JPS62219526A - 半導体ウエ−ハの接着剤除去方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの接着剤除去方法Info
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- JPS62219526A JPS62219526A JP6167286A JP6167286A JPS62219526A JP S62219526 A JPS62219526 A JP S62219526A JP 6167286 A JP6167286 A JP 6167286A JP 6167286 A JP6167286 A JP 6167286A JP S62219526 A JPS62219526 A JP S62219526A
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Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェーハの研磨工程で研磨用のプレー
ト（リファレンスプレート）にウェーハを接着するため
に用いられた接着剤を除去する半導体ウェーハの接着剤
除去方法に関するものである。
ト（リファレンスプレート）にウェーハを接着するため
に用いられた接着剤を除去する半導体ウェーハの接着剤
除去方法に関するものである。
［従来の技術］
シリコンやゲルマニウム等の半導体ウェーハ（以下、単
にｒウェーハ」という。）を研磨する際には、接着剤を
用いてウェーハを研磨用のプレートに加熱しながら加圧
接着する。そして、研磨終了後、ウェーハをプレートか
ら剥ｍ′し、溶剤によりウェーハに付着した接着剤の除
去処理を行い、さらに酸、アルカリ等水を溶媒とする液
体で洗浄する。
にｒウェーハ」という。）を研磨する際には、接着剤を
用いてウェーハを研磨用のプレートに加熱しながら加圧
接着する。そして、研磨終了後、ウェーハをプレートか
ら剥ｍ′し、溶剤によりウェーハに付着した接着剤の除
去処理を行い、さらに酸、アルカリ等水を溶媒とする液
体で洗浄する。
従来、上記ウェーハの研磨工程においてつ工−ハを研磨
用プレートに接着するための接着剤としては、粘性や軟
化点をコントロールする必要性から、パラフィンを主体
としてブレンドした、いわゆるパラフィン系ワックスが
使用されており、このようなパラフィン系ワックスから
なる接着剤を除去処理するため、トリクロロエチレン、
トリクロロエタン又はパークロロエチレン等の塩素化炭
化水素系溶剤が使用されている。パ ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記塩素化炭化水素系溶剤を使用する従来の接
着剤除去方法によれば、次のような問題がある。
用プレートに接着するための接着剤としては、粘性や軟
化点をコントロールする必要性から、パラフィンを主体
としてブレンドした、いわゆるパラフィン系ワックスが
使用されており、このようなパラフィン系ワックスから
なる接着剤を除去処理するため、トリクロロエチレン、
トリクロロエタン又はパークロロエチレン等の塩素化炭
化水素系溶剤が使用されている。パ ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記塩素化炭化水素系溶剤を使用する従来の接
着剤除去方法によれば、次のような問題がある。
（１）塩素化炭化水素系溶剤は、環境汚染を生ずるおそ
れがある一方、揮発性が高いためロスが大きく、コスト
高となる。
れがある一方、揮発性が高いためロスが大きく、コスト
高となる。
（２）塩素化炭化水素が水に溶りないため、処理したウ
ェーハの表面が疎水性となり、後に続く酸やアルカリ等
の水溶液による洗浄性が阻害される。
ェーハの表面が疎水性となり、後に続く酸やアルカリ等
の水溶液による洗浄性が阻害される。
（３）塩素化炭化水素系溶剤は、紅済的観点等から回収
、再生して利用され、かつ分解を抑制するために安定剤
が添加されるのが普通であるが、蒸溜等で回収、再生す
ると、安定剤が分離除去されてしまい、再生された溶剤
が不安定となり、分解の促進によりライフか短い。
、再生して利用され、かつ分解を抑制するために安定剤
が添加されるのが普通であるが、蒸溜等で回収、再生す
ると、安定剤が分離除去されてしまい、再生された溶剤
が不安定となり、分解の促進によりライフか短い。
（４）上記安定剤自体の変質により、ウェーハの表面汚
染の要因となるゴミが発生する。
染の要因となるゴミが発生する。
（５）塩素化炭化水素が水と不溶のため、水溶液による
洗浄工程に入る前に、ウェーハを一旦乾燥する必要があ
るが、この乾燥時にウェーハ表面へのゴミの付着がより
強固になってしまう。
洗浄工程に入る前に、ウェーハを一旦乾燥する必要があ
るが、この乾燥時にウェーハ表面へのゴミの付着がより
強固になってしまう。
そこで、本発明は、環境汚染のおそれがなく、かつロス
が小さいと共に、水溶液による洗浄工程を事前の乾燥工
程を伴うことなく容易になし得、かつ再生処理が容易で
ゴミの発生か少ない半導体ウェーハの接着剤除去方法を
提供しようとするものである。
が小さいと共に、水溶液による洗浄工程を事前の乾燥工
程を伴うことなく容易になし得、かつ再生処理が容易で
ゴミの発生か少ない半導体ウェーハの接着剤除去方法を
提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体ウェーハの接着剤除去方法は、前記問題
点を解決するため、半導体ウェーハの研磨工程で研磨用
のプレートに半導体ウェーハを接着するために用いられ
た接着剤を、セロソルブ系、カルビトール系又はトリエ
ヂレングリコールモノアルキルエーテル系の溶剤を使用
して溶解除去する方法である。
点を解決するため、半導体ウェーハの研磨工程で研磨用
のプレートに半導体ウェーハを接着するために用いられ
た接着剤を、セロソルブ系、カルビトール系又はトリエ
ヂレングリコールモノアルキルエーテル系の溶剤を使用
して溶解除去する方法である。
［作 用］
セロソルブ系等の溶剤であるため環境汚染は発生せず、
又かかる溶剤は、水と溶解し合うため、ウェーハ表面が
親水性を保持した状態て処理される。上記溶剤ば、安定
剤が不要であると共に、低揮発性であるため、再生処理
か容易に行われ、かつゴミ及びロスの発生が減少する。
又かかる溶剤は、水と溶解し合うため、ウェーハ表面が
親水性を保持した状態て処理される。上記溶剤ば、安定
剤が不要であると共に、低揮発性であるため、再生処理
か容易に行われ、かつゴミ及びロスの発生が減少する。
又、接着剤は、上記溶剤に易溶な非パラフィン系ワック
ス、例えばグリコールフタレート等のエステル系ワック
ス、エポキシ系ワックス又はケトン系ワックス等が使用
される。
ス、例えばグリコールフタレート等のエステル系ワック
ス、エポキシ系ワックス又はケトン系ワックス等が使用
される。
［実施例コ
シリコンウェーハの鏡面研磨（ボリシング）工程で研磨
用のプレートにシリコンウェーハを接着するため、エポ
キシ系ワックスを接着剤として用い、研磨終了後プレー
トから剥離してシリコンウェーハに付着したエポキシ系
ワックスを溶解除去するため、トリエチレングリコール
モノメチルエーテルを溶剤として使用した。
用のプレートにシリコンウェーハを接着するため、エポ
キシ系ワックスを接着剤として用い、研磨終了後プレー
トから剥離してシリコンウェーハに付着したエポキシ系
ワックスを溶解除去するため、トリエチレングリコール
モノメチルエーテルを溶剤として使用した。
溶剤としてトリエチレングリコールモノメチルエーテル
を用いたので、環境汚染を低減することができ、かつ揮
発性が小さいため、ロスが少なく、従来のトリクロロエ
チレン比で６５％コストダウンすることができた。
を用いたので、環境汚染を低減することができ、かつ揮
発性が小さいため、ロスが少なく、従来のトリクロロエ
チレン比で６５％コストダウンすることができた。
又、上記エポキシ系ワックスの溶解除去処理により、溶
剤が水と溶解し合うため、シリコンウェーハの表面が親
水性を保持した状態で処理され、アンモニアと過酸化水
素の混合水溶液を用いた後続の洗浄工程において、エポ
キシ系ワックスを容易かつ完全に洗浄することができた
。
剤が水と溶解し合うため、シリコンウェーハの表面が親
水性を保持した状態で処理され、アンモニアと過酸化水
素の混合水溶液を用いた後続の洗浄工程において、エポ
キシ系ワックスを容易かつ完全に洗浄することができた
。
更に、上記溶剤は、それ自体安定であり、従来のように
安定剤の添加を要しないので、再生処理を容易に行うこ
とができ、かつ安定剤の変質によるゴミの発生がなく、
従来の接着剤除去後のウェーハ表面のゴミの残存量１０
ケ／ｃｒｎ’に対し２ケ／ｃｒｎ”と約１７５に減少す
ることができた。
安定剤の添加を要しないので、再生処理を容易に行うこ
とができ、かつ安定剤の変質によるゴミの発生がなく、
従来の接着剤除去後のウェーハ表面のゴミの残存量１０
ケ／ｃｒｎ’に対し２ケ／ｃｒｎ”と約１７５に減少す
ることができた。
又、溶剤が水と溶解し合うため、従来のような乾燥工程
が不要となり、かつゴミの固着が発生することもなかっ
た。
が不要となり、かつゴミの固着が発生することもなかっ
た。
なお、上記実施例においては、ウェーハをシリコンとし
た場合について説明したが、これに限らずゲルマニウム
その他のウェーハでもよく、あるいは半導体ウェーハに
限らずマスク用のガラス材等他の材料でもよい。
た場合について説明したが、これに限らずゲルマニウム
その他のウェーハでもよく、あるいは半導体ウェーハに
限らずマスク用のガラス材等他の材料でもよい。
又、接着剤は、エポキシ系ワックスに限らず、エステル
系ワックスやケトン系ワックス等の非パラフィン系ワッ
クスであればよい。
系ワックスやケトン系ワックス等の非パラフィン系ワッ
クスであればよい。
更に、溶剤は、トリエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル系のものに限らず、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル等のセロソルブ系又はジエチレングリコール
千ツメチルエーテル等のカルビトール系の溶剤でも同様
の効果を達成できた。
ーテル系のものに限らず、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル等のセロソルブ系又はジエチレングリコール
千ツメチルエーテル等のカルビトール系の溶剤でも同様
の効果を達成できた。
［発明の効果］
以上のように本発明のウェーハの接着剤除去方法によれ
ば、従来技術に比し次の効果が得られる。
ば、従来技術に比し次の効果が得られる。
（１）溶剤をセロソルブ系等としたので、環境汚染のお
それがないと共に、揮発性が小さいため、ロスを少なく
することができる。
それがないと共に、揮発性が小さいため、ロスを少なく
することができる。
（２）溶剤が水と溶解し合うため、ウェーハの表面が親
木性を保持した状態で処理され、水溶液を用いた後続の
洗浄工程において接着剤等を容易かつ完全に洗浄するこ
とができる。
木性を保持した状態で処理され、水溶液を用いた後続の
洗浄工程において接着剤等を容易かつ完全に洗浄するこ
とができる。
（３）溶剤は、それ自体が安定であり、従来のように安
定剤を必要としないので、再生処理を容易に行うことが
でき、かつゴミの発生及びゴミの固着を激減することが
できる。
定剤を必要としないので、再生処理を容易に行うことが
でき、かつゴミの発生及びゴミの固着を激減することが
できる。
Claims (1)
- 半導体ウェーハの研磨工程で研磨用のプレートに半導体
ウェーハを接着するために用いられた接着剤を、セロソ
ルブ系、カルビトール系又はトリエチレングリコールモ
ノアルキルエーテル系の溶剤を使用して溶解除去するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの接着剤除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167286A JPS62219526A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 半導体ウエ−ハの接着剤除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167286A JPS62219526A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 半導体ウエ−ハの接着剤除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219526A true JPS62219526A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13177964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167286A Pending JPS62219526A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 半導体ウエ−ハの接着剤除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216223A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-08-05 | Philips Electron Nv | 半導体本体処理方法 |
| JP2005139229A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Denso Corp | 融解・凝固式ワーク固定剤の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6167286A patent/JPS62219526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216223A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-08-05 | Philips Electron Nv | 半導体本体処理方法 |
| JP2005139229A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Denso Corp | 融解・凝固式ワーク固定剤の製造方法 |
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