JPS62222134A - 赤外線検出器 - Google Patents
赤外線検出器Info
- Publication number
- JPS62222134A JPS62222134A JP6472786A JP6472786A JPS62222134A JP S62222134 A JPS62222134 A JP S62222134A JP 6472786 A JP6472786 A JP 6472786A JP 6472786 A JP6472786 A JP 6472786A JP S62222134 A JPS62222134 A JP S62222134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- absorbing film
- film
- temp
- infrared rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は赤外線に対する検出感度特性を改良し思
た赤外線検出≠予に関する。
電気抵抗の温度依存性を利用した赤外線検出素子は、各
線の温度等を検出するために、現在広(用いられており
1代表的にはサーミスタ素子がある。
線の温度等を検出するために、現在広(用いられており
1代表的にはサーミスタ素子がある。
これらのサーミスタ素子は一般的に1例えばCro3.
Co2O3,Mn2O3,Nip、 TiO2,Cu
Oなどの金属酸化物を焼成して得たセラミックチップに
ガラス被覆されたものが多用されている。
Co2O3,Mn2O3,Nip、 TiO2,Cu
Oなどの金属酸化物を焼成して得たセラミックチップに
ガラス被覆されたものが多用されている。
ここで、これらの金属酸化物のセラミックチップは、赤
外線吸収率が低いためこれらのチップ表面に全黒(金の
微粒子)等の金属物を被着させ。
外線吸収率が低いためこれらのチップ表面に全黒(金の
微粒子)等の金属物を被着させ。
赤外線吸収率を改善させるものが開発されている。
しかしながら、この金属物は金属酸化物から成るるチッ
プに直接被着されているので、このチップ中に拡散され
、結果としてチップの電気特性を変化させ、延いては電
気抵抗の温度依存性に変動を及はすと℃・う問題があっ
た。
プに直接被着されているので、このチップ中に拡散され
、結果としてチップの電気特性を変化させ、延いては電
気抵抗の温度依存性に変動を及はすと℃・う問題があっ
た。
本発明は上記問題点に鑑み成されたもので、赤外線吸収
率が高く、電気抵抗の温度依存性に変動を及ぼさない赤
外線検出器を提供することを目的とする。
率が高く、電気抵抗の温度依存性に変動を及ぼさない赤
外線検出器を提供することを目的とする。
本発明は、赤外線を透過させる透過窓を有する外囲器と
、この外囲器に内装されると共に、透過窓を透過した赤
外線を吸収する高分子材料から成る赤外線吸収膜と、こ
の赤外線吸収膜に密着し。
、この外囲器に内装されると共に、透過窓を透過した赤
外線を吸収する高分子材料から成る赤外線吸収膜と、こ
の赤外線吸収膜に密着し。
温度変化に応じて電気特性が変動する赤外線検出素子と
を備えているので、赤外線吸収率に優れ。
を備えているので、赤外線吸収率に優れ。
また赤外線吸収膜が赤外線検出素子中に拡散することな
く安定した温度依存性が得られる赤外線検出器を提供す
る。
く安定した温度依存性が得られる赤外線検出器を提供す
る。
本発明に係る赤外線検出器の実施例を以下に図面を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第1図に赤外線検出器の一実施例を示す。
つまり同図に示す様に、略円筒状の形状をした例えはア
ルミニウム等からなる外囲器1の内部には1次に説明す
る各々の構成部品が内装されている。
ルミニウム等からなる外囲器1の内部には1次に説明す
る各々の構成部品が内装されている。
即ち、赤外線を透過する透過窓2の直下には。
赤外線の吸収率に優れた例えはポリ塩化ビニルから成る
赤外線吸収膜3が配設されている。
赤外線吸収膜3が配設されている。
この赤外線吸収llll3は、第2図にその特性を示す
様に、7μmから13μm程度の波長の赤外光を特徴と
する特質がある −−。
様に、7μmから13μm程度の波長の赤外光を特徴と
する特質がある −−。
またこの赤外線吸収PfA3に密着する如く配設される
赤外線素子4は1例えはサーミスタ素子である。
赤外線素子4は1例えはサーミスタ素子である。
ここで、この赤外線吸収膜3の大きさは3間四方、厚さ
約0.8mmであり、一方赤外線検出素子4は2 mm
四方で吸収膜3よりもやや小さいものである。
約0.8mmであり、一方赤外線検出素子4は2 mm
四方で吸収膜3よりもやや小さいものである。
また、この赤外線検出素子4の下方(図中下側)には、
外囲器1内の温度、換言すれば周囲温度を検出する温度
補償用サーミスタ素子5が設けられている。
外囲器1内の温度、換言すれば周囲温度を検出する温度
補償用サーミスタ素子5が設けられている。
この温度補償用サーミスタ素子5は前述の如く周囲温度
を検出するものであり、赤外線吸収膜3と密着された赤
外線検出素子4とを第3図に示す様なブリッジ回路を組
むことにより、透過窓を透過した赤外線量を検出するこ
とができる。さらに本実施例においては1両サーミスタ
素子4,5間に遮へい板6を配設して、温度補償用サー
ミスタ素子5に赤外線が入射されることを防止している
。
を検出するものであり、赤外線吸収膜3と密着された赤
外線検出素子4とを第3図に示す様なブリッジ回路を組
むことにより、透過窓を透過した赤外線量を検出するこ
とができる。さらに本実施例においては1両サーミスタ
素子4,5間に遮へい板6を配設して、温度補償用サー
ミスタ素子5に赤外線が入射されることを防止している
。
(図示せず)を介して、外部に挿通ずるステム7に接続
されている。
されている。
以上の様に構成された赤外線検出器の作用等を以下に説
明する。
明する。
外囲器1の透過窓2を透過した赤外線は、その透過窓2
の直下に配設された赤外線吸収膜3に吸収される。
の直下に配設された赤外線吸収膜3に吸収される。
ここでこの赤外線吸収膜3は、優れた赤外線吸収率を有
するので、この膜温度は、著しく向上する。また一方、
赤外線吸収膜3と赤外線検出素子4は密着しているので
、赤外線吸収[3が昇温されると、それに伴なって赤外
線検出素子4も応答良く昇温される。
するので、この膜温度は、著しく向上する。また一方、
赤外線吸収膜3と赤外線検出素子4は密着しているので
、赤外線吸収[3が昇温されると、それに伴なって赤外
線検出素子4も応答良く昇温される。
これに対して、前述の如く、温度補償用サーミスタ素子
5は外部の赤外線に影響されることなく周囲温度を検出
するので、第3図に示したブリッジ回路を、ステム7を
介して構成することに依り。
5は外部の赤外線に影響されることなく周囲温度を検出
するので、第3図に示したブリッジ回路を、ステム7を
介して構成することに依り。
透過窓2を透過した赤外線の絶対量は、同図A。
B端子間に電位差となって現われる。
本実施例に依れば、赤外線を吸収する赤外線吸収膜3と
、これに密着する赤外線検出素子4とを有しているので
、透過した赤外線によって効率よく赤外線検出素子4は
昇温される。これは9本実施例の構造を採ったものと、
赤外線吸収膜3を有しない同一構造の赤外線検出器との
電位差を比較した一例として2本実施例が、従来の赤外
線検出素子の2〜3倍程度の電位差が得られることで理
解される。
、これに密着する赤外線検出素子4とを有しているので
、透過した赤外線によって効率よく赤外線検出素子4は
昇温される。これは9本実施例の構造を採ったものと、
赤外線吸収膜3を有しない同一構造の赤外線検出器との
電位差を比較した一例として2本実施例が、従来の赤外
線検出素子の2〜3倍程度の電位差が得られることで理
解される。
さらに1本発明者は、上記の如き赤外線吸収膜3と、赤
外線検出素子4との構造を採った場合の最適な条件を各
種実験に依り検討した。そして。
外線検出素子4との構造を採った場合の最適な条件を各
種実験に依り検討した。そして。
第3図に示したブリッジ回路の電位差が大きくなる条件
換言すれは赤外線の検出感度が向上する条件は、赤外線
吸収膜3の膜厚等にも影響されるが。
換言すれは赤外線の検出感度が向上する条件は、赤外線
吸収膜3の膜厚等にも影響されるが。
本質的には、赤外線吸収膜30面積と、この吸収膜3に
密着する赤外線検出素子40面積に大きく左右されるこ
とを見い出した。第4図に、赤外線吸収膜の面積と赤外
線検出素子の面積の相対的な比を変化させた時のブリッ
ジ回路の電位差の変化を示す。同図から理解される様に
、赤外線吸収膜の面積が、赤外線検出素子の面積よりも
2〜4倍大きくすれば、極めて有効に赤外線が利用でき
る。
密着する赤外線検出素子40面積に大きく左右されるこ
とを見い出した。第4図に、赤外線吸収膜の面積と赤外
線検出素子の面積の相対的な比を変化させた時のブリッ
ジ回路の電位差の変化を示す。同図から理解される様に
、赤外線吸収膜の面積が、赤外線検出素子の面積よりも
2〜4倍大きくすれば、極めて有効に赤外線が利用でき
る。
また2本発明者らは2本実施例で用いた塩化ビニル以外
の高分子からなる赤外線吸収膜についても実験を行なっ
たところ、前述と同様な結果が得られることを確認して
いる。この様な現象が生じる理由として2本発明者らは
次の様に推察している。
の高分子からなる赤外線吸収膜についても実験を行なっ
たところ、前述と同様な結果が得られることを確認して
いる。この様な現象が生じる理由として2本発明者らは
次の様に推察している。
即ち、赤外線を吸収する赤外線吸収膜の面積が。
赤外線検出素子に比較して相対的に小さい場合には、赤
外線検出素子を充分に昇温させる熱量が吸収されず、ま
た、相対的に大きい場合は、赤外線検出素子に熱を伝導
させる以前に熱放射等が生じて、吸収した熱が赤外線検
出素子に有効に伝えられなくなるものと考えられる。
外線検出素子を充分に昇温させる熱量が吸収されず、ま
た、相対的に大きい場合は、赤外線検出素子に熱を伝導
させる以前に熱放射等が生じて、吸収した熱が赤外線検
出素子に有効に伝えられなくなるものと考えられる。
次に2本発明に係る赤外線検出器の他の実施例を以下に
説明する。
説明する。
つまり、第5図に示す様に、前述の実施例と同じく、外
囲器には、赤外線吸収膜に密着した赤外線検出素子と1
周囲温度を検出する温度補償用サーミスタ素子、及びそ
れらの素子を離間する遮へい板が各々内装されている。
囲器には、赤外線吸収膜に密着した赤外線検出素子と1
周囲温度を検出する温度補償用サーミスタ素子、及びそ
れらの素子を離間する遮へい板が各々内装されている。
本実施例と前述の実施例との相違は2特に、赤外線吸収
膜3と赤外線検出素子4との関係にあるので、この点に
ついて説明する。
膜3と赤外線検出素子4との関係にあるので、この点に
ついて説明する。
本実施例では、外囲器1の透過窓2方向から見て赤外線
検出素子4の裏面に赤外線吸収膜3が密着されて℃・ろ
ものである。即ち、赤外線検出素子4は、この素子4よ
りも大きな赤外線吸収膜3に密着されており、透過窓2
を透過した赤外線の一部は、直接赤外線検出素子4に入
射され、また。
検出素子4の裏面に赤外線吸収膜3が密着されて℃・ろ
ものである。即ち、赤外線検出素子4は、この素子4よ
りも大きな赤外線吸収膜3に密着されており、透過窓2
を透過した赤外線の一部は、直接赤外線検出素子4に入
射され、また。
赤外線吸収膜3にも吸収されるものである。
以上の如き構造にすると、赤外線検出素子4に直接赤外
線が入射され昇温するので、応答性に優れろと共に、赤
外線吸収膜3に吸収された赤外線に依っても、赤外線検
出素子4が昇温されるので感度に優れる。
線が入射され昇温するので、応答性に優れろと共に、赤
外線吸収膜3に吸収された赤外線に依っても、赤外線検
出素子4が昇温されるので感度に優れる。
またさらには、板厚の薄い赤外線検出素子4を用いた場
合には、一般に赤外線検出素子4に赤外線を入射させて
も、この素子4を透過することが多いが2本実施例を適
用した場合には、赤外線検出素子4の裏面に、赤外線吸
収膜3が密着されているので、この透過光を吸収し、素
子4を昇温して極めて好ましい。
合には、一般に赤外線検出素子4に赤外線を入射させて
も、この素子4を透過することが多いが2本実施例を適
用した場合には、赤外線検出素子4の裏面に、赤外線吸
収膜3が密着されているので、この透過光を吸収し、素
子4を昇温して極めて好ましい。
またさらに2本発明者らはより有効に赤外線を利用する
ために、外囲器1の透過窓2方向から見て、赤外線検出
素子4の裏面に例えば、 All 、 Ag 。
ために、外囲器1の透過窓2方向から見て、赤外線検出
素子4の裏面に例えば、 All 、 Ag 。
An等の赤外線反射性の優れた材料から成る赤外線反射
膜を形成させれば、より赤外線を有効に活用できること
を見い出した。
膜を形成させれば、より赤外線を有効に活用できること
を見い出した。
つまり、具体的には第6図(atに示す様に、赤外線検
出素子4の一方の面には、赤外線吸収膜3を介して赤外
線反射膜8が形成されているものである。また同図(b
)に変形例を示す如く、赤外線検出素子4の一方の面は
、赤外線吸収膜3と密着し。
出素子4の一方の面には、赤外線吸収膜3を介して赤外
線反射膜8が形成されているものである。また同図(b
)に変形例を示す如く、赤外線検出素子4の一方の面は
、赤外線吸収膜3と密着し。
他方の面には、赤外線反射膜8が形成されているもので
ある。
ある。
上記の様な構造を採ると、赤外線吸収膜3または赤外線
検出素子4を透過した光を再び、それらに入射させるこ
とができるので、効率良く赤外線検出素子4を昇温でき
極めて好ましい。
検出素子4を透過した光を再び、それらに入射させるこ
とができるので、効率良く赤外線検出素子4を昇温でき
極めて好ましい。
またさらに本発明者らは1本発明に係る赤外線検出器の
作製の容易性について鑑み、赤外線吸収膜の形状等を検
討したところ、フィルム状に形成された赤外線吸収膜3
を赤外線検出素子4に貼付けろことに依り、際立った容
易性が得られることを確認した。これと比較して、赤外
線検出素子4に赤外線吸収膜3を形成する方法としては
2例えばスクリーン印刷法、蒸着法等が代表的にあるが
各れも赤外線吸収膜3の膜厚を均一化することが多少困
難であった。
作製の容易性について鑑み、赤外線吸収膜の形状等を検
討したところ、フィルム状に形成された赤外線吸収膜3
を赤外線検出素子4に貼付けろことに依り、際立った容
易性が得られることを確認した。これと比較して、赤外
線検出素子4に赤外線吸収膜3を形成する方法としては
2例えばスクリーン印刷法、蒸着法等が代表的にあるが
各れも赤外線吸収膜3の膜厚を均一化することが多少困
難であった。
即ち、上述の様にフィルム状に形成された赤外線吸収膜
3を用いれは2作製時にその膜厚を制御することがなく
、シかも均一な膜厚が得られるので、赤外線吸収膜3が
一様に昇温する。従って赤外線検出素子に伝えられる熱
にむらがなく、赤外線検出素子の温度勾配が極めて少な
いので、検出誤差を低減することができるという利点が
ある。
3を用いれは2作製時にその膜厚を制御することがなく
、シかも均一な膜厚が得られるので、赤外線吸収膜3が
一様に昇温する。従って赤外線検出素子に伝えられる熱
にむらがなく、赤外線検出素子の温度勾配が極めて少な
いので、検出誤差を低減することができるという利点が
ある。
以上の実施例においては、赤外線検出器の構造。
材料、形状等を数値などを用いて詳細に説明しているが
1本発明はこれに固執する必要はない。
1本発明はこれに固執する必要はない。
例えは、実施例においては、赤外線検出素子としてサー
ミスタ素子を用いているが、これは電気特性に温度依存
性を有する素子であれば充分であり、この意味から1例
えば焦電検出素子等も用いられる。
ミスタ素子を用いているが、これは電気特性に温度依存
性を有する素子であれば充分であり、この意味から1例
えば焦電検出素子等も用いられる。
また、実施例で示した赤外線検出器は、温度補償用サー
ミスタ素子を備えて、赤外線の絶対量のみを検出するよ
うに構成しであるが、用途等に依っては、温度補償用サ
ーミスタ素子を省くこともできる。
ミスタ素子を備えて、赤外線の絶対量のみを検出するよ
うに構成しであるが、用途等に依っては、温度補償用サ
ーミスタ素子を省くこともできる。
またさらには、実施例中ではポリ塩化ビニルを用いた赤
外線吸収膜を中心に説明しているが、各種の実験を行な
ったところ1例えば、ポリフッ化ビニル、ポリアクリル
アミド、ポリ体験ビニル。
外線吸収膜を中心に説明しているが、各種の実験を行な
ったところ1例えば、ポリフッ化ビニル、ポリアクリル
アミド、ポリ体験ビニル。
ポリアクリル二トル、ナイロン、フェノール樹脂。
尿素樹脂、エポキシ樹脂、ポリブタジェン等の高分子材
料を用いても、同様な効果が得られた。尚。
料を用いても、同様な効果が得られた。尚。
これらの高分子材料の赤外線吸収特性を第7図に示す。
また、互いに異なったこれらの高分子材料を用いて9層
状に赤外線吸収膜を形成させれば。
状に赤外線吸収膜を形成させれば。
赤外線の吸収域が広範囲となり、したがって、検出器の
検出感度を向上させることができる。この高分子材料の
組合わせとしては、ナイロンと、ポリ蛙酸ビニル、エポ
キシ樹脂、ポリアクリルアミドまたはポリフッ化ビニ、
2との組合わせ、ポリフッ化ビニルとエポキシ樹脂との
組合わせが好ましいことを確認している。
検出感度を向上させることができる。この高分子材料の
組合わせとしては、ナイロンと、ポリ蛙酸ビニル、エポ
キシ樹脂、ポリアクリルアミドまたはポリフッ化ビニ、
2との組合わせ、ポリフッ化ビニルとエポキシ樹脂との
組合わせが好ましいことを確認している。
本発明に依れば、透過窓を透過した赤外線を吸収する高
分子材料から成る赤外線吸収膜と、この赤外線吸収膜に
密着し、温度変化に応じて電気特性が変動する赤外線検
出素子とを備えた赤外線検出器であるので、赤外線吸収
率が高く、電気抵抗の温度依存性に変動を及ぼさない赤
外線検出器を提供できた。
分子材料から成る赤外線吸収膜と、この赤外線吸収膜に
密着し、温度変化に応じて電気特性が変動する赤外線検
出素子とを備えた赤外線検出器であるので、赤外線吸収
率が高く、電気抵抗の温度依存性に変動を及ぼさない赤
外線検出器を提供できた。
第1図は1本発明に係る赤外線検出器の一実施例を示す
概略図。 第2図は、ポリ塩化ビニルを用いた赤外線吸収膜の赤外
線吸収を示す特性図。 第3図は、第1図で示した赤外線検出器により赤外線量
を測定する際に使用するブリッジ回路を示す回路構成図
。 第4図は、赤外線吸収膜と赤外線検出素子との面積比に
対する出力電圧の変化を示す特性図。 第5図及び第6図(a) 、 (blは2本発明に係る
赤外線検出器の他の実施例を示す概略図。 第7図は、各種の高分子材料を用いた赤外線吸収膜の赤
外線吸収を示す特性図。 である。 1・・・・・・外囲器、 2・・・・・・透過窓
3・・・・・・赤外線吸収膜、 4・・・・・・赤外線
検出素子8・・・・・・赤外線反射膜
概略図。 第2図は、ポリ塩化ビニルを用いた赤外線吸収膜の赤外
線吸収を示す特性図。 第3図は、第1図で示した赤外線検出器により赤外線量
を測定する際に使用するブリッジ回路を示す回路構成図
。 第4図は、赤外線吸収膜と赤外線検出素子との面積比に
対する出力電圧の変化を示す特性図。 第5図及び第6図(a) 、 (blは2本発明に係る
赤外線検出器の他の実施例を示す概略図。 第7図は、各種の高分子材料を用いた赤外線吸収膜の赤
外線吸収を示す特性図。 である。 1・・・・・・外囲器、 2・・・・・・透過窓
3・・・・・・赤外線吸収膜、 4・・・・・・赤外線
検出素子8・・・・・・赤外線反射膜
Claims (5)
- (1)赤外線を透過させる透過窓を有する外囲器と、前
記外囲器に内装されると共に、前記透過窓を透過した赤
外線を吸収する高分子材料から成る赤外線吸収膜と、 前記赤外線吸収膜に密着し、温度変化に応じて電気特性
が変動する赤外線検出素子 とを具備したことを特徴とする赤外線検出器。 - (2)赤外線吸収膜がポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニ
ル、ポリアクリルアミド、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリ
ルニトロ、ナイロン、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリブタジエンのうち少なくとも1種の高分
子材料から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の赤外線検出器。 - (3)赤外線吸収膜が複数の高分子材料によつて層状に
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項記載の赤外線検出器。 - (4)透過窓に対して赤外線検出素子の裏面に、赤外線
吸収膜が形成されていると共に、前記赤外線吸収膜の裏
面に赤外線反射膜が形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項、第2項、または第3項記載の赤外
線検出器。 - (5)透過窓に対向する赤外線検出素子の表面に、赤外
線吸収膜が形成されていると共に、前記赤外線検出素子
の裏面に赤外線反射膜が形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項、第2項、または第3項記載の
赤外線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6472786A JPS62222134A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6472786A JPS62222134A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 赤外線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62222134A true JPS62222134A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13266471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6472786A Pending JPS62222134A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62222134A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0674821A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-03-18 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線検出器 |
US6870086B2 (en) | 2001-06-11 | 2005-03-22 | Denso Corporation | Thermo pile infrared ray sensor manufactured with screen print and method thereof |
JP2013050365A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Tdk Corp | 赤外線温度センサ |
WO2015166785A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | コニカミノルタ株式会社 | 光学素子材料、光学素子の製造方法及び赤外用光学素子 |
US9528879B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6472786A patent/JPS62222134A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0674821A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-03-18 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線検出器 |
US6870086B2 (en) | 2001-06-11 | 2005-03-22 | Denso Corporation | Thermo pile infrared ray sensor manufactured with screen print and method thereof |
JP2013050365A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Tdk Corp | 赤外線温度センサ |
US9528879B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor |
WO2015166785A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | コニカミノルタ株式会社 | 光学素子材料、光学素子の製造方法及び赤外用光学素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101840480B1 (ko) | 적외선 센서 | |
KR101639838B1 (ko) | 적외선 센서 및 이것을 구비한 회로 기판 | |
US6097031A (en) | Dual bandwith bolometer | |
US4928513A (en) | Sensor | |
US4636631A (en) | Photoconducting detector in optical immersion | |
US4948976A (en) | Multi-wavelength band infrared detector | |
US2994053A (en) | Selective bolometer | |
US5693942A (en) | Infrared detector | |
US5998791A (en) | Thermally sensitive element and radiation sensor | |
US5105084A (en) | Pyroelectric infrared sensor with different sized effective light receiving electrode areas and a method of manufacturing a dual pyroelectric element used therein | |
US4806763A (en) | Infrared radiation detection device | |
JPS62222134A (ja) | 赤外線検出器 | |
JPH06194229A (ja) | 赤外線センサ | |
US2963674A (en) | Construction for thermistor bolometers | |
US3453434A (en) | Infrared ray detector utilizing ferroelectric single crystal | |
US4682018A (en) | Process for the temperature compensation of a photoconducting detector | |
JPS62269367A (ja) | 赤外線検知素子 | |
JP2989203B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
JPH0677526A (ja) | 樹脂封止形光電変換装置及びその製造方法 | |
US4049963A (en) | Photoelectric measuring device | |
JPH0196548A (ja) | センサ素子 | |
JPH0552659A (ja) | 赤外線センサ | |
JPH0523070U (ja) | 赤外線検出器 | |
CN210690406U (zh) | 光纤湿敏探头和光纤湿敏检测系统 | |
JPH08166287A (ja) | 赤外線センサおよびそのセンサを用いた赤外線センサシステム |