JPS62249342A - 撮像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、静電集束・静電偏向型の撮像管に関する。

〔従来の技術〕

従来、静電集束・静電偏向型撮像管では、電子ビームを
発生する電子銃部と、電子ビームの集束を行う静電レン
ズをＧａ電極、Ｇａ電極、Ｇ１１電極で形成し、さらに
上記Ｇ４電極は電子ビームの偏向を行う偏向電極とされ
、Ｇ８メツシュ状電極・と光導電ターゲットで構成され
ている。これらの電極０８〜Ｇ５は、それぞれガラス管
の内面にクロム、アルミニウム等の金属が蒸着あるいは
メッキされた後、例えばレーザーによるカッティング。

フォトエツチング等により所定パターンに形成されろ７
従って、６５電極に所定電圧を印加するためには特開昭
６０−４７３５１号公報に開示されているようにＧＩ、
電極に対応するガラスバルブに穴を開け、金属ピンを半
田付けし、あるいは導電フリットを設け、これら金属ピ
ンあるいは導電フリットを介して印加するようにしてい
る。あるいは、ガラス管の端部にフリットシールし、表
面に導電性部分を形成したセラミックリングを接続し、
このセラミックリングを介して印加するようにし、てい
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来、これらの方法では気密性保持が問題となる。また
、作業が複雑であり、嬰造性が悪く、強度面での間開も
ある。さらに管壁横側からＧＩ５９Ｂ極への電圧を供給
しなければならなくなり、撮像管アセンブリ構造が複雑
となる欠点がある。

本発明の目的は、斯る点に鑑みてなされたもので、上述
した不都合を一掃するようにしたもので・ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するため、Ｇａ電極。

Ｇ４電極をガラス管の内壁に蒸着し、主にＧ３電極と６
４電極による静電レンズにより電子ビームを集束し、さ
らにＧ４電極を偏向電極として電子ビームをこの電極に
よる偏向電界により偏向するように構成したものである
。

〔作用〕

上述の如き構成によれば、従来に比べてガラス管内壁に
蒸着する電極の数が１つ減り、従来のように電極に電圧
を印加するためにガラス管壁横側からリードをとる必要
がなくなる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。同図（ａ）において、１はガラス管。

２はフェースプレート、３はターゲット（光導電膜面）
、４はフェースプレート２を貫通してターゲット３に接
触するようになされている信号取出電極である。Ｇ６は
メツシュ電極であり、冷封止用のインジウｌ）リング５
を介して所定電圧が印加されるようになっている。Ｋは
カソード、Ｇ１゜Ｇ２．はグリッド電極でに、Ｇｌ、Ｇ
ｚで電子ビームの発生部である電子銃部を構成する。ダ
イオードガン型の電子銃では６１電極が存在せず、Ｇｚ
電極の正の電圧によりカソードＫから電子ビームが放出
されろ。また、ＢＤはＧｚ電極上のビーム制限開孔であ
る。０３′　　はＧｚ電極に向かいあって設けられた開
孔を有した円板状電極である。

Ｇ　ａ　、　Ｇ　４はグリッド電極で、これらの電極は
それぞれガラス管１の内面にクロム等の金属が蒸着ある
いはメッキされた後、レーザーカッティングあるいはフ
ォトエツチング等により所定パターンに形成されろ。こ
れらの電極の展開図は第２図に示される。Ｇ４電極は例
えば４つの電極Ｈ＋、Ｈ−。

Ｖ＋、Ｖ−が交互に配されたカーブドアローパターンと
される。

第１図においてＧｚｆｆｉ極のビーム制限開孔ｎ　ｌ）
から０４ｆｆｌ極に向かいあった０３Ｗｉ極の端面まで
の管軸方向長さと、Ｇ４ｆ！！極の管軸方向長さはほぼ
等しい、ａｘｅｌ極電圧は例えばダイオードガンの場合
２０　Ｖ　、　Ｇａ’　　ｆａｔ４ｆｔＸ圧は例えばカ
ソード電圧と同じＯＶ、Ｇｓ電極電圧はＧ５メツシュ電
極電圧と同じ例えば８００ｖで、Ｇ４電極電圧は電子ビ
ームを光導電ターゲット中心でほぼ最小スポットにする
ような直流の集束電圧とともに、電子ビームを光導電タ
ーゲット上の画面周辺に偏向するための偏向電圧を印加
するようにしている。

このＧ４電極電圧に加えられる電圧とＧ５メツシュ電極
に加えられる電圧とで形成される静電レンズ（コリメー
ションレンズ）の働きで偏向された電子ビー１１がほぼ
垂直に光導電ターゲットにランディングするようにして
いる。従って６４ｆｆｉ極は集束１！極兼偏向電極であ
るとともにコリメーションレンズを形成する電極でもあ
る。

上記の電圧条件ではＧｓｔ’ｌｔ極長とＧ４ｔｌｌ！極
長は」二連のように一義的に決まり、フォーカスをとり
かつコリメーションを合わせるためにはＧ４１１１極長
Ｑａｔをその電極径φとほぼ等しくする必要があること
が分った。このことはＧｘＷｉ極からＧａメツシュ電極
までの畏さを一定として、Ｇ４電極長ＱＧ４を種々変化
し、そのときの集束電圧と偏向電圧を６４電極に与え、
Ｇ５メツシュ電極の半径方向位置（偏向電圧によって決
まる位置）から管軸に平行に０２電極方向に飛ばした電
子軌道の解析を行った結果分ったものである。すなわち
上記の電子軌道が管軸と交わる位置までの６５メツシユ
電極からの距離をｆとすればｆとＧａ４がほぼ一致する
ように電極を構成すれば、偏向された電子ビームはほぼ
垂直にランディングすると考えられる。

第３図は解析によるｆと１＋、（１４の関係を実線ａで
示したものであり、Ｇａ　？ｊｌ極径φで規格化してい
る。図中の破線すはｆと１２ａａが一致する直線であり
、これとの交点が求める条件である。図からＱＱ４／φ
二１すなわちＧ４電極長Ｑａｔをその電極径φとほぼ等
しくする必要があることが分る。

第４図はさらにＧ２電極からの電子軌道の解析を行い、
Ｇａ４を変化したとき（Ｇ　ｚ電極からＧ５メツシュ電
極までの長さは一定）の画面コーナーに偏向したときの
電子ビームの０５メツシユ電極への入射角を示したもの
である。図からやはりＱａｓはＧ４ｆ！！極径φの値に
ほぼ等しいとき、電子ビー１１はほぼ垂直にランディン
グすることが分る。

また、第５図はＧ４電極長をほぼＧ４電極径と等しくし
たとき、Ｇ３電極長（Ｇｚｆ！極からＧａ電極対向端ま
での距１ｍりＱａｓを変化したときのＧ６メツシュ電極
へのビーム入射角（画面コーナーへ偏向時）を解析した
ものである。図からＭＯＢが６４電極径φの１．１倍か
ら１．８倍で、電子ビームは±２°以内で０６メツシユ
電極へ入射することが分る。経験的に±２°以内であれ
ば何らビーム特性（シェーディング等）に不都合を与え
ないことが分っているので、Ｑａｓはこの範囲に設定す
ることが望ましい。

第１図（ａ）においてＧ　Ｂ　’　　電極とＧｚ電極お
よびＧ３電極によって初段の静電レンズが形成され、且
で示した電子ビーｌ）の軌道のごとく第１結像点−７−
ができる。さらにビームはＧ８電極、Ｇ４電極によって
形成される静電レンズによって図示のように光導電ター
ゲット上に集束する。第１図（ｂ）は軸上の電位分布の
変化を示している。第１結像点７は電位が最大となる位
置にほぼ一致した。また且で示した電子ビームの軌道の
とと＜０４電極による偏向電界により偏向され、Ｇ４電
極と０６メツシユ電極によるコリメーションレンズの働
きで、偏向されたビー１１は光導電ターゲット上にほぼ
垂直にランディングする。

６３′　　電極はＧｚ電極とともにビーディングにより
固定され、リード線（図示せず）により所定電圧が印加
されろ。

第６図（ａ）は他の実施例を示したもので、前述の実施
例の０３’　　電極の代りにＧＺ電極に円筒電極−β−
が付いている。第１図と同一部分には同一符号を付し、
説明は省略する。同図（ｂ）には軸上の電位分布の変化
を示した。０２〜Ｇ６電極に加えられる電圧は前述と同
様であり、前述の実施例と同様の分布が得られることが
分る。円筒電極−〇−の内直径はＧ３電極の内直径の約
１５％である。

−δ−の長さはＧ２．電極から管軸方向に、Ｇ８電極の
内直径の約２０％である。

第１表は従来の０３電極、０４電極、０５電極で静電レ
ンズを形成し、Ｇ４電極を偏向電極としたタイプの撮像
管の特性と本発明による撮像管の特性を比較し示したも
のである。本発明による実施例ｒ、ＩＩはそれぞれ上記
の０３’　　電極を設けたもの、Ｇ２電極に円筒電極を
付加したものである６表から像倍率はほとんど変わらず
、規格化偏向スポット径は１″で出射したビームが画面
コーナーに偏向されたとき偏向収差による拡がり径を半
径方向の偏向量で規格化したものであり、従来のものよ
り小さくなっていることが分る。従って、本発明による
実施例では従来より優れた特性の撮像管を提供すること
ができ、しかも従来のように電極に電圧を印加するため
にガラス管壁横側からリードをとる必要が全くない撮像
管を提供することができる。

第１表 尚、上述の実施例においては、Ｇ８電極、Ｇ４電極はガ
ラス管内壁に被着形成されたものであるが、例えば板状
金属で形成されるものにも本発明を同様に適用すること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したきたように本発明によれば、従来より特性
が優れ、しかも電極に電圧を印加するためにガラス管壁
横側からリードをとる必要がなくなる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第６図は本発明による撮像管の断面図および軸
上の電位分布を示す図、第２図はｌＦ＆極の展開図、第
３図はｆ値とＱａ＋との関係曲線図、第４図はメツシュ
電極へのビーム入射角とＱＯ４の関係曲線図、第５図は
メツシュ電極へのビー１１入射・　角とＱＱ３の関係曲
線図である。 １・・・ガラス管、２・・・フェースプレート、３・・
・ターゲット（光導電膜面）、６・・・電子ビー１１軌
道、７・・・第１結像点、８・・・円筒電極、Ｇａ’　
　・・・円板状電極、φ・・・Ｇ４！極径、Ｑ　Ｇδ・
・・ＧｓＴＬ極長、ｆｆ、０４・・・０番電極長。 　　ｈ　Ｎ 嘉　３　図 ρ６　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　／、
５ノｅ４／ヂ ３５　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子ビームを発生し、電子ビーム量を制限する制限
   開孔を有する電子銃部とメッシュ電極と光導電ターゲッ
   トを有する撮像管において、電子ビーム通路に沿つて電
   子ビームの進行方向の順に配された、第１の電極、第２
   の電極によつて電子ビームの集束を行う静電レンズが形
   成され、上記第２の電極は上記電子ビームの偏向を行う
   偏向電極とされ、上記制限開孔から、上記第２の電極の
   管軸方向長さは上記第２の電極の内直径とほぼ等しいこ
   とを特徴とした撮像管。 ２、特許請求の範囲第１項記載の撮像管において、上記
   制限開孔を有する電子銃部と向かいあつて上記光導電タ
   ーゲット側に配された開孔を有した平円板電極を具備し
   、上記第１の電極と上記平円板電極と上記電子銃部との
   間に初段の静電レンズが形成されることを特徴とした撮
   像管。 ３、特許請求の範囲第１項記載の撮像管において、上記
   制限開孔を有する電子銃部の電極に上記光導電ターゲッ
   ト側につき出した円筒電極を具備し、上記円筒電極を具
   備した電子銃部と上記第１電極との間に初段の静電レン
   ズが形成されることを特徴とした撮像管。 ４、特許請求の範囲第１項記載の撮像管において、上記
   第１の電極には上記メッシュ電極に印加される電圧と同
   じ電圧が印加され、上記第２の電極には、電子ビームを
   上記光導電ターゲットの中心上に集束するような直流の
   集束電圧と、上記光導電ターゲット上を走査せしめる偏
   向電圧が印加されることを特徴とした撮像管。 ５、特許請求の範囲第２項又は第３項記載の撮像管にお
   いて、上記制限開孔から、上記第２の電極に向かいあつ
   た上記第１の電極の端面までの管軸方向長さが、上記第
   ２の電極の内直径の１．１倍から１．８倍であることを
   特徴とした撮像管。 ６、特許請求の範囲第２項および第３項記載の撮像管に
   おいて、上記電子銃部から出た電子ビームは、上記初段
   の静電レンズによりいったん集束し、その集束点は管軸
   上の電位分布の軸方向の傾きがゼロになる軸上の位置近
   傍であることを特徴とした撮像管。