としてその真性
層の特徴に、より特定的には真性層の誘電率εに左右さ
れる。
本発明ホトダイオードでは、Ｐ及びＮ層が非ドープ層で
形成された多層から成っていれば、空乏ホトダイオード
容量の中で役割を果す。これは容量のより大きな減少を
もたらす。
１００Ｘ　１ＧＧマイクロメートル平方のホトダイオー
ドの場合に、真性層が２マイクロメートルの厚ざの固体
アモルファスシリ」ンで作られていれば、容量は１８８
ピコフアラドである。もし同じ面積のホトダイオードが
用いられていれば、真性層が同じ厚さだが、上述の通り
２２周期の多層によって形成されている場合は、容量は
ほんの１，２ビコフＩラドにすぎない。
１０００個の並列に並べたダイオードを含むマトリック
スデバイスの場合、総容量は多層が用いられある。
従って本発明はＰＩＮホトダイオードの容量を実質的に
減らすことを可能ならしめ、マトリックスデバイスでの
使用を改良する。
さらに、様々な誘電率ε上の数個の多層をｖＡ重ねるこ
とによって真性層を形成して、本発明ＰＩＮホトダイオ
ードの容量を減らすことも可能である。
真性層を形成するため多層を用いれば、ホトダイオード
の容量をもし望むならば増やすことができる。従って絶
縁層は誘電率ε■の高いものが用いられなければならな
い。これは例えばアモルファス酸化チタンの場合である
。
第４ａ図及び第４ｂ図と同様に、第６ａ図及び第６ｂ図
は第５図のホトダイオードに関する帯域線図である。第
６ａ図はバイアスを受けないホトダイオードの場合、第
６ｂ図はホトダイオードが逆バイアスをかけられた場合
に関連する。
第４ｂ図のように、第６ｂ図はホトダイオードに逆バイ
アスがかかるとき、整流効果が得られることを示す。
第２図及び第５図は、Ｐ及びＮ層並びにＰ、Ｉ。
Ｎ１ｆｆがそれぞれ多層によって形成される２つの本発
明具体例を表わす。
本発明が、Ｐ、１．Ｎｌｌの少なくとも１層がアモルフ
ァス半導体及び絶縁体の非ドープ不合層から成る多層構
造によって形成されるＰＩＮダイオードに係わることは
容易に理解されよう。多層によって形成されない１つ又
は複数個の層は固体アモルファス半導体から形成される
。
従って本発明は、Ｐ、Ｉ又はＮ層のうち１個だけが多層
である具体例、並びにＰ及び１層又はＮ及び１層だけが
多層である具体例をもその範囲に含む。
本発明ＰＩＮホトダイオードは例えば計算機に取付ける
太陽電池に使用してもよい。本発明の利点は、これらの
太陽電池がその２面によって照射されてもよく、これは
効率が増大することである。
本発明ホトダイオードは遠隔複写用検出器帯条に使用し
てもよい。
最後に、本発明ホトダイオードはＸ線検査用として手荷
物検査、あるいは治療用Ｘ線ｍ影に用いてもよい。
この種の用途では、Ｘ線を可視光線に変換するシンチレ
ータが先に使用される。公知のシンチレータはおよそ５
５０ｎ−の波長の光線を発し、アモルファスシリコンの
検出がきわめて容易である。
【図面の簡単な説明】
第１図は先行技術のアモルファスシリコンＰＩＮホトダ
イオードの断面図、第２図及び第５図は本発明多層ＰＩ
Ｎホトダイオードを形成する２つの方法の断面図、第３
ａ図及び第３ｂ図、第４ａ図及び第４ｂ図、第６ａ図及
び第６ｂ図は第２図及び第５図のホトダイオードの動作
を説明する線図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・透明導伝層、６・
・・・・・導伝層、７．８・・・・・・層、９，１２・
・・・・・絶縁層、１０・・・・・・水素化処理アモル
ファスシリコン層、１３・・・・・・アモルファス半導
体層。 ＦＩＧ、５

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）アモルファス半導体から形成されるＰＩＮホトダ
    イオードであって、Ｐ形層、真性層及びＮ形層である３
    つの重ね合せた層をもち、これらの層の少なくとも１つ
    がアモルファス半導体及び絶縁体の非ドープ重合層を含
    む多層構造によって形成され、他の１つ又は数層がアモ
    ルファス半導体で形成されているホトダイオード。
  2. （２）前記Ｐ形層が、非ドープアモルファス半導体及び
    正帯電の絶縁層の重ね合せによつて形成された多層構造
    によって形成される、特許請求の範囲第１項に記載のホ
    トダイオード。
  3. （３）正帯電の絶縁体が次の式ＳｉＣ＿ｘ（但しｘ＞０
    ．５）又はＳｉＯ＿ｘ（但しｘ≦２）をもつ、特許請求
    の範囲第２項に記載のホトダイオード。
  4. （４）前記Ｎ形層が、アモルファス半導体及び負帯電の
    絶縁体の非ドープ層の重ね合せによって得られた多層構
    造によって形成される、特許請求の範囲第１項に記載の
    ホトダイオード。
  5. （５）前記負帯電の絶縁体が次の式Ｓｉ＿ｙＮ＿ｘ（但
    しｘ≦４及びｙ＜３）又はＡｌ＿ｘＯ＿ｙ（但しｘ≦２
    及びｙ≦３）をもつ、特許請求の範囲第４項に記載のホ
    トダイオード。
  6. （６）半導体がシリコン、ゲルマニウム、III−Ｖ族形
    材料、又はカルコゲナイドからつくられる、特許請求の
    範囲第１項に記載のホトダイオード。
  7. （７）半導体が水素化処理されたアモルファスシリコン
    である、特許請求の範囲第１項に記載のホトダイオード
    。
  8. （８）絶縁体が水素化処理されたアモルファス絶縁体で
    ある、特許請求の範囲第１項に記載のホトダイオード。
JP62098471A 1986-04-22 1987-04-21 アモルフアス半導体から形成されるｐｉｎホトダイオ−ド Pending JPS62254475A (ja)

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