JPS62254452A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPS62254452A JPS62254452A JP61099026A JP9902686A JPS62254452A JP S62254452 A JPS62254452 A JP S62254452A JP 61099026 A JP61099026 A JP 61099026A JP 9902686 A JP9902686 A JP 9902686A JP S62254452 A JPS62254452 A JP S62254452A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、信親性、特に耐湿信顛性に優れた樹脂封止
半導体装置に関するものである。
半導体装置に関するものである。
トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信顛性
の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比
較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点がある
ため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。このような半導体封止用樹
脂としては、エポキシ樹脂。
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信顛性
の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比
較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点がある
ため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。このような半導体封止用樹
脂としては、エポキシ樹脂。
ノボラック型フェノール樹脂、無機質充填剤を主成分と
し1、さらに硬化促進剤9着色剤、離型剤を含むエポキ
シ樹脂組成物が賞用されている。
し1、さらに硬化促進剤9着色剤、離型剤を含むエポキ
シ樹脂組成物が賞用されている。
しかしながら、このようなエポキシ樹脂組成物によって
封止された半導体装置は、従来の金属やセラミック材料
によるハーメチック封止方式によって得られる半導体装
置に比べ封止操作が簡単で経済性2作業性に優れるとい
う利点がある反面、封止された半導体装置のアルミ配線
あるいはアルミ電極が吸湿によって腐蝕し、この腐蝕に
よってアルミ配線が断線したりして不良が発生するとい
う欠点を有していた。これは、封止樹脂とリードフレー
ムとの界面あるいは封止樹脂表面から半導体装置内に水
が侵入し、その侵入した水が封止樹脂中を透過する際に
封止樹脂中のイオン性不純物の運び役となって、このイ
オン性不純物がアルミ配線あるいはアルミ電極の腐蝕を
発生させるものと考えられている。
封止された半導体装置は、従来の金属やセラミック材料
によるハーメチック封止方式によって得られる半導体装
置に比べ封止操作が簡単で経済性2作業性に優れるとい
う利点がある反面、封止された半導体装置のアルミ配線
あるいはアルミ電極が吸湿によって腐蝕し、この腐蝕に
よってアルミ配線が断線したりして不良が発生するとい
う欠点を有していた。これは、封止樹脂とリードフレー
ムとの界面あるいは封止樹脂表面から半導体装置内に水
が侵入し、その侵入した水が封止樹脂中を透過する際に
封止樹脂中のイオン性不純物の運び役となって、このイ
オン性不純物がアルミ配線あるいはアルミ電極の腐蝕を
発生させるものと考えられている。
最近、このような不良原因の発生について研究が進めら
れ、上記のような不良の発生は、封止樹脂自体の吸湿後
の体積抵抗率(Pr>と強い相関関係を有していること
が突き止められ、吸湿後の体積抵抗率が高い程、耐湿信
頼性が向上することが明らかになっている。このような
観点から、吸湿後の体積抵抗率を向上させるため、無機
質充填剤に表面処理を施したり、硬化促進剤を改良した
り、エポキシ樹脂組成物に使用する原料を高純度化した
り、イオントラップ剤を使用することが提案されている
が、未だ充分な効果が得られていない。また、シランカ
ップリング剤(メトキシ、エトキシ基を少なくとも1個
含み、官能基としてエポキシ基、メルカプト基、アミノ
基を有する)の使用も検討され、一部で実施されている
。このようなシランカップリング剤を使用することによ
り、封止樹脂自体の吸湿後における体積抵抗率のある程
度の向上効果が得られる。しかしながら、上記シランカ
ップリング剤は、官能基としてエポキシ基、メルカプト
基、アミノ基等を有しており、これら極性基によるエポ
キシ樹脂組成物の保存性の低下等を生じて樹脂封止半導
体の製造上の問題をつくるうえ、上記の効果もいまだ満
足しうる程度のものではない。
れ、上記のような不良の発生は、封止樹脂自体の吸湿後
の体積抵抗率(Pr>と強い相関関係を有していること
が突き止められ、吸湿後の体積抵抗率が高い程、耐湿信
頼性が向上することが明らかになっている。このような
観点から、吸湿後の体積抵抗率を向上させるため、無機
質充填剤に表面処理を施したり、硬化促進剤を改良した
り、エポキシ樹脂組成物に使用する原料を高純度化した
り、イオントラップ剤を使用することが提案されている
が、未だ充分な効果が得られていない。また、シランカ
ップリング剤(メトキシ、エトキシ基を少なくとも1個
含み、官能基としてエポキシ基、メルカプト基、アミノ
基を有する)の使用も検討され、一部で実施されている
。このようなシランカップリング剤を使用することによ
り、封止樹脂自体の吸湿後における体積抵抗率のある程
度の向上効果が得られる。しかしながら、上記シランカ
ップリング剤は、官能基としてエポキシ基、メルカプト
基、アミノ基等を有しており、これら極性基によるエポ
キシ樹脂組成物の保存性の低下等を生じて樹脂封止半導
体の製造上の問題をつくるうえ、上記の効果もいまだ満
足しうる程度のものではない。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、信
頼性、特に耐湿信頼性が実用上充分な程度であり、しか
も、製造上問題を生じることのない樹脂封止半導体装置
の製造をその目的とする。
頼性、特に耐湿信頼性が実用上充分な程度であり、しか
も、製造上問題を生じることのない樹脂封止半導体装置
の製造をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂および無機
質充填剤を主要成分とするエポキシ樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止してなる樹脂封止半導体装置であって
、上記エポキシ樹脂組成物として上記主要成分とともに
下記(A)成分が配合されてなるものが用いられている
という構成をとる。
エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂および無機
質充填剤を主要成分とするエポキシ樹脂組成物を用いて
半導体素子を封止してなる樹脂封止半導体装置であって
、上記エポキシ樹脂組成物として上記主要成分とともに
下記(A)成分が配合されてなるものが用いられている
という構成をとる。
(A):1個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物で
あって、上記1個のケイ素原 子に、少なくとも1つのアルキル基と 、少なくとも1つのメトキシ基もしく はエトキシ基が結合している有機ケイ 素化合物。 。
あって、上記1個のケイ素原 子に、少なくとも1つのアルキル基と 、少なくとも1つのメトキシ基もしく はエトキシ基が結合している有機ケイ 素化合物。 。
すなわち、本発明者らは、上記シランカップリング剤か
らヒントを得て、有機ケイ素化合物が封止樹脂の吸湿後
における体積抵抗率を高めうるのではないかと着想し、
有機ケイ素化合物を中心に一連の研究を重ねた結果、1
個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物であって、上
記1個のケイ素原子に、少なくとも1つのアルキル基と
、少なくとも1つのメトキシ基もしくはエトキシ基が結
合しているものが、特に優れた効果を奏することを見い
だしこの発明に到達した。
らヒントを得て、有機ケイ素化合物が封止樹脂の吸湿後
における体積抵抗率を高めうるのではないかと着想し、
有機ケイ素化合物を中心に一連の研究を重ねた結果、1
個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物であって、上
記1個のケイ素原子に、少なくとも1つのアルキル基と
、少なくとも1つのメトキシ基もしくはエトキシ基が結
合しているものが、特に優れた効果を奏することを見い
だしこの発明に到達した。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
、ノボラック型フェノール樹脂および無機質充填剤を主
要成分とするものであり、これら主要成分とともに先に
述べた有機ケイ素化合物を配合して得られるものである
。
、ノボラック型フェノール樹脂および無機質充填剤を主
要成分とするものであり、これら主要成分とともに先に
述べた有機ケイ素化合物を配合して得られるものである
。
上記エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基
を有するものであれば特に制限するものではなく、タレ
ゾールノボラック型、フェノールノボラック型やビスフ
ェノールA型等、従来から半導体装置の封止樹脂として
用いられている各種のエポキシ樹脂があげられる。これ
らの樹脂の中でも、融点が室温を超えており、室温下で
は固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するものを用いる
ことが好結果をもたらす、ノボラック型エポキシ樹脂と
しては、通常、エポキシ当量160〜250、軟化点5
0〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210
.軟化点60〜110℃のものが一般に用いられる。
を有するものであれば特に制限するものではなく、タレ
ゾールノボラック型、フェノールノボラック型やビスフ
ェノールA型等、従来から半導体装置の封止樹脂として
用いられている各種のエポキシ樹脂があげられる。これ
らの樹脂の中でも、融点が室温を超えており、室温下で
は固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するものを用いる
ことが好結果をもたらす、ノボラック型エポキシ樹脂と
しては、通常、エポキシ当量160〜250、軟化点5
0〜130℃のものが用いられ、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180〜210
.軟化点60〜110℃のものが一般に用いられる。
上記エポキシ樹脂とともに用いられるノボラック型フェ
ノール樹脂としては、フェノールノボラック、0−クレ
ゾールノボラック、m−クレゾールノボラック、p−タ
レゾールノボラック、0−エチルフェノールノボラック
、m−エチルフェノールノボラック、p−エチルフェノ
ールノボラック等があげられる。
ノール樹脂としては、フェノールノボラック、0−クレ
ゾールノボラック、m−クレゾールノボラック、p−タ
レゾールノボラック、0−エチルフェノールノボラック
、m−エチルフェノールノボラック、p−エチルフェノ
ールノボラック等があげられる。
無機質充填剤としては、一般に用いられる石英ガラス粉
末、タルク、結晶性シリカ粉末、アルミナ粉末、クレー
、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、珪酸ジルコニウ
ム、酸化ベリリウム、ガラス繊維等が適宜に用いられる
が、特に石英ガラス粉末や結晶性シリカ粉末を用いるこ
とが好適である。
末、タルク、結晶性シリカ粉末、アルミナ粉末、クレー
、炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、珪酸ジルコニウ
ム、酸化ベリリウム、ガラス繊維等が適宜に用いられる
が、特に石英ガラス粉末や結晶性シリカ粉末を用いるこ
とが好適である。
上記のようなエポキシ樹脂組成物の主要成分とともに用
いられる有機ケイ素化合物(A成分)は、先に述べたよ
うに1個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物であっ
て、上記1個のケイ素原子に少なくとも1つのアルキル
基と、少なくとも1つのメトキシ基もしくはエトキシ基
が結合している有機ケイ素化合物である。
いられる有機ケイ素化合物(A成分)は、先に述べたよ
うに1個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物であっ
て、上記1個のケイ素原子に少なくとも1つのアルキル
基と、少なくとも1つのメトキシ基もしくはエトキシ基
が結合している有機ケイ素化合物である。
この化合物の一般式は、下記の式(1)で表すことがで
きる。
きる。
上記有機ケイ素化合物の中でも、炭素数が1〜20個の
アルキル基を有するものが好適であり、また、アルキル
基自体の個数は1〜3の範囲内であれば、所期の効果が
達成できる。
アルキル基を有するものが好適であり、また、アルキル
基自体の個数は1〜3の範囲内であれば、所期の効果が
達成できる。
上記有機化合物の具体例を例示すれば、下記のとおりで
ある。
ある。
CHr−3i+OCHり。
(CH辻z 5t−(−OCHs)z
(CH3+rSt 0CH3
C+ollrr−3i−(−OCIIs)+(Coon
汀りづ1−f−OCH3)2CIzH2TSi−+−0
CH3)3 CH3Si−+−0CJs)s (CI3+T−si−(−oczHs) zC+ oH
rrSi +0CJs) !上記有機ケイ素化合物は、
封止樹脂の吸湿後における体積抵抗率を高めうるのであ
るが、下記に示したカップリング剤と併用すれば、無機
質充填剤と樹脂との接着力の向上効果および撥水性効果
が得られるようになり、上記体積抵抗率の向上効果と相
俟って、得られる樹脂封止半導体装置の信幀性を大幅に
向上させうるようになる。
汀りづ1−f−OCH3)2CIzH2TSi−+−0
CH3)3 CH3Si−+−0CJs)s (CI3+T−si−(−oczHs) zC+ oH
rrSi +0CJs) !上記有機ケイ素化合物は、
封止樹脂の吸湿後における体積抵抗率を高めうるのであ
るが、下記に示したカップリング剤と併用すれば、無機
質充填剤と樹脂との接着力の向上効果および撥水性効果
が得られるようになり、上記体積抵抗率の向上効果と相
俟って、得られる樹脂封止半導体装置の信幀性を大幅に
向上させうるようになる。
υ
HSC3H□0CHz)s
エポキシ樹脂組成物における上記有機ケイ素化合物の配
合の具体的方法は、特に制限するものではない。例えば
、シリカ粉末と予め有機ケイ素化合物とを反応させてこ
れを用いる、もしくは、予めエポキシ樹脂組成物中の有
機成分と反応させて用いるという方法があげられる。し
かし、これに限るものではな(、どのような配合方法で
あっても上記化合物が配合されている限り所期の効果を
実現しうるのである。
合の具体的方法は、特に制限するものではない。例えば
、シリカ粉末と予め有機ケイ素化合物とを反応させてこ
れを用いる、もしくは、予めエポキシ樹脂組成物中の有
機成分と反応させて用いるという方法があげられる。し
かし、これに限るものではな(、どのような配合方法で
あっても上記化合物が配合されている限り所期の効果を
実現しうるのである。
また、この発明では、上記主要成分およびA成分以外に
必要に応じて硬化促進剤、離型剤等を用いることができ
る。
必要に応じて硬化促進剤、離型剤等を用いることができ
る。
硬化促進剤としては、フェノール硬化エポキシ樹脂の硬
化反応の触媒となるものはすべて用いることができ、例
えば、2,4.6−)リ (ジメチルアミノメチル)フ
ェノール、2−メチルイミダゾール等をあげることがで
きる。
化反応の触媒となるものはすべて用いることができ、例
えば、2,4.6−)リ (ジメチルアミノメチル)フ
ェノール、2−メチルイミダゾール等をあげることがで
きる。
離型剤としては、従来公知のステアリン酸、パルミチン
酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン
酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カルナバワ
ックス、モンタンワックス等の′ワックス類等を用いる
ことができる。
酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン
酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カルナバワ
ックス、モンタンワックス等の′ワックス類等を用いる
ことができる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎの
ようにして製造することができる。すなわち、前記成分
と、場合により顔料、カップリング剤等その他の添加剤
を適宜配合し、この配合物をミキシングロール機等の混
線機にかけて加熱状態で混練して溶融混合し、これを室
温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応
じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキ
シ樹脂組成物を得ることができる。
ようにして製造することができる。すなわち、前記成分
と、場合により顔料、カップリング剤等その他の添加剤
を適宜配合し、この配合物をミキシングロール機等の混
線機にかけて加熱状態で混練して溶融混合し、これを室
温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応
じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキ
シ樹脂組成物を得ることができる。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
以上のように、この発明の樹脂封止半導体装置は、封止
に使用するエポキシ樹脂組成物として、特殊な有機ケイ
素化合物が配合されているものを用いるため、封止樹脂
の吸湿後における体積抵抗率が、これまでのものよりも
著しく高(なって、はぼ2倍程度となり、信鯨性、特に
耐湿信頼性の大幅な向上効果が得られるようになる。そ
のうえ、上記有機ケイ素化合物は、その分子構造中にエ
ポキシ基、メルカプト基、アミノ基等の官能基を有して
いないため、それが配合されたエポキシ樹脂組成物の保
存安定性が、シランカップリング剤を配合した従来のも
ののように低下することがなく、したがって、樹脂封止
半導体装置の実際の製造においても何ら支障を招かない
。
に使用するエポキシ樹脂組成物として、特殊な有機ケイ
素化合物が配合されているものを用いるため、封止樹脂
の吸湿後における体積抵抗率が、これまでのものよりも
著しく高(なって、はぼ2倍程度となり、信鯨性、特に
耐湿信頼性の大幅な向上効果が得られるようになる。そ
のうえ、上記有機ケイ素化合物は、その分子構造中にエ
ポキシ基、メルカプト基、アミノ基等の官能基を有して
いないため、それが配合されたエポキシ樹脂組成物の保
存安定性が、シランカップリング剤を配合した従来のも
ののように低下することがなく、したがって、樹脂封止
半導体装置の実際の製造においても何ら支障を招かない
。
つぎに、実施例について詳しく説明する。
〔実施例1〜8〕 。
まず、エポキシ樹脂と、ノボラック型フェノール樹脂と
、無機質充填剤とを準備し、ざらにA成分としてこの発
明で用いる上記特殊な有機ケイ素化合物を準備した。つ
ぎに、これらの化合物を後記の第1表に示すような割合
で配合し、同表に示すような方法により混合したのち、
これを公知の手段によって加熱状態に混練して溶融混合
した。
、無機質充填剤とを準備し、ざらにA成分としてこの発
明で用いる上記特殊な有機ケイ素化合物を準備した。つ
ぎに、これらの化合物を後記の第1表に示すような割合
で配合し、同表に示すような方法により混合したのち、
これを公知の手段によって加熱状態に混練して溶融混合
した。
そして、室温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し
、エポキシ樹脂組成物を製造した。
、エポキシ樹脂組成物を製造した。
つぎに、上記のようにして得られたエポキシ樹脂組成物
を用いて、半導体素子をトランスファー成形によって成
形し、半導体装置化した。得られた半導体装置における
吸湿後の体積抵抗率および耐腐蝕性試験の結果を、上記
A成分に代えて通常のシランカップリング剤を用いた比
較例1および2の結果と対比して第1表に示した。
を用いて、半導体素子をトランスファー成形によって成
形し、半導体装置化した。得られた半導体装置における
吸湿後の体積抵抗率および耐腐蝕性試験の結果を、上記
A成分に代えて通常のシランカップリング剤を用いた比
較例1および2の結果と対比して第1表に示した。
(余 白 )
上記の結果から明らかなように、実施例品は比較例品に
比べて封止樹脂の吸湿後の体積抵抗率が著しく大きく、
したがって、耐腐蝕性も大幅に優れていることがわかる
。
比べて封止樹脂の吸湿後の体積抵抗率が著しく大きく、
したがって、耐腐蝕性も大幅に優れていることがわかる
。
なお、第1表において、吸湿後の体積抵抗率および耐腐
蝕性試験は、つぎのようにして行った。
蝕性試験は、つぎのようにして行った。
(体積抵抗率)
サンプルとして、各エポキシ樹脂組成物を直径50鶴、
厚み1mの円板状に成形したものを準備した。電極とし
てφ30mのものを用い、印加電圧DC500Vの条件
下でサンプルの体積抵抗率を測定した。充電時間、算出
式等はJISK6911に従った。
厚み1mの円板状に成形したものを準備した。電極とし
てφ30mのものを用い、印加電圧DC500Vの条件
下でサンプルの体積抵抗率を測定した。充電時間、算出
式等はJISK6911に従った。
(耐腐蝕性)
各エポキシ樹脂組成物で封止した^lパターンテストデ
バイスを用い、PCTを行い、^l断線不良により判定
を行った。
バイスを用い、PCTを行い、^l断線不良により判定
を行った。
Claims (2)
- (1)エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およ
び無機質充填剤を主要成分とするエポキシ樹脂組成物を
用いて半導体素子を封止してなる樹脂封止半導体装置で
あつて、上記エポキシ樹脂組成物として上記主要成分と
ともに下記(A)成分が配合されてなるものが用いられ
ていることを特徴とする樹脂封止半導体装置。 (A):1個のケイ素原子を有する有機ケイ素化合物で
あつて、上記1個のケイ素原子に、少なくとも1つのア
ルキル基と、少なくとも1つのメトキシ基もしくはエト
キシ基が結合している有機ケイ素化合物。 - (2)A成分が、無機質充填剤100重量部に対して0
.05重量部以上の割合になるように配合されている特
許請求の範囲第1項記載の樹脂封止半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099026A JPS62254452A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61099026A JPS62254452A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62254452A true JPS62254452A (ja) | 1987-11-06 |
Family
ID=14235763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61099026A Pending JPS62254452A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62254452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140179832A1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-06-26 | Kyoung Chul Bae | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP61099026A patent/JPS62254452A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140179832A1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-06-26 | Kyoung Chul Bae | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same |
CN103897342A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 第一毛织株式会社 | 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物和使用其封装的半导体器件 |
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