JPS62205598A - 情報記憶再生方式及び情報記憶担体 - Google Patents
情報記憶再生方式及び情報記憶担体Info
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- JPS62205598A JPS62205598A JP4615486A JP4615486A JPS62205598A JP S62205598 A JPS62205598 A JP S62205598A JP 4615486 A JP4615486 A JP 4615486A JP 4615486 A JP4615486 A JP 4615486A JP S62205598 A JPS62205598 A JP S62205598A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は消去可能な情報記１意再生方式及び消去可能な
情報記憶担体に係り、特に高密度大容量化に好適なレー
ザ薔き込み、′ｉ１’＋気読み出しの情報記憶再生方式
及び情報記憶担体に関する。
情報記憶担体に係り、特に高密度大容量化に好適なレー
ザ薔き込み、′ｉ１’＋気読み出しの情報記憶再生方式
及び情報記憶担体に関する。
情報の記憶の最重要味題のひとつは大容量化であり、他
のひとつはアクセスタイムの高速化である。
のひとつはアクセスタイムの高速化である。
高速アクセスメモリとしては半導体メモリがあり、アク
セスタイムｐＨ００ｎｓｅｃと高速であるが、記！意容
量は高々１Ｍビットである。
セスタイムｐＨ００ｎｓｅｃと高速であるが、記！意容
量は高々１Ｍビットである。
一方、大容量メモリとしては元ディスクメモリがあり、
記１．ハ容ｉｔは数１００Ｍ〜１Ｇバイトと大容量であ
るが、アクセスタイムは数１００ｍ５ｅ ｃと低速であ
る。
記１．ハ容ｉｔは数１００Ｍ〜１Ｇバイトと大容量であ
るが、アクセスタイムは数１００ｍ５ｅ ｃと低速であ
る。
前者は半導体素子メモリ回路が大きく、高密度に出来な
いことにより大容量化に限界があり、後者はレーザビー
ムスポット径までの高＠ｒ肥化が可能であるが、ディス
クのレーザ光読出しにより、アクセスタイムに限界があ
る。
いことにより大容量化に限界があり、後者はレーザビー
ムスポット径までの高＠ｒ肥化が可能であるが、ディス
クのレーザ光読出しにより、アクセスタイムに限界があ
る。
上記従来技術は尚速アクセスと大容量化の両立が困難で
ある問題があった。
ある問題があった。
本発明の目的は高速アクセス可能な大容量の消去可能な
情報ｌ１再生方式及び消去可能なプログラマブルリード
オンリーメモリを提供することにある。
情報ｌ１再生方式及び消去可能なプログラマブルリード
オンリーメモリを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明においては情報の記憶
再生方式において、情報記憶部が３つの電極と該電極間
に設けられたメモリ膜とからなり、このメモリ膜はイオ
ンを有し、かつ分極が可能な物質で°あり、情報記憶部
を加熱しながら３つの電極の両端に電界を与えて、メモ
リ膜中のイオンを中間の電、ＷＬと一端の電極間に集め
て、これら両電極間の導＋４をならしめて情報を記憶さ
せ、これら両電極間の導通の有無により情報を電気的に
再生し、電界を逆にして加熱し、イオンを中間電極と他
端電極間に偏位移動せしめて情報を消去するように構成
する。
再生方式において、情報記憶部が３つの電極と該電極間
に設けられたメモリ膜とからなり、このメモリ膜はイオ
ンを有し、かつ分極が可能な物質で°あり、情報記憶部
を加熱しながら３つの電極の両端に電界を与えて、メモ
リ膜中のイオンを中間の電、ＷＬと一端の電極間に集め
て、これら両電極間の導＋４をならしめて情報を記憶さ
せ、これら両電極間の導通の有無により情報を電気的に
再生し、電界を逆にして加熱し、イオンを中間電極と他
端電極間に偏位移動せしめて情報を消去するように構成
する。
又、本発明におｈては記憶担体として、メモリ層にイオ
ンを有し、分極可能であり、高温下で導電性を示し、室
温下で絶縁性を示すガラスある＾はキレート等を用い、
その構成としては基板上に共通電極、第１のメモリ層、
マトリクス７匡極のＸ方向パターン、第２のメモリ層、
マトリクス電極のＹ方向パターンの１１−に形成し、共
通？ｆｆ ’ｐＷとマトリクス電極に電圧を印加し、マ
トリクス電極パターンのに沿ってトラッキングするレー
ザビームスポットにより所望のポイントを加熱する構成
を提供する。
ンを有し、分極可能であり、高温下で導電性を示し、室
温下で絶縁性を示すガラスある＾はキレート等を用い、
その構成としては基板上に共通電極、第１のメモリ層、
マトリクス７匡極のＸ方向パターン、第２のメモリ層、
マトリクス電極のＹ方向パターンの１１−に形成し、共
通？ｆｆ ’ｐＷとマトリクス電極に電圧を印加し、マ
トリクス電極パターンのに沿ってトラッキングするレー
ザビームスポットにより所望のポイントを加熱する構成
を提供する。
共通霜、極にプラス電圧、マトリクス−′極にマイナス
電圧を印Ｕ口しながら、マトリクス電極の所望のクロス
ポイントを狙ってレーザビームスポットを照射しその部
位を加熱すると、メモリ層に用いた例えばガラス中の金
属イオン例えばＮａ等が高温のため移動可能となり、↑
）１界に従がってマトリクス電極部すなわち第２のメモ
リ層に４４１＃Ｉ析出する。
電圧を印Ｕ口しながら、マトリクス電極の所望のクロス
ポイントを狙ってレーザビームスポットを照射しその部
位を加熱すると、メモリ層に用いた例えばガラス中の金
属イオン例えばＮａ等が高温のため移動可能となり、↑
）１界に従がってマトリクス電極部すなわち第２のメモ
リ層に４４１＃Ｉ析出する。
レーザビームスポットに照射されない部位は室温化にあ
りイオンの移動は生じなく、その析出もない。辺上によ
り書込み動作が終る。消去はＩＬ界を逆にすればよい。
りイオンの移動は生じなく、その析出もない。辺上によ
り書込み動作が終る。消去はＩＬ界を逆にすればよい。
読み出しはマトリクスを走査し、イオン析出によるＸ方
向′市極とＹ方向電極間の導通の有無によりデータの１
０”、１１′を判別する。
向′市極とＹ方向電極間の導通の有無によりデータの１
０”、１１′を判別する。
レーザビームスポットのトラッキンギガイドにはマトリ
クスパターン自体の反射率差等の光学変化を利用する。
クスパターン自体の反射率差等の光学変化を利用する。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ガラ
ス基板１の上にＭを蒸着し、共通ｔｆｊ２を形成した。
ス基板１の上にＭを蒸着し、共通ｔｆｊ２を形成した。
さらに金属イオンを含有するソーダライムガラスをスパ
ッタリング薄膜形成して第１のメモリ膜３を薄膜形成し
た。メモリ膜３の一端は共通電極２が露出するようにイ
オンビームエツチングにより除去した。メモリ膜５の上
にメモリセル部９を形成するためのＸ方向のマトリクス
７匡極５をＭ蒸着およびフォトリゾクラフィク技術によ
り形成した。次にマトリクス７匡極ｔ極５の上に第２の
メモリ膜（ソーダライムガラス）４をスパッタリ ング
７（す膜形成し、一端部をマトリクス電極５が露出する
ようにリフトオフ除去した。メモリ膜４の上にＹ方向の
マトリクス′電極を成蒸着およびフォトリゾグラフィッ
ク技術により形成した。１０゜１０′はアドレスデコー
ド用のマトリクスアレイであり、メモリセル用マトリク
スｒｔｔ律５ｒｙの上にフォ） ＩＪゾグラフィック技
術を用いて、絶縁層形成スルホール形成、アモルファス
Ｓｉ鳩形成＋ Ｐ Ｎ ＋湧金層形成、絶做層形成、ス
ルホール形成、アドレスパターン形成を行った。１１．
１１’が素子のアドレス入力端子である。アドレスデコ
ーダにはダイオードマトリクスの他ＴＦＴアレイであっ
ても良い。
ッタリング薄膜形成して第１のメモリ膜３を薄膜形成し
た。メモリ膜３の一端は共通電極２が露出するようにイ
オンビームエツチングにより除去した。メモリ膜５の上
にメモリセル部９を形成するためのＸ方向のマトリクス
７匡極５をＭ蒸着およびフォトリゾクラフィク技術によ
り形成した。次にマトリクス７匡極ｔ極５の上に第２の
メモリ膜（ソーダライムガラス）４をスパッタリ ング
７（す膜形成し、一端部をマトリクス電極５が露出する
ようにリフトオフ除去した。メモリ膜４の上にＹ方向の
マトリクス′電極を成蒸着およびフォトリゾグラフィッ
ク技術により形成した。１０゜１０′はアドレスデコー
ド用のマトリクスアレイであり、メモリセル用マトリク
スｒｔｔ律５ｒｙの上にフォ） ＩＪゾグラフィック技
術を用いて、絶縁層形成スルホール形成、アモルファス
Ｓｉ鳩形成＋ Ｐ Ｎ ＋湧金層形成、絶做層形成、ス
ルホール形成、アドレスパターン形成を行った。１１．
１１’が素子のアドレス入力端子である。アドレスデコ
ーダにはダイオードマトリクスの他ＴＦＴアレイであっ
ても良い。
第２図は鵬き込み動作説明のためのメモリセル部断面説
明図でちる。共通ｔ８ｊ２とマ） ＩＪクス電極７の間
に箕１圧Ｅ１２を印加しながら、半導体レーザ１３およ
びレンズ１４により集光レーザ光１５をメモリセル部に
照射する。メモリセル部はレーザ光１５により加熱され
訓温となる。メモリ層３，４中のイオンは高温のため移
動可能となり、マトリクス電極５とマトリクス電極７間
に移動し、導電帯１６を形成する。レーザ加熱されない
部はイオン移動がないため、導市、性はな論ままである
。消去は電界を逆に印加してレーザ加熱すれば、イオン
はマトリクス電極５と共通宵、極２の間に移動し、マト
リクス１Ｆｓ、′＠ｉ５と７の間の導通はなくなる。
明図でちる。共通ｔ８ｊ２とマ） ＩＪクス電極７の間
に箕１圧Ｅ１２を印加しながら、半導体レーザ１３およ
びレンズ１４により集光レーザ光１５をメモリセル部に
照射する。メモリセル部はレーザ光１５により加熱され
訓温となる。メモリ層３，４中のイオンは高温のため移
動可能となり、マトリクス電極５とマトリクス電極７間
に移動し、導電帯１６を形成する。レーザ加熱されない
部はイオン移動がないため、導市、性はな論ままである
。消去は電界を逆に印加してレーザ加熱すれば、イオン
はマトリクス電極５と共通宵、極２の間に移動し、マト
リクス１Ｆｓ、′＠ｉ５と７の間の導通はなくなる。
第３図は動作説明のための説明図であり、８×８＝６ビ
ツトメモリの例で示したパターン図である。９が８×８
のメモリセル部であり、０印がレーザ書き込みされたビ
ットを示す。１０．１０’はアドレス１１のデコーダ用
ダイオードマトリクスであり○印がダイオード接続点で
ある。アドレスピクトＡ、−Ａ２によりマトリクス１ｉ
（極５の中から１本が指定され、またＡ３〜ＡＩ＋によ
りマトリクス電極７の中から１本が指定される。瑞子８
は＋Ｖレベルすなわち鬼１〃レベルに接続しておくとレ
ーザ書き込みされたメモリセルが指定された場合のみに
ｂａｔａ端子６が＋Ｖレベル′Ａ１１となりメモリの読
み出しが出来る。
ツトメモリの例で示したパターン図である。９が８×８
のメモリセル部であり、０印がレーザ書き込みされたビ
ットを示す。１０．１０’はアドレス１１のデコーダ用
ダイオードマトリクスであり○印がダイオード接続点で
ある。アドレスピクトＡ、−Ａ２によりマトリクス１ｉ
（極５の中から１本が指定され、またＡ３〜ＡＩ＋によ
りマトリクス電極７の中から１本が指定される。瑞子８
は＋Ｖレベルすなわち鬼１〃レベルに接続しておくとレ
ーザ書き込みされたメモリセルが指定された場合のみに
ｂａｔａ端子６が＋Ｖレベル′Ａ１１となりメモリの読
み出しが出来る。
以上のようにメモリセルの寸法はレーザスポット径まで
小さくでき、メモリセルの構成も簡単であり、高密度大
容量の消去可能プログラマブルＲＯＭが出来る効果があ
る。
小さくでき、メモリセルの構成も簡単であり、高密度大
容量の消去可能プログラマブルＲＯＭが出来る効果があ
る。
メモリ層にはガラスの他、金属イオンを含有させたナイ
ロン、ポリイミドまた銅フタロシアニン等のキレートが
使える。
ロン、ポリイミドまた銅フタロシアニン等のキレートが
使える。
第４図は本発明の他の実施例の断面図である。
表面に光吸収係数の大きな膜を光吸収発熱層１７として
追加形成した例であり、書き込みに要するし一ザ出力を
低澱出来、効率向上をはかることができる。
追加形成した例であり、書き込みに要するし一ザ出力を
低澱出来、効率向上をはかることができる。
第５１Ａは本発明の他の実施例の断面図である。
基板１と共通電極２０間に抵抗発熱体１８および電極１
９を設けた。共、ｌＩＩ’８ｆ極２と電極２０に電源２
０を接続し、素子全面を同時に加熱することが出来る。
９を設けた。共、ｌＩＩ’８ｆ極２と電極２０に電源２
０を接続し、素子全面を同時に加熱することが出来る。
共通電極２とマ） ＩＪクス市極７の引出し端８に書き
込みとは逆の市’ｊ”１′−１２を印加すればすべての
イオンは共通電極２Ｉｌｌｌｌｃ移動するので全データ
をいっきょに消去することができる。
込みとは逆の市’ｊ”１′−１２を印加すればすべての
イオンは共通電極２Ｉｌｌｌｌｃ移動するので全データ
をいっきょに消去することができる。
第６図は本発明の他の実施例の断面図である。
メモリ膜２１．２２にナイロンあるいは有機半導体等の
負の抵抗温度件数を有する物質にイオンを含有させたも
のを用いた例である。マトリクス電極の引出し端８及び
６に電源２３を接続するとともに６および共通電極２間
にも電源２４ を接続し、アドレス指定されたマトリク
スのメモリセル部のみを電源２３により加熱する。メモ
リ膜２２には抵抗温度件数が負のものを用いたので、電
流はアドレス指定イオンの移動は電極２と６間に接続さ
れた電源２４により電極６，８間に集まるよう になる
。以上のように本実施例ではレーザスポットによる加熱
は不用であり、 メモリセル寸法をレーザスポット径よ
りも小さくすることも出来る。また消去については第５
図と同様、抵抗発熱体１８と電源２０により出来る。こ
のとき電源２３および２４は書き込みとは逆電界となる
ようにする。
負の抵抗温度件数を有する物質にイオンを含有させたも
のを用いた例である。マトリクス電極の引出し端８及び
６に電源２３を接続するとともに６および共通電極２間
にも電源２４ を接続し、アドレス指定されたマトリク
スのメモリセル部のみを電源２３により加熱する。メモ
リ膜２２には抵抗温度件数が負のものを用いたので、電
流はアドレス指定イオンの移動は電極２と６間に接続さ
れた電源２４により電極６，８間に集まるよう になる
。以上のように本実施例ではレーザスポットによる加熱
は不用であり、 メモリセル寸法をレーザスポット径よ
りも小さくすることも出来る。また消去については第５
図と同様、抵抗発熱体１８と電源２０により出来る。こ
のとき電源２３および２４は書き込みとは逆電界となる
ようにする。
また抵抗発熱体は書込み時にも発熱のバイアスとして働
かせることも有効である。
かせることも有効である。
なお、上述した実施例においては、メモリセルの平面構
造として矩形状のものを例示したが、この構造は矩形に
限らず、円板状その他のものであって良いことはいうま
でもない。
造として矩形状のものを例示したが、この構造は矩形に
限らず、円板状その他のものであって良いことはいうま
でもない。
本発明によれば簡単な構成で高密度な消去可能メモリセ
ルを構成出来るので、レーザ訃き込み・電気読み出しの
大容量高速アクセスの消去可能プログラマブルＲＯＭを
提供出来る。
ルを構成出来るので、レーザ訃き込み・電気読み出しの
大容量高速アクセスの消去可能プログラマブルＲＯＭを
提供出来る。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は書き込み
動作時のメモリセル部断面図、第６図はマトリクスパタ
ーン図、第４図〜第６図は本発明の他の実施例の断面図
である。
動作時のメモリセル部断面図、第６図はマトリクスパタ
ーン図、第４図〜第６図は本発明の他の実施例の断面図
である。
１・・・基板、 ２・・・共通電極、６．４
・・・メモリ膜、 ５，７・・・メモリセルマトリ
クス電極パターン、 １７・・・光吸収発熱体、１８・
・・抵抗発熱体、 ２１．２２・・・負の抵抗温変件数のメモリ膜。
・・・メモリ膜、 ５，７・・・メモリセルマトリ
クス電極パターン、 １７・・・光吸収発熱体、１８・
・・抵抗発熱体、 ２１．２２・・・負の抵抗温変件数のメモリ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、情報の記憶再生方式において、情報記憶部が３つの
電極と該電極間に設けられたメモリ膜とからなり、該メ
モリ膜はイオンを有し、かつ分極が可能な物質であり、
該情報記憶部を加熱しながら前記３つの電極の両端に電
界を与えて前記メモリ膜中のイオンを中間の電極と一端
の電極間に集めて、該両電極間の導通をならしめて情報
を記憶させるとともに、該両電極間の導通の有無により
情報を電気的に再生し、電界を逆にして加熱し、イオン
を前記中間電極と他端電極間に偏位移動せしめて情報を
消去するように構成したことを特徴とした情報の記憶再
生方式。 ２、基板上に順次、共通電極、メモリ層、Ｘ方向マトリ
クス電極、メモリ層、Ｙ方向マトリクス電極からなるメ
モリセル部を有し、該メモリ層がイオンを有し、かつ分
極が可能な物質であり、該共通電極と、該マトリクス電
極間に電界を印加しながらメモリセルであるマトリクス
の所望クロスポイントを加熱して情報を書き込み電界を
逆にして加熱消去可能とし、電気的に再生出来るよう構
成したことを特徴とする情報記憶担体。 ３、前記イオンを有し、かつ分極可能な物質としてガラ
スあるいは金属イオン含有の有機物、キレートを用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の情報記憶
担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4615486A JPS62205598A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 情報記憶再生方式及び情報記憶担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4615486A JPS62205598A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 情報記憶再生方式及び情報記憶担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62205598A true JPS62205598A (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=12739068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4615486A Pending JPS62205598A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 情報記憶再生方式及び情報記憶担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62205598A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2880177A1 (fr) * | 2004-12-23 | 2006-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Memoire pmc ayant un temps de retention et une vitesse d'ecriture ameliores |
| US8048713B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-11-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for manufacturing a CBRAM memory having enhanced reliability |
| CN106298791A (zh) * | 2016-09-19 | 2017-01-04 | 四川洪芯微科技有限公司 | 可编程非易失性存储器及其在半导体存储器件上的运用 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP4615486A patent/JPS62205598A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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