JPS62245265A - リソグラフイマスクの製造方法 - Google Patents
リソグラフイマスクの製造方法Info
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- JPS62245265A JPS62245265A JP61090336A JP9033686A JPS62245265A JP S62245265 A JPS62245265 A JP S62245265A JP 61090336 A JP61090336 A JP 61090336A JP 9033686 A JP9033686 A JP 9033686A JP S62245265 A JPS62245265 A JP S62245265A
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- pattern
- exposure
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、リソグラフィマスクを製造するに際し、
マスクプランクスに予め所要の位置合わせマークを配設
し、該マスクプランクスに対するステップ・アンド・レ
ピート法による露光位置を、各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いて補正することにより、 マスクパターンの位置合わせ精度を向上し、微細で高精
度のマスクを多数、迅速に製造することを可能とするも
のである。
し、該マスクプランクスに対するステップ・アンド・レ
ピート法による露光位置を、各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いて補正することにより、 マスクパターンの位置合わせ精度を向上し、微細で高精
度のマスクを多数、迅速に製造することを可能とするも
のである。
本発明はリングラフィマスクの製造方法にかかり、特に
位置合わせ精度が高いマスクを高スループツトで製造す
る製造方法の改善に関する。
位置合わせ精度が高いマスクを高スループツトで製造す
る製造方法の改善に関する。
リソグラフィ法は半導体装置等の製造に不可欠な技術で
あり、その各リソグラフィ工程について一連のマスクセ
ットが用いられるが、形成するパターンの微細化に伴っ
て工程間の位置合わせ精度の向上が必然的に要求され、
また同一工程を並列処理して製造数量を増大するには、
多数の互換性のあるマスクが必要となる。
あり、その各リソグラフィ工程について一連のマスクセ
ットが用いられるが、形成するパターンの微細化に伴っ
て工程間の位置合わせ精度の向上が必然的に要求され、
また同一工程を並列処理して製造数量を増大するには、
多数の互換性のあるマスクが必要となる。
この様な状況から、リソグラフィマスクの位置合わせ精
度とスループットの向上が強く要望されている。
度とスループットの向上が強く要望されている。
゛ 半導体集積回路装置（ＩＣ）等のホトリソグラフ
ィ工程に使用するマスクは、光源波長に対する透過率の
良い低膨張ガラス等の基板上にクロム（Ｃｒ）等により
パターンを形成している。
ィ工程に使用するマスクは、光源波長に対する透過率の
良い低膨張ガラス等の基板上にクロム（Ｃｒ）等により
パターンを形成している。
ウェーハプロセスに使用するマスクは通常ワーキングマ
スクと呼ばれるが、これを製造する従来量も普通の方法
は、１チツプ乃至数チップ程度のパターンを例えば１０
倍に拡大したレティクルマスクを先ず形成し、これから
ウェーハ上の配置通りに実寸法のパターンを設けたマス
クマスクを形成し、これをプリンタで転写したコピーマ
スクをワーキングマスクとしている。
スクと呼ばれるが、これを製造する従来量も普通の方法
は、１チツプ乃至数チップ程度のパターンを例えば１０
倍に拡大したレティクルマスクを先ず形成し、これから
ウェーハ上の配置通りに実寸法のパターンを設けたマス
クマスクを形成し、これをプリンタで転写したコピーマ
スクをワーキングマスクとしている。
しかしながらＩＣなどのパターン精度に対する要求が高
まるに伴って、マスクマスクからコピーマスクへの転写
による精度の低下が問題になり、マスクマスクを直接ウ
ェーハプロセスに使用する例が増加している。
まるに伴って、マスクマスクからコピーマスクへの転写
による精度の低下が問題になり、マスクマスクを直接ウ
ェーハプロセスに使用する例が増加している。
前記レティクルマスクのパターン形成には電子ビーム露
光法が次第に多く適用され、レティクルマスクからマス
クマスクを形成するには、通常ステッハーヲ用いてレテ
ィクルマスクのパターンを実寸法に縮小しながらステッ
プ・アンド・レビート法で配列する。なおこれより高い
精度がディジタル補正演算で得られるなどの理由から、
マスクマスクを直接電子ビーム露光法で製造することも
稀ではないが、そのスループットは前記製造方法に及ば
ない。
光法が次第に多く適用され、レティクルマスクからマス
クマスクを形成するには、通常ステッハーヲ用いてレテ
ィクルマスクのパターンを実寸法に縮小しながらステッ
プ・アンド・レビート法で配列する。なおこれより高い
精度がディジタル補正演算で得られるなどの理由から、
マスクマスクを直接電子ビーム露光法で製造することも
稀ではないが、そのスループットは前記製造方法に及ば
ない。
質、量弁のＩＣへの要求の高まりに対処するために、大
量の微細で高精度のマスクを迅速に製造することが必要
となっている。
量の微細で高精度のマスクを迅速に製造することが必要
となっている。
これを実現するには、レティクルマスクからステップ・
アンド・レビート法でパターンを露光する前記マスター
マスクの製造方法が最も期待されるが、従来方法による
マスターマスクではそのパターンの位置合わせ精度に問
題がある。
アンド・レビート法でパターンを露光する前記マスター
マスクの製造方法が最も期待されるが、従来方法による
マスターマスクではそのパターンの位置合わせ精度に問
題がある。
すなわち従来マスクの露光では、ステージの移動量を補
正する手段が機能しないためにステンプ相互間の位置に
例えば±０．３−程度のばらつきを生じており、一連の
プロセス或いは並列処理する同一プロセスのマスク相互
間でパターン位置不整合の問題をしばしば惹起している
。
正する手段が機能しないためにステンプ相互間の位置に
例えば±０．３−程度のばらつきを生じており、一連の
プロセス或いは並列処理する同一プロセスのマスク相互
間でパターン位置不整合の問題をしばしば惹起している
。
この現状から、ステップ・アンド・レビート法で露光す
るマスクパターンの位置補正手段が必要とされている。
るマスクパターンの位置補正手段が必要とされている。
前記問題点は、マスクプランクスに予め所要の位置合わ
せマークを配設し、該マスクプランクスに対するステッ
プ・アンド・レピート法による露光位置を、各ステップ
毎に該位置合わせマークに基いて補正する本発明による
リソグラフィマスクの製造方法により解決される。
せマークを配設し、該マスクプランクスに対するステッ
プ・アンド・レピート法による露光位置を、各ステップ
毎に該位置合わせマークに基いて補正する本発明による
リソグラフィマスクの製造方法により解決される。
本発明によれば、マスクプランクスの所要の位置に、所
要の精度を有する位置合わせマークを予め配設し、ステ
ップ・アンド・レビート法の各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いてマスクプランクス上の露光位置を補正
することにより、パターン位置の整合を高スループツト
で実現する。
要の精度を有する位置合わせマークを予め配設し、ステ
ップ・アンド・レビート法の各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いてマスクプランクス上の露光位置を補正
することにより、パターン位置の整合を高スループツト
で実現する。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図は本実施例のマスクパターン露光実施状況の模式
図、第２図はこの露光工程に用いるマスクプランクスの
１例の部分平面図である。
図、第２図はこの露光工程に用いるマスクプランクスの
１例の部分平面図である。
同図において、１はレティクルマスク、ＩＡはその位置
合わせマーク、ＩＢは目的とするレティクルパターン、
２は縮小投影レンズ、３はマスクプランクス、３Ａはマ
スクプランクス上の位置合わせマーク、３Ｂは各ステッ
プのパターン投影範囲、４はステージであり、ディテク
タ５ａｓスキヤンミラー５ｂ、ハーフミラ−５Ｃ％ミラ
ー５ｄからなる位置検出機構５を４組備えている。
合わせマーク、ＩＢは目的とするレティクルパターン、
２は縮小投影レンズ、３はマスクプランクス、３Ａはマ
スクプランクス上の位置合わせマーク、３Ｂは各ステッ
プのパターン投影範囲、４はステージであり、ディテク
タ５ａｓスキヤンミラー５ｂ、ハーフミラ−５Ｃ％ミラ
ー５ｄからなる位置検出機構５を４組備えている。
本実施例のマスクプランクス３にはこの露光工程に先立
って例えば第２図に例示する。如く、位置合わせマーク
３Ａが各ステップのパターン投影範囲３Ｂの４隅に、電
子ビームリソグラフィ法等によりＣｒ膜を除去して入射
光を透過するパターンとして配設されている。
って例えば第２図に例示する。如く、位置合わせマーク
３Ａが各ステップのパターン投影範囲３Ｂの４隅に、電
子ビームリソグラフィ法等によりＣｒ膜を除去して入射
光を透過するパターンとして配設されている。
各ステップのステージ移動後、位置合わせ光がレティク
ルマスク１の各位置合わせマークＩＡを透過してマスク
プランクス３に投影され、その位置合わせマーク３＾部
分が暗くなった反射光をディテクタ５ａで検出してレテ
ィクルマスクｌとマスクプランクス３との相対的位置誤
差を算出し、レティクルマスク１を正しい位置に移動さ
せてレティクルマスク１のパターンを投影露光する。
ルマスク１の各位置合わせマークＩＡを透過してマスク
プランクス３に投影され、その位置合わせマーク３＾部
分が暗くなった反射光をディテクタ５ａで検出してレテ
ィクルマスクｌとマスクプランクス３との相対的位置誤
差を算出し、レティクルマスク１を正しい位置に移動さ
せてレティクルマスク１のパターンを投影露光する。
本発明による位置補正を行わない場合にはパターン位置
に例えば±０．３ ｎ程度のばらつきを生じているのに
対して、本実施例ではパターン位置が±０．１５−程度
内にあり、多くのＩＣのホトリソグラフィ用マスクとし
て十分な精度が実現されている。
に例えば±０．３ ｎ程度のばらつきを生じているのに
対して、本実施例ではパターン位置が±０．１５−程度
内にあり、多くのＩＣのホトリソグラフィ用マスクとし
て十分な精度が実現されている。
以上説明した如く本発明によれば、ＩＣなどに必要な微
細で高精度のマスクを多数、迅速に製造することが可能
となり、エレクトロニクスの進展に大きい効果が得られ
る。
細で高精度のマスクを多数、迅速に製造することが可能
となり、エレクトロニクスの進展に大きい効果が得られ
る。
第１図は本発明の実施例の模式図、
第２図は実施例のマスクプランクスの部分平面図である
。 図において、 ｌはレティクルマスク、 ＩＡはその位置合わせマーク、 １Ｂは目的とするレティクルパターン、２は縮小投影レ
ンズ、 ３はマスクプランクス、 ３Ａはその位置合わせマーク、 ３Ｂは各ステップのパターン投影範囲、４はステージ、 ５は位置検出機構、 ５ａはディテクタ、 ５ｂはスキャンミラー、 ５ｃはハーフミラ−１ ５ｄはミラーを示す。
。 図において、 ｌはレティクルマスク、 ＩＡはその位置合わせマーク、 １Ｂは目的とするレティクルパターン、２は縮小投影レ
ンズ、 ３はマスクプランクス、 ３Ａはその位置合わせマーク、 ３Ｂは各ステップのパターン投影範囲、４はステージ、 ５は位置検出機構、 ５ａはディテクタ、 ５ｂはスキャンミラー、 ５ｃはハーフミラ−１ ５ｄはミラーを示す。
Claims (1)
- マスクプランクスに予め所要の位置合わせマークを配
設し、該マスクプランクスに対するステップ・アンド・
レピート法による露光位置を、各ステップ毎に該位置合
わせマークに基いて補正することを特徴とするリソグラ
フィマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090336A JPS62245265A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | リソグラフイマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61090336A JPS62245265A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | リソグラフイマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245265A true JPS62245265A (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=13995678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61090336A Pending JPS62245265A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | リソグラフイマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108169841A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP61090336A patent/JPS62245265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108169841A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-15 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法 |
| CN108169841B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-12-24 | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 | 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法 |
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