JPS62222674A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPS62222674A JPS62222674A JP25163685A JP25163685A JPS62222674A JP S62222674 A JPS62222674 A JP S62222674A JP 25163685 A JP25163685 A JP 25163685A JP 25163685 A JP25163685 A JP 25163685A JP S62222674 A JPS62222674 A JP S62222674A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は２半導体装置のコンタクトホールの形成方法
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for forming contact holes in two semiconductor devices.
ｇＺＡ図から第２Ｆ図は従来の半導体装置の製造方法を
示す断面図であり、図において、ＣＩ）は半導体基板、
−２）は素子分離領域、（３）はゲートの絶縁膜、（４
） ＋２ ケ−トＩＩＣ極、（５ａ） ｉ！ ＝ｒ ７
タクトホールを形成しないｎ４拡散領域、（５ｂ） ＋
；！コンタクトホールを形成するｒ拡散領域、（６）は
ボロンリンガラス−（８）はフォトレジスト、（９）は
アルミニウム配線であるＯ
次６ζこの半導体ｉ［ｉｉの輌ａ方法番こついて説明す
る。、＠２Ａ図に示すように、ｎ″′拡散領域（５ａ）
、 （５ｂ）を形成後、ボロンリンガラス（６）を堆積
させ、９００℃の熱処理を行うことで第２Ｂ図に示すよ
うにボロンリンカラス（６）が平担化される０そして第
２Ｃ図に示すよう番こ、フォトレジスト（８）でコンタ
クトホールのパターンを形成し、異方性ドライエツチン
クでホロンリンカラス（６）をエツチングした後。Figures gZA to 2F are cross-sectional views showing a conventional method of manufacturing a semiconductor device, and in the figures, CI) is a semiconductor substrate,
-2) is an element isolation region, (3) is a gate insulating film, and (4) is a gate insulating film.
) +2 Kate IIC pole, (5a) i! =r 7
N4 diffusion region that does not form tact holes, (5b) +
;! The r diffusion region forming the contact hole, (6) is boron phosphorus glass, (8) is photoresist, and (9) is aluminum wiring. , @ As shown in Figure 2A, n″′ diffusion region (5a)
, After forming (5b), boron phosphorus glass (6) is deposited and heat treated at 900°C to flatten the boron phosphorus glass (6) as shown in Fig. 2B and Fig. 2C. After forming a contact hole pattern with photoresist (8) as shown in Figure 2, and etching the hole ring glass (6) with an anisotropic dry etching process.
フォトレジストを除去することで一第２０図に示すよう
にコンタクトホールが形成される。そして、８００℃〜
９００℃の熱処理により第１１７：図に示すようにボロ
ンリンカラス（６）のコンタクトホールに傾斜をつけた
後、シリコンを含むアルミニウム（９）をスパッタして
バターニングを行い第２Ｆ図のようになっている。By removing the photoresist, a contact hole is formed as shown in FIG. And 800℃~
After heat treatment at 900°C, the contact hole of the boron phosphorus glass (6) is sloped as shown in Figure 117, and then aluminum (9) containing silicon is sputtered and buttered as shown in Figure 2F. It has become.
上記のような従来の半導体装置の４１ｉ造方法では。 In the conventional 41i manufacturing method of a semiconductor device as described above.
ホロンリンカラス（６）かコンタクトホール開孔後の８
００℃〜９す０℃の熱処理で垂れすぎて孔をつぶしてし
まうことと、アルミニウム配線（９）とボロンリンガラ
ス（６）と接触すると、アルミニタム配線形成後の３０
０℃〜ｓ ｏ ｏ ’ｃの熱処理でアルミニウム配線（
９）中のシリコンかコンタクトホール部に析出するトイ
ウ問題点かあった。Holonlink glass (6) or 8 after contact hole opening
00°C to 90°C during heat treatment, it may sag too much and crush the hole, and if it comes into contact with the aluminum wiring (9) and the boron phosphorus glass (6), the 30° C.
Aluminum wiring (
9) There was a problem with silicon depositing in the contact hole area.
この・発明は、ＩＪ）刀）る問題点を解決するためにな
されｉともので、ボロンリンカラス（６）かコンタクト
ホール開孔後の熱処理によって垂れるのを抑えるととも
；こ、ｎ；ロンリンガラス（６）とアルミニウム配線（
９）とか直接接触しない半導体装置の製１青方法を得る
ことを目的とする。This invention was made in order to solve the problem of IJ). Glass (6) and aluminum wiring (
9) The purpose is to obtain a manufacturing method for semiconductor devices that does not require direct contact.
この発明に係る半導体装置の製造方法は、ボロンリンガ
ラス（６）でコンタクトボールを形成した後、ボロンリ
ンカラスの０．５〜１．０倍の膜厚のリンガラス（７）
を堆積させ再度コンタクトホールを形成したものである
。The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes forming a contact ball with boron phosphorus glass (6), and then forming a contact ball with phosphorus glass (7) having a thickness of 0.5 to 1.0 times that of the boron phosphorus glass.
was deposited to form a contact hole again.
この発明に２いては、コンタクトホール開孔後ボロンリ
ンカラス（６）よりも熱処理での垂れが小さいリンガラ
ス（７）で、ボロンリンガラス（６） ｉ ｚおうよう
番こしたので、 ＳＯＯ〜９００″Ｃの熱処理を行なっ
てもホロンリンカラスかコンタクトホール部に流れ込ま
ないので、コンタクトホールのっぷれを抑えられる。ま
た、リンガラス（７）でボロンリンカラス（６）を２お
うことで、アルミニウム配線（９）とボロンリンカラス
（６）が直接接触しないので、アルミニウム配線のＳｌ
のコンタクトホールへの析出を防止できる。In this invention, after the contact hole is opened, the boron phosphorus glass (6) is made of phosphorus glass (7) which has a smaller sag during heat treatment than the boron phosphorus glass (6), so SOO~ Even if the heat treatment is performed at 900"C, the phosphorus glass (7) will not flow into the contact hole, so the contact hole can be prevented from becoming full. Also, by covering the boron phosphorus glass (6) with the phosphorus glass (7), Since the aluminum wiring (9) and the boron glass (6) do not come into direct contact, the Sl of the aluminum wiring
Precipitation in contact holes can be prevented.
第１Ａ図から第１Ｌ図はこの発明の一実施例を示す断面
図であり、（１）〜（６） 、 （８） 、 （９）は
上記従来の半導体装置の製造方法と同一のものである。Figures 1A to 1L are cross-sectional views showing one embodiment of the present invention, and (1) to (6), (8), and (9) are the same as the conventional semiconductor device manufacturing method described above. be.
（７）はボロンリンガラス（６）を２１６うリンガラス
である。(7) is a 216 phosphorus glass that is different from the boron phosphorus glass (6).
仄に、この半導体装置の製造方法について説明する。A method for manufacturing this semiconductor device will be briefly described.
ます４１Ａ図に示すように、？拡散領域（５ａ）。As shown in Figure 41A, ? Diffusion area (5a).
（５ｂ）形成後、従来の０．５〜０．７倍の膜厚のホロ
ンリンカラス（６）を堆積させ％９００℃の熱処理を行
なうことで第１Ｂ図１こ示すようにボロンリンガラス（
６）が平坦化される。そし−ｃｇｔｃ図に示すように。After (5b) is formed, boronphosphorus glass (6) is deposited 0.5 to 0.7 times the thickness of the conventional film and heat treated at 900°C, resulting in boronphosphorus glass (6) as shown in Figure 1B.
6) is flattened. As shown in the -cgtc diagram.
フォトレジスト（８）で実際のコンタクトホールの１．
２〜１．５倍の大きさのコンタクトホールのパターンを
形成し、異方性トライエツチングでホロンリンカラス（
６）をエツチングした後、フォトレジスト（８）を除去
することで、第１Ｄ図に示すようにコンタクトホールが
形成される。そして、第１Ｅ図に示すように、常圧ＣＶ
Ｄ法によりホロンリンカラス（６）の０．５〜１．０倍
の膜厚のリンガラス（７）を堆積させると、微小コンタ
クト部ではＣＶＤデポ時に、コンタクトホールの奥まで
反応種かはいってゆかないので第１Ｅ図に示すようにボ
ロンリンガラス（６）上に比ベコンタクトホール上では
リンカラス（７）の厚さが４０幅〜５０係薄くなる。そ
の後ＳＯＯ〜９００ ℃の熱処理を行ない、第１Ｆ図の
よう番こ平坦化する。1. of the actual contact hole with photoresist (8).
A pattern of contact holes 2 to 1.5 times the size is formed, and holonlink holes (
After etching 6), the photoresist 8 is removed to form a contact hole as shown in FIG. 1D. Then, as shown in FIG. 1E, the normal pressure CV
When phosphorus glass (7) is deposited using the D method to a thickness of 0.5 to 1.0 times that of holon phosphorus glass (6), the reactive species reach the depths of the contact hole at the minute contact area during CVD deposition. Therefore, as shown in FIG. 1E, the thickness of the link glass (7) on the contact hole becomes 40 to 50 times thinner than that on the boron glass (6). Thereafter, heat treatment is performed at SOO to 900° C. to flatten the surface as shown in FIG. 1F.
そして第１Ｇ図に示すように、フォトレジストでコンタ
クトホールのパターンを形成し、異方性ドライエツチン
グでリンガラス（７）をエツチングした後、フォトレジ
スト（８）を除去すると、第１Ｈ図１こ示すように、コ
ンタクトホールが形成される。そして、８００〜９００
℃の熱処理により第１Ｋ図に示すようにリンカラス（７
）のコンタクトホールに傾斜をつけた後、アルεをスパ
ッタしてバターニングを行ないｇｌＬ図のよう番こする
。Then, as shown in Fig. 1G, a contact hole pattern is formed using photoresist, and after etching the ring glass (7) by anisotropic dry etching, the photoresist (8) is removed, and as shown in Fig. 1H. A contact hole is formed as shown. And 800-900
As shown in Figure 1K, link glass (7
) After forming an inclination in the contact hole, patterning is performed by sputtering Al ε, and the pattern is patterned as shown in the figure.
以上のように、この発明によれは、ボロンリンガラスを
リンガラスで２２うことで、熱処理によるボロンリンカ
ラスの垂れすきによるコンタクトホールのつぶれの心配
がなく、コンタクトホール開孔後の熱処理の温度範囲が
広がることと、アルミニウム配線とボロンリンカラスが
直接接触すること１Ｃよる。アルミニウム配線中のシリ
ンの析出が抑えられること、またリンガラス堆積後のコ
ンタクトホール部での膜厚が他の部分より薄くなるので
エツチングがしやすくなる効果がある。As described above, the present invention has the advantage that by covering the boron phosphorus glass with phosphorus glass, there is no concern that the contact hole will collapse due to the boron phosphorus glass sagging during heat treatment, and the temperature of the heat treatment after the contact hole is opened is This is due to the expansion of the range and the direct contact between the aluminum wiring and the boron phosphorus glass. This has the effect of suppressing the precipitation of phosphorus in the aluminum wiring, and making etching easier since the film thickness at the contact hole portion after phosphorus glass is deposited is thinner than other portions.
第１Ａ図からｉＸ Ｉ Ｌ図はこの発明の一実施例を示
す断面図、第２Ａ図から第２Ｆ図は従来の実施例を示す
断面図である。
図に２いＣ１（１）は半導体基板、（２）は素子分離領
域、（３）は絶縁膜、（４）はゲート亀唖、＋５１は１
拡散領域、（６）はボロンリンガラス、（１）はリンカ
ラス、（８）はフォトレジスト、（９）はアルξニクム
配線。
ｒ！ ｊｉＪ 、図中同一符号は同一、または相当部分
を示す。FIGS. 1A to IX I L are sectional views showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2A to 2F are sectional views showing a conventional embodiment. In the figure, C1 (1) is the semiconductor substrate, (2) is the element isolation region, (3) is the insulating film, (4) is the gate shell, and +51 is the 1
Diffusion region, (6) is boron phosphorus glass, (1) is phosphorus glass, (8) is photoresist, (9) is aluminum ξ nicum wiring. r! jiJ, the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.
Claims (3)
のコンタクトホールを、ボロンリンガラスを堆積して一
度コンタクトホールを開け、次にリンガラスを堆積させ
再度コンタクトホールを開けることで形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。(1) Contact holes in the insulating film between the aluminum wiring, gate electrode, and semiconductor substrate are formed by depositing boron phosphorus glass, opening the contact hole once, then depositing phosphorous glass, and opening the contact hole again. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized by:
．５〜１．０倍の膜厚であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。(2) The film thickness of phosphorus glass is 0 of the film thickness of boron phosphorus glass.
．． 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the film thickness is 5 to 1.0 times.
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造
方法。(3) A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, characterized in that phosphorus glass is deposited by atmospheric pressure CVD.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163685A JPS62222674A (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163685A JPS62222674A (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222674A true JPS62222674A (en) | 1987-09-30 |
Family
ID=17225765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25163685A Pending JPS62222674A (en) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222674A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104087A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Hitachi Ltd | Preparation of inter-layer insulation film utilized in multi-layer wir ing of electronic parts |
| JPS60153147A (en) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25163685A patent/JPS62222674A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52104087A (en) * | 1976-02-27 | 1977-09-01 | Hitachi Ltd | Preparation of inter-layer insulation film utilized in multi-layer wir ing of electronic parts |
| JPS60153147A (en) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
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