JPS60261142A - 半導体装置作製方法 - Google Patents
半導体装置作製方法Info
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- JPS60261142A JPS60261142A JP11754084A JP11754084A JPS60261142A JP S60261142 A JPS60261142 A JP S60261142A JP 11754084 A JP11754084 A JP 11754084A JP 11754084 A JP11754084 A JP 11754084A JP S60261142 A JPS60261142 A JP S60261142A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野ｊ
この発明は液晶表示パネル、太陽電池に用いられる電極
用導電膜のレーザ加工方法に関する。
用導電膜のレーザ加工方法に関する。
「従来の技術」
従来、レーザ光はＹＡＧレーザ（発光波長１．０６７７
）を用いたレーザ・アニールまたはＬＳ（レーザスクラ
イブを以下ＬＳという）がよく知られている。
）を用いたレーザ・アニールまたはＬＳ（レーザスクラ
イブを以下ＬＳという）がよく知られている。
このＹＡＧ レーザは赤外光であり、特にレーーザ・ア
ニールをぜんとする時、その基板の深部の単結晶半導体
の上面の浅部の非晶質半導体に対し、これを単結晶化す
るために実施している。このためには光が深部に強く加
えられることが必要であるため、１μまたはそれ以上の
長波長の光が適している。さらにその長波長を吸収させ
るためパルス１１１（パルス・デユーレイジョン）は７
０〜１００ｎ秒と長い時間であった。
ニールをぜんとする時、その基板の深部の単結晶半導体
の上面の浅部の非晶質半導体に対し、これを単結晶化す
るために実施している。このためには光が深部に強く加
えられることが必要であるため、１μまたはそれ以上の
長波長の光が適している。さらにその長波長を吸収させ
るためパルス１１１（パルス・デユーレイジョン）は７
０〜１００ｎ秒と長い時間であった。
また金属加工のＬＳにおいても、レーザ光が強い程加工
が深くしやすく優れているため、高出力の発光をさせ、
「強引」に除去せんとする思想のＹＡＧレーザ（１，０
６μ）が用いられている。
が深くしやすく優れているため、高出力の発光をさせ、
「強引」に除去せんとする思想のＹＡＧレーザ（１，０
６μ）が用いられている。
「発明が解決しようとする問題点ｊ
しかしこの１．０６μのＹＡＧ レーザ光を用いると、
１μまたはそれ以下の、薄膜のＬＳを行わんとした時、
その下地材料に必ず損傷を与えてしまう。例えば下地材
料としてソーダガラスの場合は「鱗」状のマイクロクラ
ックが０．２〜２μの深さに作られる。
１μまたはそれ以下の、薄膜のＬＳを行わんとした時、
その下地材料に必ず損傷を与えてしまう。例えば下地材
料としてソーダガラスの場合は「鱗」状のマイクロクラ
ックが０．２〜２μの深さに作られる。
また、下地が０．３〜１μの厚さの水素化非単結晶半導
体においては、この半導体材料も同時にスクライブ除去
してしまった。
体においては、この半導体材料も同時にスクライブ除去
してしまった。
ｒ問題を解決しようとする手段」
本発明は、基板上に薄膜状の半導体を形成し、この薄膜
をその下側または上側の１μまたはそれ以下の厚さく薄
さ）の導電膜のレーザスクライブ（ＬＳという）を行う
に際し、その下地（基板）または非単結晶半導体への損
傷を可能な限り加えないようにして加工することを目的
としている。このだめには、深くまで光が吸収されない
長波長光でなく、浅部で光エネルギが十分吸収させるま
ったく逆の思想に基づく。即ち被加工物が照射されたレ
ーザ光を強く吸収し、浅部にて熱に変え、この熱が加え
られている時間を極短時間とし、周辺への熱伝導を防ぎ
、周辺に熱が伝わり被照射熱が伝わり被照射面の温度が
低下する前に被加工物を「昇華」させ被照射部に残存物
が残らないようにすることが重要である。そしてこの昇
華に伴う気化熱により下地材料に熱損傷を与えない。こ
のため本発明はパルス中が５０μ秒以下の短いパルス中
（好ましくは１０〜４０ｎ秒）を有し、６００ｎｍ （
０，６７７）以下の短波長を有するパルスレーザ光例え
ばＹＡＧ レーザ光の２倍光（５３０ｎｍ、パルス巾４
５ｎ秒）またはエキシマレーザ（パルス中２０ｎ 秒）
１９３ｎｍ（八ｒＦ） 、 ２４８ｎｍ （ＫｒＦ）
、 ３０８ｎｍ （ＸｅＣＩ） 、 ３５１ｎｍ （Ｘ
ｅＦ）を用いたことを特長としている。
をその下側または上側の１μまたはそれ以下の厚さく薄
さ）の導電膜のレーザスクライブ（ＬＳという）を行う
に際し、その下地（基板）または非単結晶半導体への損
傷を可能な限り加えないようにして加工することを目的
としている。このだめには、深くまで光が吸収されない
長波長光でなく、浅部で光エネルギが十分吸収させるま
ったく逆の思想に基づく。即ち被加工物が照射されたレ
ーザ光を強く吸収し、浅部にて熱に変え、この熱が加え
られている時間を極短時間とし、周辺への熱伝導を防ぎ
、周辺に熱が伝わり被照射熱が伝わり被照射面の温度が
低下する前に被加工物を「昇華」させ被照射部に残存物
が残らないようにすることが重要である。そしてこの昇
華に伴う気化熱により下地材料に熱損傷を与えない。こ
のため本発明はパルス中が５０μ秒以下の短いパルス中
（好ましくは１０〜４０ｎ秒）を有し、６００ｎｍ （
０，６７７）以下の短波長を有するパルスレーザ光例え
ばＹＡＧ レーザ光の２倍光（５３０ｎｍ、パルス巾４
５ｎ秒）またはエキシマレーザ（パルス中２０ｎ 秒）
１９３ｎｍ（八ｒＦ） 、 ２４８ｎｍ （ＫｒＦ）
、 ３０８ｎｍ （ＸｅＣＩ） 、 ３５１ｎｍ （Ｘ
ｅＦ）を用いたことを特長としている。
「作用」
かくのごとき短波長パルス光を昇華性を有し、かつ熱伝
導度が小さい材料に対し照射することにより、この被加
工物が１μまたはそれ以下の厚さのＣＴＦ代表的には酸
化スズ、酸化インジューム、ＩＴＯ（酸化インジューム
）、珪化クロム（ＣｒｘＳｉｙ）さらにクロム、または
クロムの合金（Ｃｕ−Ｃｒ、 Ａｇ−Ｃｒ）さらにＣＴ
Ｆと昇華性金属との複合体（積層体）に対し、そのパル
ス中が５０μ秒以下とし、瞬間的にエネルギを加え、こ
れらの導電材料を昇華させる。
導度が小さい材料に対し照射することにより、この被加
工物が１μまたはそれ以下の厚さのＣＴＦ代表的には酸
化スズ、酸化インジューム、ＩＴＯ（酸化インジューム
）、珪化クロム（ＣｒｘＳｉｙ）さらにクロム、または
クロムの合金（Ｃｕ−Ｃｒ、 Ａｇ−Ｃｒ）さらにＣＴ
Ｆと昇華性金属との複合体（積層体）に対し、そのパル
ス中が５０μ秒以下とし、瞬間的にエネルギを加え、こ
れらの導電材料を昇華させる。
そしてその照射部を孔または溝状に走査することにより
、開溝を作ｙすることが下地材料に損傷を与えることな
しに初めて可能となった。
、開溝を作ｙすることが下地材料に損傷を与えることな
しに初めて可能となった。
以下に本発明方法の実施例である光電変換装置の作製の
場合について、図面に従ってその詳細を示す。
場合について、図面に従ってその詳細を示す。
「実施例Ｊ
第１図は本発明方法を用いた光電変換装置の製造工程を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
この実施例においては、ＹＡＧ ２倍光（５３０ｎｍ）
のＱスイッチパルス光を用いた。
のＱスイッチパルス光を用いた。
図面において透光性基板（１）例夫ばガラス板（例えば
厚さ０．３〜２．２ｍｍ例えば１．１ｍｍ 、長さ〔図
面では左右方向） ６０ｃｎ＋、巾（前後方向） ２０
ｃｍ）を用いた。
厚さ０．３〜２．２ｍｍ例えば１．１ｍｍ 、長さ〔図
面では左右方向） ６０ｃｎ＋、巾（前後方向） ２０
ｃｍ）を用いた。
さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜例えばＩ
ＴＯ（３００〜１５００人）十Ｓｎｕｇ （２００〜４
００人）またはハロゲン元素が添加された酸化スズを主
成分とする透光性導電膜（５００〜２０００人）（２）
を真空蒸着法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法また
はスプレー法により凹凸表面を有して形成させた。
ＴＯ（３００〜１５００人）十Ｓｎｕｇ （２００〜４
００人）またはハロゲン元素が添加された酸化スズを主
成分とする透光性導電膜（５００〜２０００人）（２）
を真空蒸着法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法また
はスプレー法により凹凸表面を有して形成させた。
この後この透光性導電膜に、ＹＡＧ レーザ（５３０ｎ
ｍ）により平均出力１０〜２．２ｍｍ代表的には８０ｍ
Ｗを加え、スポット径３〜３０μφ代表的には２０μφ
をマイクロコンピュータにより制御して、被膜側よりレ
ーザ光を照射し、かつ走査（走査速度３０〜１００ｃｍ
／分）によりスクライブラインによる開溝（１７）を形
成させた。
ｍ）により平均出力１０〜２．２ｍｍ代表的には８０ｍ
Ｗを加え、スポット径３〜３０μφ代表的には２０μφ
をマイクロコンピュータにより制御して、被膜側よりレ
ーザ光を照射し、かつ走査（走査速度３０〜１００ｃｍ
／分）によりスクライブラインによる開溝（１７）を形
成させた。
スクライビングにより形成された開講（１７）は巾約２
０μ、長さ２０ｃｍとし、各素子（１３）、（１１）を
構成する１１は１０〜３０ｍｍ例えば１８ｍｍ（１つの
セグメントは１８ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとする）とした。
０μ、長さ２０ｃｍとし、各素子（１３）、（１１）を
構成する１１は１０〜３０ｍｍ例えば１８ｍｍ（１つの
セグメントは１８ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとする）とした。
この第１の電極（１４）、（１９）はこの実施例につい
ては透光性導電膜であるため、発光源として光学的Ｅｇ
の３〜４ｅＶに対して十分なエネルギを有する４００ｎ
ｍ以下（３，１ｅＶ以上）波長を有するエキシマレーザ
を用いると、さらにＣＴＦの加工に必要な出力を少なく
することができた。
ては透光性導電膜であるため、発光源として光学的Ｅｇ
の３〜４ｅＶに対して十分なエネルギを有する４００ｎ
ｍ以下（３，１ｅＶ以上）波長を有するエキシマレーザ
を用いると、さらにＣＴＦの加工に必要な出力を少なく
することができた。
かくして第１の電極を構成するＣＴＦ （２）を切断し
それぞれの領域（１４）、（１７）を電気的に分離絶縁
して、第１の開溝を形成した。
それぞれの領域（１４）、（１７）を電気的に分離絶縁
して、第１の開溝を形成した。
この後、この上面にプラズマＣＶＤ法またはＬＰＣＶＤ
法によりＰＮまたはＰＩＮ接合を有すそ珪素を主成分と
する非単結晶半導体層（３）を０．２〜０．７μ代表的
には０．５ μの厚さに形成させた。
法によりＰＮまたはＰＩＮ接合を有すそ珪素を主成分と
する非単結晶半導体層（３）を０．２〜０．７μ代表的
には０．５ μの厚さに形成させた。
その代表例はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ＋−ｘ ｘ＝
０．８平均厚さ約５０〜１５０人ｍ−１型非晶質または
半非晶質構造のシリコン半導体（０，４〜０．６μ）−
Ｎ型の微結晶または５ｉｘＣ，、−ｘ （ｘ＝０．９，
１００〜２００人）を有する１μ以下好ましくは０．６
μ以下の厚さの半導体よりなる一つのＰＩＮ接合を有す
る非単結晶半導体、又はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ＋
−ｘ）−■型非晶質または半非晶質珪素半導体（Ｅｇ
＝１．７〜１ 、８ ｅ Ｖ ）−Ｎ型およびＰ型Ｓｔ
微結晶化半導体−Ｉ型多結晶珪素半導体（Ｅｇ ＝１．
４〜１．６ｅＶ）−Ｎ型非晶質５ｉｘＣ＋−ｘ ｘ ＝
０．９ ）の半導体よりなる２つのＰＩＮ接合と１つの
ＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩＮＦＩＮ、、、、、
ＰＩＮ接合の半導体（３）である。
０．８平均厚さ約５０〜１５０人ｍ−１型非晶質または
半非晶質構造のシリコン半導体（０，４〜０．６μ）−
Ｎ型の微結晶または５ｉｘＣ，、−ｘ （ｘ＝０．９，
１００〜２００人）を有する１μ以下好ましくは０．６
μ以下の厚さの半導体よりなる一つのＰＩＮ接合を有す
る非単結晶半導体、又はＰ型非晶質半導体（ＳｉｘＣ＋
−ｘ）−■型非晶質または半非晶質珪素半導体（Ｅｇ
＝１．７〜１ 、８ ｅ Ｖ ）−Ｎ型およびＰ型Ｓｔ
微結晶化半導体−Ｉ型多結晶珪素半導体（Ｅｇ ＝１．
４〜１．６ｅＶ）−Ｎ型非晶質５ｉｘＣ＋−ｘ ｘ ＝
０．９ ）の半導体よりなる２つのＰＩＮ接合と１つの
ＰＮ接合を有するタンデム型のＰＩＮＦＩＮ、、、、、
ＰＩＮ接合の半導体（３）である。
かかる非単結晶半導体層（３）を全面に均一の膜厚で形
成させた。さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１
の開講（１３）の左方向側に第２の開１ｓ（１８）を第
２のＬＳＩ程により形成させた。
成させた。さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１
の開講（１３）の左方向側に第２の開１ｓ（１８）を第
２のＬＳＩ程により形成させた。
かかる半導体は第１図に示されるごと＜ 、０．５３μ
（５３０ｎｍ）の波長のレーザ光源にて１０５ｃｍ−’
の吸収係数を有し、その波長がｌ／ｅになるのに１００
０Å以下であり、１ ／１００にするには１μあればよ
く、このため１μ以下の薄膜のＬＳにはきわめて好まし
いものであった。そのためこの半導体の下側に３ｅＶの
エネルギバンド巾のＣＴＦがあっても、このＣＴＦに大
きく損傷を与えることなく、第１図（Ｂ） （８）に示
されるごとき、１００〜５００ 人の浅さの凹状のザグ
リで半導体に開溝（１８）を形成することが可能になっ
た。この結果、第１の電極（１４）とのコネクタ（９）
による接触面積が２０μ巾と大きいため、第１図（Ｃ）
でのコネクタ（９）の接触抵抗を４Ω／口以下にするこ
とが可能となった。
（５３０ｎｍ）の波長のレーザ光源にて１０５ｃｍ−’
の吸収係数を有し、その波長がｌ／ｅになるのに１００
０Å以下であり、１ ／１００にするには１μあればよ
く、このため１μ以下の薄膜のＬＳにはきわめて好まし
いものであった。そのためこの半導体の下側に３ｅＶの
エネルギバンド巾のＣＴＦがあっても、このＣＴＦに大
きく損傷を与えることなく、第１図（Ｂ） （８）に示
されるごとき、１００〜５００ 人の浅さの凹状のザグ
リで半導体に開溝（１８）を形成することが可能になっ
た。この結果、第１の電極（１４）とのコネクタ（９）
による接触面積が２０μ巾と大きいため、第１図（Ｃ）
でのコネクタ（９）の接触抵抗を４Ω／口以下にするこ
とが可能となった。
かくして第２の開溝（１８）は第１の電極の上面を損傷
させることなく、またはその一部えくって露出（８）さ
せて形成させることができた。
させることなく、またはその一部えくって露出（８）さ
せて形成させることができた。
この第２の開ａ（１８）は、第２の素子の第１の電極（
１４）の側面（６）より２０μ以上左側であれば端部（
６）での加工部のバラツキ、残存物の影響を防くことが
できた。
１４）の側面（６）より２０μ以上左側であれば端部（
６）での加工部のバラツキ、残存物の影響を防くことが
できた。
第１図において、さらにこの水素化非単結晶半導体の上
面に第１図（Ｃ）に示されるごとく、第２の電極用の導
電Ｍ（４）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分離用
の第３の開港（２０）を得た。
面に第１図（Ｃ）に示されるごとく、第２の電極用の導
電Ｍ（４）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断分離用
の第３の開港（２０）を得た。
この第２の電極は透光性導電膜を１００〜１４００人Ｉ
ＴＯ（酸化インジュームスズ）を形成し、さらにその上
面にクロムまたはクロム合金（銅または銀が１〜１０重
量％添加されたクロム）を３００〜３０００人の厚さに
形成させた。例えばＩＴＯを１０５０人、銅−クロム合
金（銅２．５重量％）を１０００人の２層（シート抵抗
１．５Ω／口構造とした。
ＴＯ（酸化インジュームスズ）を形成し、さらにその上
面にクロムまたはクロム合金（銅または銀が１〜１０重
量％添加されたクロム）を３００〜３０００人の厚さに
形成させた。例えばＩＴＯを１０５０人、銅−クロム合
金（銅２．５重量％）を１０００人の２層（シート抵抗
１．５Ω／口構造とした。
この上側導電膜としてクロムまたはクロム合金のみの単
層膜を主成分として形成させＬＳにより電極としてもよ
い。
層膜を主成分として形成させＬＳにより電極としてもよ
い。
かくのごとく、裏面に形成される電極用導電層に６０Ｏ
ｒ＋ｎ＋以下の波長のレーザ光を上方より照射した場合
を以上においては示している。
ｒ＋ｎ＋以下の波長のレーザ光を上方より照射した場合
を以上においては示している。
この間１１１ （２０）作製を従来より知られたＹＡＧ
レーザ（１，０６μα＝１０３ｃｍ−’）で行う場合は
、レーザ光が導電膜（４）のみならずその下側の非単結
晶半導体の全厚さをきわめて簡単に突き抜けてしまい、
第１図（Ｃ）に示す半導体（４）の上面にて停まるので
はなく、その下側の半導体のみならずさらにその下側の
導電膜（２）をも切断してしまいやすく、実用性がまっ
たくなかった。
レーザ（１，０６μα＝１０３ｃｍ−’）で行う場合は
、レーザ光が導電膜（４）のみならずその下側の非単結
晶半導体の全厚さをきわめて簡単に突き抜けてしまい、
第１図（Ｃ）に示す半導体（４）の上面にて停まるので
はなく、その下側の半導体のみならずさらにその下側の
導電膜（２）をも切断してしまいやすく、実用性がまっ
たくなかった。
他方、本発明の非単結晶半導体の光吸収が大きい０．５
３μ （α−１０５ｃ、ｍ−’）のレーザ光の使用にお
いては、その殆どすべての光エネルギーが導電膜それ自
体またはそれと半導体（２）のごく上層部１０００Å以
下で吸収され昇華してしまうため、レーザ光が第２の電
極用導体（４）を切断しても同時にその下のＩ型半導体
層の損傷が殆どなく、その上部の導体に密接した１００
〜３００人の厚さの導電性を有するＮ型半導体を切断ま
たは絶縁化することにとどまった。このことは逆に、２
つの電極（１６） （１５）間のリークがＮ型半導体に
より発生することを完全に防ぐことができるという意味
において、２重に優れたものであった。
３μ （α−１０５ｃ、ｍ−’）のレーザ光の使用にお
いては、その殆どすべての光エネルギーが導電膜それ自
体またはそれと半導体（２）のごく上層部１０００Å以
下で吸収され昇華してしまうため、レーザ光が第２の電
極用導体（４）を切断しても同時にその下のＩ型半導体
層の損傷が殆どなく、その上部の導体に密接した１００
〜３００人の厚さの導電性を有するＮ型半導体を切断ま
たは絶縁化することにとどまった。このことは逆に、２
つの電極（１６） （１５）間のリークがＮ型半導体に
より発生することを完全に防ぐことができるという意味
において、２重に優れたものであった。
かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
１１）、（１３）を連結部（１２）で直列接続する光電
変換装置を作ることができた。
１１）、（１３）を連結部（１２）で直列接続する光電
変換装置を作ることができた。
第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものである。即ちバンシヘイション膜とし
て外部接続領域（５）を除き、ポリイミド、ポリアミド
、カプトンまたはエポキシ等の有機樹脂（２２）を２０
〜３０μの厚さにコートして耐湿防止をした。
させんとしたものである。即ちバンシヘイション膜とし
て外部接続領域（５）を除き、ポリイミド、ポリアミド
、カプトンまたはエポキシ等の有機樹脂（２２）を２０
〜３０μの厚さにコートして耐湿防止をした。
かくして照射光（１０）に対し、この実施例のごとき基
板（６０ｃｍ Ｘ ２０ｃｍ）において、各素子を１８
開連結部（１２） １００μ、外部引出し電極部の巾１
０ｍｍ、周辺部４ｍｍにより、実質的に５８０ｍｍ Ｘ
１９２ｍｍ内に３２段を有し、有効面積（１９２ｍｍ
Ｘ１８ｍｍ’Ｘ３２段＝１１０６ｃｄ即ち９２％）を
得ることができた。
板（６０ｃｍ Ｘ ２０ｃｍ）において、各素子を１８
開連結部（１２） １００μ、外部引出し電極部の巾１
０ｍｍ、周辺部４ｍｍにより、実質的に５８０ｍｍ Ｘ
１９２ｍｍ内に３２段を有し、有効面積（１９２ｍｍ
Ｘ１８ｍｍ’Ｘ３２段＝１１０６ｃｄ即ち９２％）を
得ることができた。
その結果セグメントが１０．５％の変換効率を有する場
合、パネルにて８．３％（へ旧 （１００ｍＷ ／ｃＪ
） ）にて９．ＩＷの出力電力を有せしめることができ
た。
合、パネルにて８．３％（へ旧 （１００ｍＷ ／ｃＪ
） ）にて９．ＩＷの出力電力を有せしめることができ
た。
これは従来のマスク合わせ方式で行う場合、有効面積７
５％（３２段の場合）に比べて、１７％もの実効面積の
向上を有し、究めて著しい変換効率の向上を有していた
。
５％（３２段の場合）に比べて、１７％もの実効面積の
向上を有し、究めて著しい変換効率の向上を有していた
。
本発明における珪素を主成分とした半導体は、水素また
はハロゲン元素が添加された非晶質半導体のみでなく
、５ｉＸＣ＋−Ｘ （０＜ ｘ ＜０．５ ）＋５ｉ３
Ｎ４−Ｘ（０＜ ｘ ＜ ２ ）、５ｉＯｚ−ｘ（Ｑ
＜ ｘ ＜ １ ）、５ｉｘＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ＜０．
５）を含むことばいうまでもない。
はハロゲン元素が添加された非晶質半導体のみでなく
、５ｉＸＣ＋−Ｘ （０＜ ｘ ＜０．５ ）＋５ｉ３
Ｎ４−Ｘ（０＜ ｘ ＜ ２ ）、５ｉＯｚ−ｘ（Ｑ
＜ ｘ ＜ １ ）、５ｉｘＧｅ＋−ｘ（０＜Ｘ＜０．
５）を含むことばいうまでもない。
この第１図においては、光電変換装置の応用であるが、
その他の非単結晶半導体を用いて、ＩＧＦＥＴを用い液
晶画像表示装置とさらに光センサ、圧力センサ等に対し
て用いてもまったく同様に有効である。本発明は薄膜非
単結晶半導体の電極材料の切断に対して有効であり、こ
れを１重以上とすると、このＣＴＦ、クロム合金等の金
属での光エネルギーの吸収が大きすぎ、開講の作製の歩
留りが低くなった。
その他の非単結晶半導体を用いて、ＩＧＦＥＴを用い液
晶画像表示装置とさらに光センサ、圧力センサ等に対し
て用いてもまったく同様に有効である。本発明は薄膜非
単結晶半導体の電極材料の切断に対して有効であり、こ
れを１重以上とすると、このＣＴＦ、クロム合金等の金
属での光エネルギーの吸収が大きすぎ、開講の作製の歩
留りが低くなった。
第１図は本発明方法を用いた光電変換装置の製造工程を
示す縦断面図である。 特許出願人
示す縦断面図である。 特許出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の絶縁表面上の１ｕ以下の厚さを有する導電膜
または非単結晶半導体上の１μ以下の厚さを有する導電
性薄膜に対し、６００ｎｍ以下の発光波長を有するパル
スレーザ光を照射することにより開講または分離溝を作
製することを特徴とする半導体装置作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、導電膜は酸化スズ
、酸化インジューム、珪化クロムを主成分とする透光性
導電膜またはクロムまたはクロム台金を主成分とする金
属またはこれらの複合体よりなることを特徴とする半導
体装置作製方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、６００ｎｍ以下の
発光波長を有するパルスレーザ光はＹＡＧレーザ光の５
３０ｎｍまたはエキシマレーザよりなることを特徴とす
る半導体装置作製方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、パルス中は５０ｎ
秒以下であることを特徴とする半導体装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11754084A JPS60261142A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11754084A JPS60261142A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261142A true JPS60261142A (ja) | 1985-12-24 |
Family
ID=14714321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11754084A Pending JPS60261142A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 半導体装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031201A (en) * | 1993-06-04 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with rotatable phase grating |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56105479A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern formation method |
| JPS5788733A (en) * | 1980-09-22 | 1982-06-02 | Texas Instruments Inc | Method of forming pattern by sublimation |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP11754084A patent/JPS60261142A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56105479A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern formation method |
| JPS5788733A (en) * | 1980-09-22 | 1982-06-02 | Texas Instruments Inc | Method of forming pattern by sublimation |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031201A (en) * | 1993-06-04 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with rotatable phase grating |
| US6376799B1 (en) | 1993-06-04 | 2002-04-23 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with a rotatable phase grating |
| US6635850B2 (en) | 1993-06-04 | 2003-10-21 | Seiko Epson Corporation | Laser machining method for precision machining |
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