JPS6111764Y2 - - Google Patents

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JPS6111764Y2
JPS6111764Y2 JP2212980U JP2212980U JPS6111764Y2 JP S6111764 Y2 JPS6111764 Y2 JP S6111764Y2 JP 2212980 U JP2212980 U JP 2212980U JP 2212980 U JP2212980 U JP 2212980U JP S6111764 Y2 JPS6111764 Y2 JP S6111764Y2
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reset
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、工作機等のシーケンス制御に用い
られるシーケンス制御装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a sequence control device used for sequence control of machine tools and the like.

従来この種の装置として、第1図に示すものが
あつた。第1図において、1は発振器を備えサイ
クリツクに順次アドレス信号を発生するアドレス
発生回路、2はアドレス信号ラインに接続され制
御すべきシーケンスに対応した制御命令を記憶し
ている記憶素子で、例えばP−ROMから構成さ
れる。3は演算回路、5は入力選択回路で外部か
ら開閉制御される押ボタンスイツチ、リミツトス
イツチ、リレー等の接点群50〜5nが接続され
る。6は出力回路で外部負荷群60〜6n例えば
リレー、ソレノイド等が接続されている。4はデ
ータを一時記憶する記憶素子で例えばRAMから
構成される。7は直流電源装置、8は直流電源装
置7から給電開始時リセツト信号を発生するリセ
ツト回路で該リセツト信号により上記演算回路
3,記憶素子4を初期セツトする。
A conventional device of this type is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is an address generation circuit that includes an oscillator and generates address signals cyclically and sequentially, and 2 is a storage element that is connected to an address signal line and stores control commands corresponding to the sequence to be controlled. - Consists of ROM. 3 is an arithmetic circuit, and 5 is an input selection circuit to which contact groups 50 to 5n, such as pushbutton switches, limit switches, relays, etc., which are externally controlled to open and close, are connected. Reference numeral 6 denotes an output circuit to which external load groups 60 to 6n, such as relays and solenoids, are connected. Reference numeral 4 denotes a storage element for temporarily storing data, which is composed of, for example, a RAM. 7 is a DC power supply; 8 is a reset circuit that generates a reset signal when power supply starts from the DC power supply 7; the arithmetic circuit 3 and memory element 4 are initially reset by the reset signal;

次に動作について説明する。直流電源装置7に
より各回路へ制御電圧が給電されると、アドレス
発生回路1はアドレス信号を発生し記憶素子2に
送る。このアドレス信号は記憶素子2の記憶容量
に応じた番地数が設定してあり、サイクリツクに
先頭番地から最終番地まで順次繰り返す。記憶素
子2には制御対象である工作機等のシーケンスを
実行させるための制御命令が所定コードで記憶さ
れており、アドレス信号の歩進にともない1番地
づつ順次読出され入力選択回路5,演算回路3,
記憶素子4,出力回路6に送られる。入力選択回
路5は記憶素子2の制御命令が入力命令であるこ
とを解読し命令で指定された外部スイツチ群50
〜5nはあらかじめ定められているシーケンス手
順に従い適宜開閉される。
Next, the operation will be explained. When a control voltage is supplied to each circuit by the DC power supply 7, the address generation circuit 1 generates an address signal and sends it to the storage element 2. This address signal has the number of addresses set according to the storage capacity of the storage element 2, and is cyclically repeated from the first address to the last address. A control command for executing a sequence of a machine tool or the like to be controlled is stored in the memory element 2 as a predetermined code, and is sequentially read out one address at a time as the address signal advances and is sent to the input selection circuit 5 and the calculation circuit. 3,
The signal is sent to the memory element 4 and the output circuit 6. The input selection circuit 5 decodes that the control command for the storage element 2 is an input command and selects the external switch group 50 specified by the command.
~5n are opened and closed as appropriate according to a predetermined sequence procedure.

演算回路3は制御命令が演算命令であるとき、
入力選択回路5の出力信号相互間、後述する記憶
素子4の記憶データ相互間、又は、両信号間で命
令で指定された論理演算を実行する。この演算結
果データは、命令が記憶素子4の書込み命令であ
ればその命令べ指定された番地へ記憶され、又出
力命令であれば出力回路6の指定された外部負荷
群60〜6nを駆動する。この出力信号は、外部
入力信号が変化する等、データが変化するまで出
力回路6で保持される。
When the control command is a calculation command, the calculation circuit 3
A logical operation specified by a command is executed between output signals of the input selection circuit 5, between stored data of the storage element 4, which will be described later, or between both signals. If the instruction is a write instruction for the storage element 4, this operation result data is stored at the address specified by the instruction, and if the instruction is an output instruction, it drives the specified external load group 60 to 6n of the output circuit 6. . This output signal is held by the output circuit 6 until the data changes, such as when an external input signal changes.

記憶素子4は、演算結果データを書込み命令に
よつて書込み一時記憶するとともに、そのデータ
を読出命令により任意の回数読出す一種の無限接
点を有するリレーとして機能させるので通常
RAMが用いられる。
The memory element 4 normally functions as a type of relay with infinite contacts, in which calculation result data is written and temporarily stored in response to a write command, and read out an arbitrary number of times in response to a read command.
RAM is used.

また、リセツト回路8は直流電源装置7から給
電開始時に所定時間リセツト信号を発生し、過渡
的に演算回路3,記憶素子4に取り込まれる誤つ
たデータを抹消し初期セツトする。
Further, the reset circuit 8 generates a reset signal for a predetermined period of time at the start of power supply from the DC power supply device 7, erases erroneous data transiently taken into the arithmetic circuit 3 and the memory element 4, and initializes the data.

以上のように記憶素子2から順次出される命令
を、各回路が実行しシーケンス制御が行なわれる
が、その入力、出力間に注目すれば先頭番地から
最終番地まで高速で一巡するので、並列論理演算
を行なつているようにみなせる。
As described above, each circuit executes the instructions sequentially issued from the memory element 2, and sequence control is performed.If you pay attention to the input and output, the circuit goes around at high speed from the first address to the last address, so parallel logic operations It can be seen as doing the following.

ところで、入力信号を与えるスイツチ群50〜
5nの一つに押しボタンスイツチが設けられ該押
しボタンスイツチの操作により一時的に入力信号
が与えられた際に対応する負荷の動作を保持させ
るには上記記憶素子4の所定領域に押しボタンス
イツチの一時的動作を記憶保持させておきこの記
憶内容によつて負荷の動作を保持させることもで
きるが、電源が遮断されて上記記憶内容が消滅し
てしまえば電源を再投入した際には再度押しボタ
ンスイツチを操作しなければ負荷は動作すること
ができない。このために、電源が遮断された後電
源再投入時に押しボタンスイツチを再度操作しな
くても以前の負荷動作を可能とするいわゆるキー
プリレー機能を付加するには、外部にキープリレ
ーを設けるか、シーケンス制御装置にキープリレ
ー専用記憶素子を設けなければならず、シーケン
ス制御装置の機能が限定されるとか、複雑高価に
なる等の欠点があつた。
By the way, a group of switches 50 to 50 that provide input signals
5n is provided with a push button switch, and in order to maintain the operation of the corresponding load when an input signal is temporarily applied by operating the push button switch, a push button switch is provided in a predetermined area of the memory element 4. It is also possible to retain the temporary operation of the load in memory and use this memory content to maintain the operation of the load, but if the above memory content disappears when the power is cut off, it will not work again when the power is turned on again. The load cannot be operated unless the push button switch is operated. For this reason, in order to add a so-called keep relay function that enables the previous load operation without operating the push button switch again when the power is turned on again after the power has been cut off, it is necessary to install an external keep relay. A memory element dedicated to the keep relay must be provided in the sequence control device, which has disadvantages such as limiting the functions of the sequence control device and making it complicated and expensive.

この考案は叔上の如き従来の欠点を改良くるた
めになされたものであつて、通常シーケンス制御
装置が有する一時記憶用記憶素子の一部の記憶領
域をキープリレーとして機能させることにより安
価で高機能なシーケンス制御装置を提供しようと
するものである。
This invention was made to improve the conventional drawbacks as described above, and it is inexpensive and high-performance by making a part of the memory area of the temporary memory memory element normally included in the sequence control device function as a keep relay. The aim is to provide a functional sequence control device.

以下こを考案の一実施例を図について説明す
る。第2図は本考案の一実施例を示すブロツク図
であり、第3図はその部分詳細図である。図にお
いて、9は記憶素子4の電源電圧を切換制御する
電源切換回路でバツテリー90,充電回路を形成
する抵抗95,ダイオード91,電圧検知用のゼ
ナーダイオード96,抵抗97,トランジスタ9
3,電圧切換用トランジスタ94,そのベース抵
抗98,逆流防止用ダイオード92より構成さ
れ、トランジスタ94のコレクタとダイオード9
2との接続点より記憶素子4へ電源VBを供給す
る。
An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a partially detailed view thereof. In the figure, 9 is a power supply switching circuit that switches and controls the power supply voltage of the memory element 4, and includes a battery 90, a resistor 95 forming a charging circuit, a diode 91, a zener diode 96 for voltage detection, a resistor 97, and a transistor 9.
3. Consists of a voltage switching transistor 94, its base resistor 98, and a backflow prevention diode 92, and the collector of the transistor 94 and the diode 9
A power supply V B is supplied to the memory element 4 from the connection point with the memory element 2 .

10は記憶素子4の特定データ記憶領域を指定
するデコーダ101、このデコーダ出力とリセツ
ト回路8のリセツト信号とのAND論理をとる論
理素子102,この論理素子102の出力と所定
周期のデータ書込パルスとのOR論理をとる論理
素子103から成る制御回路で記憶素子4に対す
るデータの書込みを制御する。
10 is a decoder 101 that specifies a specific data storage area of the storage element 4; a logic element 102 that performs an AND logic between the output of this decoder and the reset signal of the reset circuit 8; and the output of this logic element 102 and a data write pulse of a predetermined period. A control circuit comprising a logic element 103 that performs OR logic with the data storage element 4 controls writing of data to the storage element 4.

以下、本考案の動作を説明する。第2図、第3
図に於て、今、直流電源装置7から各回路に制御
電源が給電され、与えられているシーケンスに従
いその動作を実行しているものとする。
The operation of the present invention will be explained below. Figures 2 and 3
In the figure, it is assumed that control power is now being supplied from the DC power supply device 7 to each circuit, and the circuits are executing their operations according to the given sequence.

この状態で、直流電源装置7の入力電源が遮断
されると、制御電圧P5も低下し、電源切換回路
9のゼナーダイオード96で決まる設定値にまで
低下すると、トランジスタ93のベース電流は零
となりカツトオフする。同じくトランジスタ94
もカツトオフされ、記憶素子4の電源VBはバツ
テリー90からダイオード92を介して給電され
る。この様に記憶素子4はバツテリー90により
電源が確保されるため、記憶しているデータは保
持されつづける。次に、再び直流電源装置7の入
力電源が投入され各回路へ制御電圧P5の給電が
開始されると、電圧切換回路9のゼナーダイオー
ド96が導通し、トランジスタ93,94を導通
させ、制御電圧P5を記憶素子4へ供給する。な
おバツテリー90の電圧は通常制御電圧P5より
も低く、記憶素子4の記憶データを保持するに必
要な電圧値が選ばれ、制御電圧P5の給電時は、
抵抗95,ダイオード91を介してトリクル充電
されている。
In this state, when the input power of the DC power supply 7 is cut off, the control voltage P5 also decreases to the set value determined by the Zener diode 96 of the power supply switching circuit 9, and the base current of the transistor 93 becomes zero. Cut off. Similarly transistor 94
Also, the power supply V B of the memory element 4 is supplied from a battery 90 via a diode 92 . In this way, since the memory element 4 is powered by the battery 90, the stored data continues to be retained. Next, when the input power of the DC power supply device 7 is turned on again and power supply of the control voltage P5 to each circuit is started, the Zener diode 96 of the voltage switching circuit 9 becomes conductive, making the transistors 93 and 94 conductive, and controlling the A voltage P5 is supplied to the memory element 4. Note that the voltage of the battery 90 is normally lower than the control voltage P5, and a voltage value necessary to retain the stored data in the memory element 4 is selected, and when power is supplied with the control voltage P5,
Trickle charging is performed via a resistor 95 and a diode 91.

またこの電源投入時に、リセツト回路8が動作
し、所定時間リセツト信号を発生して、演算回路
3の演算結果データをリセツトすると共に制御回
路10へ“H”レベルのリセツト信号を送る。な
お、制御回路10のデコーダ101は、記憶素子
2の命令があらかじめ指定された記憶素子4の一
部のデータ記憶領域に対する命令である場合
“H”レベルの出力を発生する。
When the power is turned on, the reset circuit 8 operates, generates a reset signal for a predetermined period of time, resets the calculation result data of the calculation circuit 3, and sends an "H" level reset signal to the control circuit 10. Note that the decoder 101 of the control circuit 10 generates an "H" level output when the command of the storage element 2 is a command for a part of the data storage area of the storage element 4 specified in advance.

アドレス発生回路1のアドレス信号の歩進によ
り記憶素子2から順次命令が出される。今、この
命令に記憶素子4へのデータ書込命令があり、そ
のデータ書き込み領域がデコーダ101で指定さ
れない領域であればデコーダ101の出力は
“L”レベルのままで論理素子102の出力は
“L”レベルとなりデータ書込パルスは論理素子
103を介して記憶素子4に送られる。従つて、
演算回路3のリセツトされたデータがデータ書込
パルスに応答して記憶素子4に書い込まれ、該記
憶素子4の上記デコーダ101で指定される領域
以外の領域に電源再投入前に書込まれていたデー
タは一新され初期セツトされる。この様にしてデ
コーダ101による指定外の記憶素子4のデータ
記憶領域への書込命令はリセツト信号により演算
回路3がリセツトされることによつて全て初期セ
ツトされる。
Commands are sequentially issued from the memory element 2 by incrementing the address signal of the address generation circuit 1. Now, if this instruction includes a data write instruction to the storage element 4 and the data write area is an area not specified by the decoder 101, the output of the decoder 101 remains at "L" level and the output of the logic element 102 becomes " The level becomes L'', and the data write pulse is sent to the storage element 4 via the logic element 103. Therefore,
The reset data of the arithmetic circuit 3 is written to the memory element 4 in response to a data write pulse, and is written to an area of the memory element 4 other than the area specified by the decoder 101 before the power is turned on again. The previous data will be updated and initialized. In this manner, all write commands by the decoder 101 to the data storage area of the undesignated storage element 4 are initialized by the arithmetic circuit 3 being reset by the reset signal.

一方、記憶素子2の命令がデコーダ101で指
定される記憶素子4の領域に対する書込命令が出
されればデコーダ101の出力は“H”レベルと
なり、又リセツト信号はその期間中は“H”レベ
ルであるので論理素子102の出力は“H”レベ
ルに、論理素子103の出力は“H”レベルとな
り記憶素子4のデータ書込パルスは禁止される。
従つて、この領域のデータは電源投入前のデータ
がそのまま保持され演算回路3のリセツトデータ
に変更(リセツト)されることはない。
On the other hand, if a write command to the area of the storage element 4 specified by the decoder 101 is issued to the memory element 2, the output of the decoder 101 becomes "H" level, and the reset signal remains "H" during that period. Therefore, the output of logic element 102 goes to "H" level, and the output of logic element 103 goes to "H" level, and the data write pulse of memory element 4 is inhibited.
Therefore, the data in this area remains as it is before the power is turned on, and is not changed (reset) to the reset data of the arithmetic circuit 3.

リセツト信号が解除される(“H”→“L”レ
ベル)と、デコーダ101の出力は無効となり、
記憶素子2の命令に従つた前述の通常の制御動作
となる。以上で明らかなように、デコーダ101
で指定される記憶素子4の領域は、キープリレー
として他の領域は通常のリレーとして使い分ける
ことができ、高価なキープリレー等を増設するこ
となく、既存の記憶素子4を用い簡単な構成でキ
ープリレー機能を実現できる。また、デコーダ1
01の設定を変えることによつてキープリレーと
して機能する領域を任意に指定できるので、記憶
素子4の領域を有効に活用でき、汎用性の高いも
のとすることができる。
When the reset signal is released (“H” → “L” level), the output of the decoder 101 becomes invalid,
The above-mentioned normal control operation follows the command of the memory element 2. As is clear from the above, the decoder 101
The area of the memory element 4 specified by can be used as a keep relay, and the other areas can be used as a normal relay, and the existing memory element 4 can be used for keeping with a simple configuration without adding an expensive keep relay or the like. A relay function can be realized. Also, decoder 1
By changing the setting of 01, the area that functions as a keep relay can be arbitrarily specified, so the area of the memory element 4 can be effectively utilized, and the device can be highly versatile.

以上のように、この考案によれば、シーケンス
制御装置本来の持つ一時記憶用の記憶素子の領域
うち、制御回路のデコーダによつて指定される所
定の領域はキープリレーの如くに機能させるとい
う簡単な構成によりキープリレー機能並びに通常
のリレー機能を得ることができ、多機能で汎用性
の高いものが安価に得られる等の効果がある。
As described above, according to this invention, a predetermined area specified by the decoder of the control circuit out of the area of the temporary storage memory element inherent in the sequence control device is made to function like a keep relay. With this configuration, it is possible to obtain a keep relay function as well as a normal relay function, and there are effects such as being able to obtain a multifunctional and highly versatile product at a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のシーケンス制御装置を示すブロ
ツク図、第2図はこの考案の一実施例によるシー
ケンス制御装置を示すブロツク図、第3図は第2
図の部分詳細電気回路図である。 図中、1はアドレス発生回路,2,4は記憶素
子,3は演算回路,5は入力選択回路,6は出力
回路,7は直流電源,8はリセツト回路,9は電
圧切換回路,10は制御回路である。なお、図
中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram showing a conventional sequence control device, FIG. 2 is a block diagram showing a sequence control device according to an embodiment of this invention, and FIG.
3 is a detailed electrical circuit diagram of a portion of the figure; FIG. In the figure, 1 is an address generation circuit, 2 and 4 are storage elements, 3 is an arithmetic circuit, 5 is an input selection circuit, 6 is an output circuit, 7 is a DC power supply, 8 is a reset circuit, 9 is a voltage switching circuit, and 10 is a It is a control circuit. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] サイクリツクにアドレス信号を発生するアドレ
ス発生回路予め記憶している命令を上記アドレス
信号に対応して順次出力する第1の記憶素子、複
数の入力信号を受け、上記第1の記憶素子からの
入力命令に従つて該入力信号を選択し出力する入
力選択回路、上記第1の記憶素子の書込命令で指
定された領域にデータを記憶し、また、読み出し
命令で指令された領域の記憶データを出力する第
2の記憶素子、上記第1の記憶素子の演算命令で
指定された論理で上記入力選択回路の出力間、前
記第2の記憶素子の記憶データ間等を演算し演算
データを上記第2の記憶素子に与える演算回路、
複数の出力部を有し上記演算回路の演算データに
応じて上記第1の記憶素子の出力命令で指定され
た出力部に出力を発生する出力回路、上記各回路
および上記各記憶素子に電圧を供給する直流電源
装置、バツテリを有し上記直流電源装置の電圧が
設定値以下になれば上記第2の記憶素子に上記バ
ツテリから給電する電圧切換手段、上記直流電源
装置の投入時上記演算回路および第2の記憶素子
のデータをリセツトさせるリセツト信号を発生す
るリセツト回路、及び第2の記憶素子の所定の領
域を指定するデコーダを有し、上記リセツト信号
によるリセツト時においては、上記デコーダ出力
に基づいて上記所定の領域の記憶データのリセツ
トを阻止し、他の領域の記憶データをリセツトさ
せる制御回路を備えたシーケンス制御装置。
an address generation circuit that cyclically generates an address signal; a first memory element that sequentially outputs pre-stored instructions in response to the address signal; a first memory element that receives a plurality of input signals and receives input instructions from the first memory element; an input selection circuit that selects and outputs the input signal according to the input signal, stores data in the area designated by the write command of the first storage element, and outputs stored data in the area commanded by the read command; A second storage element that performs calculations between the outputs of the input selection circuit, data stored in the second storage element, etc. using the logic specified by the calculation instruction of the first storage element, and transfers the calculation data to the second storage element. an arithmetic circuit that supplies the memory element of
An output circuit having a plurality of output parts and generating an output to an output part designated by an output command of the first storage element according to the calculation data of the calculation circuit, and applying a voltage to each of the circuits and each of the storage elements. a DC power supply device that supplies power, a voltage switching means that has a battery and supplies power from the battery to the second storage element when the voltage of the DC power supply device becomes less than a set value, the arithmetic circuit when the DC power supply device is turned on; It has a reset circuit that generates a reset signal that resets the data in the second storage element, and a decoder that specifies a predetermined area of the second storage element, and when reset by the reset signal, the reset circuit generates a reset signal that resets the data in the second storage element. A sequence control device comprising a control circuit that prevents resetting of stored data in the predetermined area and resets stored data in other areas.
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