JPS62232974A - 光電変換膜の作製方法 - Google Patents

光電変換膜の作製方法

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JPS62232974A
JPS62232974A JP61076072A JP7607286A JPS62232974A JP S62232974 A JPS62232974 A JP S62232974A JP 61076072 A JP61076072 A JP 61076072A JP 7607286 A JP7607286 A JP 7607286A JP S62232974 A JPS62232974 A JP S62232974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
photoelectric conversion
conversion film
sand grinder
film thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP61076072A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuji Okibayashi
沖林 勝司
Shoji Ohara
大原 荘司
Shuhei Tsuchimoto
修平 土本
Masaya Hijikigawa
正也 枅川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ファクシミリや文字画像の読み取り入力装置
に用いられる例えば密着型イメージセンサ−等を構成す
る光電変換膜の作製方法に関するものである。
〈従来の技術〉 一般にラインセンサを用いた画像読取り装置では、螢光
管や発光ダイオード(LED)アレイなどで照明された
原稿の情報を光学レンズや口・ノドレンズアレイを通し
てセンサ上に結像し、原稿またはセンサを移動させるこ
とにより、2次元情報を読み取る様に構成されている。
従来この種の受光センサとしては、−次元の固体イメー
ジ素子(CCDまたはMOS型)を用い、原稿像をスリ
、ット露光かつ縮少結像することにより、対応した画像
情報信号を得ている。この−次元イメージ素子はIC技
術を使って作製される30瓢程度の大きさの素子であり
、このため原稿からの反射光を縮小して受光部へ導くに
は光路長の長い光学系を用いざるを得す、装置の小型化
が困難である。更にこの様な装置では光学系の複雑な調
節が必要であり、また画面周辺部の光量低下、分解能の
劣化と8°*I”J[4’4Ell・     8これ
らの問題点の改善のために原稿幅1同一寸法の長さの長
尺イメージ素子を用い、ファイバーレンズアレイを用い
て密着結像するいわゆる密着型イメージ素子が提案され
ている。この様な素子では大型の光電変換部が必要で大
面積に渡る均一な光電変換膜の形成が要求される。
現在長尺のイメージセンサを作るため非晶質シリコン薄
膜等が提案されているが、長尺に渡る光電変換特性の均
一化が困難であり、異常結晶生長等による画素欠陥が生
じやすい等、歩留まり及び再現性が悪く、まだ、CVD
装置等の設備投資が莫〆大でコスト面でも問題がある。
この様な長尺の光電変換素子を歩留り良く低コストで得
るため、II−IV族化合物半導体粉末を融剤であるC
dのハロゲン化物の一種以上及び低融点ガラスフリット
を有機オイルと共に調合し、サンドグラインダー装置に
て混練粉砕しペーストを作製したものを基板に塗布し該
基板を熱処理して光電変換を作製する方法が提案されて
いる。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、上記のような方法においては、サンドグライン
ダー分散時にペースト中に気泡が多量に取り込まれ、基
板への塗布時に膜表面に気泡が発生し、その部分の膜厚
が薄くなったり、ピンホールが生じ、読取り画素間の出
力のバラツキまたは欠陥となる等の問題点があった。
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであり、上
述の技術的課題を解決し、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去すること作製できる光電変換膜
の作製方法を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため、本発明はII−IV族化合
物半導体粉末を融剤であるCdのハロゲン化物の一種以
上及び低融点ガラスフリットを有機オイルと共に調合し
、サンドグラインダー装置にて混練、粉砕し、ペースト
状にしだものを基板に塗布し、この基板を熱処理して光
電変換膜を作製する光電変換膜の作製方法であって、サ
ンドグラインダー分散前まだは直後に消泡剤を添加する
ように構成している。
即ち、本発明は、ペーストの原料調合時またはサンドグ
ラインダー分散後に例えばシリコンオイルを主成分とす
る消泡剤をペースト中に混入し、サンドグラインダー分
散時にペースト中に取り込まれる気泡を除去することに
より優れた光電変換膜を得られるように成したことを特
徴としている。
〈作 用〉 本発明に従えば、ペースト中にシリコンオイル等の消泡
剤を添加することにより、ペースト中の気泡を脱泡作用
により除去し、このペーストラ基板に塗布するときに生
じる光電変換膜のペースト中の気泡に起因する膜の陥没
及び平坦性の悪化、膜の欠落(ピンホール)をなくし、
光電変換膜の特性の均−化及び歩留りの向上が計られる
〈実施例〉 次に本発明を実施例を挙げて、更に詳細に説明するが、
以下に示す実施例はあくまでも一例であって、これらの
実施例により本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
まず、化学析出法で得たCuCl2を250ppm含有
するCdSe生粉及びCdS生粉をそれぞれ窒素中80
0℃で焼成し得られた平均粒径3.5μmのCdSe粉
末及び粒子径(平均粒径)2.5μmのCdS粉末を(
CdSe )o、g (CdS)o、2の割合で秤量し
、CdCl2を5.1モル%添加し、チニングオイルと
共に調合した。これらの物質をサンドグラインダ容器に
入れ、アルミナボールのメディアと共に攪拌し、CdS
、CdSe、CdCl2等の粉砕及び混練を約11時間
行ないペーストを作製する。
次に、このサンドグラインダー分散によりペースト中に
取り込まれた気泡を脱泡するため、ペースト重量log
に対しシリコンオイルを主成分とする消泡剤0.1g添
加し、超音波分散法にて水冷却しながら600Wの出力
で20分間分散し、その後30分間靜置市ることにより
消泡処理を行なう。この結果シリコンオイルによりペー
ストの表面張力か低くなりペースト中の気泡がはじけや
すくなり、消泡が促される。
この様に作製したペーストをスクリーン印刷法にてコー
ニング17059ガラス板上に3WIII幅。
220a長のストライプ状に膜厚10μmに塗布する。
このとき膜厚分布は±0.5μmの範囲内に収まり、ロ
フト間の膜厚分布も±1μmの範囲に収まり、塗布膜の
膜厚制御性が非常に良くなる。
次に、この塗布膜をエアー雰囲気中で470℃×2Hの
熱処理を行ない微結晶粒を結晶成長させる。
この熱処理に伴い膜厚は6μmへ収縮する。
次に、リフトオフ法を用いたフォトリ\グラフイ一工程
によりチタン(Ti)電極を光電変換膜上に125μm
ピッチにて1728画素分形成し、さらに信号処理を簡
単にするためマトリックス配線を施こす。
上記の方法で作製した素子は、バイアス電圧12v、波
長695μm、160μW/c4.100Hzの入射光
に対して800μAの信号電流を読み取ることが出来1
.各画素間の均一性±5%光応答速度は5m5ec以下
であった。これに対しサンドグラインダー分散後ペース
ト中に消泡剤を加えない場合、塗布後の膜厚分布は7±
3μmとなり、ロット間の膜厚分布も±4μmの範囲と
なる。この結果素子の特性は、平均膜厚の減少から50
0μAと低くなり、特に各画素間の均一性は±20%と
非常に悪い。これは塗布後の膜厚の変化に対応しており
薄くなると出力は減少するためである。
また、サンドグラインダー分散後消泡剤を添加しないペ
ーストを塗布し走時塗布膜に直径0.1〜2節φ程度の
くぼみ及びピンホールが生じることがあり、この上にT
i電極が形成された場合、その画素が出力の出ない欠陥
画素となる場合があるが、これはペースト中のアワが塗
布直後はじけて生じるためであり、本発明の様にペース
ト中の気泡をなくすことにより、欠陥画素を皆無にする
ことができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えばサンドグラインダー分散前に消泡剤を添加するよ
うに成しても同様に良好な結果を得ることが出来た。
また消泡剤の量も、ペースト重量に対して0.05〜5
%の範囲の割合で添加することにより良好な結果が得ら
れた。
〈発明の効果〉 以上の様に本発明にあっては、サンドグラインダー分散
前、またその直後にシリコンオイルを主成分とする消泡
剤を添加することにより、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去することが出来、その結果、膜
厚の均一な、かつピンホールの無い光電特性の均一性の
優れた光電変換膜を作製することが出来る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、II−IV族化合物半導体粉末を融剤であるCdのハロ
    ゲン化物の一種以上及び低融点ガラスフリットを有機オ
    イルと共に調合し、サンドグラインダー装置にて混練、
    粉砕し、ペースト状にしたものを基板に塗布し、該基板
    を熱処理して光電変換膜を作製する光電変換膜の作製方
    法であって、 サンドグラインダー分散前または直後に消泡剤を添加す
    ることを特徴とする光電変換膜の作製方法。 2、前記消泡剤はシリコンオイルを主成分とすることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光電変換膜の作
    製方法。 3、前記消泡剤は、ペースト重量に対し0.05〜5%
    の割合で添加してなることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の光電変換膜の作製方法。
JP61076072A 1986-04-02 1986-04-02 光電変換膜の作製方法 Pending JPS62232974A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260324A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物およびそれを用いた光電変換素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260324A (ja) * 2008-03-25 2009-11-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物およびそれを用いた光電変換素子
US8871847B2 (en) 2008-03-25 2014-10-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition and photo-electric converting element obtained using the same

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