JPS62245265A - リソグラフイマスクの製造方法 - Google Patents

リソグラフイマスクの製造方法

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Publication number
JPS62245265A
JPS62245265A JP61090336A JP9033686A JPS62245265A JP S62245265 A JPS62245265 A JP S62245265A JP 61090336 A JP61090336 A JP 61090336A JP 9033686 A JP9033686 A JP 9033686A JP S62245265 A JPS62245265 A JP S62245265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
pattern
exposure
projected
positioning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61090336A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Hamaguchi
新一 濱口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61090336A priority Critical patent/JPS62245265A/ja
Publication of JPS62245265A publication Critical patent/JPS62245265A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 この発明は、リソグラフィマスクを製造するに際し、 マスクプランクスに予め所要の位置合わせマークを配設
し、該マスクプランクスに対するステップ・アンド・レ
ピート法による露光位置を、各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いて補正することにより、 マスクパターンの位置合わせ精度を向上し、微細で高精
度のマスクを多数、迅速に製造することを可能とするも
のである。
〔産業上の利用分野〕
本発明はリングラフィマスクの製造方法にかかり、特に
位置合わせ精度が高いマスクを高スループツトで製造す
る製造方法の改善に関する。
リソグラフィ法は半導体装置等の製造に不可欠な技術で
あり、その各リソグラフィ工程について一連のマスクセ
ットが用いられるが、形成するパターンの微細化に伴っ
て工程間の位置合わせ精度の向上が必然的に要求され、
また同一工程を並列処理して製造数量を増大するには、
多数の互換性のあるマスクが必要となる。
この様な状況から、リソグラフィマスクの位置合わせ精
度とスループットの向上が強く要望されている。
〔従来の技術〕
゛  半導体集積回路装置(IC)等のホトリソグラフ
ィ工程に使用するマスクは、光源波長に対する透過率の
良い低膨張ガラス等の基板上にクロム(Cr)等により
パターンを形成している。
ウェーハプロセスに使用するマスクは通常ワーキングマ
スクと呼ばれるが、これを製造する従来量も普通の方法
は、1チツプ乃至数チップ程度のパターンを例えば10
倍に拡大したレティクルマスクを先ず形成し、これから
ウェーハ上の配置通りに実寸法のパターンを設けたマス
クマスクを形成し、これをプリンタで転写したコピーマ
スクをワーキングマスクとしている。
しかしながらICなどのパターン精度に対する要求が高
まるに伴って、マスクマスクからコピーマスクへの転写
による精度の低下が問題になり、マスクマスクを直接ウ
ェーハプロセスに使用する例が増加している。
前記レティクルマスクのパターン形成には電子ビーム露
光法が次第に多く適用され、レティクルマスクからマス
クマスクを形成するには、通常ステッハーヲ用いてレテ
ィクルマスクのパターンを実寸法に縮小しながらステッ
プ・アンド・レビート法で配列する。なおこれより高い
精度がディジタル補正演算で得られるなどの理由から、
マスクマスクを直接電子ビーム露光法で製造することも
稀ではないが、そのスループットは前記製造方法に及ば
ない。
〔発明が解決しようとする問題点、〕
質、量弁のICへの要求の高まりに対処するために、大
量の微細で高精度のマスクを迅速に製造することが必要
となっている。
これを実現するには、レティクルマスクからステップ・
アンド・レビート法でパターンを露光する前記マスター
マスクの製造方法が最も期待されるが、従来方法による
マスターマスクではそのパターンの位置合わせ精度に問
題がある。
すなわち従来マスクの露光では、ステージの移動量を補
正する手段が機能しないためにステンプ相互間の位置に
例えば±0.3−程度のばらつきを生じており、一連の
プロセス或いは並列処理する同一プロセスのマスク相互
間でパターン位置不整合の問題をしばしば惹起している
この現状から、ステップ・アンド・レビート法で露光す
るマスクパターンの位置補正手段が必要とされている。
〔問題点を解決するための手段〕
前記問題点は、マスクプランクスに予め所要の位置合わ
せマークを配設し、該マスクプランクスに対するステッ
プ・アンド・レピート法による露光位置を、各ステップ
毎に該位置合わせマークに基いて補正する本発明による
リソグラフィマスクの製造方法により解決される。
〔作 用〕
本発明によれば、マスクプランクスの所要の位置に、所
要の精度を有する位置合わせマークを予め配設し、ステ
ップ・アンド・レビート法の各ステップ毎に該位置合わ
せマークに基いてマスクプランクス上の露光位置を補正
することにより、パターン位置の整合を高スループツト
で実現する。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第1図は本実施例のマスクパターン露光実施状況の模式
図、第2図はこの露光工程に用いるマスクプランクスの
1例の部分平面図である。
同図において、1はレティクルマスク、IAはその位置
合わせマーク、IBは目的とするレティクルパターン、
2は縮小投影レンズ、3はマスクプランクス、3Aはマ
スクプランクス上の位置合わせマーク、3Bは各ステッ
プのパターン投影範囲、4はステージであり、ディテク
タ5asスキヤンミラー5b、ハーフミラ−5C%ミラ
ー5dからなる位置検出機構5を4組備えている。
本実施例のマスクプランクス3にはこの露光工程に先立
って例えば第2図に例示する。如く、位置合わせマーク
3Aが各ステップのパターン投影範囲3Bの4隅に、電
子ビームリソグラフィ法等によりCr膜を除去して入射
光を透過するパターンとして配設されている。
各ステップのステージ移動後、位置合わせ光がレティク
ルマスク1の各位置合わせマークIAを透過してマスク
プランクス3に投影され、その位置合わせマーク3^部
分が暗くなった反射光をディテクタ5aで検出してレテ
ィクルマスクlとマスクプランクス3との相対的位置誤
差を算出し、レティクルマスク1を正しい位置に移動さ
せてレティクルマスク1のパターンを投影露光する。
本発明による位置補正を行わない場合にはパターン位置
に例えば±0.3 n程度のばらつきを生じているのに
対して、本実施例ではパターン位置が±0.15−程度
内にあり、多くのICのホトリソグラフィ用マスクとし
て十分な精度が実現されている。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、ICなどに必要な微
細で高精度のマスクを多数、迅速に製造することが可能
となり、エレクトロニクスの進展に大きい効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の模式図、 第2図は実施例のマスクプランクスの部分平面図である
。 図において、 lはレティクルマスク、 IAはその位置合わせマーク、 1Bは目的とするレティクルパターン、2は縮小投影レ
ンズ、 3はマスクプランクス、 3Aはその位置合わせマーク、 3Bは各ステップのパターン投影範囲、4はステージ、 5は位置検出機構、 5aはディテクタ、 5bはスキャンミラー、 5cはハーフミラ−1 5dはミラーを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  マスクプランクスに予め所要の位置合わせマークを配
    設し、該マスクプランクスに対するステップ・アンド・
    レピート法による露光位置を、各ステップ毎に該位置合
    わせマークに基いて補正することを特徴とするリソグラ
    フィマスクの製造方法。
JP61090336A 1986-04-18 1986-04-18 リソグラフイマスクの製造方法 Pending JPS62245265A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169841A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169841A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法
CN108169841B (zh) * 2017-12-28 2019-12-24 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法

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