JPS6224963A - 半導体基板の歪除去方法 - Google Patents
半導体基板の歪除去方法Info
- Publication number
- JPS6224963A JPS6224963A JP60160682A JP16068285A JPS6224963A JP S6224963 A JPS6224963 A JP S6224963A JP 60160682 A JP60160682 A JP 60160682A JP 16068285 A JP16068285 A JP 16068285A JP S6224963 A JPS6224963 A JP S6224963A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- semiconductor base
- machining liquid
- etching
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板の表面の歪層を除去する方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
半導体材料をデバイス用基板として用いる場合、その表
面は高精度でかつ残留歪が無いことが必要である。
面は高精度でかつ残留歪が無いことが必要である。
近年高速デバイス用の基板として多く用いられているＧ
ａＡｓの様な化合物半導体はＳｌに比べて硬度が低いた
め加工歪が入りやすい。そこで通常用いられているＭＣ
研磨によって研磨された市販の鏡面加工基板では表面の
歪層の除去を目的としてウェットエツチングを行ってい
る。
ａＡｓの様な化合物半導体はＳｌに比べて硬度が低いた
め加工歪が入りやすい。そこで通常用いられているＭＣ
研磨によって研磨された市販の鏡面加工基板では表面の
歪層の除去を目的としてウェットエツチングを行ってい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
この場合鏡面が得られるエツチング条件は加工速度が速
く、自動化が難しいため一枚ずつ手作業で行う必要があ
る。又、エツジの部分の加工速度が中央部に比べて速い
ためダレが生じたり、エツチングムラによる不良の原因
となっている。
く、自動化が難しいため一枚ずつ手作業で行う必要があ
る。又、エツジの部分の加工速度が中央部に比べて速い
ためダレが生じたり、エツチングムラによる不良の原因
となっている。
本発明の目的はこの問題点を解決して低硬度の材料にお
いても表面状態を悪化させない半導体基板の歪除去方法
を提供する仁とにある。
いても表面状態を悪化させない半導体基板の歪除去方法
を提供する仁とにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明の要旨とするところは半導体基板のデバイス工
程前処理の表面歪層除去工程において、半導体基板に対
して相対運動を行っている研磨皿面上にエツチング性の
有る研磨液を供給して半導体基板を研磨皿面から微小量
離した状態で加工を行うものである。
程前処理の表面歪層除去工程において、半導体基板に対
して相対運動を行っている研磨皿面上にエツチング性の
有る研磨液を供給して半導体基板を研磨皿面から微小量
離した状態で加工を行うものである。
すなわち従来のウェットエツチングによる歪除去を非接
触研磨に置きかえることによって高精度でかつ歪の無い
面を得ることを特徴とする。
触研磨に置きかえることによって高精度でかつ歪の無い
面を得ることを特徴とする。
（作 用）
歪を除去しようとする半導体基板は研磨皿上に形成され
たエツチング性のある研磨液層上に浮上させて加工を行
い、同性による押付は圧力がまったく働かないため新た
な歪は入らない。又、半導体基板と研磨二表面の狭いす
きまを高速で流れる研磨液によって加工されるため高い
平面度が維持される。
たエツチング性のある研磨液層上に浮上させて加工を行
い、同性による押付は圧力がまったく働かないため新た
な歪は入らない。又、半導体基板と研磨二表面の狭いす
きまを高速で流れる研磨液によって加工されるため高い
平面度が維持される。
（実施例）
以下、本発明について主にＧ ａ Ａ ｓ基板の場合に
おいて説明をする。第１表はＧａＡｓ基板の４００＞面
についか鏡面が得られる条件の一例を示している。液温
か８０℃と高く、又過酸化水素水が不安定なため、液は
加工直前に混合する必要がある。
おいて説明をする。第１表はＧａＡｓ基板の４００＞面
についか鏡面が得られる条件の一例を示している。液温
か８０℃と高く、又過酸化水素水が不安定なため、液は
加工直前に混合する必要がある。
さらに加工速度が９０秒で約１０μｍと速いため自動化
が困難で手作業によって１枚ずつ処理をしている。
が困難で手作業によって１枚ずつ処理をしている。
第１図は本発明の半導体基板の歪除去方法の一実施例を
説明するための図である６１は円板状の研磨皿でモータ
等を用いて水平面内で回転する。
説明するための図である６１は円板状の研磨皿でモータ
等を用いて水平面内で回転する。
２は研磨皿の上面に接着された研磨クロスである。
３は加工液ノズルで回転する研磨クロス３表面に連続的
にエツチング性のある加工液を供給して研磨クロスの上
に加工液層４を形成する。ここで研磨クロス３は加工液
層４を保持する役目をはだすが、同様の効果が得られる
ならば研磨クロス３の代シに発泡体やあるいは研磨皿１
の表面に凹凸や溝を形成しても良い。５は円板上のホル
ダで一方の面には半導体基板６を接着し他方の面の中央
で回転可能に保持される。ここでホルダ５と半導体基板
６は加工液層４の上に動圧で浮上する程度の低圧力に保
持するか、又は機械的に微小すきまを保っておく。この
様な構造の装置を用いて歪除去を行った条件の一実施例
を第２表に示す。この条件において第１表のエツチング
の場合と同じ量を除去するには１０倍の１５分かかるが
装置の大型化によって多数枚同時加工や加工中は自動運
転が可能であるため問題にならない。
にエツチング性のある加工液を供給して研磨クロスの上
に加工液層４を形成する。ここで研磨クロス３は加工液
層４を保持する役目をはだすが、同様の効果が得られる
ならば研磨クロス３の代シに発泡体やあるいは研磨皿１
の表面に凹凸や溝を形成しても良い。５は円板上のホル
ダで一方の面には半導体基板６を接着し他方の面の中央
で回転可能に保持される。ここでホルダ５と半導体基板
６は加工液層４の上に動圧で浮上する程度の低圧力に保
持するか、又は機械的に微小すきまを保っておく。この
様な構造の装置を用いて歪除去を行った条件の一実施例
を第２表に示す。この条件において第１表のエツチング
の場合と同じ量を除去するには１０倍の１５分かかるが
装置の大型化によって多数枚同時加工や加工中は自動運
転が可能であるため問題にならない。
ＭＣ研磨によるもの、第１表に示したエツチング面、第
２表に示した非接触研磨面のそれぞれについて平坦度が
１μｍ以下の部分の総面積に対する割合を第３表に示す
。ＭＣ研磨面が８８．４％に対してエツチングを行うと
ダレが生じて３６．０％に減少する。本発明の方法によ
るとＭＣ研磨によって生じていたわずかのダレも除去さ
れ、９５．１チとほとんどの部分において平坦性１μｍ
が達成される。
２表に示した非接触研磨面のそれぞれについて平坦度が
１μｍ以下の部分の総面積に対する割合を第３表に示す
。ＭＣ研磨面が８８．４％に対してエツチングを行うと
ダレが生じて３６．０％に減少する。本発明の方法によ
るとＭＣ研磨によって生じていたわずかのダレも除去さ
れ、９５．１チとほとんどの部分において平坦性１μｍ
が達成される。
以上被研磨物としてＧａＡｓの場合について述べたが、
他の半導体材料や結晶材料等についてもエツチング性の
ある研磨液を選ぶことによって同様に歪の除去が可能と
なる。
他の半導体材料や結晶材料等についてもエツチング性の
ある研磨液を選ぶことによって同様に歪の除去が可能と
なる。
（発明の効果）
以上説明した如く本発明によれば従来のエツチングによ
る歪除去方法に比べて平坦度が格段に優れた面が得られ
、自動化にも適するため半導体基板の歪除去方法として
極めて有効である。
る歪除去方法に比べて平坦度が格段に優れた面が得られ
、自動化にも適するため半導体基板の歪除去方法として
極めて有効である。
第２表
第３表
第１図は本発明の半導体基板の歪除去方法を説明するた
めの図である。 図において１は研磨器、２は研磨クロス、３は加工液ノ
ズル、４は加工液層、５はホルダ、６は半導体基板を示
す。 と１−・１ 代理人弁理士 内 原 ゛ミ閘 多 １ 図 ３、力０１嗜屹ノ反）Ｖ
めの図である。 図において１は研磨器、２は研磨クロス、３は加工液ノ
ズル、４は加工液層、５はホルダ、６は半導体基板を示
す。 と１−・１ 代理人弁理士 内 原 ゛ミ閘 多 １ 図 ３、力０１嗜屹ノ反）Ｖ
Claims (1)
- 半導体基板のデバイス工程前処理の表面歪層除去工程に
おいて、半導体基板に対して相対運動を行っている研磨
皿面上にエッチング性の有る研磨液を供給して半導体基
板を研磨皿面から微小量離した状態で加工を行うことを
特徴とする半導体基板の歪除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160682A JPS6224963A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体基板の歪除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160682A JPS6224963A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体基板の歪除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224963A true JPS6224963A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15720187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160682A Pending JPS6224963A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 半導体基板の歪除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224963A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312058A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-20 | Mabuchi Shoten:Kk | 研磨機 |
| WO2002067307A1 (fr) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Appareil et procede de polissage de surface |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60160682A patent/JPS6224963A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312058A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-20 | Mabuchi Shoten:Kk | 研磨機 |
| WO2002067307A1 (fr) * | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Appareil et procede de polissage de surface |
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