JPS62209350A - 分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサ− - Google Patents
分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサ−Info
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- JPS62209350A JPS62209350A JP61052891A JP5289186A JPS62209350A JP S62209350 A JPS62209350 A JP S62209350A JP 61052891 A JP61052891 A JP 61052891A JP 5289186 A JP5289186 A JP 5289186A JP S62209350 A JPS62209350 A JP S62209350A
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを
用いた化学センサーに関する。
用いた化学センサーに関する。
(従来の技術)
分子は一般には他の分子を特異的に認識することはない
。しかし、特殊な分子は限られた環境で、他の分子を8
識する能力を有する。
。しかし、特殊な分子は限られた環境で、他の分子を8
識する能力を有する。
分子認識とは特定の形状・性質の分子のみを選ぶことの
できるホストの特性である。従って分子認識力を有する
ホストを用いることによって特定の大きさ、形状、性質
の分子のみを認識することが可能である。
できるホストの特性である。従って分子認識力を有する
ホストを用いることによって特定の大きさ、形状、性質
の分子のみを認識することが可能である。
一方、単分子膜及びその累y膜は機能性薄膜としてセン
サー、ミクロリトグラフィー(高分解能レジスト)など
各方面で応用が期待されている。単分子λ次元膜に特定
の大きさ、形状、性質の分子のみに感応する機能を与え
ることができれば微細集積電極の作製技術、化学センサ
ー、分子エレクトロニクスへの応用が期待できる。
サー、ミクロリトグラフィー(高分解能レジスト)など
各方面で応用が期待されている。単分子λ次元膜に特定
の大きさ、形状、性質の分子のみに感応する機能を与え
ることができれば微細集積電極の作製技術、化学センサ
ー、分子エレクトロニクスへの応用が期待できる。
従来、・展開単分子膜法、吸着単分子膜法、累積膜、蒸
着スパッタ、分子ビームエピタキシー(MBFり、化学
的蒸気析出法(cvn)、重合などの方法が知られてお
フ、たとえば、ガラス、At等、表面に水酸基(OFi
基)を有する基板材料に有機シリル化合物が結合して単
分子膜を形成されている。
着スパッタ、分子ビームエピタキシー(MBFり、化学
的蒸気析出法(cvn)、重合などの方法が知られてお
フ、たとえば、ガラス、At等、表面に水酸基(OFi
基)を有する基板材料に有機シリル化合物が結合して単
分子膜を形成されている。
(本発明が解決しようとする問題点)
しかしこれら従来法はいずれも分子に対して「非特異的
」であるため、特異性・高精密度を達成できない。そこ
で、本発明者らは、分子に対して「特異的」な薄膜を見
出すべく穏々検討を行ない、本発明に到達した。
」であるため、特異性・高精密度を達成できない。そこ
で、本発明者らは、分子に対して「特異的」な薄膜を見
出すべく穏々検討を行ない、本発明に到達した。
(問題点を解決するための手段)
すなわち、本発明の要旨は、基板上に、長鎖を有する有
機ケイ素化合物が−81−〇−結合で固定された単分子
膜であって、その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認
識する能力を有する空隙が形成されている分子認識性有
機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサーにあ
る。
機ケイ素化合物が−81−〇−結合で固定された単分子
膜であって、その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認
識する能力を有する空隙が形成されている分子認識性有
機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサーにあ
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明に係る薄膜は、たとえば次のような方法に
よって得られる。
よって得られる。
すなわち、表面に水酸基を有する基板を、その水酸基を
活性化し、ついで長鎖を有する不活性ゲストの存在下に
長鎖を有する有機ケイ素化合物を結合させ基板上に薄膜
を形成させ、つぎにこの薄膜中の不活性ゲストラ除去す
ることにより得られる。
活性化し、ついで長鎖を有する不活性ゲストの存在下に
長鎖を有する有機ケイ素化合物を結合させ基板上に薄膜
を形成させ、つぎにこの薄膜中の不活性ゲストラ除去す
ることにより得られる。
本発明における基板は、その表面に水酸基を有する固体
材料である。固体材料としては、ガラス、無機酸化物、
セラミック、カーボン、 At、pt%Au、 W、
cu等の金属等が挙げられる。基板の形状、大きさは、
目的に応じ適宜選定しうる。これらの材料は、通常、表
面に水酸基を有するが、必要に応じ、たとえば、”2存
在下のプラズマ処理、空気酸化、硝酸酸化、電解酸化等
の酸化により水酸基を積極的に導入することができる。
材料である。固体材料としては、ガラス、無機酸化物、
セラミック、カーボン、 At、pt%Au、 W、
cu等の金属等が挙げられる。基板の形状、大きさは、
目的に応じ適宜選定しうる。これらの材料は、通常、表
面に水酸基を有するが、必要に応じ、たとえば、”2存
在下のプラズマ処理、空気酸化、硝酸酸化、電解酸化等
の酸化により水酸基を積極的に導入することができる。
たとえば、ガラスにおいては、本来布する水酸基を活用
し、At%pt等の金属を用いる場合には、電解酸化、
硝酸処理、散票処理等によることができる。また、カー
ボンの場合には、たとえば、KzOr407溶液に浸漬
した後、水素化リチウムアルミニウムで処理する方法に
よることができる。
し、At%pt等の金属を用いる場合には、電解酸化、
硝酸処理、散票処理等によることができる。また、カー
ボンの場合には、たとえば、KzOr407溶液に浸漬
した後、水素化リチウムアルミニウムで処理する方法に
よることができる。
本発明方法においては、まず上記基板の水酸f−を活性
化することにより、−OHよJ)−oeが形成される。
化することにより、−OHよJ)−oeが形成される。
活性化のためにはアルカリ処理が好適であシ、たとえば
NaOH,KOHl アンモニア等のアルカリを用い
て行なわれる。
NaOH,KOHl アンモニア等のアルカリを用い
て行なわれる。
このアルカリ処理に先だって、無機酸、界面活性剤、超
音波処理等による予備洗浄にょシ、表面に付着した夾雑
物を除去しておくのが好ましい。
音波処理等による予備洗浄にょシ、表面に付着した夾雑
物を除去しておくのが好ましい。
ついで、本発明においては、上記基板上に不活性ゲスト
の存在下に長鎖を有する有機ケイ素化合物を結合させて
薄膜を形成させる。有機ケイ素化合物としては、一般式
(1) %式%(1) 〔式中、Rは長鎖を有する有機基、Yはハロゲン原子X
又はアルコキシ基−0R1(,11はアルキル基)であ
シ、複数のR%YFiそれぞれ相異なっていてもよい。
の存在下に長鎖を有する有機ケイ素化合物を結合させて
薄膜を形成させる。有機ケイ素化合物としては、一般式
(1) %式%(1) 〔式中、Rは長鎖を有する有機基、Yはハロゲン原子X
又はアルコキシ基−0R1(,11はアルキル基)であ
シ、複数のR%YFiそれぞれ相異なっていてもよい。
また、nは/又はコであシ、n = /のときYの一つ
は水素原子又はアルキル基であってもよい〕 長鎖を有する有機基であるRとしては、得られる薄膜の
使用目的、用いる不活性ゲスト等によっても異なるが、
長鎖アルキル基が好適である。ただし、このアルキル基
の炭素はその一部が他の結合基、たとえば0%CO,S
%N等で置換されていてもよい。また、これらのアルキ
ル基は分岐していてもよく、不飽和であってもよい。分
岐は比較的短かい分岐が好ましい。長鎖の炭素数は、用
いる不活性ゲストの有する長鎖と必ずしも一致させる必
要はないが、その種類に応じて連室JMされる。すなわ
ち、直鎖部分の炭素数は/、2−4!θ程度、より好ま
しくは/、2−/r程度であシ、他の結合基と結合され
ている場合には、直鎖部分の、炭素とこの結合基との総
数が72−10、よシ好ましくは/−2−/r程度であ
る。
は水素原子又はアルキル基であってもよい〕 長鎖を有する有機基であるRとしては、得られる薄膜の
使用目的、用いる不活性ゲスト等によっても異なるが、
長鎖アルキル基が好適である。ただし、このアルキル基
の炭素はその一部が他の結合基、たとえば0%CO,S
%N等で置換されていてもよい。また、これらのアルキ
ル基は分岐していてもよく、不飽和であってもよい。分
岐は比較的短かい分岐が好ましい。長鎖の炭素数は、用
いる不活性ゲストの有する長鎖と必ずしも一致させる必
要はないが、その種類に応じて連室JMされる。すなわ
ち、直鎖部分の炭素数は/、2−4!θ程度、より好ま
しくは/、2−/r程度であシ、他の結合基と結合され
ている場合には、直鎖部分の、炭素とこの結合基との総
数が72−10、よシ好ましくは/−2−/r程度であ
る。
Xとしては、at%Brが好適であり、atが最も好ま
しい。またnが/の場合には、一つは水素原子又はメチ
ル基等のアルキル基であってもよい。
しい。またnが/の場合には、一つは水素原子又はメチ
ル基等のアルキル基であってもよい。
R1としては、炭素数/〜3の低級アルキル基が好適で
ある。
ある。
すなわち、本発明における有機ケイ素化合物として好適
なものを例示すると、C14H,81Cjt3、C18
R37B 10t3、C15H37SiOH3Ct、等
が挙げられる。
なものを例示すると、C14H,81Cjt3、C18
R37B 10t3、C15H37SiOH3Ct、等
が挙げられる。
一方、不活性ゲストは、反応系に不活性、すなわち基板
、有機ケイ素化合物等と実質的に反応せず、得られる薄
膜中にとりこまれた後、溶媒等により選択的に除去可能
であるものを意味する。
、有機ケイ素化合物等と実質的に反応せず、得られる薄
膜中にとりこまれた後、溶媒等により選択的に除去可能
であるものを意味する。
この不活性ゲストとしては、長鎖を有する化合物が挙げ
られ、好適には長鎖アルキル基を有する化合物であシ直
鎖の炭素数が/コー≠0、よシ好ましくは/2−/rで
ある炭化水素、脂肪酸が通常用いられる。ただし、この
直鎮部分はその一部が他の結合基、たとえば0、CO%
S。
られ、好適には長鎖アルキル基を有する化合物であシ直
鎖の炭素数が/コー≠0、よシ好ましくは/2−/rで
ある炭化水素、脂肪酸が通常用いられる。ただし、この
直鎮部分はその一部が他の結合基、たとえば0、CO%
S。
N等で置換されていてもよい。また、分岐していてもよ
く、さらには不飽和であってもよい、長鎖の炭素数は、
他の結合基と結合されている場合には、炭素とこの結合
基の総数が/λ−≠θ程度、よシ好ましくは/2−/r
である。
く、さらには不飽和であってもよい、長鎖の炭素数は、
他の結合基と結合されている場合には、炭素とこの結合
基の総数が/λ−≠θ程度、よシ好ましくは/2−/r
である。
本発明における分子認識性は、この不活性ゲストの構造
、性質によって、選択・決定される。
、性質によって、選択・決定される。
このような不活性ゲストとししは、n−ドデカン、n−
へキサデカン、n−オクタデカン、ステアリン酸、パル
ミチン酸等が例示される。
へキサデカン、n−オクタデカン、ステアリン酸、パル
ミチン酸等が例示される。
有機ケイ素化合物を基板上に結合させる際には、通常、
温度j〜700℃、/分間〜数時間程度、好適には!−
20分間、10−≠θ℃程度から選ぶのが一般的である
。
温度j〜700℃、/分間〜数時間程度、好適には!−
20分間、10−≠θ℃程度から選ぶのが一般的である
。
この場合、溶媒を用いるのが通常であり、溶媒としては
基板に不親和性であシ、有機ケイ素化合物を溶解するも
のが用いられ、たとえばcHct3 、cct4等のハ
ロゲン化炭化水素、ヘキサデカン等の炭化水素等が挙げ
られる。有機ケイ素化合物の使用量は、通常/×10
M程度以上から選ばれる。一方、不活性ゲストの使用
量は、通常溶媒に対し、通常/ Owt%以上、好適に
はj Owt%以上である。
基板に不親和性であシ、有機ケイ素化合物を溶解するも
のが用いられ、たとえばcHct3 、cct4等のハ
ロゲン化炭化水素、ヘキサデカン等の炭化水素等が挙げ
られる。有機ケイ素化合物の使用量は、通常/×10
M程度以上から選ばれる。一方、不活性ゲストの使用
量は、通常溶媒に対し、通常/ Owt%以上、好適に
はj Owt%以上である。
得られる薄膜は疎水性であシ、たとえば、実施例/に記
載されているように、アルカリ処理を施したガラスに、
不活性ゲスト存在中CuaH37SICt3 を反応さ
せて得られる基板材料は01sH3781基がガラスと
化学結合してガラス表面を01sH,81と不活性ゲス
トからなる疎水性単分子薄膜がおおった構造を有する。
載されているように、アルカリ処理を施したガラスに、
不活性ゲスト存在中CuaH37SICt3 を反応さ
せて得られる基板材料は01sH3781基がガラスと
化学結合してガラス表面を01sH,81と不活性ゲス
トからなる疎水性単分子薄膜がおおった構造を有する。
この膜の水に対する接触角は?データ2°で、典型的疎
水表面の接触角り0−/ OJroに近い。
水表面の接触角り0−/ OJroに近い。
本発明においては、ついでこの形成された薄膜中に存在
する不活性ゲストが除去される。この除去は、加熱によ
る不活性、ゲストの揮発、溶媒処理等が挙げられる。こ
こで用いられる溶媒は、基板に不親和であシ、不活性ゲ
ストには親和性を有するものが選ばれる。たとえば、ク
ロロホルム、四塩化炭素エーテル等を過剰量用いて、数
回以上洗浄することにより、不活性ゲストは実質的に膜
中よシ除去される。除去された不活性ゲストに起因して
生じる空隙は、分子認識能を有する。
する不活性ゲストが除去される。この除去は、加熱によ
る不活性、ゲストの揮発、溶媒処理等が挙げられる。こ
こで用いられる溶媒は、基板に不親和であシ、不活性ゲ
ストには親和性を有するものが選ばれる。たとえば、ク
ロロホルム、四塩化炭素エーテル等を過剰量用いて、数
回以上洗浄することにより、不活性ゲストは実質的に膜
中よシ除去される。除去された不活性ゲストに起因して
生じる空隙は、分子認識能を有する。
得られる薄膜は、長鎖を有する有機ケイ素化合物が−8
1−〇−結合で基板上に固定された単分子膜であって、
その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認識する能力を
有する空隙が形成されている。
1−〇−結合で基板上に固定された単分子膜であって、
その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認識する能力を
有する空隙が形成されている。
この分子認識性は最初に使用する不活性ゲストの構造・
性質によって選択・決定することができる。
性質によって選択・決定することができる。
すなわち、本発明によって提供される薄膜を、クロロフ
ィル4、?−フィトキシー/、J、t−ピレントリスル
ホン酸、ビタミンAなどの疎水型長鎖化合物を含む溶液
へ浸けると、これらの化合物を選択的に吸着する。
ィル4、?−フィトキシー/、J、t−ピレントリスル
ホン酸、ビタミンAなどの疎水型長鎖化合物を含む溶液
へ浸けると、これらの化合物を選択的に吸着する。
このことは、高感度吸収スペクトル・螢光スペクトルを
測定することによって定性・定量し明らかにされる。定
量的吸着実験の結果、上述の化合物の吸着は7001
あたF)0.33〜O,aり分子であることが明らかに
なシ、これら吸着分子数がほぼ一定しているという優れ
念性能をもつ。球状分子や長さが3≠1にも及ぶ長鎖分
子は全く吸着されなかった。これは本材料がゲストの形
状・性質に応じて吸着性能を持つことを示す。
測定することによって定性・定量し明らかにされる。定
量的吸着実験の結果、上述の化合物の吸着は7001
あたF)0.33〜O,aり分子であることが明らかに
なシ、これら吸着分子数がほぼ一定しているという優れ
念性能をもつ。球状分子や長さが3≠1にも及ぶ長鎖分
子は全く吸着されなかった。これは本材料がゲストの形
状・性質に応じて吸着性能を持つことを示す。
以上の如く、本発明が提供する分子認識性基板材料は
・ 認識された分子は洗浄操作で除去可能・ くり返し
吸着が可能 ・ 認識すべきゲスト分子の形状・性質に合わせて認識
ホスト膜を設計できる。
吸着が可能 ・ 認識すべきゲスト分子の形状・性質に合わせて認識
ホスト膜を設計できる。
・ 予め設計されたゲストのみを特異的にとり込み、基
板との間の相互作用によシ記憶素子、化学センサー等の
目的に利用できる。
板との間の相互作用によシ記憶素子、化学センサー等の
目的に利用できる。
等の長所をもっている。
このようにして薄膜が形成された基板は、本発明におい
て修飾電極として作用極に用いられ、対極とともに化学
センサーを構成することができる。この修飾電極に用い
る場合、上記基板すなわち、電極基板は導電性又は半導
体であることが必要であるが、非導電性であるときには
、表面をコーティング等によシ導雷性でかつ上記薄膜が
形成できるようにして用いることができる。
て修飾電極として作用極に用いられ、対極とともに化学
センサーを構成することができる。この修飾電極に用い
る場合、上記基板すなわち、電極基板は導電性又は半導
体であることが必要であるが、非導電性であるときには
、表面をコーティング等によシ導雷性でかつ上記薄膜が
形成できるようにして用いることができる。
対極としては、通常Pt、 Ni、Ag%Au 等の金
属、カーボン等が用いられる。
属、カーボン等が用いられる。
また、この修飾電極、対極以外に、参照極を用いるのが
一般的である。この参照極としては、たとえば、At/
Ayat等が用いられる。
一般的である。この参照極としては、たとえば、At/
Ayat等が用いられる。
また、測定液は、支持塩を含む液であシ、通常、水、エ
タノール等の有機化合物から選ばれる。また、測定液は
、分解防止のためにN2の導通下におくことができる。
タノール等の有機化合物から選ばれる。また、測定液は
、分解防止のためにN2の導通下におくことができる。
本発明に係る化学センサーは、被認識ゲストにより、電
極酸化又は還元を行なうことにより、このゲストの検知
・定量を行なうことができる。
極酸化又は還元を行なうことにより、このゲストの検知
・定量を行なうことができる。
たとえば、被認識ゲストを含有する(たとえば/(f7
M程度の低濃度でもよい)血液、尿等の検体液を測定液
中に導入すると、修飾電極の表面のi膜により認識され
、その空隙に取シ込まれる。
M程度の低濃度でもよい)血液、尿等の検体液を測定液
中に導入すると、修飾電極の表面のi膜により認識され
、その空隙に取シ込まれる。
このとき、酸化還元反応によシ放電反応が生じ電流が観
測される(アンペロメトリー)。また、被測定物の特異
的な電圧を測定することによシ濃度を検出する(ボテン
シオメトリー)方式とすることもできる。
測される(アンペロメトリー)。また、被測定物の特異
的な電圧を測定することによシ濃度を検出する(ボテン
シオメトリー)方式とすることもできる。
(実施例)
以下、実施例によシ本発明をさらに詳細に説明する。
実施例/
マイクロスライドガラス(岩城 A−8LよりE/′2
6−λtc、岩城硝子製)を巾/ (m X長さコ、♂
aの大きさに切断し念ものを次の方法で前処理した。
6−λtc、岩城硝子製)を巾/ (m X長さコ、♂
aの大きさに切断し念ものを次の方法で前処理した。
まず超音波で10℃、10分間ガラスを洗浄の後、蒸留
水で10−16分間、発煙硝酸で20分間、再度蒸留水
による洗浄を70回行った。これをコ×10 MのNa
OH水溶液に一〇分間浸してアルカリ処理を行い、水洗
の後、真空デシケータ内で乾燥した。
水で10−16分間、発煙硝酸で20分間、再度蒸留水
による洗浄を70回行った。これをコ×10 MのNa
OH水溶液に一〇分間浸してアルカリ処理を行い、水洗
の後、真空デシケータ内で乾燥した。
tr : / J 11 / o 、 v/v )に基
板を約70分間浸した後、クロロホルムを用いて3回洗
浄の後、使用した。
板を約70分間浸した後、クロロホルムを用いて3回洗
浄の後、使用した。
この基板の水に対する接触角を測定した所??−92°
の値が得られた。
の値が得られた。
参考例/
実施例/に従って得た基板材料を、クロロフィルαのメ
タノール溶液(2×10 M)Ig、10分間浸した
後、基板の吸収スペクトルを測定した。≠2 j nm
とt 74A nmに新たに吸収極大が観測され、クロ
ロフィル6が吸着されたことを支持した。浸せき時間を
70分間から7時間に延ばした場合にも、クロロフィル
の吸着量にはほとんど変化がみとめられなかった。≠−
2j’ nmの吸光度Δh=0.(17/3?±010
02μ から、吸着されたクロロフィルaは100A自
たシθ、4tり土θ、θり分子であることが判明した。
タノール溶液(2×10 M)Ig、10分間浸した
後、基板の吸収スペクトルを測定した。≠2 j nm
とt 74A nmに新たに吸収極大が観測され、クロ
ロフィル6が吸着されたことを支持した。浸せき時間を
70分間から7時間に延ばした場合にも、クロロフィル
の吸着量にはほとんど変化がみとめられなかった。≠−
2j’ nmの吸光度Δh=0.(17/3?±010
02μ から、吸着されたクロロフィルaは100A自
たシθ、4tり土θ、θり分子であることが判明した。
参考例コ
?−フィチルオキシー/、3.t−ピレントリスルホン
酸三す) IJウム塩及び対応する四級アンモニウム塩
(テトラ−n−プチルアンモニクム、トリオクチルメチ
ルアンモニウム)の水溶液(3×/θ M)を用いて実
施例コと同様の処理を行つ念ところ、ピレン化合物に特
徴的な吸収が高感度分光法で観測された。弘o o n
mでの吸光度Δに=0.0030±o、o o oコか
ら換算すると、/θ0Aあたりθ、3り±0.θJ分子
のピレン化合物が吸着したことに相当した。
酸三す) IJウム塩及び対応する四級アンモニウム塩
(テトラ−n−プチルアンモニクム、トリオクチルメチ
ルアンモニウム)の水溶液(3×/θ M)を用いて実
施例コと同様の処理を行つ念ところ、ピレン化合物に特
徴的な吸収が高感度分光法で観測された。弘o o n
mでの吸光度Δに=0.0030±o、o o oコか
ら換算すると、/θ0Aあたりθ、3り±0.θJ分子
のピレン化合物が吸着したことに相当した。
参考例3
ビタミンAのメタノール−水(j:/、v/v)溶液を
用いて参考例/、2と同様に、シラン処理した基板を浸
した場合、J j Onmの吸光度ΔA=0,0θ/3
±o、o o o 4cが観測され、10θAあたF)
0.JJ±θ、10のビタミンA分子が吸着したことに
相当した。
用いて参考例/、2と同様に、シラン処理した基板を浸
した場合、J j Onmの吸光度ΔA=0,0θ/3
±o、o o o 4cが観測され、10θAあたF)
0.JJ±θ、10のビタミンA分子が吸着したことに
相当した。
実施例コ
(修飾電極の作成)
8n02ガラス(/×3cIIt)(松崎真空製)を濃
硝酸、水で洗浄した。ついで、実施例/と同様の方法で
、この電極基板上に本発明の薄膜を形成させ、修飾電極
を得た。
硝酸、水で洗浄した。ついで、実施例/と同様の方法で
、この電極基板上に本発明の薄膜を形成させ、修飾電極
を得た。
(化学センサーの作成)
図/においてこの修飾電極を作用極(1)とし、対極(
2) : Pt 、参照極(3) : Ay / Ay
CL、測定液:10Mtの水−メタノール(コ/J/
v/マ)、(0,7M KOtを含む)、で構成される
セルによシ化学センサーを作成した(図/)。なお、こ
の測定液にはN2を導通させた。
2) : Pt 、参照極(3) : Ay / Ay
CL、測定液:10Mtの水−メタノール(コ/J/
v/マ)、(0,7M KOtを含む)、で構成される
セルによシ化学センサーを作成した(図/)。なお、こ
の測定液にはN2を導通させた。
(測定)
この測定液にビタミンに1の23X10 M メタノ
ール溶液−、j−/jOμt(最終濃度り×10−≠、
/×10 M)を添加し、サイクリックポルタングラ
ムを測定したところ、ビタミンに1の酸化還元波が観察
され念(図コの■)還コ00mV/sのスキャニング速
度で3.0×70−’Mのビタミンに1に対してみられ
た。一方、分子認識能のない電極を作用極としたとき、
すなわち(1)空隙のない電極(すなわち、クロロホル
ムによる不活性ゲストの洗浄を行なわない場合)又は(
II) #−修飾の5n02電極(有機ケイ素化合物の
結合も行なわない場合)を作用電極としたときには、そ
れぞれ/、2−L6μA、/、t±0.3μAの電流が
観察されたにすぎなかった(図−〇]、■)。
ール溶液−、j−/jOμt(最終濃度り×10−≠、
/×10 M)を添加し、サイクリックポルタングラ
ムを測定したところ、ビタミンに1の酸化還元波が観察
され念(図コの■)還コ00mV/sのスキャニング速
度で3.0×70−’Mのビタミンに1に対してみられ
た。一方、分子認識能のない電極を作用極としたとき、
すなわち(1)空隙のない電極(すなわち、クロロホル
ムによる不活性ゲストの洗浄を行なわない場合)又は(
II) #−修飾の5n02電極(有機ケイ素化合物の
結合も行なわない場合)を作用電極としたときには、そ
れぞれ/、2−L6μA、/、t±0.3μAの電流が
観察されたにすぎなかった(図−〇]、■)。
(発明の効果)
本発明によれば、分子認識能を有する安定な薄膜を得る
ことができ、またとの分子認識能の特異性の選択も容易
である。
ことができ、またとの分子認識能の特異性の選択も容易
である。
さらに、溶剤洗浄等によって何回でもくシ返し使用でき
る基板の製作に有利である。分子センサー(固定化酵素
センサーに比べて安定度高く、簡単)、分子素子のため
の基板上の分子配列、表面分子修飾、集積エレクトロニ
クス材料等への応用が期待できる。
る基板の製作に有利である。分子センサー(固定化酵素
センサーに比べて安定度高く、簡単)、分子素子のため
の基板上の分子配列、表面分子修飾、集積エレクトロニ
クス材料等への応用が期待できる。
図/は、本発明における化学センサーの構成の一例を示
し、図コは、この化学センサーにおいて、ビタミンに1
をゲスト分子として測定したサイクリックポルタングラ
ムを示す。
し、図コは、この化学センサーにおいて、ビタミンに1
をゲスト分子として測定したサイクリックポルタングラ
ムを示す。
Claims (3)
- (1)長鎖を有する有機ケイ素化合物が−Si−O−結
合で基板上に固定された単分子膜であって、その膜は分
子の大きさ・形状を特異的に認識する能力を有する空隙
が形成されている分子認識性有機薄膜。 - (2)表面に水酸基を有する基板を、その水酸基を活性
化し、ついで長鎖を有する不活性ゲストの存在下に長鎖
を有する有機ケイ素化合物を結合させ基板上に薄膜を形
成させ、つぎにこの薄膜中の不活性ゲストを除去するこ
とにより、長鎖を有する有機ケイ素化合物が −Si−O−結合で基板上に固定された単分子膜であっ
て、その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認識する能
力を有する空隙が形成されている分子認識性有機薄膜を
得ることを特徴とする分子認識性有機薄膜の作成法。 - (3)修飾電極を作用極とする化学センサーにおいて、
その修飾電極の表面は、長鎖を有する有機ケイ素化合物
が−Si−O−結合で電極基板上に固定された単分子膜
であって、その膜は分子の大きさ・形状を特異的に認識
する能力を有する空隙が形成されている分子認識性有機
薄膜により、形成されてなる化学センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052891A JPS62209350A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052891A JPS62209350A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62209350A true JPS62209350A (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=12927486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61052891A Pending JPS62209350A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 分子認識性有機薄膜、その作成法及びそれを用いた化学センサ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62209350A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8877035B2 (en) | 2005-07-20 | 2014-11-04 | Bayer Healthcare Llc | Gated amperometry methods |
US9005527B2 (en) | 2006-10-24 | 2015-04-14 | Bayer Healthcare Llc | Transient decay amperometry biosensors |
US9110013B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-08-18 | Bayer Healthcare Llc | Gated voltammetry methods |
US9410917B2 (en) | 2004-02-06 | 2016-08-09 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Method of using a biosensor |
US9933385B2 (en) | 2007-12-10 | 2018-04-03 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Method of using an electrochemical test sensor |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP61052891A patent/JPS62209350A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10067082B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-09-04 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Biosensor for determining an analyte concentration |
US8877035B2 (en) | 2005-07-20 | 2014-11-04 | Bayer Healthcare Llc | Gated amperometry methods |
US9110013B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-08-18 | Bayer Healthcare Llc | Gated voltammetry methods |
US9835582B2 (en) | 2005-09-30 | 2017-12-05 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Devices using gated voltammetry methods |
US10670553B2 (en) | 2005-09-30 | 2020-06-02 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Devices using gated voltammetry methods |
US11435312B2 (en) | 2005-09-30 | 2022-09-06 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Devices using gated voltammetry methods |
US9005527B2 (en) | 2006-10-24 | 2015-04-14 | Bayer Healthcare Llc | Transient decay amperometry biosensors |
US10190150B2 (en) | 2006-10-24 | 2019-01-29 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Determining analyte concentration from variant concentration distribution in measurable species |
US11091790B2 (en) | 2006-10-24 | 2021-08-17 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Determining analyte concentration from variant concentration distribution in measurable species |
US9933385B2 (en) | 2007-12-10 | 2018-04-03 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Method of using an electrochemical test sensor |
US10690614B2 (en) | 2007-12-10 | 2020-06-23 | Ascensia Diabetes Care Holdings Ag | Method of using an electrochemical test sensor |
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