JPS62222004A - 希土類合金粉末を含む高密度焼結体の製造方法 - Google Patents
希土類合金粉末を含む高密度焼結体の製造方法Info
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- JPS62222004A JPS62222004A JP6279886A JP6279886A JPS62222004A JP S62222004 A JPS62222004 A JP S62222004A JP 6279886 A JP6279886 A JP 6279886A JP 6279886 A JP6279886 A JP 6279886A JP S62222004 A JPS62222004 A JP S62222004A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱間静水圧プレス（以下ＨＩＰと略称する）
によシ、希土類金属を含有したＦｅ系あるいはＣｏ系金
属粉末の高密度焼結体を製造する方法に関するものであ
る。
によシ、希土類金属を含有したＦｅ系あるいはＣｏ系金
属粉末の高密度焼結体を製造する方法に関するものであ
る。
ＴｂＦｅ 、 ＧｄＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土゛類金属を含むＦｅ系あるい
はＣｏ系の磁性材料は。
ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の希土゛類金属を含むＦｅ系あるい
はＣｏ系の磁性材料は。
光磁気ディスクの記録媒体として用いられており。
この記録媒体はアクリル系又はエポキシ系の基板上にス
・ぞツタ法によって薄膜として形成される。
・ぞツタ法によって薄膜として形成される。
しかるに、この薄膜記録媒体は、成分の均一性。
高純度、低酸素含有率であることが要求されるとともに
、クラックや？イド等の欠陥のないこと力；必要である
。そのため、スノクソターターケ黴ト基板は、高密度、
高純度、低酸素含有率の材料であることが必要である。
、クラックや？イド等の欠陥のないこと力；必要である
。そのため、スノクソターターケ黴ト基板は、高密度、
高純度、低酸素含有率の材料であることが必要である。
ス・ぞツタ−ターゲット基板を製造する方法として、鋳
造法や粉砕粉末をホントプレスする方法が知られている
が、緻密なものが得られないという致命的欠陥がある。
造法や粉砕粉末をホントプレスする方法が知られている
が、緻密なものが得られないという致命的欠陥がある。
このような致命的欠陥を克服する方法として。
コンテナを用いたＨＩＰ法が知られているが、希土類金
属を含有したＦｅ系あるいはＣＯ系合金は酸素親和力が
太きいため、単純にＨＩＰ法を適用することはできない
。
属を含有したＦｅ系あるいはＣＯ系合金は酸素親和力が
太きいため、単純にＨＩＰ法を適用することはできない
。
このため本出願人は、既に、特願昭６０−１９０９３０
号で、希土類金属を含有したＦｅ系おるいはＣＯ系合金
の高密度焼結体をＨＩＰ法によって得る際、金属粉末を
コンテナに入れて密封する前に、 Ｉ ０−６Ｔｏｒｒ
以上の真空度にて８５０〜１０５０℃の温度で真空加熱
することにより、吸着しているガスや水分、油分等を除
去した後コンテナを密封して。
号で、希土類金属を含有したＦｅ系おるいはＣＯ系合金
の高密度焼結体をＨＩＰ法によって得る際、金属粉末を
コンテナに入れて密封する前に、 Ｉ ０−６Ｔｏｒｒ
以上の真空度にて８５０〜１０５０℃の温度で真空加熱
することにより、吸着しているガスや水分、油分等を除
去した後コンテナを密封して。
ＨＩＰ処理する方法を提案した。
上記先願に示した方法では、真空加熱処理した後真空を
維持しながらコンテナを密封しなければならず、工程が
複雑であるとともに密封作業が困難である。
維持しながらコンテナを密封しなければならず、工程が
複雑であるとともに密封作業が困難である。
本発明は、上記の問題点に鑑み、希土類金属を含有する
Ｆｅ系あるいはＣＯ系合金の高密度焼結体。
Ｆｅ系あるいはＣＯ系合金の高密度焼結体。
特にスパッターターゲット基板（これに限定されるもの
ではないが）をＨＩＰ法を用いて容易に製造できる方法
を提供することを目的とする。
ではないが）をＨＩＰ法を用いて容易に製造できる方法
を提供することを目的とする。
本発明では、従来のように密封コンテナを用いることな
く２代りに希土類金属を含むＦｅ系あるいはＣｏ系金属
粉末を予め圧縮成形し、この圧縮成形体を可動型の炉内
で真空焼結した後焼結体を炉内に置いたまま、不活性ガ
スを炉内に充填し、該炉を移動して熱間静水圧プレス炉
に入れ、該焼結体を熱間静水圧プレスすることを特徴と
するものである。
く２代りに希土類金属を含むＦｅ系あるいはＣｏ系金属
粉末を予め圧縮成形し、この圧縮成形体を可動型の炉内
で真空焼結した後焼結体を炉内に置いたまま、不活性ガ
スを炉内に充填し、該炉を移動して熱間静水圧プレス炉
に入れ、該焼結体を熱間静水圧プレスすることを特徴と
するものである。
なお、ここで、焼結体を炉内に置いたまま不活性ガスを
充填し、該炉を移動して熱間静水圧プレス炉へ入れるこ
とは、 ＨＩＰ処理前に焼結体を冷却したシ、炉から取
シ出す必要のないことを意味し。
充填し、該炉を移動して熱間静水圧プレス炉へ入れるこ
とは、 ＨＩＰ処理前に焼結体を冷却したシ、炉から取
シ出す必要のないことを意味し。
これによって真空焼結を導入しても、従来法と比較して
全工程の時間が長くなることはなく、かつコンテナに密
封したりコンテナを除去する繁雑な作業が不要となる。
全工程の時間が長くなることはなく、かつコンテナに密
封したりコンテナを除去する繁雑な作業が不要となる。
また真空焼結の際の真空度は１０〜１０Ｔｏｒｒとし、
焼結温度は、１０７０℃〜１１００℃の範囲とする必要
がある。またＨＩＰ処理は１０５０℃以上の温度、８０
０ｋｇ／α以上の圧力で行なう必要がある。
焼結温度は、１０７０℃〜１１００℃の範囲とする必要
がある。またＨＩＰ処理は１０５０℃以上の温度、８０
０ｋｇ／α以上の圧力で行なう必要がある。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の１実施例を示す図である。
第１図（ａ）および（ｂ）を参照して、可動型炉１は台
車２上に積載されておシ、ヒータ１１を内部に有する上
端の閉塞した断熱壁よシなる円筒部１２は下蓋１３から
取外し可能であるとともに、下蓋１３上に設置されたと
きはオーリング１４で封止される。
車２上に積載されておシ、ヒータ１１を内部に有する上
端の閉塞した断熱壁よシなる円筒部１２は下蓋１３から
取外し可能であるとともに、下蓋１３上に設置されたと
きはオーリング１４で封止される。
第１図（ａ）は２円筒部１２を下蓋１３から外して下蓋
１３の中央部上に、被焼結試料３を置いた状態の外観を
示し、第１図（ｂ）は、その上から円筒部１２を被せた
状態の断面図である。
１３の中央部上に、被焼結試料３を置いた状態の外観を
示し、第１図（ｂ）は、その上から円筒部１２を被せた
状態の断面図である。
被焼結試料３は、希土類金属を含むＦｅ系あるいはＣｏ
系の金属粉末を、粉末冶金で公知の方法で。
系の金属粉末を、粉末冶金で公知の方法で。
所望の形状に加圧成形したものである。
第１図（ｂ）の状態から１台車２を移動して、可動型炉
ｌを真空焼結装置４の下方へ運ぶ。
ｌを真空焼結装置４の下方へ運ぶ。
第１図（Ｃ）に示すように、真空焼結装置４は下端の開
放した容器で、上部に図示しない真空ポンプおよびアル
ゴンガス源に選択的に接続される・ぐイブ４１を有して
いる。
放した容器で、上部に図示しない真空ポンプおよびアル
ゴンガス源に選択的に接続される・ぐイブ４１を有して
いる。
可動型炉１は２図示しない引上げ装置で台車２から持ち
上げられ、真空焼結装置４の下方開口端から内部へ挿入
され、真空焼結装置４内へセントされる。このとき、真
空焼結装置４の下端部４２は可動型炉ｌの下部へ嵌着す
る。
上げられ、真空焼結装置４の下方開口端から内部へ挿入
され、真空焼結装置４内へセントされる。このとき、真
空焼結装置４の下端部４２は可動型炉ｌの下部へ嵌着す
る。
可動型炉１の円筒部１２と下蓋１３との結合部１５の外
周には、第１図（、）に示すようにオーリング１６が設
けられておシ、このオーリング１６によって結合部１５
と下端部４３との間の隙間が。
周には、第１図（、）に示すようにオーリング１６が設
けられておシ、このオーリング１６によって結合部１５
と下端部４３との間の隙間が。
第１図（ｃ）のように封止される。従って、真空焼結装
置４の内部は外部から気密に保たれる。 −また第１
図（ｂ）に示すように、可動型炉の円筒部の上部には開
口１７が開いており、この開口を常時閉塞するように弁
１８が設けられている。
置４の内部は外部から気密に保たれる。 −また第１
図（ｂ）に示すように、可動型炉の円筒部の上部には開
口１７が開いており、この開口を常時閉塞するように弁
１８が設けられている。
一方真空焼結装置４の内部に可動型炉がセットされると
、可動型炉の円筒部１２の上部開口１７に設けた弁１８
が押し開かれる。こうして、真空焼結装置４内にセット
された可動型炉１の内部は真空焼結装置４の内部を連通
ずる。
、可動型炉の円筒部１２の上部開口１７に設けた弁１８
が押し開かれる。こうして、真空焼結装置４内にセット
された可動型炉１の内部は真空焼結装置４の内部を連通
ずる。
この状態で２図示しない真空ポンプを作動して。
・ぐイブ４１から真空焼結装置内を真空引きする。
これによシ、可動型炉Ｉ内も真空にされる。
所定の真空度に引かれた後、可動型炉ｌのヒータ１１へ
図示しない電源から電流を流して、可動型炉を所定温度
迄加熱し、その後所定時間その温度に保持して、被焼結
体試料３を焼結する。
図示しない電源から電流を流して、可動型炉を所定温度
迄加熱し、その後所定時間その温度に保持して、被焼結
体試料３を焼結する。
焼結終了後、アルゴンガス源から・母イブ４１を通じて
アルゴンを真空焼結装置内へ供給する。
アルゴンを真空焼結装置内へ供給する。
所定量のアルゴンの供給が終了すると、可動型炉１は、
再び下方の台車２上へ下される。このときの状態が第１
図（ｄ）に示される。この状態は、第１図（ｂ）と同様
であるが、試料３は既に焼結されておシ、炉内は高温で
あシ、シかもアルゴンが充填されている点で、第１図（
ｂ）の状態と異なっている。
再び下方の台車２上へ下される。このときの状態が第１
図（ｄ）に示される。この状態は、第１図（ｂ）と同様
であるが、試料３は既に焼結されておシ、炉内は高温で
あシ、シかもアルゴンが充填されている点で、第１図（
ｂ）の状態と異なっている。
この状態で２台車２はＨＩＰ処理装置５の下方に移動さ
れ、ここで、可動型炉ｌは再び持ち上げられ、第１図（
ｅ）のとお、９ 、 ＨＩＰ処理装置５にセントされる
。
れ、ここで、可動型炉ｌは再び持ち上げられ、第１図（
ｅ）のとお、９ 、 ＨＩＰ処理装置５にセントされる
。
ＨＩＰ処理装置５は、下端部が可動型炉ｌの結合部１５
に嵌着し、オーリング１６で封止される円筒部５１とそ
の上端を閉じる上蓋５２とを有している。上蓋５２の内
面には、可動型炉１の弁１８を開放する弁開放棒５３を
備えている。この構成は、前述の真空焼結装置４とほぼ
類似している。
に嵌着し、オーリング１６で封止される円筒部５１とそ
の上端を閉じる上蓋５２とを有している。上蓋５２の内
面には、可動型炉１の弁１８を開放する弁開放棒５３を
備えている。この構成は、前述の真空焼結装置４とほぼ
類似している。
Ｉ（ＩＰ処理では、内部が高圧になるため１円筒部５１
および上蓋５２及び下蓋１３を外部から押えるため１周
囲にフレーム５４が被せられる。
および上蓋５２及び下蓋１３を外部から押えるため１周
囲にフレーム５４が被せられる。
また、上蓋５２とフレーム５４を貫通して、圧力媒体で
あるアルコゞンを内部へ供給する・ぐイブ５５が設けら
れる。／？イブ５５は、また、 ＨＩＰ処理後、アルゴ
ンガスを排気するためにも用いられる。
あるアルコゞンを内部へ供給する・ぐイブ５５が設けら
れる。／？イブ５５は、また、 ＨＩＰ処理後、アルゴ
ンガスを排気するためにも用いられる。
こうして、 ＨＩＰ処理装置５内に、可動型炉ｌをセッ
トすると同時に、真空ポンプ（図示せず〕でパイプ５５
ｔ−介して真空引きした後、・ぐイブ５５からアルゴン
を供給するとともに、可動型炉１のヒータ１１へ通電す
る。
トすると同時に、真空ポンプ（図示せず〕でパイプ５５
ｔ−介して真空引きした後、・ぐイブ５５からアルゴン
を供給するとともに、可動型炉１のヒータ１１へ通電す
る。
この結果、炉内は高温高圧となシ、試料３はＨＩＰ処理
される。
される。
ＨＩＰ処理後、・ｇイブ５５からアルゴンを回収し。
可動型炉１をＨＩＰ処理炉５の直下の台車２上へ下し２
台車２を冷却筒等（図示せず）へ移動して。
台車２を冷却筒等（図示せず）へ移動して。
可動型炉を冷却した後、第１図（ｆ）に示すように可動
型炉ｌの円筒部１２を下蓋１３から外して。
型炉ｌの円筒部１２を下蓋１３から外して。
ＨＩＰ処理された試料３を取シ出す。
上記の装置を用い上記の操作に従って、真空焼結温度を
１０８０℃とし、真空度をｉｏ Ｔｏｒｒ。
１０８０℃とし、真空度をｉｏ Ｔｏｒｒ。
１０ Ｔｏｒｒ 、 ｌ ＯＴｏｒｒの場合について
、 １０４０℃から１０９０℃迄のＨＩＰ処理温度にて
ＨＩＰ処理圧力１０００１０００ｋをもってＨＩＰ処理
したときの処理後の焼結体の相対密度および酸素含有率
を調べ。
、 １０４０℃から１０９０℃迄のＨＩＰ処理温度にて
ＨＩＰ処理圧力１０００１０００ｋをもってＨＩＰ処理
したときの処理後の焼結体の相対密度および酸素含有率
を調べ。
これを第２図に示した。第２図から明らかなように、酸
素含有率の点から真空焼結の際の真空度は１０ Ｔｏ
ｒｒ以上が必要であることがわかる。
素含有率の点から真空焼結の際の真空度は１０ Ｔｏ
ｒｒ以上が必要であることがわかる。
次に、真空焼結の際の真空度を１０ Ｔｏｒｒ一定と
し、焼結温度を１０６０℃、 ■０７０℃、１１００℃
と変え、上記と同一のＨｒＰ処理条件のもとで。
し、焼結温度を１０６０℃、 ■０７０℃、１１００℃
と変え、上記と同一のＨｒＰ処理条件のもとで。
ＨＩＰ処理したものについて、 ＨＩＰ処理後の相対密
度を調べた。その結果を第３図に示す。同図から明らか
なように、高密度を得るためには、真空焼結の際の温度
を１０７０℃以上に保つ必要があシ。
度を調べた。その結果を第３図に示す。同図から明らか
なように、高密度を得るためには、真空焼結の際の温度
を１０７０℃以上に保つ必要があシ。
１１００℃あれば充分であることがわかる。
更に、真空焼結の温度を１０８０℃一定、真空度を１０
Ｔｏｒｒ一定とし、 ＨＩＰ処理温度を１０３０℃
、１０５０℃、１１００℃と変え、５００〜１５００に
９７ｃｍ のＨＩＰ圧力で処理した場合の相対密度を調
べその結果を第４図に示した。同図よシ明かなように、
ＨＩＰ処理温度は１０５０℃以上。
Ｔｏｒｒ一定とし、 ＨＩＰ処理温度を１０３０℃
、１０５０℃、１１００℃と変え、５００〜１５００に
９７ｃｍ のＨＩＰ圧力で処理した場合の相対密度を調
べその結果を第４図に示した。同図よシ明かなように、
ＨＩＰ処理温度は１０５０℃以上。
圧力は８００ｋｇ／ｃｒｎ 以上を必要とすることがわ
かる。
かる。
以下２本発明の方法を用いて製造したスｉＥツタ−ター
ゲットを用いて前述の光磁気記録用媒体を製造した例を
示す。
ゲットを用いて前述の光磁気記録用媒体を製造した例を
示す。
例−１
Ｇｄ５Ｄ）１２＋）Ｃｏ５Ｆｅ７（１合金粉末を不活性
ガス中でプレス成形し、予備焼結を温度１０８０℃、保
持時間を３時間、真空度２ＸＩＯＴｏｒｒで行い、その
後ＨＩＰ処理を１０７０℃、保持時間２時間、圧力１５
００ ｋｌ？／ｃｒｎ にて行った。製造されたＧｄ
ＤｙＣｏＦｅ合金は相対密度９９．８％、酸素含有量９
６０ ｐｐｍ（粉末時９２０ ｐｐｍ ）であシ、低酸
素で高密度の材料を作製することができた。本材料を鏡
面加工仕上げし、導電金属にろう付けし、ス・ぐツター
ターケ゛ントを作製し、ス・ぐツタ−膜を形成した所。
ガス中でプレス成形し、予備焼結を温度１０８０℃、保
持時間を３時間、真空度２ＸＩＯＴｏｒｒで行い、その
後ＨＩＰ処理を１０７０℃、保持時間２時間、圧力１５
００ ｋｌ？／ｃｒｎ にて行った。製造されたＧｄ
ＤｙＣｏＦｅ合金は相対密度９９．８％、酸素含有量９
６０ ｐｐｍ（粉末時９２０ ｐｐｍ ）であシ、低酸
素で高密度の材料を作製することができた。本材料を鏡
面加工仕上げし、導電金属にろう付けし、ス・ぐツター
ターケ゛ントを作製し、ス・ぐツタ−膜を形成した所。
良好な光磁気記録用媒体が得られた。
例−２
ＧｄＦｅ３合金粉末を不活性ガス中でプレス成形し。
予備焼結を温度１０９０℃、保持時間３時間、真空度４
Ｘ １０ Ｔｏｒｒで行い、 ＨＩＰ処理を１０８
０℃、保持時間２時間、圧力１０００ｋｇ／ｃｒｒ１に
て行った。製造されたＧｄＦｅ３合金は、相対密度９９
．５％の高密度の材料となっていた。また、酸素含有量
を測定した所、 ９６０ ｐｐｍを示し、粉末時の酸素
含有量９３０ ｐｐｍと比較して同等の酸炭含有量であ
った。本材料を鏡面加工仕上げし、スＡ？ツタ膜を形成
したところ、良好な光磁気用記録媒体膜が得られた。
Ｘ １０ Ｔｏｒｒで行い、 ＨＩＰ処理を１０８
０℃、保持時間２時間、圧力１０００ｋｇ／ｃｒｒ１に
て行った。製造されたＧｄＦｅ３合金は、相対密度９９
．５％の高密度の材料となっていた。また、酸素含有量
を測定した所、 ９６０ ｐｐｍを示し、粉末時の酸素
含有量９３０ ｐｐｍと比較して同等の酸炭含有量であ
った。本材料を鏡面加工仕上げし、スＡ？ツタ膜を形成
したところ、良好な光磁気用記録媒体膜が得られた。
また、比較のために、従来のコンテナを用いたＨＩＰ処
理後、および前述の特願昭６０−１９０９３０号で提案
した脱気処理を施したコンテナを用いたＨ Ｉ Ｐ法に
よって得た試料と本発明によシ得た試料との特徴を下表
に示す。
理後、および前述の特願昭６０−１９０９３０号で提案
した脱気処理を施したコンテナを用いたＨ Ｉ Ｐ法に
よって得た試料と本発明によシ得た試料との特徴を下表
に示す。
表から明らかなように１本発明は従来法よシ優れた特性
が得られる。また、先願の方法に比して。
が得られる。また、先願の方法に比して。
はるかに量産性に適している。
以上述べたとおシ９本発明によれば、希土類金属を含む
低酸素濃度で高密度の焼結晶が短かいＨＩＰ処理時間で
容易に得られる利点がある。
低酸素濃度で高密度の焼結晶が短かいＨＩＰ処理時間で
容易に得られる利点がある。
第１図は２本発明の一実施例を示す図で、（ａ）図は可
動型炉中に成形試料を装填する状態を示す正面図、（ｂ
）図は装填後の状態を示す断面図、（Ｃ）図は可動型炉
を真空焼結装置にセットした状態を示す断面図、（ｄ）
図は真空焼結後可動型炉が台車上に戻された状態を示す
断面図、（ｅ）図は同可動型炉をＨＩＰ処理炉にセット
した状態を示す断面図、（ｆ）図は）ＺＩＰ処理後、可
動型炉から試料を取シ出す状態を示す正面図である。 第２図は、真空焼結時の各真空度におけるＩ（ＩＰ処理
温度とＨＩＰ処理後の相対密度および酸含有量との関係
を示す図、第３図は、各真空焼結温度におけるＨＩＰ処
理温度とＨＩＰ処理後の相対密度との関係を示す図、第
４図は、各ＨＩＰ処理温度におけるＨＩＰ処理圧力とＨ
ＩＰ処理後の相対密度との関係を示す図である。 ■・・・可動型炉、２・・・台車、３・・・試料、４・
・・真空焼結装置、５・・・ＨＩＩ’処理装匝。 第３図 ＨＩＰ処理温度 （０Ｃ）第４図 （％）
動型炉中に成形試料を装填する状態を示す正面図、（ｂ
）図は装填後の状態を示す断面図、（Ｃ）図は可動型炉
を真空焼結装置にセットした状態を示す断面図、（ｄ）
図は真空焼結後可動型炉が台車上に戻された状態を示す
断面図、（ｅ）図は同可動型炉をＨＩＰ処理炉にセット
した状態を示す断面図、（ｆ）図は）ＺＩＰ処理後、可
動型炉から試料を取シ出す状態を示す正面図である。 第２図は、真空焼結時の各真空度におけるＩ（ＩＰ処理
温度とＨＩＰ処理後の相対密度および酸含有量との関係
を示す図、第３図は、各真空焼結温度におけるＨＩＰ処
理温度とＨＩＰ処理後の相対密度との関係を示す図、第
４図は、各ＨＩＰ処理温度におけるＨＩＰ処理圧力とＨ
ＩＰ処理後の相対密度との関係を示す図である。 ■・・・可動型炉、２・・・台車、３・・・試料、４・
・・真空焼結装置、５・・・ＨＩＩ’処理装匝。 第３図 ＨＩＰ処理温度 （０Ｃ）第４図 （％）
Claims (1)
- １、希土類金属を含むＦｅ系あるいはＣｏ系金属粉末を
、金型プレスにて所定形状に圧縮成形し、この成形体を
断熱壁内にヒータを有する可動型炉に装填して真空焼結
し、焼結完了後炉内に焼結体を置いたまま不活性ガスを
充填し、該可動型炉を移動して熱間静水圧プレス炉に入
れ、該焼結体を熱間静水圧プレスすることを特徴とする
希土類合金粉末を含む高密度焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062798A JPH0678561B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパッタリング・ターゲット用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062798A JPH0678561B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパッタリング・ターゲット用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222004A true JPS62222004A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0678561B2 JPH0678561B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=13210727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61062798A Expired - Lifetime JPH0678561B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | スパッタリング・ターゲット用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678561B2 (ja) |
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-
1986
- 1986-03-20 JP JP61062798A patent/JPH0678561B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678561B2 (ja) | 1994-10-05 |
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