JPS622532A - ＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の熱処理方法 - Google Patents
ＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の熱処理方法Info
- Publication number
- JPS622532A JPS622532A JP14097585A JP14097585A JPS622532A JP S622532 A JPS622532 A JP S622532A JP 14097585 A JP14097585 A JP 14097585A JP 14097585 A JP14097585 A JP 14097585A JP S622532 A JPS622532 A JP S622532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier concentration
- temperature
- conductive layer
- ingaas
- annealing temperature
- Prior art date
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- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＩｎＧａＡ３イオン注入導電層の形成方法に関
し、特に注入された不純物を電気的に活性化するための
熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に関するものであ
る。
し、特に注入された不純物を電気的に活性化するための
熱処理方法、更に詳しくは熱処理温度に関するものであ
る。
（従来技術とその問題点）
ＩｎＱａＡｓ層へイオン注入を施し注入層の電気的活性
化をはかるための熱処理方法については、以下に述べる
ようないくつかの報告がみられる。即ち、ジャパニーズ
響ジャーナルーオブ―アプライド・フィツクス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ）ｅ第２１巻（１９８２年）の４３１頁
においては、アニール温度５００℃から７００℃を５７
巻（１９８５年）の３５１頁にお−では、アニール温度
６００℃から７５０℃を用いてアニールし得られた導電
層に関する電気的測定結果が報告されている。これ等の
報告では、いずれも抵抗加熱方式を用いておりランプ加
熱方式を用いたアニールでの電気的測定結果は報告され
ていない。
化をはかるための熱処理方法については、以下に述べる
ようないくつかの報告がみられる。即ち、ジャパニーズ
響ジャーナルーオブ―アプライド・フィツクス（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ ）ｅ第２１巻（１９８２年）の４３１頁
においては、アニール温度５００℃から７００℃を５７
巻（１９８５年）の３５１頁にお−では、アニール温度
６００℃から７５０℃を用いてアニールし得られた導電
層に関する電気的測定結果が報告されている。これ等の
報告では、いずれも抵抗加熱方式を用いておりランプ加
熱方式を用いたアニールでの電気的測定結果は報告され
ていない。
ラングアニール方法を用いることにより抵抗加熱方式を
用いてアニールするよりも短時間の熱処理ですみかつ急
峻なキャリア濃度分布が得られることはＧａＡｓ基板で
のイオン注入導電層形成には適していることは周知のと
お夕であるがＩｎＧａＡｓ層でのイオン注入導電層形成
に関するアニール条件については全く不明である。
用いてアニールするよりも短時間の熱処理ですみかつ急
峻なキャリア濃度分布が得られることはＧａＡｓ基板で
のイオン注入導電層形成には適していることは周知のと
お夕であるがＩｎＧａＡｓ層でのイオン注入導電層形成
に関するアニール条件については全く不明である。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上の点を考慮しエロＧａＡｓイオン
注入層の熱処理温度の最適化をはかり注入層の電気的活
性化を向上せしめかつ急峻なキャリア濃度分布が得られ
る新規な導電層形成方法を提供することにある。
注入層の熱処理温度の最適化をはかり注入層の電気的活
性化を向上せしめかつ急峻なキャリア濃度分布が得られ
る新規な導電層形成方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明のＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の形成方法は％
ＩｎＧａＡｓ層にイオン注入後熱処理を施しＩｎＱ
ａ Ａ Ｓイオン注入導電層を形成する方法においてラ
ンプ炉を用いて、６３０℃から８１Ｑ℃の範囲の温度に
て熱処理することを特徴として構成される。
ＩｎＧａＡｓ層にイオン注入後熱処理を施しＩｎＱ
ａ Ａ Ｓイオン注入導電層を形成する方法においてラ
ンプ炉を用いて、６３０℃から８１Ｑ℃の範囲の温度に
て熱処理することを特徴として構成される。
（発明の作用・原理）
本発明は、ＩｎＧａＡＳｎＧａ性入導電層をランプ炉を
用いて６３０℃から８１Ｏ℃の範囲の温度にて熱処理す
ることにより、高い活性化率と急峻なキャリア濃度分布
が達成し得る左いう新規な実験結果に根ざしている。
用いて６３０℃から８１Ｏ℃の範囲の温度にて熱処理す
ることにより、高い活性化率と急峻なキャリア濃度分布
が達成し得る左いう新規な実験結果に根ざしている。
（発明の構成）
本発明のＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の形成方法は、
ＩｎＧａＡｓ層にイオン注入後熱処理を施しＩｎＧａＡ
ｓイオン注入導電層を形成する方法においてランプ炉を
用いて６３０℃から８１０℃の範囲の温度にて熱処理す
ることにより、高い活性化率を達成しかつ急峻なキャリ
ア濃度分布が容易に得ることが出来うる新規な実験結果
に根ざしている。
ＩｎＧａＡｓ層にイオン注入後熱処理を施しＩｎＧａＡ
ｓイオン注入導電層を形成する方法においてランプ炉を
用いて６３０℃から８１０℃の範囲の温度にて熱処理す
ることにより、高い活性化率を達成しかつ急峻なキャリ
ア濃度分布が容易に得ることが出来うる新規な実験結果
に根ざしている。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
８１図は本発明の実施例を示す、熱処理温度を変化させ
アニールされた導電層のシートキャリア濃度結果を示し
た図である。
アニールされた導電層のシートキャリア濃度結果を示し
た図である。
即ち、 ＩｎＧａＡ、ｓ層に８１をイオンエネルギーＩ
ＱＱＫｅＶ、 ドース量３．ＯＸｌｏ（ｍ の条
件で室温にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素雰囲
気中にて５６０℃から９００℃の範囲で５秒間アニール
を行った場合のそれぞれの試料のシートキャリア濃度の
測定結果を示したものである。図から明らかなようにア
ニール温度を５６０°から上昇させて行くとシートキャ
リア濃度は上昇してアニール温度６３０℃で２．５６
Ｘ １０”を示し温度をさらに上げてもアニール温度８
１０℃までほぼ一定のキャリア濃度値を示す。得られた
キャリア濃度から活性化率を算出するとアニール温度６
３０℃の場合８５チアニ一ル温度８１０℃の場合８１チ
と高活性化率が得られる。
ＱＱＫｅＶ、 ドース量３．ＯＸｌｏ（ｍ の条
件で室温にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素雰囲
気中にて５６０℃から９００℃の範囲で５秒間アニール
を行った場合のそれぞれの試料のシートキャリア濃度の
測定結果を示したものである。図から明らかなようにア
ニール温度を５６０°から上昇させて行くとシートキャ
リア濃度は上昇してアニール温度６３０℃で２．５６
Ｘ １０”を示し温度をさらに上げてもアニール温度８
１０℃までほぼ一定のキャリア濃度値を示す。得られた
キャリア濃度から活性化率を算出するとアニール温度６
３０℃の場合８５チアニ一ル温度８１０℃の場合８１チ
と高活性化率が得られる。
第２図・第３図及び第４図は本発明の詳細な説明するた
めに深さ方向のキャリア濃度分布を示した図である。
めに深さ方向のキャリア濃度分布を示した図である。
第２図では、 ＩｎＧａＡｓ層にＳビをイオンエネルギ
ー１００ＫｅＶ、 ドーｘｆｉ ３．ＯＸ １０’″
イ１の条件にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素雰
囲気中にて６３０℃の温度で５秒間アニールを行った場
合の試料の深さ方向のキャリア濃度分布の測定結果を示
したものである。第３図は、８２図と同様に７工−ル温
度だけを８１０℃に変えた場合の試料の深さ方向のキャ
リア濃度分布の測定結果を示したものである。＃１４図
では、ＩｎＧａＡｓ層にＳｉ”、Ｈイオンエネルギー３
０ＫｅＶ、 ドースｔ １．Ｏｘ ＩＱ ” Ｇｒ；
ｒ”ｏ）条件にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素
雰囲気中にて７００℃の温度で５秒間アニールを行った
場合の試料の深さ方向のキャリア濃度分布の測定結果を
示したものである。これ等の図から明らかなように深さ
方向のキャリア濃度分布はＬ８Ｓ理論に大変良く一致し
たものが得られている。
ー１００ＫｅＶ、 ドーｘｆｉ ３．ＯＸ １０’″
イ１の条件にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素雰
囲気中にて６３０℃の温度で５秒間アニールを行った場
合の試料の深さ方向のキャリア濃度分布の測定結果を示
したものである。第３図は、８２図と同様に７工−ル温
度だけを８１０℃に変えた場合の試料の深さ方向のキャ
リア濃度分布の測定結果を示したものである。＃１４図
では、ＩｎＧａＡｓ層にＳｉ”、Ｈイオンエネルギー３
０ＫｅＶ、 ドースｔ １．Ｏｘ ＩＱ ” Ｇｒ；
ｒ”ｏ）条件にて注入した試料をランプ炉を用いて窒素
雰囲気中にて７００℃の温度で５秒間アニールを行った
場合の試料の深さ方向のキャリア濃度分布の測定結果を
示したものである。これ等の図から明らかなように深さ
方向のキャリア濃度分布はＬ８Ｓ理論に大変良く一致し
たものが得られている。
以上述べたように、本発明の方法を用いた場合活性化率
の増大がけかれかつ急峻なキャリア濃度分布が容易に得
られる。
の増大がけかれかつ急峻なキャリア濃度分布が容易に得
られる。
（発明の効果）
以上から明らかな様Ｋ、ＩｎＧａＡｓのイオン注入層を
ランプ炉を用いて６３０℃から８１０℃の範囲内の温度
にてアニールすることＫより導電層の高活性化とキャリ
ア濃度分布の急峻化が容易に達成される。
ランプ炉を用いて６３０℃から８１０℃の範囲内の温度
にてアニールすることＫより導電層の高活性化とキャリ
ア濃度分布の急峻化が容易に達成される。
第１図は本発明の詳細な説明するためにア二一層温度を
５６０℃から９００℃の範囲で変化させた場合に得られ
るシートキャリア濃度を示す図である。 第２図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
として３ｉ＋“をイオンエネルギー１００ＫｅＶ、 ト
” −ｘｉ ３．Ｑ ｘ １０”ｃｌｒＬ−”の条件で
注入した試料を６３０℃の温度で５秒間アニールした場
合の深さ方向のキャリアｍ変分布を示す図である。 第３図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
としてＳビをイオンエネルギー１００ＫｅＶ 、 ド
ースＪ１３．ＯＸ １０” ｃｍ−１の条件で注入した
試料を８１０℃の温度で５秒間アニールした場合の深さ
方向のキャリア濃度分布を示す図である。 第４図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
としてｓ Ｈ（−をイオンエネルギー３ＱＫｅＶドース
量１．Ｏｘ １０１４ａｒｔ−”の条件で注入した試料
を７００℃の温度で５秒間アニールした場合の深さ方向
のキャリア鐘度分布を示す図である。 第１図 アニール温度 第２図 深さくμｍ） 第３図 床 さ
５６０℃から９００℃の範囲で変化させた場合に得られ
るシートキャリア濃度を示す図である。 第２図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
として３ｉ＋“をイオンエネルギー１００ＫｅＶ、 ト
” −ｘｉ ３．Ｑ ｘ １０”ｃｌｒＬ−”の条件で
注入した試料を６３０℃の温度で５秒間アニールした場
合の深さ方向のキャリアｍ変分布を示す図である。 第３図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
としてＳビをイオンエネルギー１００ＫｅＶ 、 ド
ースＪ１３．ＯＸ １０” ｃｍ−１の条件で注入した
試料を８１０℃の温度で５秒間アニールした場合の深さ
方向のキャリア濃度分布を示す図である。 第４図は本発明の詳細な説明するためにイオン注入条件
としてｓ Ｈ（−をイオンエネルギー３ＱＫｅＶドース
量１．Ｏｘ １０１４ａｒｔ−”の条件で注入した試料
を７００℃の温度で５秒間アニールした場合の深さ方向
のキャリア鐘度分布を示す図である。 第１図 アニール温度 第２図 深さくμｍ） 第３図 床 さ
Claims (1)
- ＩｎＧａＡｓにイオン注入層を形成後熱処理を施しＩｎ
ＧａＡｓ半導体素子のイオン注入導電層を形成する方法
において、前記熱処理をランプ炉を用いて熱処理温度を
６３０℃から８１０℃の範囲内の温度にて行うことを特
徴とするＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14097585A JPS622532A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14097585A JPS622532A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622532A true JPS622532A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15281196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14097585A Pending JPS622532A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | ＩｎＧａＡｓイオン注入導電層の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658001A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-20 | Kao Corp | Disposable diaper |
| US5294557A (en) * | 1991-08-26 | 1994-03-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Implanting impurities in semiconductors and semiconductor implanted with impurities |
| CN109103082A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 浮栅的制作方法和分裂栅闪存 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14097585A patent/JPS622532A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5658001A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-20 | Kao Corp | Disposable diaper |
| JPS6314081B2 (ja) * | 1979-10-18 | 1988-03-29 | Kao Corp | |
| US5294557A (en) * | 1991-08-26 | 1994-03-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Implanting impurities in semiconductors and semiconductor implanted with impurities |
| CN109103082A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 浮栅的制作方法和分裂栅闪存 |
| CN109103082B (zh) * | 2018-08-06 | 2020-09-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 浮栅的制作方法和分裂栅闪存 |
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