JPS62207725A - 液体ガラス原料の気化装置 - Google Patents
液体ガラス原料の気化装置Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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-
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野１
本発明は液体ガラス原料の気化装置を改良したものに関
する。
する。
ｒ従来の技術１
周知の通り、気相ガラス原料の化学的蒸着により通信用
、光学用、半導体用の各種素材を製造するとき、ＣＶＤ
法、ＷＡＤ法、ＯＶＤ法ナト（７）反応系へ５ｉ０１ｎ
、ＧｅＣ１ａ 、ＰＯＣｌ３等の塩化物原料を供給す
るとともに、これら原料ガスを火炎加水分解反応および
／または熱酸化反応させてガラス微粒子を生成し、これ
を堆積させた後、所定の処理を施している。
、光学用、半導体用の各種素材を製造するとき、ＣＶＤ
法、ＷＡＤ法、ＯＶＤ法ナト（７）反応系へ５ｉ０１ｎ
、ＧｅＣ１ａ 、ＰＯＣｌ３等の塩化物原料を供給す
るとともに、これら原料ガスを火炎加水分解反応および
／または熱酸化反応させてガラス微粒子を生成し、これ
を堆積させた後、所定の処理を施している。
上述した塩化物原料すなわち液体ガラス原料は第２図の
装置内に収容され、気化された後、所定の反応系へ送ら
れるのが一般である。
装置内に収容され、気化された後、所定の反応系へ送ら
れるのが一般である。
第２図において、液体ガラス原料ｌＯを収容している気
密なバブリング槽ｌには、キャリアガスの吹込管２と気
化原料の取出管３とが挿入されており、そのバブリング
槽ｌが恒温槽４内に内装されている。
密なバブリング槽ｌには、キャリアガスの吹込管２と気
化原料の取出管３とが挿入されており、そのバブリング
槽ｌが恒温槽４内に内装されている。
恒温槽４はヒータ５とそのヒータ５に接続された温度調
整器８とを備え、バブリング槽３と恒温槽４との間には
液状の熱交換媒体７が介在されている。
整器８とを備え、バブリング槽３と恒温槽４との間には
液状の熱交換媒体７が介在されている。
第２図において、吹込管２からバブリング槽ｌ内にＡｒ
、０２．Ｎ２などのキャリアガスが吹きこまれたとき、
所定のバブリング作用により液体ガラス原料１０が気化
され、かかる気化原料はキャリアガスにより担持されて
取出管３より反応系へ給送される。
、０２．Ｎ２などのキャリアガスが吹きこまれたとき、
所定のバブリング作用により液体ガラス原料１０が気化
され、かかる気化原料はキャリアガスにより担持されて
取出管３より反応系へ給送される。
この際、恒温槽４は温度調整器６によりコントロールさ
れたヒータ５を介して熱交換媒体７を適当な温度に加熱
し、その熱交換媒体７により液体ガラス原料ｌＯを設定
温度に保持している。
れたヒータ５を介して熱交換媒体７を適当な温度に加熱
し、その熱交換媒体７により液体ガラス原料ｌＯを設定
温度に保持している。
ｒ発明が解決しようとする問題点Ｊ
上述した従来装置の場合、液体ガラス原料１０の温度制
御は直接的でなく、熱交換媒体７を介した間接的なもの
であり、したがって、液体ガラス原料ｌＯの温度制御性
がよくない。
御は直接的でなく、熱交換媒体７を介した間接的なもの
であり、したがって、液体ガラス原料ｌＯの温度制御性
がよくない。
しかも、液状熱交換媒体７は自然対流するのみで殆ど停
滞しているため、上部高温、下部低温となる傾向を示し
、このような傾向がバブリング槽ｌ内の液体ガラス原料
１０にもあられれるから、液体ガラス原料１０の上下方
向にわたる温度分布が不均一となる。
滞しているため、上部高温、下部低温となる傾向を示し
、このような傾向がバブリング槽ｌ内の液体ガラス原料
１０にもあられれるから、液体ガラス原料１０の上下方
向にわたる温度分布が不均一となる。
一方、液体ガラス原料ｌＯを気化する際の奪熱により、
当該原料ｌＯの表面温度が設定値よりも下がる傾向が生
じ、温度分布の不均一がさらに助長される。
当該原料ｌＯの表面温度が設定値よりも下がる傾向が生
じ、温度分布の不均一がさらに助長される。
その結果、設定温度値にみあう原料気化量が確保できな
い。
い。
本発明は上記の問題点に鑑み、長時間安定して液体ガラ
ス原料を気化させることのできる装置を提供しようとす
るものである。
ス原料を気化させることのできる装置を提供しようとす
るものである。
１問題点を解決するための手段」
本発明は所期の目的を達成するため、液体ガラス原料が
収容された気密なバブリング槽内に、キャリアガスの吹
込管と隼化原料の取出管とが挿入されている液体ガラス
原料の気化装置において、バブリング槽の槽壁に熱交換
媒体流路が設けられ、熱交換媒体流路の入口と出口とに
わたり温度調整器、循環機構を備えた後環流路が配管接
続され、温度調整器に接続された温度制御器の温度セン
サがバブリング槽内に内挿されていることを特徴とする
。
収容された気密なバブリング槽内に、キャリアガスの吹
込管と隼化原料の取出管とが挿入されている液体ガラス
原料の気化装置において、バブリング槽の槽壁に熱交換
媒体流路が設けられ、熱交換媒体流路の入口と出口とに
わたり温度調整器、循環機構を備えた後環流路が配管接
続され、温度調整器に接続された温度制御器の温度セン
サがバブリング槽内に内挿されていることを特徴とする
。
１作用Ｊ
本発明装置の作用につき、第１図を参照して説明する。
本発明装置では従来例と同様、吹込管１２からバブリン
グ槽１１内に既述のキャリアガスが吹きこまれ、この際
のバブリング作用により気化された既述の液体ガラス原
料１０がキャリアガスにより担持されて取出管１３より
反応系へ給送される。
グ槽１１内に既述のキャリアガスが吹きこまれ、この際
のバブリング作用により気化された既述の液体ガラス原
料１０がキャリアガスにより担持されて取出管１３より
反応系へ給送される。
この際、バブリング槽ｌｌ内の液体ガラス原料１０が温
度センサ２１を介して直接測温され、その測定値が温度
制御器２０に入力される。
度センサ２１を介して直接測温され、その測定値が温度
制御器２０に入力される。
一方、バブリング槽１１内の液体ガラス原料１ｏを直接
加熱している熱交換媒体は、熱交換媒体流路１４、なら
びに強制循環機構１８を有する後環流路１３を回流する
間、その後環流路１８の温度調整器１７により加熱され
る。
加熱している熱交換媒体は、熱交換媒体流路１４、なら
びに強制循環機構１８を有する後環流路１３を回流する
間、その後環流路１８の温度調整器１７により加熱され
る。
温度調整器１７は前記温度測定値が入力された温度制御
器２Ｇに基づいて制御され、液体ガラス原料１０を設定
温度に保持すべく、熱交換媒体を加熱する。
器２Ｇに基づいて制御され、液体ガラス原料１０を設定
温度に保持すべく、熱交換媒体を加熱する。
したがって、バブリング槽１１内の液体ガラス原料１０
は、適正温度の熱交換媒体を介して設定温度に保持され
、長時間にわたり、安定した原料気化状態を呈する。
は、適正温度の熱交換媒体を介して設定温度に保持され
、長時間にわたり、安定した原料気化状態を呈する。
ｒ実 施 例１
以下、本発明装置の実施例につき、図面を参照して説明
する。
する。
第１図において、液体ガラス原料ｌＯが収容された気密
なバブリング槽１１内には、キャリアガスの吹込管１２
と気化原料の取出管１３とが挿入されている。
なバブリング槽１１内には、キャリアガスの吹込管１２
と気化原料の取出管１３とが挿入されている。
上記バブリング槽１１の槽壁外面には、熱交換媒体流路
１４が設けられ、その熱交換媒体流路１４の入口１５と
出口ＩＢにわたり温度調整器１７１強制循環機構１８を
備えた後環流路１９が配管接続されている。
１４が設けられ、その熱交換媒体流路１４の入口１５と
出口ＩＢにわたり温度調整器１７１強制循環機構１８を
備えた後環流路１９が配管接続されている。
強制循環機構１８はポンプ、ブロワ等からなり。
図示での温度調整器１７、強制循環機構１８は一体的に
組み合わされている。
組み合わされている。
温度調整器１７には温度制御器２０が接続され、その温
度制御器２０の温度センサ２１がバブリング槽１１内に
内挿されている。
度制御器２０の温度センサ２１がバブリング槽１１内に
内挿されている。
バブリング槽１１の槽壁に設けられた熱交換媒体流路１
４は、螺旋状、渦巻状、蛇行状など、任意の曲げ形状を
有する。
４は、螺旋状、渦巻状、蛇行状など、任意の曲げ形状を
有する。
例えば図示の場合、バグリング槽！ｌの底部槽壁におけ
る熱交換媒体流路１４の一部は渦巻状を呈しており、バ
ブリング槽１１の胴部槽壁における熱交換媒体流路１４
の残部は螺旋状を呈している。
る熱交換媒体流路１４の一部は渦巻状を呈しており、バ
ブリング槽１１の胴部槽壁における熱交換媒体流路１４
の残部は螺旋状を呈している。
バブリング槽１１、熱交換媒体流路１４、後環流路１９
は一例として石英製からなり、他側としてステンレス製
からなる。
は一例として石英製からなり、他側としてステンレス製
からなる。
バブリング槽１１がステンレス製からなる場合。
その内面がシリコーン樹脂、フッ素樹脂などにより樹脂
コーティングされることがある。
コーティングされることがある。
必要に応じ、バブリング槽１１、熱交換媒体流路１４、
後環流路１８等は断熱材により覆われる。
後環流路１８等は断熱材により覆われる。
熱交換媒体は不活性ガスなどの気体、あるいは熱伝導性
のよい液体が用いられる。
のよい液体が用いられる。
本発明装置における液体ガラス原料１０の気化例を下記
の条件で実施した。
の条件で実施した。
液体ガラス原料１０：ＳｉＣ＋４
バブリング槽１１の容量：２０１
バブリング槽１１の設定温度：４５℃
キャリアガス（Ａｒ）の流量：２．５Ｊｕｍｉｎバブリ
ング時間：６時ｍ１ 上記６時間のバブリングにおける原料気化量は２２ｇ／
ｗｉｎ±０．５ｇ／ｗｉｎにて終始安定した。
ング時間：６時ｍ１ 上記６時間のバブリングにおける原料気化量は２２ｇ／
ｗｉｎ±０．５ｇ／ｗｉｎにて終始安定した。
従来例（第１図）の場合はバブリング初期の原料気化量
を１とした場合、バブリング終期（６時間後）の原料気
化量が約１７３に減少した。
を１とした場合、バブリング終期（６時間後）の原料気
化量が約１７３に減少した。
「発明の効果」
以上説明した通り、本発明装置によるときは、所定の気
化装置において、バブリング槽の槽壁に熱交換媒体流路
が設けられ、熱交換媒体流路の入口と出口とにわたり温
度ｇ１ｇ整器１強制循環機構を備えた後環流路が配管接
続され、温度調整器に接続された温度制御器の温度セン
サがバブリング槽内に内挿されているから、これら熱交
換媒体流路、後環流路、温度調整器、強制循環機構、温
度制御器、温度センサなどを介してバブリング槽内の液
体ガラス原料を温度制御性よく、しかも、長時間安定し
て気化させるこ゛とができる。
化装置において、バブリング槽の槽壁に熱交換媒体流路
が設けられ、熱交換媒体流路の入口と出口とにわたり温
度ｇ１ｇ整器１強制循環機構を備えた後環流路が配管接
続され、温度調整器に接続された温度制御器の温度セン
サがバブリング槽内に内挿されているから、これら熱交
換媒体流路、後環流路、温度調整器、強制循環機構、温
度制御器、温度センサなどを介してバブリング槽内の液
体ガラス原料を温度制御性よく、しかも、長時間安定し
て気化させるこ゛とができる。
第１図は本発明装置の一実施例を略示した断面図、第２
図は従来装置の略示断面図である。 １０・拳−液体ガラス原料 １１争・・バブリング槽 １２・・・キャリアガスの吹込管 １３拳・・気化原料の取出管 １４・・・熱交換媒体流路 １５・・・熱交換媒体流路の入口 １６・・・熱交換媒体流路の出口 １７・・拳温度調整器 １８会−・強制循環機構 １９・・・後環流路 ２０・・・温度制御器 ２１・・・温度センサ
図は従来装置の略示断面図である。 １０・拳−液体ガラス原料 １１争・・バブリング槽 １２・・・キャリアガスの吹込管 １３拳・・気化原料の取出管 １４・・・熱交換媒体流路 １５・・・熱交換媒体流路の入口 １６・・・熱交換媒体流路の出口 １７・・拳温度調整器 １８会−・強制循環機構 １９・・・後環流路 ２０・・・温度制御器 ２１・・・温度センサ
Claims (6)
- （１）液体ガラス原料が収容された気密なバブリング槽
内に、キャリアガスの吹込管と気化原料の取出管とが挿
入されている液体ガラス原料の気化装置において、バブ
リング槽の槽壁に熱交換媒体流路が設けられ、熱交換媒
体流路の入口と出口とにわたり温度調整器、強制循環機
構を備えた後環流路が配管接続され、温度調整器に接続
された温度制御器の温度センサがバブリング槽内に内挿
されていることを特徴とする液体ガラス原料の気化装置
。 - （２）バブリング槽の槽壁に設けられた熱交換媒体流路
が、螺旋状、渦巻状、蛇行状などの曲げ形状を有する特
許請求の範囲第１項記載の液体ガラス原料の気化装置。 - （３）バブリング槽、熱交換媒体流路、循環流路が石英
製からなる特許請求の範囲第１項記載の液体ガラス原料
の気化装置。 - （４）バブリング槽、熱交換媒体流路、循環流路がステ
ンレス製からなる特許請求の範囲第１項記載の液体ガラ
ス原料の気化装置。 - （５）バブリング槽の内面が樹脂コーティングされてい
る特許請求の範囲第４項記載の液体ガラス原料の気化装
置。 - （６）コーティング樹脂が、シリコーン樹脂、フッ素樹
脂のいずれかからなる特許請求の範囲第５項記載の液体
ガラス原料の気化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4968486A JPS62207725A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 液体ガラス原料の気化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4968486A JPS62207725A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 液体ガラス原料の気化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207725A true JPS62207725A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12838005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4968486A Pending JPS62207725A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 液体ガラス原料の気化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62207725A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100632879B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2006-10-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 유리소재의 제조장치 및 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131532A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ用原料供給装置 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4968486A patent/JPS62207725A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131532A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ用原料供給装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100632879B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2006-10-16 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 유리소재의 제조장치 및 제조방법 |
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