JPS6224400Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6224400Y2 JPS6224400Y2 JP1982051981U JP5198182U JPS6224400Y2 JP S6224400 Y2 JPS6224400 Y2 JP S6224400Y2 JP 1982051981 U JP1982051981 U JP 1982051981U JP 5198182 U JP5198182 U JP 5198182U JP S6224400 Y2 JPS6224400 Y2 JP S6224400Y2
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- JP
- Japan
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- circuit
- rom
- read
- address
- output
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- Expired
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- 101100087530 Caenorhabditis elegans rom-1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100305983 Mus musculus Rom1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101001106432 Homo sapiens Rod outer segment membrane protein 1 Proteins 0.000 description 9
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は携帯用トランシーバ等の如く電池を電
源とする装置等において使用をする読み出し専用
の記憶装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a read-only storage device for use in devices powered by batteries, such as portable transceivers.
たとえば携帯用トランシーバにおいてPLLシン
セサイザのデータ用等に読み出し専用の記憶装置
が用いられる。この場合において電源が電池の場
合は消費電力の少ないことが望まれる。 For example, read-only storage devices are used in portable transceivers, such as for data in PLL synthesizers. In this case, if the power source is a battery, low power consumption is desired.
一方、従来の読み出し専用の記憶装置は第1図
に示す如く、読み出し専用の記憶回路(以下、
ROMと記す)1には、動作中、常に電池2から
電圧が印加されていて、アドレス切替回路3で指
示された番地の記憶内容が読み出される。 On the other hand, a conventional read-only memory device has a read-only memory circuit (hereinafter referred to as
A voltage is always applied to the ROM (hereinafter referred to as ROM) 1 from the battery 2 during operation, and the stored contents at the address specified by the address switching circuit 3 are read out.
しかるに上記した如き従来の読み出し専用の記
憶装置によれば、ROM1には動作中、常に電圧
が印加されているために、特にROM1にバイポ
ーラROMを使用した場合等においては消費電力
が多く、電源としての電池の消耗が速くなる欠点
があつた。 However, according to the conventional read-only storage device as described above, voltage is constantly applied to ROM1 during operation, so power consumption is large, especially when bipolar ROM is used as ROM1, and it is difficult to use as a power supply. The drawback was that the battery drained quickly.
本考案は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消した読み出し専用の記憶装置を提供
することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a read-only storage device that eliminates the above-mentioned drawbacks.
以下、本考案を実施例により説明する。 The present invention will be explained below with reference to examples.
第2図は本考案の一実施例のブロツク図であ
る。 FIG. 2 is a block diagram of one embodiment of the present invention.
ROM1はスイツチ回路4を介して電池2から
電源電圧が供給されるように構成してあり、
ROM1の出力はラツチ回路5に出力し、ラツチ
回路5でラツチするように構成してある。アドレ
ス切替回路3は、例えばトランシーバー等におい
てはチヤンネル切替装置であつて、その番地指定
出力はROM1に印加されてROM1の番地を指定
する。またアドレス切替回路3はROM1の番地
指定を変更したときは同時に番地指定を切替えた
旨の信号が出力される様に構成してある。 The ROM 1 is configured to be supplied with power supply voltage from the battery 2 via the switch circuit 4.
The output of the ROM 1 is output to a latch circuit 5 and is configured to be latched by the latch circuit 5. The address switching circuit 3 is a channel switching device in, for example, a transceiver, and its address designation output is applied to the ROM 1 to designate an address in the ROM 1. Further, the address switching circuit 3 is configured so that when the address designation of the ROM 1 is changed, a signal indicating that the address designation has been changed is simultaneously output.
また6は制御回路であつて、制御回路6は電池
2から電源電圧が印加されたとき同時に所定期間
のみスイツチ回路4に波形整形された出力を供給
してスイツチ回路4をオン状態に制御するととも
に、アドレス切替回路3がROM1への番地指定
を変更したときの信号が印加されたとき同時に所
定期間のみスイツチ回路4に波形整形された出力
を供給してスイツチ回路4をオン状態に制御する
ように構成してある。また制御回路6はスイツチ
回路4への出力発生と同期してROM1の出力発
生タイミングにタイミングを合せたラツチパルス
をラツチ回路5に出力するように構成してある。 Reference numeral 6 denotes a control circuit, which controls the switch circuit 4 to be on by supplying a waveform-shaped output to the switch circuit 4 for a predetermined period at the same time when the power supply voltage is applied from the battery 2. When the address switching circuit 3 is applied with a signal indicating that the address designation to the ROM 1 has been changed, the waveform-shaped output is supplied to the switch circuit 4 for a predetermined period at the same time, and the switch circuit 4 is controlled to be in the on state. It is configured. Further, the control circuit 6 is configured to output a latch pulse to the latch circuit 5 in synchronization with the generation of the output to the switch circuit 4 and the timing of which is matched to the output generation timing of the ROM 1.
以上の如く構成した本実施例において、電源投
入時には電源電圧が制御回路6に印加される。制
御回路6に電源電圧が印加されると、制御回路6
からの出力によりスイツチ回路4は所定期間、オ
ン状態になり、ROM1に電源2の電圧が印加さ
れ、アドレス切替回路3によつて指定されている
ROM1の番地のデータがラツチ回路5へ出力さ
れる。一方、制御回路6からラツチパルスが出力
されているためROM1からの出力データはラツ
チ回路5においてラツチされることになる。 In this embodiment configured as described above, the power supply voltage is applied to the control circuit 6 when the power is turned on. When the power supply voltage is applied to the control circuit 6, the control circuit 6
The switch circuit 4 is turned on for a predetermined period by the output from the ROM 1, and the voltage of the power supply 2 is applied to the ROM 1, which is specified by the address switching circuit 3.
The data at the address of ROM1 is output to the latch circuit 5. On the other hand, since the latch pulse is output from the control circuit 6, the output data from the ROM 1 is latched in the latch circuit 5.
上記の所定期間が経過するとスイツチ回路4は
オフ状態になりROM1に印加されていた電源電
圧の印加は遮断されるが、ラツチ回路5はROM
1の出力データを記憶し維持している。 When the above-mentioned predetermined period has elapsed, the switch circuit 4 turns off and the power supply voltage applied to the ROM1 is cut off, but the latch circuit 5 turns off the ROM.
The output data of 1 is stored and maintained.
つぎにアドレス切替回路3が切替えられると、
この切替により再び制御回路6は出力をスイツチ
回路4に出力し、電源投入時と同様な動作を行な
う。すなわちスイツチ回路4は切替回路3が番地
指定を切替えたときから所定期間、オン状態に維
持される。従つてROM1はアドレス切替回路3
が新たに指定した番地のデータを出力する。
ROM1の新たに指定された番地から出力された
出力データはラツチ回路5にラツチされることに
なり、前記した制御回路6へ電源電圧を印加した
ときと異なるのはラツチ回路5のデータのみとな
る。 Next, when the address switching circuit 3 is switched,
By this switching, the control circuit 6 again outputs the output to the switch circuit 4, and performs the same operation as when the power is turned on. That is, the switch circuit 4 is maintained in an on state for a predetermined period of time from when the switching circuit 3 switches the address designation. Therefore, ROM1 is address switching circuit 3
outputs the data at the newly specified address.
The output data output from the newly designated address of ROM 1 will be latched by the latch circuit 5, and only the data in the latch circuit 5 will be different from when the power supply voltage is applied to the control circuit 6 described above. .
このように、ROM1が動作するのは電源の投
入時から所定期間と、番地切替を行なつた時から
所定期間のみであり、ROM1に消費電力の多い
バイポーラROM等を使用したときにおいても、
長時間の経過からみれば消費電力は軽減されるこ
とになる。なお、ROM1の出力データはラツチ
回路5に記憶されているため、ROM1への電源
電圧が遮断されていても、ROM1から読み出さ
れた出力データが消失してしまう事はない。 In this way, ROM1 operates only for a predetermined period from the time the power is turned on and for a predetermined period from the time the address is changed.
Over a long period of time, power consumption will be reduced. Note that since the output data of the ROM1 is stored in the latch circuit 5, even if the power supply voltage to the ROM1 is cut off, the output data read from the ROM1 will not be lost.
また、ラツチ回路5に消費電力の少ないCMOS
のラツチ回路を使用すればさらに効果がある。 In addition, the latch circuit 5 uses CMOS with low power consumption.
It is even more effective to use a latch circuit.
以上説明した如く本考案によれば、読み出し専
用の記憶装置に、バイポーラROMの如く消費電
力の多いものを使用していても、その出力を、ラ
ツチ回路を使用することにより記憶しておくこと
ができて、ROMを特定の時間のみ動作させるこ
とが可能となり、長い時間でみれば消費電力を減
少させることができる。 As explained above, according to the present invention, even if a high power consumption device such as a bipolar ROM is used as a read-only storage device, its output can be stored by using a latch circuit. This allows the ROM to operate only for a specific period of time, reducing power consumption over the long term.
さらに本考案によれば、読み出し番地が変更さ
れたときにROMに電圧供給がなされ、ROMから
読み出されたデータがラツチ回路に記憶される。
したがつて読み出し番地が変更されない限り
ROMに電圧が供給されず、読み出された記憶内
容はラツチ回路に記憶されており、ラツチ回路か
ら読み出される。このため同一アドレスの記憶内
容が引き続いて必要なとき、ラツチ回路にROM
から読み出したデータが記憶されて、ROMへの
電源遮断後も外部回路に対するデータが消失して
しまうことはない。 Furthermore, according to the present invention, when the read address is changed, voltage is supplied to the ROM, and the data read from the ROM is stored in the latch circuit.
Therefore, unless the read address is changed
No voltage is supplied to the ROM, and the read memory contents are stored in the latch circuit and read out from the latch circuit. Therefore, when the memory contents at the same address are continuously required, the latch circuit
The data read from the ROM is stored, and the data for external circuits will not be lost even after the power to the ROM is cut off.
第1図は従来の読み出し専用の記憶装置のブロ
ツク図。第2図は本考案の一実施例のブロツク
図。
1……ROM、2……電池、3……アドレス切
替回路、4……スイツチ回路、5……ラツチ回
路、6……制御回路。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional read-only storage device. FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention. 1... ROM, 2... Battery, 3... Address switching circuit, 4... Switch circuit, 5... Latch circuit, 6... Control circuit.
Claims (1)
出力データをラツチするラツチ回路と、前記記憶
回路への電源電圧の印加をオン・オフするスイツ
チ回路と、前記電源電圧が印加された時および前
記記憶回路への読み出し番地が変更された時から
所定期間のみ前記スイツチ回路をオン状態に制御
するとともに前記スイツチ回路をオン状態に制御
した時期に同期して前記記憶回路がデータを出力
するタイミングに合せて前記ラツチ回路にラツチ
パルスを出力する制御手段とを備えてなることを
特徴とする読み出し専用の記憶装置。 a read-only memory circuit; a latch circuit that latches output data from the memory circuit; a switch circuit that turns on/off the application of a power supply voltage to the memory circuit; The switch circuit is controlled to be on for a predetermined period from the time when the read address to the circuit is changed, and the switch circuit is controlled to be in the on state in synchronization with the timing at which the memory circuit outputs data. A read-only storage device comprising: control means for outputting a latch pulse to the latch circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982051981U JPS58155700U (en) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | read-only storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1982051981U JPS58155700U (en) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | read-only storage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58155700U JPS58155700U (en) | 1983-10-18 |
JPS6224400Y2 true JPS6224400Y2 (en) | 1987-06-22 |
Family
ID=30062699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1982051981U Granted JPS58155700U (en) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | read-only storage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58155700U (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50105207A (en) * | 1974-01-24 | 1975-08-19 | ||
JPS553599U (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-10 |
-
1982
- 1982-04-12 JP JP1982051981U patent/JPS58155700U/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50105207A (en) * | 1974-01-24 | 1975-08-19 | ||
JPS553599U (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58155700U (en) | 1983-10-18 |
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