JPS62232974A - 光電変換膜の作製方法 - Google Patents
光電変換膜の作製方法Info
- Publication number
- JPS62232974A JPS62232974A JP61076072A JP7607286A JPS62232974A JP S62232974 A JPS62232974 A JP S62232974A JP 61076072 A JP61076072 A JP 61076072A JP 7607286 A JP7607286 A JP 7607286A JP S62232974 A JPS62232974 A JP S62232974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- photoelectric conversion
- conversion film
- sand grinder
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 1
- 241000219104 Cucurbitaceae Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ファクシミリや文字画像の読み取り入力装置
に用いられる例えば密着型イメージセンサ−等を構成す
る光電変換膜の作製方法に関するものである。
に用いられる例えば密着型イメージセンサ−等を構成す
る光電変換膜の作製方法に関するものである。
〈従来の技術〉
一般にラインセンサを用いた画像読取り装置では、螢光
管や発光ダイオード(LED)アレイなどで照明された
原稿の情報を光学レンズや口・ノドレンズアレイを通し
てセンサ上に結像し、原稿またはセンサを移動させるこ
とにより、2次元情報を読み取る様に構成されている。
管や発光ダイオード(LED)アレイなどで照明された
原稿の情報を光学レンズや口・ノドレンズアレイを通し
てセンサ上に結像し、原稿またはセンサを移動させるこ
とにより、2次元情報を読み取る様に構成されている。
従来この種の受光センサとしては、−次元の固体イメー
ジ素子(CCDまたはMOS型)を用い、原稿像をスリ
、ット露光かつ縮少結像することにより、対応した画像
情報信号を得ている。この−次元イメージ素子はIC技
術を使って作製される30瓢程度の大きさの素子であり
、このため原稿からの反射光を縮小して受光部へ導くに
は光路長の長い光学系を用いざるを得す、装置の小型化
が困難である。更にこの様な装置では光学系の複雑な調
節が必要であり、また画面周辺部の光量低下、分解能の
劣化と8°*I”J[4’4Ell・ 8これ
らの問題点の改善のために原稿幅1同一寸法の長さの長
尺イメージ素子を用い、ファイバーレンズアレイを用い
て密着結像するいわゆる密着型イメージ素子が提案され
ている。この様な素子では大型の光電変換部が必要で大
面積に渡る均一な光電変換膜の形成が要求される。
ジ素子(CCDまたはMOS型)を用い、原稿像をスリ
、ット露光かつ縮少結像することにより、対応した画像
情報信号を得ている。この−次元イメージ素子はIC技
術を使って作製される30瓢程度の大きさの素子であり
、このため原稿からの反射光を縮小して受光部へ導くに
は光路長の長い光学系を用いざるを得す、装置の小型化
が困難である。更にこの様な装置では光学系の複雑な調
節が必要であり、また画面周辺部の光量低下、分解能の
劣化と8°*I”J[4’4Ell・ 8これ
らの問題点の改善のために原稿幅1同一寸法の長さの長
尺イメージ素子を用い、ファイバーレンズアレイを用い
て密着結像するいわゆる密着型イメージ素子が提案され
ている。この様な素子では大型の光電変換部が必要で大
面積に渡る均一な光電変換膜の形成が要求される。
現在長尺のイメージセンサを作るため非晶質シリコン薄
膜等が提案されているが、長尺に渡る光電変換特性の均
一化が困難であり、異常結晶生長等による画素欠陥が生
じやすい等、歩留まり及び再現性が悪く、まだ、CVD
装置等の設備投資が莫〆大でコスト面でも問題がある。
膜等が提案されているが、長尺に渡る光電変換特性の均
一化が困難であり、異常結晶生長等による画素欠陥が生
じやすい等、歩留まり及び再現性が悪く、まだ、CVD
装置等の設備投資が莫〆大でコスト面でも問題がある。
この様な長尺の光電変換素子を歩留り良く低コストで得
るため、II−IV族化合物半導体粉末を融剤であるC
dのハロゲン化物の一種以上及び低融点ガラスフリット
を有機オイルと共に調合し、サンドグラインダー装置に
て混練粉砕しペーストを作製したものを基板に塗布し該
基板を熱処理して光電変換を作製する方法が提案されて
いる。
るため、II−IV族化合物半導体粉末を融剤であるC
dのハロゲン化物の一種以上及び低融点ガラスフリット
を有機オイルと共に調合し、サンドグラインダー装置に
て混練粉砕しペーストを作製したものを基板に塗布し該
基板を熱処理して光電変換を作製する方法が提案されて
いる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記のような方法においては、サンドグライン
ダー分散時にペースト中に気泡が多量に取り込まれ、基
板への塗布時に膜表面に気泡が発生し、その部分の膜厚
が薄くなったり、ピンホールが生じ、読取り画素間の出
力のバラツキまたは欠陥となる等の問題点があった。
ダー分散時にペースト中に気泡が多量に取り込まれ、基
板への塗布時に膜表面に気泡が発生し、その部分の膜厚
が薄くなったり、ピンホールが生じ、読取り画素間の出
力のバラツキまたは欠陥となる等の問題点があった。
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであり、上
述の技術的課題を解決し、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去すること作製できる光電変換膜
の作製方法を提供することを目的としている。
述の技術的課題を解決し、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去すること作製できる光電変換膜
の作製方法を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明はII−IV族化合
物半導体粉末を融剤であるCdのハロゲン化物の一種以
上及び低融点ガラスフリットを有機オイルと共に調合し
、サンドグラインダー装置にて混練、粉砕し、ペースト
状にしだものを基板に塗布し、この基板を熱処理して光
電変換膜を作製する光電変換膜の作製方法であって、サ
ンドグラインダー分散前まだは直後に消泡剤を添加する
ように構成している。
物半導体粉末を融剤であるCdのハロゲン化物の一種以
上及び低融点ガラスフリットを有機オイルと共に調合し
、サンドグラインダー装置にて混練、粉砕し、ペースト
状にしだものを基板に塗布し、この基板を熱処理して光
電変換膜を作製する光電変換膜の作製方法であって、サ
ンドグラインダー分散前まだは直後に消泡剤を添加する
ように構成している。
即ち、本発明は、ペーストの原料調合時またはサンドグ
ラインダー分散後に例えばシリコンオイルを主成分とす
る消泡剤をペースト中に混入し、サンドグラインダー分
散時にペースト中に取り込まれる気泡を除去することに
より優れた光電変換膜を得られるように成したことを特
徴としている。
ラインダー分散後に例えばシリコンオイルを主成分とす
る消泡剤をペースト中に混入し、サンドグラインダー分
散時にペースト中に取り込まれる気泡を除去することに
より優れた光電変換膜を得られるように成したことを特
徴としている。
〈作 用〉
本発明に従えば、ペースト中にシリコンオイル等の消泡
剤を添加することにより、ペースト中の気泡を脱泡作用
により除去し、このペーストラ基板に塗布するときに生
じる光電変換膜のペースト中の気泡に起因する膜の陥没
及び平坦性の悪化、膜の欠落(ピンホール)をなくし、
光電変換膜の特性の均−化及び歩留りの向上が計られる
。
剤を添加することにより、ペースト中の気泡を脱泡作用
により除去し、このペーストラ基板に塗布するときに生
じる光電変換膜のペースト中の気泡に起因する膜の陥没
及び平坦性の悪化、膜の欠落(ピンホール)をなくし、
光電変換膜の特性の均−化及び歩留りの向上が計られる
。
〈実施例〉
次に本発明を実施例を挙げて、更に詳細に説明するが、
以下に示す実施例はあくまでも一例であって、これらの
実施例により本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
以下に示す実施例はあくまでも一例であって、これらの
実施例により本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
まず、化学析出法で得たCuCl2を250ppm含有
するCdSe生粉及びCdS生粉をそれぞれ窒素中80
0℃で焼成し得られた平均粒径3.5μmのCdSe粉
末及び粒子径(平均粒径)2.5μmのCdS粉末を(
CdSe )o、g (CdS)o、2の割合で秤量し
、CdCl2を5.1モル%添加し、チニングオイルと
共に調合した。これらの物質をサンドグラインダ容器に
入れ、アルミナボールのメディアと共に攪拌し、CdS
、CdSe、CdCl2等の粉砕及び混練を約11時間
行ないペーストを作製する。
するCdSe生粉及びCdS生粉をそれぞれ窒素中80
0℃で焼成し得られた平均粒径3.5μmのCdSe粉
末及び粒子径(平均粒径)2.5μmのCdS粉末を(
CdSe )o、g (CdS)o、2の割合で秤量し
、CdCl2を5.1モル%添加し、チニングオイルと
共に調合した。これらの物質をサンドグラインダ容器に
入れ、アルミナボールのメディアと共に攪拌し、CdS
、CdSe、CdCl2等の粉砕及び混練を約11時間
行ないペーストを作製する。
次に、このサンドグラインダー分散によりペースト中に
取り込まれた気泡を脱泡するため、ペースト重量log
に対しシリコンオイルを主成分とする消泡剤0.1g添
加し、超音波分散法にて水冷却しながら600Wの出力
で20分間分散し、その後30分間靜置市ることにより
消泡処理を行なう。この結果シリコンオイルによりペー
ストの表面張力か低くなりペースト中の気泡がはじけや
すくなり、消泡が促される。
取り込まれた気泡を脱泡するため、ペースト重量log
に対しシリコンオイルを主成分とする消泡剤0.1g添
加し、超音波分散法にて水冷却しながら600Wの出力
で20分間分散し、その後30分間靜置市ることにより
消泡処理を行なう。この結果シリコンオイルによりペー
ストの表面張力か低くなりペースト中の気泡がはじけや
すくなり、消泡が促される。
この様に作製したペーストをスクリーン印刷法にてコー
ニング17059ガラス板上に3WIII幅。
ニング17059ガラス板上に3WIII幅。
220a長のストライプ状に膜厚10μmに塗布する。
このとき膜厚分布は±0.5μmの範囲内に収まり、ロ
フト間の膜厚分布も±1μmの範囲に収まり、塗布膜の
膜厚制御性が非常に良くなる。
フト間の膜厚分布も±1μmの範囲に収まり、塗布膜の
膜厚制御性が非常に良くなる。
次に、この塗布膜をエアー雰囲気中で470℃×2Hの
熱処理を行ない微結晶粒を結晶成長させる。
熱処理を行ない微結晶粒を結晶成長させる。
この熱処理に伴い膜厚は6μmへ収縮する。
次に、リフトオフ法を用いたフォトリ\グラフイ一工程
によりチタン(Ti)電極を光電変換膜上に125μm
ピッチにて1728画素分形成し、さらに信号処理を簡
単にするためマトリックス配線を施こす。
によりチタン(Ti)電極を光電変換膜上に125μm
ピッチにて1728画素分形成し、さらに信号処理を簡
単にするためマトリックス配線を施こす。
上記の方法で作製した素子は、バイアス電圧12v、波
長695μm、160μW/c4.100Hzの入射光
に対して800μAの信号電流を読み取ることが出来1
.各画素間の均一性±5%光応答速度は5m5ec以下
であった。これに対しサンドグラインダー分散後ペース
ト中に消泡剤を加えない場合、塗布後の膜厚分布は7±
3μmとなり、ロット間の膜厚分布も±4μmの範囲と
なる。この結果素子の特性は、平均膜厚の減少から50
0μAと低くなり、特に各画素間の均一性は±20%と
非常に悪い。これは塗布後の膜厚の変化に対応しており
薄くなると出力は減少するためである。
長695μm、160μW/c4.100Hzの入射光
に対して800μAの信号電流を読み取ることが出来1
.各画素間の均一性±5%光応答速度は5m5ec以下
であった。これに対しサンドグラインダー分散後ペース
ト中に消泡剤を加えない場合、塗布後の膜厚分布は7±
3μmとなり、ロット間の膜厚分布も±4μmの範囲と
なる。この結果素子の特性は、平均膜厚の減少から50
0μAと低くなり、特に各画素間の均一性は±20%と
非常に悪い。これは塗布後の膜厚の変化に対応しており
薄くなると出力は減少するためである。
また、サンドグラインダー分散後消泡剤を添加しないペ
ーストを塗布し走時塗布膜に直径0.1〜2節φ程度の
くぼみ及びピンホールが生じることがあり、この上にT
i電極が形成された場合、その画素が出力の出ない欠陥
画素となる場合があるが、これはペースト中のアワが塗
布直後はじけて生じるためであり、本発明の様にペース
ト中の気泡をなくすことにより、欠陥画素を皆無にする
ことができる。
ーストを塗布し走時塗布膜に直径0.1〜2節φ程度の
くぼみ及びピンホールが生じることがあり、この上にT
i電極が形成された場合、その画素が出力の出ない欠陥
画素となる場合があるが、これはペースト中のアワが塗
布直後はじけて生じるためであり、本発明の様にペース
ト中の気泡をなくすことにより、欠陥画素を皆無にする
ことができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えばサンドグラインダー分散前に消泡剤を添加するよ
うに成しても同様に良好な結果を得ることが出来た。
例えばサンドグラインダー分散前に消泡剤を添加するよ
うに成しても同様に良好な結果を得ることが出来た。
また消泡剤の量も、ペースト重量に対して0.05〜5
%の範囲の割合で添加することにより良好な結果が得ら
れた。
%の範囲の割合で添加することにより良好な結果が得ら
れた。
〈発明の効果〉
以上の様に本発明にあっては、サンドグラインダー分散
前、またその直後にシリコンオイルを主成分とする消泡
剤を添加することにより、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去することが出来、その結果、膜
厚の均一な、かつピンホールの無い光電特性の均一性の
優れた光電変換膜を作製することが出来る。
前、またその直後にシリコンオイルを主成分とする消泡
剤を添加することにより、サンドグラインダー分散時に
取り込まれた気泡を除去することが出来、その結果、膜
厚の均一な、かつピンホールの無い光電特性の均一性の
優れた光電変換膜を作製することが出来る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、II−IV族化合物半導体粉末を融剤であるCdのハロ
ゲン化物の一種以上及び低融点ガラスフリットを有機オ
イルと共に調合し、サンドグラインダー装置にて混練、
粉砕し、ペースト状にしたものを基板に塗布し、該基板
を熱処理して光電変換膜を作製する光電変換膜の作製方
法であって、 サンドグラインダー分散前または直後に消泡剤を添加す
ることを特徴とする光電変換膜の作製方法。 2、前記消泡剤はシリコンオイルを主成分とすることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光電変換膜の作
製方法。 3、前記消泡剤は、ペースト重量に対し0.05〜5%
の割合で添加してなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の光電変換膜の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076072A JPS62232974A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光電変換膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076072A JPS62232974A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光電変換膜の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62232974A true JPS62232974A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13594592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61076072A Pending JPS62232974A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | 光電変換膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62232974A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260324A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 組成物およびそれを用いた光電変換素子 |
-
1986
- 1986-04-02 JP JP61076072A patent/JPS62232974A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260324A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 組成物およびそれを用いた光電変換素子 |
US8871847B2 (en) | 2008-03-25 | 2014-10-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Composition and photo-electric converting element obtained using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100310102B1 (ko) | 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법 | |
JP2003161708A (ja) | 光リソグラフィー用光学部材及びその評価方法 | |
JPS636520A (ja) | 電気光学的画像装置 | |
US4759951A (en) | Heat-treating Cd-containing photoelectric conversion film in the presence of a cadmium halide | |
JPS62232974A (ja) | 光電変換膜の作製方法 | |
JPH08201750A (ja) | Lcdパネル画質検査装置用カメラ装置 | |
JP2005242354A (ja) | 画像センサ用アンチエイリアシング光フィルタ | |
CN1143159C (zh) | 显示装置和显示装置的制造方法 | |
US20040233406A1 (en) | Method for transferring a digital image so as to visually restore said digital image, and device for carrying out said method | |
Bergstrom et al. | Quantitative microradiography for studying dental enamel demineralization and remineralization | |
TW200301656A (en) | Image sensor having photosensitive color filters | |
JP2825860B2 (ja) | 光学的ローパスフィルター | |
EP0690448B1 (en) | Image reader system | |
WO2006123740A1 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶および光学撮像系デバイス | |
JPH0458699B2 (ja) | ||
CN104051485A (zh) | 固体摄像装置及其制造方法 | |
Laczik et al. | Comparison of surface polishing techniques used for InP wafers | |
Sunshine et al. | Infrared transmission microscopy utilising a high-resolution video display | |
JPH06334159A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP3645629B2 (ja) | 液晶ディスプレイのスペーサ分布測定方法 | |
JPS61185967A (ja) | 密着型イメ−ジ素子 | |
JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
JP2506654B2 (ja) | カラ−原稿読取装置 | |
JPS6272183A (ja) | 光電変換膜の製造方法 | |
JPS62119968A (ja) | 光電変換素子の製造方法 |