CN104051485A - 固体摄像装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明根据一个实施方式提供一种固体摄像装置，包括硅基板部、彩色滤光层、第1光学层、第2光学层及第3光学层。硅基板部包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部。彩色滤光层在与主面垂直的方向上与硅基板部分离，具有比硅基板部的折射率低的折射率。第1光学层设置在硅基板部与彩色滤光层之间，具有比彩色滤光层的折射率低且比硅基板部的折射率低的第1折射率，且为光透射性。第2光学层设置在第1光学层与彩色滤光层之间，具有比第1折射率高且比硅基板部的折射率低的第2折射率，是光透射性且为多晶。第3光学层设置在第2光学层与彩色滤光层之间，具有比彩色滤光层的折射率低且比第2折射率低的第3折射率，且为光透射性。
Description
相关申请的引用
本申请基于2013年3月12日申请的在先日本专利申请第2013-049703号的优先权，且主张其优先权利益，其全部内容通过引用包含在本说明书中。
技术领域
在此说明的多个实施方式整体上涉及一种固体摄像装置及其制造方法。
背景技术
例如，在CMOS图像传感器及CCD图像传感器等固体摄像装置中，存在为了提高灵敏度而在摄像部与彩色滤光层之间设置有调整折射率来抑制反射的层的结构。要求提高灵敏度的同时得到稳定的特性。
发明内容
本发明的实施方式提供一种高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置及其制造方法。
根据一个实施方式，提供一种包括硅基板部、彩色滤光层、第1光学层、第2光学层及第3光学层的固体摄像装置。上述硅基板部包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部。上述彩色滤光层在与上述主面垂直的方向上与上述硅基板部分离，具有比上述硅基板部的折射率低的折射率。上述第1光学层设置在上述硅基板部与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低且比上述硅基板部的上述折射率低的第1折射率，且为光透射性。上述第2光学层设置在上述第1光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，是光透射性且为多晶。上述第3光学层设置在上述第2光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低且比上述第2折射率低的第3折射率，且为光透射性。
根据另一个实施方式，提供一种固体摄像装置的制造方法，在包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部的硅基板部的上方，形成包括光透射性的第1光学层、光透射性且多晶的第2光学层、及光透射性的第3光学层的层叠体，上述第1光学层具有比上述硅基板部的折射率低的第1折射率，上述第2光学层设置在上述第1光学层的上方，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，上述第3光学层设置在上述第2光学层的上方，具有比上述第2折射率低的第3折射率，在上述层叠体的上方，形成具有比上述第1折射率高且比上述第3折射率高的折射率的彩色滤光层。
根据上述方案，能够得到高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置及其制造方法。
附图说明
图1是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性剖视图。
图2是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性俯视图。
图3是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图4是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图5是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图6是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的制造方法的流程图。
图7是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的制造方法的流程图。
图8是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。
图9是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的各实施方式。
附图是示意性或概念性的表示，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等不一定与现实相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，也存在彼此的尺寸及比率根据附图而不同地表示的情况。在本说明书和各图中，对于与已在附图中说明过的要素相同的要素附加同一符号并适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性剖视图。
如图1所示，本实施方式所涉及的固体摄像装置110包括硅基板部10、彩色滤光层50、第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33。在该例子中，固体摄像装置110是背面照射型的摄像装置。在背面照射型的摄像装置中，光从硅基板部10的背面侧入射。固体摄像装置110例如是CMOS图像传感器的例子。
硅基板部10具有主面10a。例如，可以将硅基板部10的1个面(例如上表面)设为主面10a。
将与主面10a垂直的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。
硅基板部10包括多个摄像部12。多个摄像部12设置在X-Y平面(与主面10a平行的平面)内。在该例子中，硅基板部10包括硅层13和设置在硅层13的一部分的多个摄像部12。硅层13例如是p型半导体层。摄像部12例如是包含pn结的光电二极管。硅基板部10还包括CMOS电路部11。例如，在硅基板部10中，摄像部12与CMOS电路部11相接触地设置。
在该例子中，在支撑基板5的上方设置有硅基板部10。在支撑基板5与摄像部12之间、以及支撑基板5与硅层13之间，设置有CMOS电路部11。
在本申请说明书中，设置在上方的状态包括直接接触地设置的状态、以及中间插入有其他要素的状态。
彩色滤光层50在Z轴方向(与主面10a垂直的方向)上与硅基板部10分离。彩色滤光层50具有比硅基板部10的折射率低的折射率。
例如，硅基板部10对530纳米(nm)的波长的折射率为4.2以上且4.3以下。例如，彩色滤光层50对530纳米的波长的折射率为1.55以上且1.65以下。例如，彩色滤光层50使用丙烯酸树脂。
第1光学层31设置在硅基板部10与彩色滤光层50之间。第1光学层31具有比彩色滤光层50的折射率低且比硅基板部10的折射率低的第1折射率。第1光学层31为光透射性。
第1光学层32设置在第1光学层31与彩色滤光层50之间。第2光学层32具有比第1折射率高且比硅基板部10的折射率低的第2折射率。第2光学层32为光透射性，且是多晶的。
第3光学层33设置在第2光学层32与彩色滤光层50之间。第3光学层33具有比彩色滤光层50的折射率低且比第2折射率低的第3折射率。第3光学层33为光透射性。
即，在该例子中，在硅基板部10的上方依次设置有第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33。包括第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33的层叠体30s例如作为反射抑制层发挥作用。
在该例子中，在第3光学层33与彩色滤光层50之间设置有平坦化层40。平坦化层40根据需要而设置，也可以省略。
彩色滤光层50例如包括第1色层51a、第2色层51b及第3色层51c。第1色层51a例如为红色。第2色层51b例如为绿色。第3色层51c例如为蓝色。这些色层配置在X-Y平面上。在X-Y平面上投影时，这些色层分别与各多个摄像部12重叠。
在该例子中，设置有多个聚光透镜(第1透镜53a、第2透镜53b及第3透镜53c)。在第1透镜53a与1个摄像部12之间配置有第1色层51a。在第2透镜53b与1个摄像部12之间配置有第2色层51b。在第3透镜53c与1个摄像部12之间配置有第3色层51c。
在该例子中，在聚光透镜与彩色滤光层50之间设置有平坦化膜52。平坦化膜52为光透射性。平坦化膜52根据需要而设置，也可以省略。
1个摄像部12对应于1个子像素(第1子像素81a、第2子像素81b及第3子像素81c)。
在固体摄像装置110中，例如1个像素80包括第1子像素81a、第2子像素81b及第3子像素81c。这样的像素80在X-Y平面内设置有多个。图1例示固体摄像装置110中所设置的多个像素80中的1个。
图2是例示第1实施方式所涉及的固体摄像装置的示意性俯视图。
如图2所示，在硅基板部10上配置有多个像素80。此外，设置有多个垂直扫描线85、垂直扫描电路85a、多个水平扫描线86、水平扫描电路86a、信号处理电路87及输出放大器88。
多个垂直扫描线85分别例如在X轴方向上延伸。多个水平扫描线86分别例如在Y轴方向上延伸。多个摄像部12分别配置在这些扫描线的各交叉部上。
多个垂直扫描线85与垂直扫描电路85a连接。多个水平扫描线86经由信号处理电路87与水平扫描电路86a连接。光入射到像素80(摄像部12)，像素的特性发生变化。反应了与光的强度对应的像素80的特性的变化的电信号经由信号处理电路87及水平扫描电路86a输入到输出放大器88。从输出放大器88输出与摄像数据对应的电信号。
在本实施方式所涉及的固体摄像装置110中，在折射率彼此大幅不同的硅基板部10与彩色滤光层50之间，设置有第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33。
这些光学层的厚度例如被设定为比可见光的波长薄。例如，第1光学层31的厚度、第2光学层32的厚度及第3光学层33的厚度分别比380nm薄。
例如，第1光学层31的厚度为10nm以上且小于25nm，例如为约15nm。第2光学层32的厚度为25nm以上且小于50nm，例如为35nm。第3光学层33的厚度为10nm以上且200nm以下，例如为15nm。
第2光学层32的第2折射率设定为第1光学层31的第1折射率与第3光学层33的第3折射率之间的值。
例如，530nm的波长下的第1折射率为1.45以上且小于1.55。530nm的波长下的第2折射率为2.55以上且2.66以下。530nm的波长下的第3折射率为1.45以上且小于1.55。
第2光学层32例如使用多晶的氧化钛(例如TiO2)，得到2.55以上且2.66以下的折射率。
第2光学层32设置在折射率高的硅基板部10与折射率低的彩色滤光层50之间，从而抑制反射损失。第2光学层32的第2折射率设定为接近硅基板部10的折射率(约4.25)和彩色滤光层50的折射率(约1.6)之积的平方根(约2.6)的值。由此能够降低反射损失。例如，如上所述，530nm的波长下的第2折射率设为2.55以上且2.66以下。由此，能够有效地抑制可见光区域的反射。由此，能够实现高灵敏度的摄像。
第1光学层31作为用于第2光学层32的基底层而发挥作用。例如，第2光学层32保护第1光学层31。第3光学层33作为用于第2光学层32的覆盖层而发挥作用，第3光学层33保护第2光学层32。
例如，第1光学层31及第3光学层33例如使用氧化硅。对于530nm的波长，第1光学层31的第1折射率及第3光学层33的第3折射率分别为约1.46。
在本实施方式所涉及的固体摄像装置110中，第2光学层32使用多晶的层。由此，特性的稳定性提高。例如，作为第2光学层32，若使用非晶的层，则可知特性难以稳定。
例如，在非晶的层中，层的致密性低。因此，气体、药液、杂质等容易侵入到层中。此外，例如在非晶的氧化钛层中，状态容易发生变化。例如，由于形成第2光学层32之后的工序，存在热施加到第2光学层32的情况。若作为第2光学层32而使用非晶的氧化钛，则由于该热，氧化钛层的状态发生变化，光学特性发生变化。
而在多晶的层中，层的致密性高。因此，能够抑制气体、药液、杂质等向层中侵入。由此，能够得到稳定的特性。此外，结晶化的氧化钛不会向非晶状态转变。例如，即使对多晶的氧化钛加热，也不会向非晶状态转变。因此，通过将多晶的层用作第2光学层32，能够抑制固体摄像装置的制造中及刚制造后的特性的变化（波动），进一步还能够提高使用中的可靠性。
根据实施方式，能够提供高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置。
如后文所述，在作为第2光学层32使用氧化钛的情况下，多晶的氧化钛与非晶的氧化钛相比，能够得到高折射率。
在将第2光学层32用作反射抑制层的情况下，第2光学层32的厚度及折射率被设定为，光学膜厚达到预定的值。此时，通过使用折射率高的多晶的氧化钛，与使用折射率低的非晶的氧化钛的情况相比，能够将第2光学层32的厚度减薄。由于能够减薄厚度，因此能够抑制像素之间的串扰，进一步能够实现高画质的摄像。
通过使用多晶的氧化钛，能够得到所期望的值即2.55以上且2.66以下的折射率。
以下，关于作为第2光学层32使用氧化钛的情况，说明氧化钛层的特性的例子。
图3是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图3是表示在硅基板上所设置的氧化硅膜的上方以各种条件所形成的氧化钛膜的特性的XRD特性。
第1试样SP01是使用氧化钛的靶并通过溅射来形成氧化钛层、且没有进行热处理的试样。第2试样SP350是将通过溅射来形成的氧化钛层在350℃下进行了热处理的试样。第3试样SP400是将通过溅射来形成的氧化钛层在400℃下进行了热处理的试样。第4试样SP450是将通过溅射来形成的氧化钛层在450℃下进行了热处理的试样。第5试样SP550是将通过溅射来形成的氧化钛层在550℃下进行了热处理的试样。图3的横轴是旋转角2θ(度)，纵轴是检测强度(任意单位)。
从图3可知，在没有进行热处理的第1试样SP01中，没有观察到明确的峰。在第1试样SP01中，氧化钛层为非晶。
而在进行了热处理的第1～第4试样中，在旋转角2θ为约25.3度处，观察到了峰。由此可知，在这些试样中存在锐钛矿结构的结晶。在该结晶中，向(101)面取向。
即，通过溅射来形成氧化钛层，并进行热处理(例如350℃以上)的热处理，从而能够得到具有锐钛矿结构的结晶性的氧化钛层。
图4是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图4是表示在硅基板上所设置的氧化硅膜的上方以各种条件所形成的氧化钛膜的特性的XRD特性。
第6试样SQ01是使用钛(金属)的靶并通过溅射来形成钛层、且没有进行热氧化处理的试样。第7试样SQ380是将通过溅射来形成的钛层在380℃下进行了1小时的热氧化处理的试样。第8试样SQ421是将通过溅射来形成的钛层在420℃下进行了1小时的热氧化处理的试样。第9试样SQ422是将通过溅射来形成的钛层在420℃下进行了3小时的热氧化处理的试样。图4的横轴是旋转角2θ(度)，纵轴是检测强度(任意单位)。
从图4可知，在没有进行热氧化处理的第6试样SQ01中，没有观察到明确的峰。
而在进行了热氧化处理的第7～第9试样中，在旋转角2θ为约27.5度及约36.5度处，观察到了峰。旋转角2θ为约27.5度的峰对应于(110)面取向的金红石结构的氧化钛层。旋转角2θ为约36.5度的峰对应于(101)面取向的金红石结构的氧化钛层。
这样，通过溅射来形成钛层，并进行热氧化处理，由此能够得到具有金红石结构的结晶性的氧化钛层。
从图3及图4可知，在锐钛矿结构的结晶中，实质上没有混合有金红石结构的结晶。另一方面，在金红石结构的结晶中，实质上没有混合有锐钛矿结构的结晶。这样，在这些试样中，能够得到单一的结晶结构。
例如，在非晶质的氧化钛层中，在层中存在大量的结构缺陷。在锐钛矿结构的氧化钛层中，结构缺陷的数量少。在金红石结构的氧化钛中，结构缺陷更少。
在非晶的氧化钛层中，致密性明显低。在锐钛矿结构的氧化钛层中，能够得到高致密性。在金红石结构的氧化钛中，致密性进一步提高。
例如，在530nm的波长下，在非晶的氧化钛层中，折射率为约2.45以上且2.52以下。在锐钛矿结构的氧化钛层中，能够得到约2.55以上且约2.6以下的折射率。在金红石结构的氧化钛中，能够得到约2.61以上且约2.67以下的折射率，折射率进一步提高。
从结构缺陷少、致密性高、折射率高的方面考虑，优选使用金红石结构的氧化钛。另一方面，在锐钛矿结构的氧化钛层中，容易进行制造，容易得到均匀且再现性高的稳定的特性。
图5是例示固体摄像装置的特性的坐标图。
图5例示将第3光学层33的厚度t3从0nm变为30nm时400nm至700nm的波长下的反射率的模拟结果。在模拟中，考虑了硅基板部10的折射率的波长分散。硅基板部10在530nm的波长下的折射率为4.3。彩色滤光层50在530nm的波长下的折射率为1.6。第1光学层31与硅基板部10相接触。第1光学层31在530nm的波长下的折射率为1.46。第1光学层31的厚度为15nm。第2光学层32在530nm的波长下的折射率为2.6。第2光学层32的厚度为35nm。第3光学层33与彩色滤光层50相接触，第3光学层33在530nm的波长下的折射率为1.46。图5的横轴是波长λ(nm)。纵轴是反射率Rf(%)。在图5中，厚度t3为0nm的情况对应于没有设置第3光学层33的情况。
从图5可知，即使改变第3光学层33的厚度t3，对光学膜厚的影响也小，因此所期望的530nm附近的反射率几乎不变化。在本实施方式中，将第3光学层33的厚度例如设定为约15nm。由此，400nm至700nm的波长区域的反射率平均为约4.5%，能够在比较宽的波长区域降低反射率Rf。
(第2实施方式)
第2实施方式涉及固体摄像装置的制造方法。
图6是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的制造方法的流程图。
如图6所示，在本制造方法中，在包含与主面10a平行的平面(X-Y平面)内所设置的多个摄像部12的硅基板部10的上方，形成层叠体30s(步骤S110)。层叠体30s包括第1光学层31、第2光学层32及第3光学层33。第1光学层31具有比硅基板部10的折射率低的第1折射率，是光透射性。第2光学层32设置在第1光学层31的上方，具有比第1折射率高且比硅基板部10的折射率低的第2折射率，是光透射性且为多晶。第3光学层33设置在第2光学层32的上方，具有比第2折射率低的第3折射率，是光透射性。
在本制造方法中，在层叠体30s的上方形成彩色滤光层50(步骤S120)。例如，彩色滤光层50的折射率比第1折射率高且比第3折射率高。
根据本实施方式，能够提供高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置的制造方法。
在本实施方式中，第2光学层32使用氧化钛。该氧化钛为多晶，具有锐钛矿结构或金红石结构。
以下，进一步说明本制造方法的例子。
图7是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。
如图7所示，在该例子中，在形成层叠体30s(步骤S110)时，形成第1光学层31(步骤S111)。在第1光学层31的上方形成非晶的氧化钛膜(步骤S112)。氧化钛膜例如通过溅射来形成。
进一步，对该非晶的氧化钛膜进行热处理，从而多晶化，形成第2光学层32(步骤S113)。热处理例如在350℃以上的温度下进行。热处理例如在550℃以下的温度下进行。
进一步，在第2光学层32的上方形成第3光学层33(步骤S114)。
由此，得到具有锐钛矿结构的氧化钛的第2光学层32。
图8是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。
如图8所示，在该例子中，在形成层叠体30s(步骤S110)时，形成第1光学层31(步骤S111)。在第1光学层31的上方形成非晶的氧化钛膜(步骤S112)。在这种情况下，氧化钛膜例如也通过溅射来形成。
在非晶的氧化钛膜的上方一边加热一边形成第3光学层33，将非晶的氧化钛膜多晶化，从而形成第2光学层32(步骤S114a)。在加热形成第3光学层33时，加热的温度例如为350度以上。通过加热来形成第3光学层33，由此非晶的氧化钛膜多晶化，能够得到多晶的氧化钛层。
由此，能够得到具有锐钛矿结构的氧化钛的第2光学层32。
在图7及图8例示的方法中，可知在形成非晶的氧化钛膜(步骤S112)时，若进行基板加热，则容易形成混合有锐钛矿结构、金红石结构的层。在混合有这种结晶结构的层中，表面平坦性恶化，表面的凹凸增大。因此，在形成非晶的氧化钛膜时，优选不进行基板的主动加热。在通过溅射来形成非晶的氧化钛膜时，存在基板的温度因溅射而上升的情况。在不进行该积极的加热的条件下，能够得到非晶的氧化钛膜。形成非晶的氧化钛膜时的基板的温度例如为60℃以下。由此，能够得到非晶的氧化钛膜，通过之后的多晶化，能够得到结晶结构单一的多晶。
图9是例示第2实施方式所涉及的固体摄像装置的其他制造方法的流程图。
如图9所示，在该例子中，在形成层叠体30s时(步骤S110)，形成第1光学层31(步骤S111)。在该例子中，作为第1光学层31及第3光学层33，使用氧化硅层。
在第1光学层31的上方形成钛层(金属的钛层)(步骤S112a)。钛层例如通过溅射法而形成。
将钛层热氧化来形成多晶的氧化钛，形成第2光学层32(步骤S113a)。
在第2光学层32的上方形成第3光学层33(步骤S114)。
由此，能够得到具有金红石结构的氧化钛的第2光学层32。
可知在这样形成钛层并将该钛层热氧化而得到多晶的氧化钛的情况下，钛层的膜质较大地影响氧化钛层的膜质。
在钛层具有柱状晶界的情况下，在氧化后的氧化钛层中，结晶容易变得不均匀。在钛层具有粒状晶界的情况下，在氧化后的氧化钛层中容易得到均质且致密的多晶。粒状晶界例如具有曲面状的晶界。可知在钛层中的各粒状晶界的直径为5nm以上且20nm以下的情况下，氧化后的氧化钛层成为致密的金红石结构的多晶，能够在均质下得到高折射率。
这种钛层能够通过使用钛靶的溅射法来形成。此时，通过将溅射成膜时的压力(例如氩气的压力)设定得比较大，且调整功率，容易得到上述的粒状晶界。
若通过溅射形成的钛层中的膜中氧浓度过高，则难以得到均质的多晶。钛层中的膜中氧浓度优选为20原子百分点以下。
根据实施方式，能够提供高稳定性且高灵敏度的固体摄像装置及其制造方法。
以上，参照具体例说明了本发明的实施方式。但是，本发明的实施方式不限于这些具体例。例如，关于固体摄像装置中所包含的摄像部、硅基板、光学层、平坦化层、平坦化膜、彩色滤光层及聚光透镜等各要素的具体结构，只要本领域技术人员可从公知的范围内进行适当选择来同样实施本发明，并得到相同的效果，就包含在本发明的范围内。
此外，将各具体例的任何2个以上的要素在技术上可行的范围内组合时，只要包含本发明的要旨，就也包含在本发明的范围内。
此外，作为本发明的实施方式，本领域技术人员在上述固体摄像装置及其制造方法的基础上能够适当变更设计来实施的所有固体摄像装置及其制造方法，也只要包含本发明的实施方式的要旨，就属于本发明的范围内。
此外，在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能够想到各种变更例及修正例，这些变更例及修正例也属于本发明的范围内。
Claims (20)
1.一种固体摄像装置，具备：
硅基板部，包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部；
彩色滤光层，在与上述主面垂直的方向上与上述硅基板部分离，具有比上述硅基板部的折射率低的折射率；
光透射性的第1光学层，设置在上述硅基板部与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述硅基板部的上述折射率低的第1折射率；
光透射性且多晶的第2光学层，设置在上述第1光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率；以及
光透射性的第3光学层，设置在上述第2光学层与上述彩色滤光层之间，具有比上述彩色滤光层的上述折射率低、且比上述第2折射率低的第3折射率。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第1光学层及上述第3光学层含有氧化硅，
上述第2光学层含有氧化钛。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第1光学层的厚度比380nm薄，
上述第2光学层的厚度比380nm薄，
上述第3光学层的厚度比380nm薄。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第1光学层的厚度为10纳米以上且小于25纳米，
上述第2光学层的厚度为25纳米以上且小于50纳米，
上述第3光学层的厚度为10纳米以上且200纳米以下。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
530纳米的波长下的上述第2折射率为2.55以上且2.66以下。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其中，
530纳米的波长下的上述第1折射率为1.45以上且小于1.55，
530纳米的波长下的上述第3折射率为1.45以上且小于1.55。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
530纳米的波长下的上述第2折射率为2.61以上且2.67以下。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置，其中，
530纳米的波长下的上述第1折射率为1.45以上且小于1.55，
530纳米的波长下的上述第3折射率为1.45以上且小于1.55。
9.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第2光学层含有多晶的氧化钛，
上述第1光学层及上述第2光学层含有氧化硅。
10.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第2光学层含有锐钛矿结构的氧化钛。
11.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，
上述第2光学层含有金红石结构的氧化钛。
12.一种固体摄像装置的制造方法，其中，
在包括设置在与主面平行的平面内的多个摄像部的硅基板部的上方，形成包括光透射性的第1光学层、光透射性且多晶的第2光学层、及光透射性的第3光学层的层叠体，上述第1光学层具有比上述硅基板部的折射率低的第1折射率，上述第2光学层设置在上述第1光学层的上方，具有比上述第1折射率高且比上述硅基板部的上述折射率低的第2折射率，上述第3光学层设置在上述第2光学层的上方，具有比上述第2折射率低的第3折射率，
在上述层叠体的上方，形成具有比上述第1折射率高且比上述第3折射率高的折射率的彩色滤光层。
13.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，
上述第2光学层是氧化钛层，
在上述层叠体的形成中，
包括在上述第1光学层的上方形成非晶的氧化钛膜之后，通过热处理将上述非晶的氧化钛膜多晶化来形成上述第2光学层，并在上述第2光学层的上方形成上述第3光学层的过程；或者包括在上述非晶的氧化钛膜的上方一边加热一边形成上述第3光学层，将上述非晶的氧化钛膜多晶化，从而形成上述第2光学层的过程。
14.根据权利要求13所述的固体摄像装置的制造方法，其中，
上述热处理的温度为350℃以上且550℃以下。
15.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，
上述第1光学层及上述第3光学层为氧化硅层，
上述第2光学层为氧化钛层，
在上述层叠体的形成中，包括这样的过程：
在上述第1光学层的上方形成含有粒状晶界的钛层；
将上述钛层热氧化来形成多晶的氧化钛，从而形成上述第2光学层；以及
在上述第2光学层的上方形成上述第3光学层。
16.根据权利要求15所述的固体摄像装置的制造方法，其中，
上述粒状晶界的直径为5纳米以上且20纳米以下。
17.根据权利要求15所述的固体摄像装置的制造方法，其中，上述粒状晶界具有曲面状的晶界。
18.根据权利要求15所述的固体摄像装置的制造方法，其中，上述钛层中的膜中氧浓度为20原子百分点以下。
19.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，上述第2光学层含有锐钛矿结构的氧化钛。
20.根据权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中，上述第2光学层含有金红石结构的氧化钛。
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