JPS6223211A - 誘電体共振器制御発振逓倍器 - Google Patents

誘電体共振器制御発振逓倍器

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JPS6223211A
JPS6223211A JP60161160A JP16116085A JPS6223211A JP S6223211 A JPS6223211 A JP S6223211A JP 60161160 A JP60161160 A JP 60161160A JP 16116085 A JP16116085 A JP 16116085A JP S6223211 A JPS6223211 A JP S6223211A
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JP
Japan
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dielectric resonator
harmonics
output
fet
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Eiji Nagata
英司 永田
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NEC Corp
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NEC Corp
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    • H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
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    • H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基本発振波の高調波を出力として取シ出すこ
とのできる誘電体制御発振逓倍器に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の誘電体共振器制御発振逓倍器は。
マイクロ波帯の共振周波数を有する誘電体を制御素子と
して電界効果トランジスタ回路に結合させ。
基本波による発振状態においてダート−ソース間のダイ
オード非線形特性により発生する高調波を出力として取
り出すようにしだものである。具体的な例として第３図
を参照すると、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）　１の
デート端子には先端が特性インピーダンスと同じインピ
ーダンスを有する抵抗２で終端された線路３が接続され
、かつその線路の途中には基本波の共振周波数を有する
誘電体共振器４が電磁的に結合されている。そして、高
調波出力はＦＥＴのソース側に接続されたバイパスフィ
ルタ５から得られる。このような回路は、　ＦＥＴのダ
ート端子から線路３側を見ると、基本波の周波数、すな
わち、誘電体共振器４の共振周波数の近傍においてのみ
反射係数の線対値が１に近くなり。
それ以外の周波数では整合終端されたところの。
謂所、帯域反射形と言われるものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上記のごとき従来例においては、基本波で発
振させると同時に、　ＦＥＴのグートーソース間のダイ
オード非線形特性を利用して高調波を発生せしめ、これ
を主出力として取シ出している。
そのために、高調波周波数において、ダート端子は整合
終端の状態にあシ２発生した高調波は損失を被って高調
波の出力効率を大きく低下させるという欠点があった。
ちなみに、従来例として。
Ｎ８９００２７５Ｍ　ＦＥＴを用いた９ＧＨｚ発振、１
８　ＧＨｚ出力の発振逓倍型電圧制御発振器によれば、
その高調波出力は＋１５ｄＢｍ程度である。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明による誘電体共振器制御発振逓倍器は。
電界効果トランジスタのデート端子に先端開放線路が接
続され、かつ誘電体共振器が前記先端開放線路と電磁的
に結合するように配置されていることを特徴とする。
〔発明の実施例〕
次に２本発明による実施例について２図面を・参照して
説明する。
第１図は本発明による実施例の構成を示す回路図である
。この図において、　ＦＥＴ　１１はドレイン接地され
、そのケ９−ト端子は先端開放マイクロストリップ線路
１３に接続されている。この先端間振器→の共振周波数
は基本波周波数に一致している。ＦＥＴ　１１のソース
端子には基本波を反射し。
高調波を通過させるバイパスフィルタ？呻が接続されて
おシ、これを通して出力端子１８から高調波出力が取り
出される。
第２図は、第１図の実施例における等価回路を示したも
のである。この図において、　ＦＥＴ　１１のケ゛−ト
よシ線路側を見たインピーダンスは、その基本波周波数
近傍においては誘電体共振器１４のＱ、線路長ｔ１およ
び線路の特性インピーダンス２゜により決定され、それ
以外の周波数においては線路長ｔ１＋ｔ２及び特性イン
ピーダンス２゜によシ決定される。ここで、ｔｌの長さ
は基本波発振特性が最適となるように選ばれる。
上記の実施例から判るように、高調波周波数においては
、　ｒ　−）価回路は従来回路のように整合終端されて
いないから、その反射係数の絶対値は１であり、したが
って、高調波の損失はなく、その反射位相は線路長ｔ２
によシ発振逓倍効率最大となるように設定できる。なお
、この実施例における実測値を示すと、Ｎ８９００２７
５Ｍ　ＦＥＴを用いた９　ＧＨｚ発振、１８　ＧＨｚ出
力の発振逓倍器によれば。
Ｖｏｓ＝５■、■Ｄ８＝１４０ｍＡのノ々イアス条件下
で出力１９　ｄＢｍが得られ、その出力効率は１１．３
％となり、従来の２倍以上となった。
〔発明の効果〕
以上の説明によシ明らかなように２本発明によれば１発
振逓倍器のケ゛−ト側線路に先端開放線路を用いること
により、高調波の出力効率を増大できる点、その性能の
向上に対して得られる効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による実施例の構成を示す回路図、第２
図は、第１図における実施例の等価回路。 第３図は従来の発振逓倍器の構成例を示す回路図である
。 図において、１１はＦＥＴ　（電界効果トランジスタ）
、１３は先端開放マイクロストリップ線路。 １４は誘電体共振器、１５はハイ・ぐスフィルタ。 １６はゲートバイアー’＜端子、　１７　ハフ−、ｒ、
バイアス端子、１８は出力端子である。 １１　ＦＥＴ 第１　閉 手続補正書（自発） 昭和２７年１０月２日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、電界効果トランジスタのゲート端子に先端開放線路
    が接続され、かつ誘電体共振器が前記先端開放線路と電
    磁的に結合するように配置されていることを特徴とする
    誘電体共振器制御発振逓倍器。
JP60161160A 1985-07-23 1985-07-23 誘電体共振器制御発振逓倍器 Pending JPS6223211A (ja)

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JP60161160A JPS6223211A (ja) 1985-07-23 1985-07-23 誘電体共振器制御発振逓倍器
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US07/043,286 US4736168A (en) 1985-07-23 1986-07-23 Dielectric resonator controlled oscillator having a raised frequency multiplying efficiency
PCT/JP1986/000390 WO1987000707A1 (en) 1985-07-23 1986-07-23 Dielectric resonator controlled oscillator with frequency multiplication
DE8686904402T DE3676479D1 (de) 1985-07-23 1986-07-23 Durch einen dielektrischen resonator gesteuerter oszillator mit frequenzvervielfachung.
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CN86105652A CN86105652B (zh) 1985-07-23 1986-07-23 具有高倍频效率的介质谐振腔控制的振荡器
AU61440/86A AU582518B2 (en) 1985-07-23 1986-07-23 Dielectric resonator controlled oscillator having a raised frequency multiplying efficiency

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0238812U (ja) * 1988-09-02 1990-03-15
US5430342A (en) * 1993-04-27 1995-07-04 Watson Industries, Inc. Single bar type vibrating element angular rate sensor system
CA2244507A1 (en) 1998-09-04 2000-03-04 Masahiro Kiyokawa Method and apparatus for cascading frequency doublers
WO2012027412A1 (en) * 2010-08-23 2012-03-01 De Rochemont L Pierre Power fet with a resonant transistor gate
EP3095010A2 (en) * 2014-01-13 2016-11-23 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Isotropic harmonic oscillator and associated time base without escapement or with simplified escapement
CN104953982A (zh) * 2015-07-23 2015-09-30 安徽华东光电技术研究所 一种同轴腔介质振荡器的改进方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168306A (ja) * 1982-03-29 1983-10-04 Nec Corp マイクロ波発振装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047764B2 (ja) * 1977-01-21 1985-10-23 ソニー株式会社 集積回路化マイクロ波発振器
US4187476A (en) * 1977-01-31 1980-02-05 Hitachi, Ltd. SHF band oscillator circuit using FET
FR2490426B1 (fr) * 1980-09-16 1986-04-11 Thomson Csf Oscillateur a transistor comportant un resonateur dielectrique qui lui confere une stabilite maximale et un bruit minimal en tres haute frequence
JPH0540568Y2 (ja) * 1985-08-26 1993-10-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168306A (ja) * 1982-03-29 1983-10-04 Nec Corp マイクロ波発振装置

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EP0231391B1 (en) 1991-01-02
WO1987000707A1 (en) 1987-01-29
CA1258890A (en) 1989-08-29
AU6144086A (en) 1987-02-10
EP0231391A1 (en) 1987-08-12
CN86105652A (zh) 1987-01-21
DE3676479D1 (de) 1991-02-07
CN86105652B (zh) 1988-12-21
AU582518B2 (en) 1989-03-23

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