JPS62206835A - 半導体ウエ−ハの表面処理方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの表面処理方法Info
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- JPS62206835A JPS62206835A JP4960186A JP4960186A JPS62206835A JP S62206835 A JPS62206835 A JP S62206835A JP 4960186 A JP4960186 A JP 4960186A JP 4960186 A JP4960186 A JP 4960186A JP S62206835 A JPS62206835 A JP S62206835A
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- wafer
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- semiconductor wafer
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- phosphorus
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの表面処理方法に関し、特に化
合物半導体ウェーハの表面処理方法に関する。
合物半導体ウェーハの表面処理方法に関する。
従来、ＩｎＰ或いはＩｎＧａＡｓＰ等、リン［Ｆ］を含
む化合物半導体ウェーハ内にｐｎ接合を形成するために
け、ｎ型の化合物半導体基板内へ、Ｚｎ−？Ｃｄ等のｐ
型不純物を封管法により拡散させる工程が普通に用いら
れている。
む化合物半導体ウェーハ内にｐｎ接合を形成するために
け、ｎ型の化合物半導体基板内へ、Ｚｎ−？Ｃｄ等のｐ
型不純物を封管法により拡散させる工程が普通に用いら
れている。
上述した従来の封管拡散法においては、高温時ウェーハ
表面からのリンの解離を防止する目的で、ｐ型不純物拡
散源の他にリンの蒸気圧を高めるためのリン供給源を封
管内に封止することが行なわれる。このリン供給源とし
ては、ｐ型不純物拡散源を兼ねたＺｎＰｚや、ＩｎＰ等
の単結晶またはタタ結晶が用いられている。
表面からのリンの解離を防止する目的で、ｐ型不純物拡
散源の他にリンの蒸気圧を高めるためのリン供給源を封
管内に封止することが行なわれる。このリン供給源とし
ては、ｐ型不純物拡散源を兼ねたＺｎＰｚや、ＩｎＰ等
の単結晶またはタタ結晶が用いられている。
ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰに対するＺｎ−？Ｃｄの拡散係
数は比較的大きく、従ってウェーハ表面近傍の浅い位置
Ｋ ｐ ｎ接合を形成しようとすると拡散時間は十数分
程度となり、従って急速な冷却が必要となる。この時、
蒸発していたリンが固体化してウェーハ表面に堆積する
ことがあり封管の真空を破ってウェーハを取り出す時点
でリンの酸化物が形成される。この酸化物は褐色で粘性
を帯びているのが特徴で、通常の有機溶剤、アルカリ系
溶剤、水に安定な物質であり、このままでは除去が困難
であるという問題点があった。
数は比較的大きく、従ってウェーハ表面近傍の浅い位置
Ｋ ｐ ｎ接合を形成しようとすると拡散時間は十数分
程度となり、従って急速な冷却が必要となる。この時、
蒸発していたリンが固体化してウェーハ表面に堆積する
ことがあり封管の真空を破ってウェーハを取り出す時点
でリンの酸化物が形成される。この酸化物は褐色で粘性
を帯びているのが特徴で、通常の有機溶剤、アルカリ系
溶剤、水に安定な物質であり、このままでは除去が困難
であるという問題点があった。
本発明の目的は、表面に形成されたリンの酸化物を容易
に除去することが可能な半導体ウェーハの表面処理方法
を提供することにある。
に除去することが可能な半導体ウェーハの表面処理方法
を提供することにある。
本発明の半導体ウェーハの表面処理方法は、封管法によ
り不純物が導入された半導体ウェーハの表面に白色光を
照射する工程と、白色光が照射された前記半導体ウェー
ハをアルキル系溶剤で洗浄する工程とを含んで構成され
る。
り不純物が導入された半導体ウェーハの表面に白色光を
照射する工程と、白色光が照射された前記半導体ウェー
ハをアルキル系溶剤で洗浄する工程とを含んで構成され
る。
次に本発明の実施例について説明する。
ｎ型ＩｎＰウェーハにＺｎＡｓｚを拡散源とし、ＩｎＰ
多結晶をリンの供給源として封管法によりリンの拡散を
行なった。封管よりＩｎＰウェーハを取り出し、表面に
褐色のリンの酸化物による汚染が認められるウェーハに
対して、ミ大素ランプを光源とし、０、５ Ｊ ／ ｃ
ｍ”の白色光を照射した。この時点でＩｎＰウェー八表
面表面積物の粘性が消失していることが認められた。次
にこのＩｎＰウェーハをエチルアルコール中で２分間超
音波洗浄したところ、ＩｎＰウェーハ表面の汚染物は除
去され、金属顕微鏡による観察でも汚染物の痕跡は認め
られなかった。
多結晶をリンの供給源として封管法によりリンの拡散を
行なった。封管よりＩｎＰウェーハを取り出し、表面に
褐色のリンの酸化物による汚染が認められるウェーハに
対して、ミ大素ランプを光源とし、０、５ Ｊ ／ ｃ
ｍ”の白色光を照射した。この時点でＩｎＰウェー八表
面表面積物の粘性が消失していることが認められた。次
にこのＩｎＰウェーハをエチルアルコール中で２分間超
音波洗浄したところ、ＩｎＰウェーハ表面の汚染物は除
去され、金属顕微鏡による観察でも汚染物の痕跡は認め
られなかった。
尚、洗浄溶液としてエチルアルコールを用いた場合ニつ
いて説明したが、メチルアルコール’１いても同様に汚
染物は除去された。
いて説明したが、メチルアルコール’１いても同様に汚
染物は除去された。
以上説明したように本発明は封管拡散工程後のリンを含
む化合物半導体ウェーハに付着したリンの酸化物に対し
て光照射を行なうことにより、アルキル系溶剤に可溶な
化合物に変成して、その除去を容易ならしめる効果を有
する。
む化合物半導体ウェーハに付着したリンの酸化物に対し
て光照射を行なうことにより、アルキル系溶剤に可溶な
化合物に変成して、その除去を容易ならしめる効果を有
する。
Claims (1)
- 封管法により不純物が導入された半導体ウェーハの表面
に白色光を照射する工程と、白色光が照射された前記半
導体ウェーハをアルキル系溶剤で洗浄する工程とを含む
事を特徴とする半導体ウェーハの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4960186A JPS62206835A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体ウエ−ハの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4960186A JPS62206835A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体ウエ−ハの表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206835A true JPS62206835A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12835752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4960186A Pending JPS62206835A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 半導体ウエ−ハの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114042684A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-02-15 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4960186A patent/JPS62206835A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114042684A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-02-15 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺 |
| CN114042684B (zh) * | 2022-01-12 | 2022-03-22 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺 |
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