JPS62213148A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62213148A JPS62213148A JP5553786A JP5553786A JPS62213148A JP S62213148 A JPS62213148 A JP S62213148A JP 5553786 A JP5553786 A JP 5553786A JP 5553786 A JP5553786 A JP 5553786A JP S62213148 A JPS62213148 A JP S62213148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dielectric constant
- electrode
- high dielectric
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241001655798 Taku Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 210000000496 pancreas Anatomy 0.000 description 1
- 238000005475 siliconizing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ竜業上の利用分野〕
本発明け、半導体装置に係り、コンデンサーの老成方法
に関する。
に関する。
本発明は、半導体装置に関り、半導億菓板Ｆにけ酸化チ
タン、酸化タンタル、チタン酸バリウム等の高誘電体１
から故るコンデンサ−／ｌ”−形成されて６ｙる事を特
徴とする。
タン、酸化タンタル、チタン酸バリウム等の高誘電体１
から故るコンデンサ−／ｌ”−形成されて６ｙる事を特
徴とする。
（従来の技術〕
従来、半導体装置にシけるタヤバシターの構造は、１３
図及び第４図に示す如＜ 、 ＦｚＯ，嘩あるいはＳｌ
“’ｓ Ｎ、 噂を誘電体模とし定キャパシターかある
い１″ｔｎ−ｎ接合容↑を用いるのが通例でありた。す
なわち、市３図ではｅｉ基折２１の表面に拡散層２２フ
ィールドＳｉｂ、９４２３、薄い市０２す２４を形成し
該薄い就０□膜２４を誘電体縛とし、電極２５と拡散層
２２をｔ啄として千ヤパシターとなしたものである。第
４図でけ、８ｉ蔦板５１の表面に拡散層３２、フィール
ドＥ１ｉ０２膜３３、電極５４を形成し、拡散層３２に
おける？）−ｎ接合部形成される苧乏層を誘電体として
キャパシターを彫叙し定ものである。
図及び第４図に示す如＜ 、 ＦｚＯ，嘩あるいはＳｌ
“’ｓ Ｎ、 噂を誘電体模とし定キャパシターかある
い１″ｔｎ−ｎ接合容↑を用いるのが通例でありた。す
なわち、市３図ではｅｉ基折２１の表面に拡散層２２フ
ィールドＳｉｂ、９４２３、薄い市０２す２４を形成し
該薄い就０□膜２４を誘電体縛とし、電極２５と拡散層
２２をｔ啄として千ヤパシターとなしたものである。第
４図でけ、８ｉ蔦板５１の表面に拡散層３２、フィール
ドＥ１ｉ０２膜３３、電極５４を形成し、拡散層３２に
おける？）−ｎ接合部形成される苧乏層を誘電体として
キャパシターを彫叙し定ものである。
〔発明ｈ′−解決しようとする問題声〕しかし、１：記
従来技術によると、ｓｌｏｏ、の誘電率ｈ”−ａ 、
ｓｉ、Ｎ４の誘電率が９，８ｉの誘ト区率ｈ”−１２と
いずれも誘電率ｈ；低く、大容量ｈｓ ２％られないと
い５問題点があった７ 木発明け、かかる従来技術の問題点をなくシ。
従来技術によると、ｓｌｏｏ、の誘電率ｈ”−ａ 、
ｓｉ、Ｎ４の誘電率が９，８ｉの誘ト区率ｈ”−１２と
いずれも誘電率ｈ；低く、大容量ｈｓ ２％られないと
い５問題点があった７ 木発明け、かかる従来技術の問題点をなくシ。
半導体装置にかいて、大容量の千ヤパシターを形成でき
る材料！Ｎ成を祷供することを目的とする。
る材料！Ｎ成を祷供することを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記間ＭＡを解決する友めに１本発明は、半導体装置に
おいて、半導体基板上にＦｉｉ化チタン、［化夕′／タ
ル、チタン酸バリウム等の高誘電率膜から成るコンデン
サーを形成する手段をとる。
おいて、半導体基板上にＦｉｉ化チタン、［化夕′／タ
ル、チタン酸バリウム等の高誘電率膜から成るコンデン
サーを形成する手段をとる。
上記手段の如く、酸化チタン、酸化タンタル、チタン酸
／＜ ＩＩ ｆｆム等の誘電率は酸化チタンが４００、
酸化タンタルＡＳ４Ｑ、チタン酸バリウム／ｌ”−４０
００とＲｉｏｔ、ＢムＮ４７ｔびＢｉ Ｋ比べて極めて
高く、その分小曜積で大容量を得ろこと＾；で舞、高集
積化し易いとい５作用ｈ″−あるう 〔実施例〕 以下、実ｍ例により本伯明を詳述する、第１色及び１ｌ
Ｉ２図は本発明の実施例を示す半導体装ｔｆｔＫかける
千ヤパシターの断面南である。すｒｚ ｆ＋ち、’Ｊ１
図でｔｆｓｊ幕板１０表面に拡散層２゜フィールドＳｉ
ｏ２’に’Ａ５を老成し２．拡散ＷＩ２の表面にスパッ
タ等により酸化チタン＠ａ等の高誘電率膜を形成し、そ
の上に電極５を形成して成る。第２図は本発明の他の実
施例で、８ｉ苓板１１上にｄフィールド日１０ｔｌｌｌ
１２ 、ボ１のｔ啄１３を形成後。
／＜ ＩＩ ｆｆム等の誘電率は酸化チタンが４００、
酸化タンタルＡＳ４Ｑ、チタン酸バリウム／ｌ”−４０
００とＲｉｏｔ、ＢムＮ４７ｔびＢｉ Ｋ比べて極めて
高く、その分小曜積で大容量を得ろこと＾；で舞、高集
積化し易いとい５作用ｈ″−あるう 〔実施例〕 以下、実ｍ例により本伯明を詳述する、第１色及び１ｌ
Ｉ２図は本発明の実施例を示す半導体装ｔｆｔＫかける
千ヤパシターの断面南である。すｒｚ ｆ＋ち、’Ｊ１
図でｔｆｓｊ幕板１０表面に拡散層２゜フィールドＳｉ
ｏ２’に’Ａ５を老成し２．拡散ＷＩ２の表面にスパッ
タ等により酸化チタン＠ａ等の高誘電率膜を形成し、そ
の上に電極５を形成して成る。第２図は本発明の他の実
施例で、８ｉ苓板１１上にｄフィールド日１０ｔｌｌｌ
１２ 、ボ１のｔ啄１３を形成後。
酸化チタンｊｌｌ１１４等の高Ｒ１Ｉｔ率膵を形成後、
垣２の″ｉ４販１５を形成しｔものである。尚、高誘電
体積けｇｉｆｔ＠をはさんで形成しても良いことは云う
までもｒ（い。
垣２の″ｉ４販１５を形成しｔものである。尚、高誘電
体積けｇｉｆｔ＠をはさんで形成しても良いことは云う
までもｒ（い。
本発明の如く、半導体基板上に高誘電体慢によるコンデ
ンサーをｓｉすることにより小面積で大容量のコ・／ヂ
ンサーを高集積で形成でンるとい５効果がある８
ンサーをｓｉすることにより小面積で大容量のコ・／ヂ
ンサーを高集積で形成でンるとい５効果がある８
ＩＩ１１号及び屓２図は本発明の実施例を示す半導体基
板とのコンデンサーの断面図を示す。 填３図及びｆｆ４図は従来技術による半導体基板上に形
成されたコンデンサーの一面興を示す。 １、１１．２１．３１ ・・・・・・ｓｉ苓版板２１
２．３２・・・・・・拡散層 ５、１２．７３．３３−・・・・・７ イール）” Ｂ
ｉＯｚｍ４．１４・・・可酸化チタン膜 ５、１５，１５，２５．３４・・・・・・ＩＥ極２４・
・・・・・薄いＦＩｉＯｔ庫 以 上
板とのコンデンサーの断面図を示す。 填３図及びｆｆ４図は従来技術による半導体基板上に形
成されたコンデンサーの一面興を示す。 １、１１．２１．３１ ・・・・・・ｓｉ苓版板２１
２．３２・・・・・・拡散層 ５、１２．７３．３３−・・・・・７ イール）” Ｂ
ｉＯｚｍ４．１４・・・可酸化チタン膜 ５、１５，１５，２５．３４・・・・・・ＩＥ極２４・
・・・・・薄いＦＩｉＯｔ庫 以 上
Claims (1)
- 半導体基板上には酸化チタン、酸化タンタル、チタン酸
バリウム等の高誘電体膜から成るコンデンサーが形成さ
れて成る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5553786A JPS62213148A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5553786A JPS62213148A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213148A true JPS62213148A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=13001469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5553786A Pending JPS62213148A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374578A (en) * | 1992-02-25 | 1994-12-20 | Ramtron International Corporation | Ozone gas processing for ferroelectric memory circuits |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5553786A patent/JPS62213148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374578A (en) * | 1992-02-25 | 1994-12-20 | Ramtron International Corporation | Ozone gas processing for ferroelectric memory circuits |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3207110B2 (ja) | コンデンサとその形成方法 | |
| JP3095462B2 (ja) | 誘電素子、キャパシタ及びｄｒａｍ | |
| JPS62213148A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05182857A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JP2501541B2 (ja) | 電荷貯蔵電極を製造する方法 | |
| JP3182889B2 (ja) | 強誘電体装置 | |
| TW486585B (en) | Method of fabricating passivation layer in liquid crystal display | |
| JPH04171975A (ja) | 容量素子及びその製造方法 | |
| US6270688B1 (en) | Chemical polishing of barium strontium titanate | |
| JP3476845B2 (ja) | 誘電体素子及び半導体記憶装置 | |
| JPH03257856A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5858716A (ja) | 積層セラミツクコンデンサ | |
| JPS61145854A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS644662B2 (ja) | ||
| JPS5814537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS628947B2 (ja) | ||
| JPH0324705A (ja) | コンデンサ | |
| JPH02229472A (ja) | 強誘電体記憶装置 | |
| KR0165307B1 (ko) | 저항소자를 갖는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| JPS62119525A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPS61121463A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61187357A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5931844B2 (ja) | ガラス質セラミツクコンデンサの製造方法 | |
| JPS57160156A (en) | Semiconductor device | |
| TW573362B (en) | Two layer mirror for LCD-on-silicon products and method of fabrication thereof |