JPS62252393A - 光電池用シリコン結晶の獲得方法 - Google Patents
光電池用シリコン結晶の獲得方法Info
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- JPS62252393A JPS62252393A JP8742456A JP4245687A JPS62252393A JP S62252393 A JPS62252393 A JP S62252393A JP 8742456 A JP8742456 A JP 8742456A JP 4245687 A JP4245687 A JP 4245687A JP S62252393 A JPS62252393 A JP S62252393A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
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- C01B33/037—Purification
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- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Processing Of Solid Wastes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光電池用シリコン結晶の獲得方法に係る。
１９７８年１０月１３日付仏国特許公開第２４３８４９
９号、１９７９年５月８日付同２４５５９２１号及び１
９８０年８月１日付同２４８７８０８号の教示によると
、高周波励起により得られた高温プラズマジェットを精
製すべきインゴットに当てて冶金学上のシリコンを光電
池用に精製することが知られており、この方法ではジェ
ットとインゴットとを相対的に移動させて溶融ゾーンを
インゴットに沿って移動させる。使用されるガスは、ア
ルゴン、水素及び酸素の混合物から構成されるが、酸素
含有量はシリコンに酸化が認められないような微量であ
る。
９号、１９７９年５月８日付同２４５５９２１号及び１
９８０年８月１日付同２４８７８０８号の教示によると
、高周波励起により得られた高温プラズマジェットを精
製すべきインゴットに当てて冶金学上のシリコンを光電
池用に精製することが知られており、この方法ではジェ
ットとインゴットとを相対的に移動させて溶融ゾーンを
インゴットに沿って移動させる。使用されるガスは、ア
ルゴン、水素及び酸素の混合物から構成されるが、酸素
含有量はシリコンに酸化が認められないような微量であ
る。
上記の方法により、例えば下記第１表に示すような配分
で２％の不純物を含有する冶金学上のシリコンインゴッ
トが処理される。
で２％の不純物を含有する冶金学上のシリコンインゴッ
トが処理される。
第１表
尚、上記表中、含有量は原子ｐｐｍで表し、放射活性化
分析により分析した。
分析により分析した。
星印を付した数字は質量分析法による分析に対応する。
精製処理を数回実施するとかなりの量の不純物起電力デ
バイスの表面積を規定の試験条件で測定された入射光に
乗じた積との比であり、パーセントで表される（術語Ｃ
ＥＩ、ＣＴ８２．光起電カシステム）。
バイスの表面積を規定の試験条件で測定された入射光に
乗じた積との比であり、パーセントで表される（術語Ｃ
ＥＩ、ＣＴ８２．光起電カシステム）。
に獲得することにある。
驚くべきことに、冶金学上のシリコンの代わりに、例え
ば電子産業廃棄物あるいはシリコン結晶化工程の廃棄物
のようなＰ型又はＮ型のシリコン廃棄物の、抵抗率が少
なくとも０．０５Ω・ｃＩＩｌであるものを前記融合方
法により処理すると、上記のような目的を達成し得るこ
とが発見された。
ば電子産業廃棄物あるいはシリコン結晶化工程の廃棄物
のようなＰ型又はＮ型のシリコン廃棄物の、抵抗率が少
なくとも０．０５Ω・ｃＩＩｌであるものを前記融合方
法により処理すると、上記のような目的を達成し得るこ
とが発見された。
本発明の他の特徴及び利点については、以下に非限定的
なものとして示した本発明の実施例の記載から更に明ら
かになろう。
なものとして示した本発明の実施例の記載から更に明ら
かになろう。
及克匠上
任意の電子産業シリコン廃棄物を出発物質とする。
該廃棄物を所謂ｒ’０ＬＹＸ法により再結晶化処理した
。この方法は特に、ロンドン会議（１９８５年４月１５
−１９日）会議録”１９８５．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉ
ｃ ５ｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｉｅ”に所収の論文’Ｇｒ
ｏｗｔｂ ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ ｉｎｇｏｔｓ ｂｙ
ｔｈｅＰＯＬＹＸ ＰＲＯＣＥＳＳ”中に記載されテ
イル。
。この方法は特に、ロンドン会議（１９８５年４月１５
−１９日）会議録”１９８５．Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉ
ｃ ５ｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｉｅ”に所収の論文’Ｇｒ
ｏｗｔｂ ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ ｉｎｇｏｔｓ ｂｙ
ｔｈｅＰＯＬＹＸ ＰＲＯＣＥＳＳ”中に記載されテ
イル。
方法によるプラズマ融合後、１１．５％の変換率ηが得
られた。
られた。
実］１阻ｊ工
酸化したシリコンプレートからなる電子産業廃棄物を出
発物質とした。
発物質とした。
効
プラズマ融合処理後、収率ηは１１．２％であった。
１Ｌｆｌ！！１
く先
は９．５％であった。プラズマ融合後、変換率は１０．
９％となった。
９％となった。
大Ｊｌ外Ａ−
ＰＯＬＹＸ法により再結晶化した材料を出発物質とした
。材料はＮ型であり、その抵抗率は約７Ω・ｃｍ２Ω・
Ｃ鴎であった。
。材料はＮ型であり、その抵抗率は約７Ω・ｃｍ２Ω・
Ｃ鴎であった。
゛精製した材料を中性子活性化により分析した。
分析結果を下記第２表に示す。
本発明の方法は、通常破壊されているような産業廃棄物
を利用し、光電池用として良好な品質を有しており且つ
極めて廉価な成分を得ることができるので、経済的に非
常に有利である。
を利用し、光電池用として良好な品質を有しており且つ
極めて廉価な成分を得ることができるので、経済的に非
常に有利である。
当然のことながら、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない９本発明の範囲を逸脱することなく全手段を
任意の等借手段に置き換えてもよい。
のではない９本発明の範囲を逸脱することなく全手段を
任意の等借手段に置き換えてもよい。
Claims (3)
- （１）プラズマジェット中を通過させてシリコンを精製
する光電池用シリコン結晶の獲得方法であって、少なく
とも１０％に等しい光起電力効率を得るために、少なく
とも０．０５Ω・ｃｍの抵抗率で表されるような所定の
不純物含有量と結晶状態とを有するＰ型又はＮ型の再生
可能な単結晶又は多結晶シリコン廃棄物を出発物質とす
ることを特徴とする方法。 - （２）廃棄物が、シリコンプレートの形態の電子産業又
は光電池産業廃棄物からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の方法。 - （３）廃棄物が、鋸挽スラリーの形態の電子産業又は光
電池産業廃棄物からなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8602736 | 1986-02-27 | ||
| FR8602736A FR2594856A1 (fr) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | Procede d'obtention de cristaux de silicium pour applications photovoltaiques |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252393A true JPS62252393A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=9332589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8742456A Pending JPS62252393A (ja) | 1986-02-27 | 1987-02-25 | 光電池用シリコン結晶の獲得方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0239794B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62252393A (ja) |
| AT (1) | ATE51425T1 (ja) |
| DE (1) | DE3762056D1 (ja) |
| ES (1) | ES2013732B3 (ja) |
| FR (1) | FR2594856A1 (ja) |
| GR (1) | GR3000550T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5961944A (en) * | 1996-10-14 | 1999-10-05 | Kawasaki Steel Corporation | Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2963337B1 (fr) * | 2010-07-30 | 2013-03-01 | Commissariat Energie Atomique | Recyclage de boues de sciage de silicium pour la preparation de lingots ou de plaques par plasma thermique |
| EP3181734A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-21 | Total Marketing Services | Manufacturing method of a silicon single crystal and silicon wafer production facility |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4399116A (en) * | 1980-08-01 | 1983-08-16 | Electricite De France (Service National) | Zone purification of silicon in a reactive plasma |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1215111B (de) * | 1962-08-22 | 1966-04-28 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Zonenschmelzen von in Stuecken vorliegendem Halbleitermaterial und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung |
| FR2438499A1 (fr) * | 1978-10-13 | 1980-05-09 | Anvar | Procede de purification et d'elaboration de cristaux par fusion de zone utilisant un jet de plasma et installation correspondante |
| DE3112879A1 (de) * | 1981-03-31 | 1982-10-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von halbleiter-, insbesondere siliciumstaeben aus pulverfoermigem ausgangsmaterial |
-
1986
- 1986-02-27 FR FR8602736A patent/FR2594856A1/fr not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-02-25 JP JP8742456A patent/JPS62252393A/ja active Pending
- 1987-02-26 ES ES87102751T patent/ES2013732B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-26 AT AT87102751T patent/ATE51425T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-02-26 EP EP87102751A patent/EP0239794B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-26 DE DE8787102751T patent/DE3762056D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-11 GR GR90400367T patent/GR3000550T3/el unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4399116A (en) * | 1980-08-01 | 1983-08-16 | Electricite De France (Service National) | Zone purification of silicon in a reactive plasma |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5961944A (en) * | 1996-10-14 | 1999-10-05 | Kawasaki Steel Corporation | Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0239794A1 (fr) | 1987-10-07 |
| EP0239794B1 (fr) | 1990-03-28 |
| FR2594856A1 (fr) | 1987-08-28 |
| GR3000550T3 (en) | 1991-07-31 |
| DE3762056D1 (de) | 1990-05-03 |
| ES2013732B3 (es) | 1990-06-01 |
| ATE51425T1 (de) | 1990-04-15 |
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