JPS62207797A - 気相成長装置におけるガス噴出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は気相成長装置におけるガス噴出装置に関するも
のである。

（従来の技術） 従来のベルジャ型エピタキシャル装置は第６図に示すよ
うに、底盤１にシール材２を介して反応容器３を載置し
、反応容器３内に回転するサセプター４を設け、それの
下方に対面して設けた加熱用コイル５により高周波を発
生させサセプター４上の試料８を加熱し、サセプター４
を貫通したガス供給管６に孔加工による噴出口７、・・
・を複数段に同一垂直面に位置するように多数設けてい
た。

尚１図中、９は排出口である。

（発明が解決しようとする問題点） 前記のように孔加工で形成した噴出口でのガス流は、噴
出口からのガスの主流が直接当たる部分とそうでない部
分とでは、ガス流の不均一ができてしまう、従って、ベ
ルジャ型エピタキシャル装置において特徴であるはずの
中心から等間隔で且つ等距離にあるサセプター上の同一
円周上各地点でのｒ＆長条件が同一になるということは
、この孔加工噴出口を使用する限り、実現は困難となる
。

特に、化合物半導体エピタキシャル成長を目的とする。

化学気相成長を実施する場合、ガス流不均−は、基板試
料の結晶内及び結晶間の成長層厚、成長層特性に不均一
を発生するという悪い影響を与えるものである。特に薄
層の成長時には。

この悪影響はより大きい。

そこで１本発明においては、同一円周上の全周に亘って
ガス流を均一にすることができる装置を提供するのが目
的である。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の気相成長装置におけるガス噴出装置は１反応容
器３内に配設された試料８を載置するサセプター４を貫
通するようにガス供給管６を設けた気相成長装置におい
て、ガス供給管６に、全周に亘って開口するようにスリ
ーなト状の噴出口７を設けたものである。

（作　用） 本発明においては、反応容器３内に設けた試料８にガス
を供給するに際し、同一円周上の全周に亘ってガス流を
均一に噴出させている。

（実施例） 本発明の第１実施例を第１．２図に基いて詳細に説明す
ると、ガス供給管６を内管１０と外管１１とで形成し、
内外管１０．１１の上面を蓋１２で連結し、さらに蓋１
２と距離をおいた位置に連結部１３．１３．・・・を３
個所に設けて内外管１０．１１ｔ一連結する。そして、
Ｍ１２と連結部１３との間に位置した外管１１に、水平
方向においてスリット状の噴出口７を全周に互って設け
る。

他の構成は全て従来と同一なので、図示及び説明を省略
する。

第１実施例は前記のように構成したもので、ガスは内外
管１０．１１の間を通って下から送られ、噴出口７から
全周に向って均一に噴出される。

前記第１実施例において、実験をした結果、化合物半導
体はＧａＡｓの気相エピタキシャル成長層の膜厚、電気
特性の均一性良好なものを（基板結晶内、基板結晶間で
各々±５％以下）容易に得ることができた。

次に、第２実施例を第３図に基いて説明すると、ガス供
給管６の上方に、蓋１２をガス供給管６と間隔をおいて
、Ｌ字形をした支持腕１４でガス供給管６の内壁に固定
し、蓋１２とノズル上面との間を噴出口７として開口さ
せたものである。

第２実施例は第１実施例と同様に同一水平面において全
周に、ガス流を均一に噴出させる。

次に、第３実施例を第４ｒ！！：ｉに基いて説明すると
、ガス供給管６の上面を蓋１２で密閉し、ガス供給管６
の上部に傾斜させたスリットで噴出口７′、７′・・・
を多数垂直方向において重なるように開口する。

第３実施例では、−・つの噴出口７′からのガス噴出は
部分的ではあるが、噴出口７′が傾斜しているため、垂
直方向において重なる部分ができ。

ガスの全体の流れとしては、部分的に途切れるようなこ
とはなく、水平方向において同一円周上の全周に均一に
流れることになる。

次に、第４実施例を第５図に基いて説明すると、ガス供
給管６の上面を蓋１２で密閉し、ガス供給管６の上部に
多数のスリット状噴出口７″、７″、・・・を２段ない
し多段に開口し、上下段の噴出口７″、７”は千鳥状に
配置し、且つ垂直面において両端が一致ないし重なり合
うように設け。

全体として連がっている状態にする。

従って、第４実施例においては、水平方向においてはガ
ス流が上下２段ないし多段に噴出されるが、垂直方向に
おいては両端部が重ね合わさるようになっているので、
全体としては同一円周上の全周にほぼ均等なガス流が流
れている状態となる。

〔発明の効果］ 本発明においては、同一円周上の全周に亘って均一にガ
スを噴出させることができるので、気相成長をムラなく
均一に行わせることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る気相成長装置におけるガス噴出装
置の第１実施例の要部のみを示す断面図、第２ｒｇＪは
その斜視図、第３図は第２実施例の断面図、第４図は第
３実施例の斜視図、第５図は第４実施例の斜視図、第６
図は従来装置の断面図である。 ３・・・反応容器、４・・・サセプター、６・・・ガス
供給管、７，７′・・・噴出口、８・・・試料。 第４図　第５図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 反応容器３内に配設された試料８を載置するサセプター
   ４を貫通するようにガス供給管６を設けた気相成長装置
   において、ガス供給管６に、全周に亘って開口するよう
   にスリット状の噴出口７を設けたことを特徴とするガス
   噴出装置。