JPS62230064A - 半導体装置作成方法 - Google Patents
半導体装置作成方法Info
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- JPS62230064A JPS62230064A JP61073747A JP7374786A JPS62230064A JP S62230064 A JPS62230064 A JP S62230064A JP 61073747 A JP61073747 A JP 61073747A JP 7374786 A JP7374786 A JP 7374786A JP S62230064 A JPS62230064 A JP S62230064A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は太陽電池等大面積の半導体装置に用いられる
電極用導電膜のレーザ加工を用いた半導体装置作成方法
に関する。
電極用導電膜のレーザ加工を用いた半導体装置作成方法
に関する。
「従来の技術」
従来、レーザ光はＷＡＧレーザ（発光波長１．０６μｍ
）を用いたレーザ・アニールまたはＬＳ（レーザスクラ
イブを以下ＬＳという）がよく知られている。
）を用いたレーザ・アニールまたはＬＳ（レーザスクラ
イブを以下ＬＳという）がよく知られている。
このＹＡＧ レーザは赤外光であり、特にレーザ・アニ
ールをせんとする時、その基板の深部の単結晶半導体の
上面の浅部の非晶質半導体に対し、これを゛単結晶化す
るために実施している。このためには光が深部に強く加
えられることが必要である、ため、１μｍまたはそれ以
上の長波長の光が適している。さらにその長波長を吸収
させるためパルス巾（パルス・デユーレイジョン）は７
０〜１００ｎ秒と長い時間であった。
ールをせんとする時、その基板の深部の単結晶半導体の
上面の浅部の非晶質半導体に対し、これを゛単結晶化す
るために実施している。このためには光が深部に強く加
えられることが必要である、ため、１μｍまたはそれ以
上の長波長の光が適している。さらにその長波長を吸収
させるためパルス巾（パルス・デユーレイジョン）は７
０〜１００ｎ秒と長い時間であった。
また金属加工のＬＳにおいても、レーザ光が強い程加工
が深くしやすく優れているため、高出力の発光をさせ、
「強引」に除去せんとする思想のＹＡＧレ−ｆ（１，０
６μｍ）が用いられている。
が深くしやすく優れているため、高出力の発光をさせ、
「強引」に除去せんとする思想のＹＡＧレ−ｆ（１，０
６μｍ）が用いられている。
しかしこの１．０６μｍのＹＡＧ レーザ光を用いると
、１μｍまたはそれ以下の薄膜のＬＳを行わんとした時
、その下地材料に必ず損傷を与えてしまう。
、１μｍまたはそれ以下の薄膜のＬＳを行わんとした時
、その下地材料に必ず損傷を与えてしまう。
例えば下地材料としてソーダガラスの場合は「鱗」状の
マイクロクラックが０．２〜２μｍの深さに作られる。
マイクロクラックが０．２〜２μｍの深さに作られる。
また、下地が０．３〜１μｍの厚さの水素化非単結晶
半導体においては、この半導体材料も同時にスクライブ
除去してしまった。
半導体においては、この半導体材料も同時にスクライブ
除去してしまった。
本発明は、基板上に薄膜状の半導体を形成し、この薄膜
をその下側または上側の１μｍまたはそれ以下の厚さく
薄さ）の導電膜のレーザスクライブ（ＬＳという）を行
うに際し、その下地（基板）または非単結晶半導体への
損傷を可能な限り加えないようにして加工することを目
的としている。
をその下側または上側の１μｍまたはそれ以下の厚さく
薄さ）の導電膜のレーザスクライブ（ＬＳという）を行
うに際し、その下地（基板）または非単結晶半導体への
損傷を可能な限り加えないようにして加工することを目
的としている。
このためには、深（まで光が吸収されない長波長光でな
く、浅部で光エネルギが十分吸収させるまったく逆の思
想に基づく。即ち被加工物が照射されたレーザ光を強く
吸収し、浅部にて熱に変え、この熱が加えられている時
間を極短時間とし、周辺への熱伝導を防ぎ、周辺に熱が
伝わり被照射熱が伝わり被照射面の温度が低下する前に
被加工物を「昇華」させ被照射部に残存物が残らないよ
うにすることが重要である。そしてこの昇華に伴う気化
熱により下地材料に熱損傷を与えない。このため本発明
はパルス巾が５０ｎ秒以下の短いパルス巾（好ましくは
１０〜４０ｎ秒）を有し、６００ｎｍ （０゜６μｍ
）以下の短波長を有するパルスレーザ光例えばエキシマ
レーザ（パルス巾２０ｎ秒Ｈ９３ｎｍ （ＡｒＦ）
、 ２４８ｎｍ （ＫｒＦ） 、 ３０８ｎｍ （Ｘｅ
Ｃ１） 、 ３５１ｎｍ （ＸｅＦ）を用いたことを特
長としている。
く、浅部で光エネルギが十分吸収させるまったく逆の思
想に基づく。即ち被加工物が照射されたレーザ光を強く
吸収し、浅部にて熱に変え、この熱が加えられている時
間を極短時間とし、周辺への熱伝導を防ぎ、周辺に熱が
伝わり被照射熱が伝わり被照射面の温度が低下する前に
被加工物を「昇華」させ被照射部に残存物が残らないよ
うにすることが重要である。そしてこの昇華に伴う気化
熱により下地材料に熱損傷を与えない。このため本発明
はパルス巾が５０ｎ秒以下の短いパルス巾（好ましくは
１０〜４０ｎ秒）を有し、６００ｎｍ （０゜６μｍ
）以下の短波長を有するパルスレーザ光例えばエキシマ
レーザ（パルス巾２０ｎ秒Ｈ９３ｎｍ （ＡｒＦ）
、 ２４８ｎｍ （ＫｒＦ） 、 ３０８ｎｍ （Ｘｅ
Ｃ１） 、 ３５１ｎｍ （ＸｅＦ）を用いたことを特
長としている。
か（のどとき短波長パルス光を昇華性を有し、かつ熱伝
導度が小さい材料に対し照射することにより、この被加
工物が１μｍまたはそれ以下の厚さの導電膜、即ち酸化
亜鉛と金属との複合体（積層体）に対し、そのパルス巾
が５０ｎ秒以下とし、瞬間的にエネルギを加え、これら
の導電材料を昇華させる。そしてその照射部を孔または
溝状にすることにより、開講を作製し電気的に絶縁化す
ることが下地材料に損傷を与えることなしに初めて可能
となった。
導度が小さい材料に対し照射することにより、この被加
工物が１μｍまたはそれ以下の厚さの導電膜、即ち酸化
亜鉛と金属との複合体（積層体）に対し、そのパルス巾
が５０ｎ秒以下とし、瞬間的にエネルギを加え、これら
の導電材料を昇華させる。そしてその照射部を孔または
溝状にすることにより、開講を作製し電気的に絶縁化す
ることが下地材料に損傷を与えることなしに初めて可能
となった。
以下に本発明方法の実施例である光電変換装置の作製の
場合について、図面に従ってその詳細を示す。
場合について、図面に従ってその詳細を示す。
「実施例」
第１図は本発明方法を用いた光電変換装置の製造工程を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
この実施例においては、エキシマレーザ（ＫｒＦ。
２４８ｎｍ）のレーザー光を用いた。
図面において透光性基板（１）例えばガラス板（例えば
厚さ０．３〜２．２ｍｍ例えば１．１ｍｍ 、長さ〔図
面では左右方向） ６０ｃｍ、巾（前後方向） ２０ｃ
ｍ）を用いた。
厚さ０．３〜２．２ｍｍ例えば１．１ｍｍ 、長さ〔図
面では左右方向） ６０ｃｍ、巾（前後方向） ２０ｃ
ｍ）を用いた。
さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜例えばＩ
ＴＯ（３００〜１５００人） ＋ Ｓｎｕｇ （２０
０〜４００人）またはハロゲン元素が添加された酸化ス
ズを主成分とする透光性導電膜（５００〜２０００人）
（２）を真空蒸着法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ
法またはスプレー法により凹凸表面を有して形成させた
。
ＴＯ（３００〜１５００人） ＋ Ｓｎｕｇ （２０
０〜４００人）またはハロゲン元素が添加された酸化ス
ズを主成分とする透光性導電膜（５００〜２０００人）
（２）を真空蒸着法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ
法またはスプレー法により凹凸表面を有して形成させた
。
この後この透光性導電膜に、ＹＡＧレーザ（５３０ｎｍ
）により平均出力１０〜２００ｍＷ代表的には８０ｍＷ
を加え、スポット径３〜３０μｍφ代表的には２０μｍ
φをマイクロコンピュ〜りにより制御して、被膜側より
レーザ光を照射し、かつ走査（走査速度３０＝１００ｃ
ＩＩＩ／分）によりスクライブラインによる開溝（１７
）を形成させた。
）により平均出力１０〜２００ｍＷ代表的には８０ｍＷ
を加え、スポット径３〜３０μｍφ代表的には２０μｍ
φをマイクロコンピュ〜りにより制御して、被膜側より
レーザ光を照射し、かつ走査（走査速度３０＝１００ｃ
ＩＩＩ／分）によりスクライブラインによる開溝（１７
）を形成させた。
スクライビングにより形成された開講（１７）は巾約２
０μｍ、長さ２０ｃｍとし、各素子（１３）、（１１）
を構成する巾は１０〜３０ｍｍ例えば１８ｍｍ（１つの
セグメントは１８ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとする）とした。
０μｍ、長さ２０ｃｍとし、各素子（１３）、（１１）
を構成する巾は１０〜３０ｍｍ例えば１８ｍｍ（１つの
セグメントは１８ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとする）とした。
この第１の電極（１４）、（１９）はこの実施例につい
ては透光性導電膜であるため、発光源として光学的Ｅ、
の３〜４ｅＶに対して十分なエネルギを有する４００ｎ
ｍ以下（３，１ｅＶ以上）波長を有するエキシマレーザ
を用いると、さらにＣＴＦの加工に必要な出力を少なく
することができた。
ては透光性導電膜であるため、発光源として光学的Ｅ、
の３〜４ｅＶに対して十分なエネルギを有する４００ｎ
ｍ以下（３，１ｅＶ以上）波長を有するエキシマレーザ
を用いると、さらにＣＴＦの加工に必要な出力を少なく
することができた。
かくして第１の電極を構成するＣＴＦ （２）を切断し
それぞれの領域（１４）、（１７）を電気的に分離絶縁
して、第１の開溝を形成した。
それぞれの領域（１４）、（１７）を電気的に分離絶縁
して、第１の開溝を形成した。
この後、この上面にプラズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ
法によりＰＮまたはＰＩＮ接合を有する珪素を主成分と
する非単結晶半導体層（３）を０．２〜１．０μｍｍ代
表的には０．７μｍｍの厚さに形成させた。
法によりＰＮまたはＰＩＮ接合を有する珪素を主成分と
する非単結晶半導体層（３）を０．２〜１．０μｍｍ代
表的には０．７μｍｍの厚さに形成させた。
その代表例はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ，ｘ ｘ＝０
．８平均厚さ約５０〜１５０人）−１型非晶質または半
非晶質構造のシリコン半導体（０，５〜０．９μｍｍ）
−Ｎ型の微結晶または５ｉｘＣ＋−ｘ （ｘ ＝０
．９．１００〜２００人）を有する１μｍ以下の厚さの
半導体よりなる一つのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導
体、又はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ，ｘ） −１型非
晶質または半非晶質珪素半導体（Ｅｇ ＝１．７〜１．
８ｅＶ） Ｎ型およびＰ型Ｓｉ微結晶化半導体−Ｉ型
多結晶珪素半導体（Ｅｇ −１，４〜１．６ｅＶ） −
Ｎ型非晶質５ｉｘＣ，−ｘｘ ＝０．９ ）の半導体よ
りなる２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタン
デム型のＰＩＮＦＩＮ、 、、、、ＰＩＮ接合の半導体
（３）である。
．８平均厚さ約５０〜１５０人）−１型非晶質または半
非晶質構造のシリコン半導体（０，５〜０．９μｍｍ）
−Ｎ型の微結晶または５ｉｘＣ＋−ｘ （ｘ ＝０
．９．１００〜２００人）を有する１μｍ以下の厚さの
半導体よりなる一つのＰＩＮ接合を有する非単結晶半導
体、又はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ，ｘ） −１型非
晶質または半非晶質珪素半導体（Ｅｇ ＝１．７〜１．
８ｅＶ） Ｎ型およびＰ型Ｓｉ微結晶化半導体−Ｉ型
多結晶珪素半導体（Ｅｇ −１，４〜１．６ｅＶ） −
Ｎ型非晶質５ｉｘＣ，−ｘｘ ＝０．９ ）の半導体よ
りなる２つのＰＩＮ接合と１つのＰＮ接合を有するタン
デム型のＰＩＮＦＩＮ、 、、、、ＰＩＮ接合の半導体
（３）である。
かかる非単結晶半導体層（３）を全面に均一の膜厚で形
成させた。さらに第１図ＣＢ）に示されるごとく、第１
の開溝（１３）の左方向側に第２の開？１（１８）を第
２のＬＳＩ程により形成させた。
成させた。さらに第１図ＣＢ）に示されるごとく、第１
の開溝（１３）の左方向側に第２の開？１（１８）を第
２のＬＳＩ程により形成させた。
かかる半導体は第１図に示されるごと＜ 、０．５３μ
ｍｍ（５３０ｎｍ）の波長のレーザ光源にて１０’ ｃ
ｍ−’の吸収係数を有し、その波長が１／ｅになるのに
１０００Å以下であり、１ ／１００にするには１μｍ
ｍあればよく、このため１μｍｆｆＩ以下の薄膜のＬＳ
にはきわめて好ましいものであった。そのためこの半導
体の下側に３ｅＶのエネルギバンド巾のＣＴＦがあって
も、このＣＴＦに大きく損傷を与えることなく、第１図
（Ｂ）（８）に示されるごとき、１００〜５００人の
浅さの凹状のザグリで半導体に開溝（１８）を形成する
ことが可能になった。この結果、第１の電極（１４）と
のコネクタ（９）による接触面積が２０μｍ巾と大きい
ため、第１図（Ｃ）でのコネクタ（９）の接触抵抗を４
Ω／口以下にすることが可能となった。かくして第２の
開講（１８）は第１の電極の上面を損傷させることなく
、またはその一部えぐって露出（８）させて形成させる
ことができた。
ｍｍ（５３０ｎｍ）の波長のレーザ光源にて１０’ ｃ
ｍ−’の吸収係数を有し、その波長が１／ｅになるのに
１０００Å以下であり、１ ／１００にするには１μｍ
ｍあればよく、このため１μｍｆｆＩ以下の薄膜のＬＳ
にはきわめて好ましいものであった。そのためこの半導
体の下側に３ｅＶのエネルギバンド巾のＣＴＦがあって
も、このＣＴＦに大きく損傷を与えることなく、第１図
（Ｂ）（８）に示されるごとき、１００〜５００人の
浅さの凹状のザグリで半導体に開溝（１８）を形成する
ことが可能になった。この結果、第１の電極（１４）と
のコネクタ（９）による接触面積が２０μｍ巾と大きい
ため、第１図（Ｃ）でのコネクタ（９）の接触抵抗を４
Ω／口以下にすることが可能となった。かくして第２の
開講（１８）は第１の電極の上面を損傷させることなく
、またはその一部えぐって露出（８）させて形成させる
ことができた。
この第２の開溝（１８）は、第２の素子の第１の電極（
１４）の側面（６）より２０μｍ以上左側であれば端部
（６）での加工部のバラツキ、残存物の影響を防ぐこと
ができた。
１４）の側面（６）より２０μｍ以上左側であれば端部
（６）での加工部のバラツキ、残存物の影響を防ぐこと
ができた。
第１図において、さらにこの水素化非単結晶半導体の上
面に第１図（Ｃ）に示されるごとく、第２の電極用の導
電膜（４）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分離用
の第３の開溝（２０）を得た。
面に第１図（Ｃ）に示されるごとく、第２の電極用の導
電膜（４）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分離用
の第３の開溝（２０）を得た。
この第２の電極は透光性導電膜として１００〜５０００
人の厚さの酸化亜鉛膜を形成し、さらにその上面に金属
電極（例えば、アルミニューム、銀等光の反射率の高い
金属が好ましい。）を３００〜３０００人の厚さに形成
させた。例えば酸化亜鉛３０００人アルミニュームを１
０００人の２１！（シート抵抗１．５Ω／口構造とした
。
人の厚さの酸化亜鉛膜を形成し、さらにその上面に金属
電極（例えば、アルミニューム、銀等光の反射率の高い
金属が好ましい。）を３００〜３０００人の厚さに形成
させた。例えば酸化亜鉛３０００人アルミニュームを１
０００人の２１！（シート抵抗１．５Ω／口構造とした
。
この上側導電膜として用いる金属はとして特に指定はな
いが酸化亜鉛薄膜と良好な密着性を持つ物が好ましい。
いが酸化亜鉛薄膜と良好な密着性を持つ物が好ましい。
かくのごとく、裏面に形成される電極用導電層に６００
ｎｍ以下の波長のレーザ光を上方より照射した場合を以
下においては示している。
ｎｍ以下の波長のレーザ光を上方より照射した場合を以
下においては示している。
この間溝（２０）作製を従来より知られたＹＡＧレーザ
（１，０６μｍ α−１０’ｃｍ−１）で行う場合は
、レーザ光が導電膜（４）のみならずその下側の非単結
晶半導体の全厚さをきわめて簡単に突き抜けてしまい、
第１図（Ｃ）に示す半導体（４）の上面にて停まるので
はなく、その下側の半導体のみならずさらにその下側の
導電膜（２）をも切断してしまいやすく、実用性がまっ
たくなかった。その結果の概略図を第２図（Ａ）に示す
。
（１，０６μｍ α−１０’ｃｍ−１）で行う場合は
、レーザ光が導電膜（４）のみならずその下側の非単結
晶半導体の全厚さをきわめて簡単に突き抜けてしまい、
第１図（Ｃ）に示す半導体（４）の上面にて停まるので
はなく、その下側の半導体のみならずさらにその下側の
導電膜（２）をも切断してしまいやすく、実用性がまっ
たくなかった。その結果の概略図を第２図（Ａ）に示す
。
他方、本発明のように、被単結晶半導体の上層に酸化亜
鉛と金属の複号体を形成した半導体装置にエキシマレー
ザ−光を照射した場合、その殆どすべての光エネルギー
が導電膜下で吸収され昇華してしまうため、レーザ光が
第２の電極用導体（４）を切断しても同時にその下の■
型半導体層の損傷が殆どないか、またはその上部の導体
に密接した１００〜３００人の厚さの導電性を有するＮ
型半導体を切断または絶縁化することにとどまった。
鉛と金属の複号体を形成した半導体装置にエキシマレー
ザ−光を照射した場合、その殆どすべての光エネルギー
が導電膜下で吸収され昇華してしまうため、レーザ光が
第２の電極用導体（４）を切断しても同時にその下の■
型半導体層の損傷が殆どないか、またはその上部の導体
に密接した１００〜３００人の厚さの導電性を有するＮ
型半導体を切断または絶縁化することにとどまった。
このことは逆に、２つの電極 （１６） （１５）間の
リークがＮ型半導体により発生することを完全に防ぐこ
とができるという意味において、２重に優れたものであ
った。その結果を第２図（Ｂ）に示す。
リークがＮ型半導体により発生することを完全に防ぐこ
とができるという意味において、２重に優れたものであ
った。その結果を第２図（Ｂ）に示す。
かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
１１）、（１３）を連結部（１２）で直列接続する光電
変換装置を作ることができた。
１１）、（１３）を連結部（１２）で直列接続する光電
変換装置を作ることができた。
第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものである。即ちパッシベイション膜とし
て外部接続領域（５）を除き、ポリイミド、ポリアミド
、カプトンまたはエポキシ等の有機樹脂（２２）を２０
〜３０μｍの厚さにコートして耐湿防止をした。
させんとしたものである。即ちパッシベイション膜とし
て外部接続領域（５）を除き、ポリイミド、ポリアミド
、カプトンまたはエポキシ等の有機樹脂（２２）を２０
〜３０μｍの厚さにコートして耐湿防止をした。
かくして照射光（１０）に対し、この実施例のごとき基
板（６０ｃｍ Ｘ ２０ｃｍ）において、各素子を１８
ｍｍ連結部（１２） １００ ｐ ｍ 、外部引出し電
極部の巾１０ｍｍ、周辺部４１により、実質的に５８０
ｍｍ Ｘ １９２ｎ＋ｍ内に３２段を有し、有効面積（
１９２ｍｍ Ｘ １８ｍｍ Ｘ ３２段＝１１０６ｃｎ
ｆ即ち９２％）を得ることができた。
板（６０ｃｍ Ｘ ２０ｃｍ）において、各素子を１８
ｍｍ連結部（１２） １００ ｐ ｍ 、外部引出し電
極部の巾１０ｍｍ、周辺部４１により、実質的に５８０
ｍｍ Ｘ １９２ｎ＋ｍ内に３２段を有し、有効面積（
１９２ｍｍ Ｘ １８ｍｍ Ｘ ３２段＝１１０６ｃｎ
ｆ即ち９２％）を得ることができた。
その結果セグメントが１０．５％の変換効率を有する場
合、パネルにて８．３％（八Ｍｌ （１００ｍＷ ／
ｃｏｔ） ）にて９．ＩＷの出力電力を有せしめること
ができた。
合、パネルにて８．３％（八Ｍｌ （１００ｍＷ ／
ｃｏｔ） ）にて９．ＩＷの出力電力を有せしめること
ができた。
これは従来のマスク合わせ方式で行う場合、有効面積７
５％（３２段の場合）に比べて、１７％もの実効面積の
向上を有し、究めて著しい変換効率の向上を有していた
。
５％（３２段の場合）に比べて、１７％もの実効面積の
向上を有し、究めて著しい変換効率の向上を有していた
。
実施例２
１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍ硝子基板を用い、実施例１と同
様の方法で、第１のＬＳ、第２のＬＳを行った後、第３
のＬＳＩ程即ち、半導体層（３）上の酸化亜鉛膜（厚さ
３０００人）と金属（本実施例では２０００人アルミニ
ューム）を分離する際にレーザー光（エキシマレーザ）
のビームサイズを光学系を改良して１００ｍｍＸ８０μ
ｍＩＩ＋の細長いビームにした。よって開講 （２０）
を形成するために、平均出力５０ｍｊ／１パルスのレー
ザー光を１回あてるだけで、酸化亜鉛膜とアルミニュー
ムからなる第２の電極（４）のみを除去することができ
た。
様の方法で、第１のＬＳ、第２のＬＳを行った後、第３
のＬＳＩ程即ち、半導体層（３）上の酸化亜鉛膜（厚さ
３０００人）と金属（本実施例では２０００人アルミニ
ューム）を分離する際にレーザー光（エキシマレーザ）
のビームサイズを光学系を改良して１００ｍｍＸ８０μ
ｍＩＩ＋の細長いビームにした。よって開講 （２０）
を形成するために、平均出力５０ｍｊ／１パルスのレー
ザー光を１回あてるだけで、酸化亜鉛膜とアルミニュー
ムからなる第２の電極（４）のみを除去することができ
た。
比較例として、第２電極のみをＩＴＯ１０００人とアル
ミニューム２０００人とした物に同様のレーザー光を照
射したところ、平均出力２００ｍｊ／１パルス以上のレ
ーザー光を照射しないと１回の照射では分離できなかっ
た。また２００ｍｊ／１パルス以上のレーザー光照射や
２００ｍｊ以下でも複数回パルスを照射することにより
分離することができるが、その溝は、非単結晶半導体Ｎ
（３）まで及び、下地の導電膜（２）が露呈している状
態であった。
ミニューム２０００人とした物に同様のレーザー光を照
射したところ、平均出力２００ｍｊ／１パルス以上のレ
ーザー光を照射しないと１回の照射では分離できなかっ
た。また２００ｍｊ／１パルス以上のレーザー光照射や
２００ｍｊ以下でも複数回パルスを照射することにより
分離することができるが、その溝は、非単結晶半導体Ｎ
（３）まで及び、下地の導電膜（２）が露呈している状
態であった。
これにより、得られた光電変換装置のＩ−Ｖ特性を第３
図に示す。この光電変換装置の素子面積は６８゜８３ｃ
ｍｚであり、１５段を直列に接続しである。
図に示す。この光電変換装置の素子面積は６８゜８３ｃ
ｍｚであり、１５段を直列に接続しである。
曲線（２５）が本発明により得られたものであり、曲線
（２６）が比較例のものである。
（２６）が比較例のものである。
図より明らかなように、本発明により得られたほうが特
性が優れている。即ち比較例は第３のＬＳＩ程において
、非単結晶半導体層（３）にレーザー光が影響して、そ
の部分が結晶化して電気伝導度がよくなり、リーク電流
が発生、特性（特に曲線因子）を悪化させているためで
ある。
性が優れている。即ち比較例は第３のＬＳＩ程において
、非単結晶半導体層（３）にレーザー光が影響して、そ
の部分が結晶化して電気伝導度がよくなり、リーク電流
が発生、特性（特に曲線因子）を悪化させているためで
ある。
ＡＭＩ （１００ｍＷ／ｃｍ”）での特性の値を以下に
示す。
示す。
本発明 比較例
電流（ＩＳＣ） ７２．９ ｍＡ ６１
．３ ｍＡ電圧（ＶＯＣ） ９．４ Ｖ
Ｂ、９ Ｖ曲線因子（ＦＦ） ０．５５
０．３４効率（ＥＦＦ） ５．４６
χ ２．９１χ本発明における珪素を主成分と
した半導体は、水素またはハロゲン元素が惰力Ｕされた
非晶質半導体のみでなく 、５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜
ｘ ＜ｏ、ｓ ）＋５ｉＪ４−ｘ （０＜ ｘ ＜ ２
）、５ｉＯｚ−ｘ（０＜ ｘ ＜ １ ）、５ｉｘＧ
ｅ１−ｘ（０＜Ｘ＜０．５）を含むことはいうまでもな
い。
．３ ｍＡ電圧（ＶＯＣ） ９．４ Ｖ
Ｂ、９ Ｖ曲線因子（ＦＦ） ０．５５
０．３４効率（ＥＦＦ） ５．４６
χ ２．９１χ本発明における珪素を主成分と
した半導体は、水素またはハロゲン元素が惰力Ｕされた
非晶質半導体のみでなく 、５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜
ｘ ＜ｏ、ｓ ）＋５ｉＪ４−ｘ （０＜ ｘ ＜ ２
）、５ｉＯｚ−ｘ（０＜ ｘ ＜ １ ）、５ｉｘＧ
ｅ１−ｘ（０＜Ｘ＜０．５）を含むことはいうまでもな
い。
この第１図においては、光電変換装置の応用であるが、
その他の非単結晶半導体を用いて、ＩＧＦＥＴを用い液
晶画像表示装置とさらに光センサ、圧力センサ等に対し
て用いてもまったく同様に有効である。
その他の非単結晶半導体を用いて、ＩＧＦＥＴを用い液
晶画像表示装置とさらに光センサ、圧力センサ等に対し
て用いてもまったく同様に有効である。
第１図は本発明方法を用いた光電変換装置の製造工程を
示す縦断面図である。 第２図は本発明と従来例との比較結果を示す。 第３図は本発明と比較例の光電変換体装置の特性を示す
。 １・・・基板 ２・・・透光性電極 ３・・・被単結晶半導体層 ４・・・裏面導電膜
示す縦断面図である。 第２図は本発明と従来例との比較結果を示す。 第３図は本発明と比較例の光電変換体装置の特性を示す
。 １・・・基板 ２・・・透光性電極 ３・・・被単結晶半導体層 ４・・・裏面導電膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の絶縁表面上の１μｍ以下の厚さを有する導電
膜または非単結晶半導体上の１μｍ以下の厚さを有する
導電性薄膜に対し、６００ｎｍ以下の発光波長を有する
パルスレーザ光を照射することにより開溝または分離溝
を設け電気的に絶縁する工程を有することを特徴とする
半導体装置作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、導電膜は酸化亜鉛
、を主成分とする透光性導電膜と金属の複合体よりなる
ことを特徴とする半導体装置作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、６００ｎｍ以下の
発光波長を有するパルスレーザ光はエキシマレーザより
なることを特徴とする半導体装置作製方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、パルス巾は５０ｎ
秒以下であることを特徴とする半導体装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073747A JPS62230064A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073747A JPS62230064A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230064A true JPS62230064A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13527147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073747A Pending JPS62230064A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230064A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093376A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713778A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-23 | Ibm | Photoelectric converter |
| JPS6014479A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073747A patent/JPS62230064A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5713778A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-23 | Ibm | Photoelectric converter |
| JPS6014479A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093376A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置の製造方法 |
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