JPS62222629A - 気相反応処理装置 - Google Patents
気相反応処理装置Info
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- JPS62222629A JPS62222629A JP6632686A JP6632686A JPS62222629A JP S62222629 A JPS62222629 A JP S62222629A JP 6632686 A JP6632686 A JP 6632686A JP 6632686 A JP6632686 A JP 6632686A JP S62222629 A JPS62222629 A JP S62222629A
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- mixing chamber
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- diluting
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Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title abstract 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 29
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 29
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 38
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、気相反応処理装置に係り、特に半導体製造工
程で用いられる気相反応処理装置に関するものである。
程で用いられる気相反応処理装置に関するものである。
従来の技術
近年、気相反応処理装置は、半導体産業の発展において
不可欠であり、処理工程の低温化や処理プロセスの多種
性と相まって、その用途は増々拡大されつつあると同時
に可燃性ガスや毒性ガスの使用に対する安全性が問われ
つつある。
不可欠であり、処理工程の低温化や処理プロセスの多種
性と相まって、その用途は増々拡大されつつあると同時
に可燃性ガスや毒性ガスの使用に対する安全性が問われ
つつある。
以下図面を参照しながら、上述した従来の気相反応処理
装置の一例について説明する。
装置の一例について説明する。
第２図において、１は反応に寄与するガスを供給又は停
止する開閉弁である。２は気相反応処理室で反応ガス開
閉弁１と真空遮断弁３が接続されている。４は真空ポン
プでありその出口よシ、排気配管６が希釈混合室６まで
接続されている。また、希釈混合室６には、排ガス処理
装置７が接続されている。更に、真空ポンプ４の内部パ
ーシロ及び希釈混合室６には、希釈用Ｎ２の総流量を制
御できる流量調節部１Ｑと各々に分岐して流量を制御で
きる第１流量調節部９及び第２流量調節部８とを備えた
Ｎ２ガス供給系３０が接続されている。
止する開閉弁である。２は気相反応処理室で反応ガス開
閉弁１と真空遮断弁３が接続されている。４は真空ポン
プでありその出口よシ、排気配管６が希釈混合室６まで
接続されている。また、希釈混合室６には、排ガス処理
装置７が接続されている。更に、真空ポンプ４の内部パ
ーシロ及び希釈混合室６には、希釈用Ｎ２の総流量を制
御できる流量調節部１Ｑと各々に分岐して流量を制御で
きる第１流量調節部９及び第２流量調節部８とを備えた
Ｎ２ガス供給系３０が接続されている。
以上のように構成された気相反応処理装置において、以
下その動作について説明する。
下その動作について説明する。
まず、真空ポンプ４が作動し、真空遮断弁３廿して減圧
に維持された気相反応処理室２に反応ガス開閉弁１より
反応ガスが供給され、気相反応処理が行なわれる。また
、同時に気相反応処理室２で反応に寄与されなかった未
反応ガス及び真空ポンプ４の内部パーシロに第１流量調
節部９よシ供給されたパージ用Ｎ２ガスは、排気配管５
を通って、希釈混合室８で第２流量調節部８より供給さ
れた希釈用Ｎ２ガスと混合され、排ガス処理装置７に供
給される。
に維持された気相反応処理室２に反応ガス開閉弁１より
反応ガスが供給され、気相反応処理が行なわれる。また
、同時に気相反応処理室２で反応に寄与されなかった未
反応ガス及び真空ポンプ４の内部パーシロに第１流量調
節部９よシ供給されたパージ用Ｎ２ガスは、排気配管５
を通って、希釈混合室８で第２流量調節部８より供給さ
れた希釈用Ｎ２ガスと混合され、排ガス処理装置７に供
給される。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成において、気相反応処理室２から希釈
混合室６に至る部分で空気の微小リークがあって空気が
流入したとき、その成分中の酸素との反応を抑制するた
め第１調節部９を通ってパージ用Ｎ２ガスを多量に供給
することが考えられるがこの場合には真空ポンプ４の能
力を低下させるので得策ではない。従って第１流量調節
部９がら供給されるＮ２ガス量は小量とせざるを得す、
第２流量調節部８を通って十分な希釈用Ｎ２ガスが供給
される希釈混合室ｅに到達する前に、排気配管５の内部
で発熱が起きてしまうという問題点を有していた。
混合室６に至る部分で空気の微小リークがあって空気が
流入したとき、その成分中の酸素との反応を抑制するた
め第１調節部９を通ってパージ用Ｎ２ガスを多量に供給
することが考えられるがこの場合には真空ポンプ４の能
力を低下させるので得策ではない。従って第１流量調節
部９がら供給されるＮ２ガス量は小量とせざるを得す、
第２流量調節部８を通って十分な希釈用Ｎ２ガスが供給
される希釈混合室ｅに到達する前に、排気配管５の内部
で発熱が起きてしまうという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、空気の微小リークがあって
も希釈混合室まで到る排気配管内で発熱等の異常反応を
防止することが可能な装置を提供することにある。
も希釈混合室まで到る排気配管内で発熱等の異常反応を
防止することが可能な装置を提供することにある。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明の気相反応処理装置
は、真空ポンプへの内部パージ口、希釈混合室、及び真
空ポンプの排出口から希釈混合室に到るガス流路の適所
の３箇所に反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量制
御して供給できるガスシステムを備えたものである。
は、真空ポンプへの内部パージ口、希釈混合室、及び真
空ポンプの排出口から希釈混合室に到るガス流路の適所
の３箇所に反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量制
御して供給できるガスシステムを備えたものである。
作 用
本発明は、上記した構成によって空気の微小リークがあ
っても真空ポンプから希釈混合室までの排気配管での未
反応ガスの異常反応による発熱を防止することが可能と
なる。
っても真空ポンプから希釈混合室までの排気配管での未
反応ガスの異常反応による発熱を防止することが可能と
なる。
実施例
以下本発明の一実施例の気相反応処理装置にっいて図面
を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例にお
ける気相反応処理装置の構成を示すものである。第１図
において、１１はシラン（Ｓ Ｉ Ｈ４）を供給又は停
止する開閉弁、１２は図示されていないが加熱されたシ
リコンウェハーが設置されている気相反応処理室でＳ
ｉ Ｈ４ガス開閉弁１１と真空遮断弁１３が接続されて
いる。１４は真空ポンプであり、その出口より排気配管
１５が希釈混合室１６まで接続されている。また、希釈
混合室１６には排ガス処理装置１７が接続されている。
を参照しながら説明する。第１図は本発明の実施例にお
ける気相反応処理装置の構成を示すものである。第１図
において、１１はシラン（Ｓ Ｉ Ｈ４）を供給又は停
止する開閉弁、１２は図示されていないが加熱されたシ
リコンウェハーが設置されている気相反応処理室でＳ
ｉ Ｈ４ガス開閉弁１１と真空遮断弁１３が接続されて
いる。１４は真空ポンプであり、その出口より排気配管
１５が希釈混合室１６まで接続されている。また、希釈
混合室１６には排ガス処理装置１７が接続されている。
更に希釈用Ｎ２の総流量を制御できるメイン流量調節部
２ｏから分岐して設けられた第１流量調節部１９．第２
流量調節部２１及び第３流量調節部１８が各々真空ポン
プ内部パージ口、希釈混合室１６、及び真空ポンプ１４
の排出口に接続され、これらにＮ２ガス供給系２２から
の反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量制御して供
給される。
２ｏから分岐して設けられた第１流量調節部１９．第２
流量調節部２１及び第３流量調節部１８が各々真空ポン
プ内部パージ口、希釈混合室１６、及び真空ポンプ１４
の排出口に接続され、これらにＮ２ガス供給系２２から
の反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量制御して供
給される。
以上のように構成された気相反応処理装置について以下
第１図を用いてその動作を説明する。
第１図を用いてその動作を説明する。
第１図はＳ ｚ Ｈ４ガスを熱分解してポリシリコン（
Ｐｏｌｙｓｉ）を成長させる気相反応処理装置を示すも
のであって、減圧下で加熱されたシリコンウェハーを設
置した気相反応処理室１２に５ＩＨ４ガス開閉弁１２を
開いてＳ ｚ Ｈ４ガスを供給することにより、Ｐｏ１
ｙｓｉがそのウエノ・−上に堆積される。
Ｐｏｌｙｓｉ）を成長させる気相反応処理装置を示すも
のであって、減圧下で加熱されたシリコンウェハーを設
置した気相反応処理室１２に５ＩＨ４ガス開閉弁１２を
開いてＳ ｚ Ｈ４ガスを供給することにより、Ｐｏ１
ｙｓｉがそのウエノ・−上に堆積される。
又、気相反応処理室１２で反応しなかった未反応ガスは
、ＳｉＨガスもしくはＳ ｔ Ｈ４ガスの熱分解された
中間生成物の形で真空遮断弁１３から真空ポンプ１４を
経て、排気配管１６の内部を流れて、希釈混合室１６か
ら排ガス処理装置１７に到達する。もし、気相反応処理
室１２を含めて希釈混合室１６までの経路で配管のゆる
みや０リングの劣化等による空気のリークが生じた場合
でも真空ポンプ１４の出口、排気口にＳ Ｉ Ｈ４の爆
発限界以下に希釈可能な流量のＮ２ガスを第２流量調節
部２１より供給することにより、第１流量調節部１９か
ら供給されたＮ２ガスの流量を増やすことなしに、云い
かえれば、真空ポンプ１４の能力を低下させることなし
に排気配管１５内でのＳ Ｉ Ｈ４ガスの異常反応によ
る発熱を防止することができる。
、ＳｉＨガスもしくはＳ ｔ Ｈ４ガスの熱分解された
中間生成物の形で真空遮断弁１３から真空ポンプ１４を
経て、排気配管１６の内部を流れて、希釈混合室１６か
ら排ガス処理装置１７に到達する。もし、気相反応処理
室１２を含めて希釈混合室１６までの経路で配管のゆる
みや０リングの劣化等による空気のリークが生じた場合
でも真空ポンプ１４の出口、排気口にＳ Ｉ Ｈ４の爆
発限界以下に希釈可能な流量のＮ２ガスを第２流量調節
部２１より供給することにより、第１流量調節部１９か
ら供給されたＮ２ガスの流量を増やすことなしに、云い
かえれば、真空ポンプ１４の能力を低下させることなし
に排気配管１５内でのＳ Ｉ Ｈ４ガスの異常反応によ
る発熱を防止することができる。
以上のように本実施例によれば、真空ポンプ１４の内部
パーシロとその出口排気口に希釈用として供給されるＮ
２ガス流号を制御して供給することにより、真空ポンプ
１４の能力を低下させることなしに排気配管１５内での
Ｓ ｘ Ｈ４ガスの異常反応による発熱を防止すること
ができる。
パーシロとその出口排気口に希釈用として供給されるＮ
２ガス流号を制御して供給することにより、真空ポンプ
１４の能力を低下させることなしに排気配管１５内での
Ｓ ｘ Ｈ４ガスの異常反応による発熱を防止すること
ができる。
なお、前述の実施例において、Ｓ Ｉ Ｈ４ガスの熱分
解によるＰｏ１ｙｓｉの成長だけでなく、反応時に供給
されるガスがＮ２以外の空気中の成分と反応して発熱を
生じるＳｔ Ｎ やＳ ｉ ０２等の絶縁膜の成長で
もよい。又前記第２流量調節部２１は前記排気配管１６
の適所に接続することも可能である。
解によるＰｏ１ｙｓｉの成長だけでなく、反応時に供給
されるガスがＮ２以外の空気中の成分と反応して発熱を
生じるＳｔ Ｎ やＳ ｉ ０２等の絶縁膜の成長で
もよい。又前記第２流量調節部２１は前記排気配管１６
の適所に接続することも可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、減圧下で気相反応処理が行なわ
れる装置の真空ポンプ内部パージ口、希釈混合室、及び
真空ポンプの排出口から希釈混合室に到るガス流路の適
所の３箇所に反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量
制御して供給できるｌスジステムを設けることにより、
気相反応処理室から希釈混合室までの経路に空気のリー
クが生じても真空ポンプの能力を低下させることなしに
排気配管内部での反応ガスと空気との接触による異常反
応を防止することができる。
れる装置の真空ポンプ内部パージ口、希釈混合室、及び
真空ポンプの排出口から希釈混合室に到るガス流路の適
所の３箇所に反応ガス希釈用Ｎ２ガスが各々独立に流量
制御して供給できるｌスジステムを設けることにより、
気相反応処理室から希釈混合室までの経路に空気のリー
クが生じても真空ポンプの能力を低下させることなしに
排気配管内部での反応ガスと空気との接触による異常反
応を防止することができる。
第１図は本発明の実施例における気相反応処理装置の構
成図、第２図は従来の気相反応処理装置の構成図である
。 １４・・・・・・真空ポンプ、１６・・・・・・排気配
管、１６・・・・・・希釈混合室、１８・・・・・・第
３流量調節部（希釈混合室用）、１９・・・・・・第１
流量調節部（真空ポンプ内部パージ用）、２０・・・・
・・メイン流量調節部（希釈用Ｎ２ガス総流量制御用）
、２１・・・・・・第２流量調節部（真空ポンプ出口排
気用）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！４
−−−臭り：、Ｔζンフ″ ２１−一一才２ ゲ 第２図
成図、第２図は従来の気相反応処理装置の構成図である
。 １４・・・・・・真空ポンプ、１６・・・・・・排気配
管、１６・・・・・・希釈混合室、１８・・・・・・第
３流量調節部（希釈混合室用）、１９・・・・・・第１
流量調節部（真空ポンプ内部パージ用）、２０・・・・
・・メイン流量調節部（希釈用Ｎ２ガス総流量制御用）
、２１・・・・・・第２流量調節部（真空ポンプ出口排
気用）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！４
−−−臭り：、Ｔζンフ″ ２１−一一才２ ゲ 第２図
Claims (1)
- 減圧下において、反応時に供給されるガスがＮ＿２ガス
以外の空気中の成分と反応して発熱を生じる気相反応処
理装置において、真空ポンプの内部パージ口、希釈混合
室、及び真空ポンプの排出口から希釈混合室に到るガス
流路の適所の３箇所に反応ガス希釈用Ｎ＿２ガスが各々
流量制御して供給できるガスシステムを備えたことを特
徴とする気相反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6632686A JPS62222629A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6632686A JPS62222629A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222629A true JPS62222629A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13312600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6632686A Pending JPS62222629A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 気相反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008500895A (ja) * | 2004-05-25 | 2008-01-17 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | 排気装置用ガス供給システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271975A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Trapping of sih4 gas in vacuum type vapor growth process |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6632686A patent/JPS62222629A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271975A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Trapping of sih4 gas in vacuum type vapor growth process |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008500895A (ja) * | 2004-05-25 | 2008-01-17 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | 排気装置用ガス供給システム |
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