JPS62205179A - Adhesive sheet for applying wafer - Google Patents

Adhesive sheet for applying wafer

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JPS62205179A
JPS62205179A JP61045785A JP4578586A JPS62205179A JP S62205179 A JPS62205179 A JP S62205179A JP 61045785 A JP61045785 A JP 61045785A JP 4578586 A JP4578586 A JP 4578586A JP S62205179 A JPS62205179 A JP S62205179A
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JP
Japan
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adhesive
adhesive sheet
wafer
radiation
sheet
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和義 江部
Hiroaki Narita
博昭 成田
Katsuhisa Taguchi
田口 克久
Yoshitaka Akeda
明田 好孝
Takanori Saito
斉藤 隆則
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F S K KK
FSK Corp
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Abstract

PURPOSE:The titled sheet, obtained by using a crosslinked film as a base material and applying an adhesive layer consisting of an adhesive and radiation polymerizable compound onto the surface of the above-mentioned base material and used for cutting and separating a semiconductor wafer into small pieces without causing deflection. CONSTITUTION:An adhesive sheet 1 obtained by using a crosslinked film, preferably crosslinked polyolefin film as a base material 2 and applying an adhesive layer 3 consisting of an adhesive, preferably acrylic adhesive and radiation polymerizable compound, optimally urethane acrylate based oligomer having 300-10,000 molecular weight onto the surface of the base material 2. 50-900pts. wt. urethane acrylate based oligomer is preferably blended with 100pts.wt. acrylic adhesive. A compound colorable by irradiation, etc., is preferably added also to the adhesive layer 3. EFFECT:The aimed sheet can be surely housed in a housing box without mutual contact between the sheets.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は粘着シー1−に関し、さらに詳しくは、半導体
ウェハを小片に切断分離ツる際に用いられるウェハ貼着
用粘着シートに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an adhesive sheet 1-, and more particularly to an adhesive sheet for sticking a wafer used when cutting and separating a semiconductor wafer into small pieces.

口の技術的前日ならびにその問題点 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断弁@(ダイ
シング)された俊に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼1れた状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンデ
ィング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加え
られている。
Technical aspects of the technology and its problems Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large diameter state, and these wafers are diced into small element pieces and then undergo the next process, the mounting process. It has been moved. At this time, the semiconductor wafer is previously attached to an adhesive sheet and subjected to the following steps: dicing, cleaning, drying, expanding, picking up, and mounting.

このような半導体ウェハのダイシング工程で用いられて
いる粘着シートとしては、従来、ポリ塩化ビニル、ポリ
プロピレンなどの汎用の組合体フィルムからなる基材面
上にアクリル系などの粘着剤層が設けられたものが用い
られてきた。ところがこのようなアクリル系の粘着剤層
を右する粘着シートでは、ダイシングされた半導体つI
ハの各チップをピックアップする際にチップ面に粘着剤
が残存してチップが汚染されてしまうという問題点がお
った。
Adhesive sheets used in the dicing process of semiconductor wafers have conventionally consisted of a base material made of a general-purpose composite film made of polyvinyl chloride, polypropylene, etc., and an acrylic adhesive layer provided on the surface of the base material. things have been used. However, in such an adhesive sheet with an acrylic adhesive layer, the diced semiconductor
There was a problem in that when each chip was picked up, the adhesive remained on the chip surface and the chips were contaminated.

このような問題点を解決するため、従来、塞材面へ粘着
剤を全面的に塗イ[するのではなく部分的に塗イ[シて
粘着剤の最を少なくする方法が提案されている。この方
法によれば、全体のチップ数に対Jる粘着剤量は減少し
てチップ面の粘着剤による汚染はある程度減少させるこ
とはできるが、ウェハチップと粘着シートとの接着力は
減少するため、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗
浄、乾燥、エギスパンディングの各工程中にウェハチッ
プが粘着シートから脱離してしまうという新たな問題点
が生じている。
In order to solve these problems, conventional methods have been proposed in which adhesive is applied partially to the surface of the sealing material, rather than entirely, to reduce the amount of adhesive applied. . According to this method, the amount of adhesive relative to the total number of chips is reduced and the contamination of the chip surface by the adhesive can be reduced to some extent, but the adhesive force between the wafer chips and the adhesive sheet is reduced. A new problem has arisen in that the wafer chips come off from the adhesive sheet during the cleaning, drying, and egispanning steps that are performed subsequent to the dicing step.

このような半導体ウェハのダイシング工程からピックア
ップ工程に至る工程で用いられる粘着シートとしては、
ダイシング工程からエギスバンディング工程までではウ
ェハチップに対して充分な接着力を有しており、ピック
アップ時には1クエハチツプに粘着剤が付着、しない程
度の接着力を有しているものが望まれている。
Adhesive sheets used in processes ranging from the dicing process to the pick-up process of semiconductor wafers include:
It is desired that the adhesive has sufficient adhesive strength to the wafer chips from the dicing process to the Egis banding process, and that it has enough adhesive strength to prevent the adhesive from adhering to the 1-que chip during pick-up. .

このような粘着シートとしては、特開昭60−196.
956月公報および特開昭60−223゜139号公報
に、塞材面に、光照射によって二次元網状化しうる分子
内に光重合性炭素−炭素二手結合を少なくとも2個以上
イjする低分子量化合物からなる粘着剤を塗布した粘着
シートが提案されている。そして該公報では、分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有づ
る低分子量化合物としては、トリメヂロールプロパンア
クリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリト
ールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリ
スリトールへキサアクリレートあるいは1,4−ブチレ
ングリコールジアクリレート、1.6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが例示さ
れている。
As such an adhesive sheet, JP-A-60-196.
No. 956 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 60-223゜139 disclose a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon two-handed bonds in the molecule that can be formed into a two-dimensional network by light irradiation on the plugging material surface. A pressure-sensitive adhesive sheet coated with a pressure-sensitive adhesive made of a compound has been proposed. According to the publication, low molecular weight compounds having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule include trimedylolpropane acrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, and pentaerythritol tetraacrylate. Examples include acrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, and commercially available oligoester acrylate. There is.

上記に例示されたような、ポリ塩化ビニル、ポリプロピ
レンなどの汎用の重合体フィルムからなる基材上に、分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以
上有する低分子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘
着シートは、次のような問題点があることが本発明者ら
によって見出された。す、なわち、粘着シート上にウェ
ハを貼着する際あるいは貼着されたウェハをダイシング
する際に該粘着シートに張力がかかるため、ウェハのダ
イシング工程終了後基祠シートに伸びが生じて粘着シー
トにたわみが発生し、この粘着シートを次の工程に移送
するためにウェハボックスに収納する際に収納できなか
ったり、あるいは収納されたウェハ同士が接したりする
という問題点があることが見出された。また、粘着シー
ト上に貼着されたウェハをダイシング工程終了後に、紫
外線などの放射線照射を行なう際にも粘着シートに伸び
またはたわみが新たに生じたり、あるいは前述したよう
なウェハのダイシング工程で生じた粘着シートの伸びま
たはたわみがそのまま保持されることがあるため、放射
線照射工程の粘着シートを次のピックアップ工程に移送
するためのウェハボックスに粘着シートを収納できなか
ったり、あるいは収納されたウェハ同士が接したりする
という問題点があることが見出された。
Consisting of a low molecular weight compound having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule on a base material made of a general-purpose polymer film such as polyvinyl chloride or polypropylene as exemplified above. The present inventors have discovered that the pressure-sensitive adhesive sheet coated with the pressure-sensitive adhesive layer has the following problems. In other words, tension is applied to the adhesive sheet when a wafer is pasted onto the adhesive sheet or when the pasted wafer is diced, so the base sheet stretches and becomes sticky after the wafer dicing process is completed. It was discovered that there was a problem in that the sheet was bent, and when the adhesive sheet was stored in a wafer box to be transferred to the next process, it could not be stored or the stored wafers would come into contact with each other. It was done. Furthermore, when wafers stuck on adhesive sheets are irradiated with radiation such as ultraviolet rays after the dicing process, new stretching or bending may occur in the adhesive sheet, or the wafers may be warped during the wafer dicing process as described above. Because the adhesive sheet may remain stretched or bent, it may not be possible to store the adhesive sheet in the wafer box used for transporting the adhesive sheet from the radiation irradiation process to the next pick-up process, or the wafers may It was found that there is a problem that the two come into contact with each other.

本発明者らは、このような従来技術に伴なう問題点を解
決ずべく鋭息検関したところ、粘着シートの基材シート
として、特定の重合体フィルムを用いれば上記の問題点
が一挙に解決されることを見出して本発明を完成するに
至った。
The present inventors conducted a thorough investigation to solve the problems associated with the conventional technology, and found that the above problems could be solved at once by using a specific polymer film as the base sheet of the adhesive sheet. The present invention has been completed based on the discovery that the problem can be solved.

及皿五亘工 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとりるものであり、粘着シートにウェハを粘着し
た後のウェハダイシング工程で塞材シートに伸びまたは
たわみが生ずることがなく、またダイシングされたウェ
ハが貼着すれた粘着シートに放射線照射を行なう際にも
新たな伸びまたはたわみが生ずることがなく、しがもだ
とえウェハのダイシング工程で基材シートにわずかな伸
びまたはたわみが生じても放射線照射工程を経ることに
よってたわみが消滅し、粘着シートを収納ボックスに確
実に収納できるような粘着シートを提供することを目的
としている。
The present invention is an attempt to solve the problems associated with the prior art as described above, and is intended to prevent stretching or deflection of the sealing material sheet during the wafer dicing process after adhering the wafer to the adhesive sheet. Furthermore, new elongation or deflection does not occur when the adhesive sheet to which the diced wafer is attached is irradiated with radiation. An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet that, even if a slight elongation or deflection occurs, the deflection disappears through a radiation irradiation process, and the pressure-sensitive adhesive sheet can be reliably stored in a storage box.

発明の+R要 本発明に係るウェハ貼肴用粘希シー1−は、基材面上に
粘着剤と放射線重合性化合物とからなる粘着剤層を塗1
1てなるウェハ貼着用の粘着シートにおいて、基材とし
て、架橋フィルムを用いることを特徴としている。
+R Requirements of the Invention The adhesive sheet 1- for pasting wafers according to the present invention is obtained by applying an adhesive layer consisting of an adhesive and a radiation-polymerizable compound on the base material surface.
This adhesive sheet for wafer attachment is characterized by using a crosslinked film as a base material.

本発明に係るウェハ貼着用粘着シートでは、基材として
架橋フィルムを用いているため、粘着シートにウェハを
貼着してダイシングする際に粘着シートに伸びによるた
わみが生ずることがなく、また粘着シートに放射線照射
を行なう際に粘着シートに新たなたわみが生ずることが
なく、しかもたとえダイシング工程で粘着シートにたわ
みがわずかに生じていても放射線照射工程を経ることに
よって粘着シートに生じたわずかなたわみが消滅し、し
たがってウェハが貼着された粘着シートを収納ボックス
に確実に収納できるとともに、収納された粘着シートが
互いに接触することがないという大きな効果が得られる
。しかも放射線照射後にダイシングされたウェハチップ
をピックアップする際には、基材シー1へはエキスパン
ディング時に充分に伸びるため、つJ:ハヂップのピッ
クアップを確実に行なうことができる。
Since the adhesive sheet for attaching wafers according to the present invention uses a crosslinked film as the base material, the adhesive sheet does not bend due to stretching when wafers are attached to the adhesive sheet and diced. No new bending occurs in the adhesive sheet when the adhesive sheet is irradiated with radiation, and even if the adhesive sheet slightly bends during the dicing process, the slight bending that occurs in the adhesive sheet due to the radiation irradiation process will not occur. disappears, and therefore, the adhesive sheets to which the wafers are attached can be reliably stored in the storage box, and the stored adhesive sheets do not come into contact with each other, which is a great effect. Moreover, when picking up diced wafer chips after irradiation with radiation, the base material sheet 1 is sufficiently extended during expansion, so it is possible to reliably pick up the wafer chips.

1肌例ユ胚刀五J 以下本発明に係る粘着シートを具体的に説明する。1 skin example The adhesive sheet according to the present invention will be specifically explained below.

本発明に係る粘着シート1は、その断面図が第1図に示
されるように、塁祠2とこの表面に塗着された粘着剤層
3とからなっており、使用前にはこの粘着剤層3を保護
覆るため、第2図に承りように粘着剤3の上面に剥離性
シート4を仮粘着しておくことが好ましい。
As the cross-sectional view of the adhesive sheet 1 according to the present invention is shown in FIG. In order to protect the layer 3, it is preferable to temporarily adhere a releasable sheet 4 to the upper surface of the adhesive 3 as shown in FIG.

本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、ラベル状
などあらゆる形状をとりうる。本発明では、基vj2と
して、架橋フィルムが用いられる。
The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention can be any shape such as a tape shape or a label shape. In the present invention, a crosslinked film is used as the group vj2.

本発明で用いられる架橋フィルムは、架橋点を有するフ
ィルムに放射線を照射するか、あるいは架橋反応の開始
剤をフィルムの原料ポリマーに添加して化学的に架橋さ
せて得られたものである。
The crosslinked film used in the present invention is obtained by irradiating a film having crosslinking points with radiation or by chemically crosslinking the film by adding an initiator for the crosslinking reaction to the raw material polymer of the film.

このような架橋フィルムとしては、架橋ポリオレフィン
フィルム、架橋ポリジエンフィルム、架橋エチレン酢酸
ビニル共重合体フィルムあるいは架橋ポリオレフィンポ
リジエン共重合体フィルムなどが具体的に用いられうる
As such a crosslinked film, a crosslinked polyolefin film, a crosslinked polydiene film, a crosslinked ethylene vinyl acetate copolymer film, a crosslinked polyolefin polydiene copolymer film, etc. can be specifically used.

本発明の粘着シートでは、後述覆るように、その使用に
当り、EBあるいはU■などの放射線照射が行なわれる
ため、本発明で用いられる架橋フィルムはEB@12J
をして用いる場合には透明である必要はないが、Uv点
照射して用いる場合には透明な材料!″′必る必要があ
る。
As will be described later, the adhesive sheet of the present invention is irradiated with radiation such as EB or U when it is used, so the crosslinked film used in the present invention is EB@12J
It does not need to be transparent when used with UV point irradiation, but it is a transparent material when used with UV point irradiation! ″′It is necessary.

このような基材として用いられる架橋フィルムは、ダイ
シングされたウェハチップのピックアップ時にはエキス
パンディング処理が施こされるが、このエキスパンディ
ング時に充分に伸張性を有しており、ウェハチップを確
実にピックアップづることができる。
The cross-linked film used as such a base material is subjected to an expanding process when picking up diced wafer chips, but it has sufficient stretchability during this expanding process to ensure that the wafer chips are picked up reliably. can be written.

上記のような基材2上には、粘着剤層3が設けられてい
るが、この粘着剤層3は、粘着剤と、放射線重合性化合
物とを含んで形成されている。
An adhesive layer 3 is provided on the base material 2 as described above, and this adhesive layer 3 is formed including an adhesive and a radiation-polymerizable compound.

粘着剤としては従来公知のものが広く用いられうるが、
アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリル酸
エステルを主たる構成単d体単位とする単独重合体およ
び共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能
性単損体との共重合体およびこれら重合体の混合物であ
る。たとえば、七ツマ−のアクリル酸エステルとして、
メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタア
クリル11−2−エチルヘキシル、メタアクリル酸グリ
シジル、メタアクリル酸−2−ヒドロキシエチルなと、
また上記のメタアクリル酸をたとえばアクリル酸に代え
たものなども好ましく使用できる。
Conventionally known adhesives can be widely used, but
Acrylic pressure-sensitive adhesives are preferred, and specifically, acrylic polymers selected from homopolymers and copolymers containing acrylic acid esters as the main component unit and other functional single polymers. and mixtures of these polymers. For example, as an acrylic ester of Nanatsuma,
Ethyl methacrylate, butyl methacrylate, 11-2-ethylhexyl methacrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, etc.
Furthermore, it is also possible to preferably use acrylic acid in place of the above-mentioned methacrylic acid.

さらに後述づるオリゴマーとの相溶性を高めるため、く
メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
の七ツマ−を共重合させてもよい。
Furthermore, in order to improve the compatibility with the oligomers described below, a hexamer such as methacrylic acid, acrylonitrile, and vinyl acetate may be copolymerized.

これらの七ツマ−から重合して得られるアクリル系重合
体の分子量は、2.0X105〜10.0架橋Oであり
、好ましくは、4.0架橋O”〜8.0架橋O”である
The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these seven polymers is 2.0×10 5 to 10.0 crosslinked O, preferably 4.0 crosslinked O” to 8.0 crosslinked O”.

また放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭60
−196.956号公報および特開昭60−223,1
39月公報に開示されCいるような光照射によって三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いら
れ、具体的には、トリメチロールプロパンアクリレート
、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒ
ドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
へキサアクリレートあるいは1.4−ブチレングリコー
ルジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリ
レート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販
のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
In addition, examples of radiation polymerizable compounds include, for example, JP-A-60
-196.956 Publication and JP-A-60-223,1
Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule that can be formed into a three-dimensional network by light irradiation are widely used, as disclosed in the Japanese Patent No. 39, C. Methylolpropane acrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol Diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, etc. are used.

さらにI′i割線東合性化合物として、上記のようなア
クリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系
オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレー
ト系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル
型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合
物たとえば2,4−トリレンジイソシアナート、2,6
〜トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイ
ソシアナート、1゜4−キシリレンジイソシアナー1〜
、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反
応させてIJられる末端イソシアナートウレタンプレポ
リマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレー
トたとえば2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート
、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリ
エチレングリコール(メタ)アクリレートなどを反応さ
せて得られる。このウレタンアクリレート系オリゴマー
は、炭素−炭素二重結合を少なくとも1個以上有する放
射線重合性化合物である。
Further, as the I'i secant compound, in addition to the above-mentioned acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer is composed of a polyol compound such as a polyester type or polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6
~Tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1゜4-xylylene diisocyanate 1~
, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc., to the terminal isocyanate urethane prepolymer which is IJ, and a (meth)acrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate. , polyethylene glycol (meth)acrylate, etc. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.

このようなウレタンアクリレート系オリゴマーとして、
特に分子団が3000〜10000好ましくは4000
〜8000であるものを用いると、半導体ウェハ表面が
粗い場合にも、rウェハチップのピックアップ時にチッ
プ表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。ま
たウレタンアクリレート系オリゴマーをhM射線重合性
化合物として用いる場合には、特開昭60−196,9
56号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−
炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合
物を用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優
れたものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射
前の接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着
力が充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチ
ップ表面に粘着剤が残存することはない。
As such urethane acrylate oligomer,
In particular, the number of molecular groups is 3,000 to 10,000, preferably 4,000.
It is preferable to use one having a molecular weight of 8,000 to 8,000, because even if the semiconductor wafer surface is rough, no adhesive will adhere to the chip surface when picking up the r-wafer chip. In addition, when using a urethane acrylate oligomer as an hM radiation polymerizable compound, JP-A No. 60-196,9
Photopolymerizable carbon in the molecule as disclosed in Publication No. 56
Compared to the case where a low molecular weight compound having at least two carbon double bonds is used, an extremely superior pressure-sensitive adhesive sheet can be obtained. That is, the adhesive strength of the adhesive sheet before irradiation with radiation is sufficiently large, and the adhesive strength decreases sufficiently after irradiation with radiation, so that no adhesive remains on the chip surface when a wafer chip is picked up.

本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタン
アクリレート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘着
剤100W開部に対してウレタンアクリレート系オリゴ
マーは50〜900重圏部の範囲の量で用いられること
が好ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期
の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着力は大き
く低下し、容易にウェハデツプを該粘着シートからピッ
クアップすることができる。
The blending ratio of the acrylic adhesive and the urethane acrylate oligomer in the adhesive in the present invention is such that the urethane acrylate oligomer is used in an amount in the range of 50 to 900 parts of biosphere per 100W opening of the acrylic adhesive. is preferred. In this case, the adhesive sheet obtained has a high initial adhesive strength, but the adhesive strength decreases significantly after radiation irradiation, and the wafer depth can be easily picked up from the adhesive sheet.

また必要に応じては、粘着剤層3中に、上記のような粘
着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放射線照射によ
り着色する化合物を含有させることもできる。このよう
な放射線照射により、着色する化合物を粘着剤3に含ま
せることによって、粘着シートに放射線が照射された後
には該シートは着色され、したがって光センナ−によっ
てウェハチップを検出する際に検出精度が高まり、ウェ
ハチップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない
。また粘着シートに放射線が照射されたか否かが目視に
より直らに判明するという効果が得られる。
Further, if necessary, the adhesive layer 3 may contain, in addition to the above-mentioned adhesive and radiation polymerizable compound, a compound that is colored by radiation irradiation. By including a compound in the adhesive 3 that is colored by such radiation irradiation, the adhesive sheet is colored after being irradiated with radiation, and therefore the detection accuracy when detecting wafer chips with an optical sensor is improved. Therefore, malfunctions do not occur when picking up wafer chips. Furthermore, it is possible to immediately determine by visual inspection whether or not the adhesive sheet has been irradiated with radiation.

放射線照射により着色する化合物は、放射線の照射前に
は無色または淡色であるが、放射線の照射により有色と
なる化合物であって、この化合物の好ましい具体例とし
てはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣
用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチア
ジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好まし
く用いられる。具体的には3−[N−(ρ−トリルアミ
ノ) ]−7−アニリツフルオラン、3−(N−(叶ト
リル)−N−メチルアミノ】−7−アニリツフルオラン
、3−[8−(叶トリル)−N−エチルアミノ】−7−
アニリツフルオラン、3−ジエヂルアミノ −6−メチ
ル〜7−アニリツノルオラン、クリスタルバイオレット
ラフ1〜ン、4.4’、4”トリスジメチルアミントリ
フェニルメタノール ニルメタンなどが挙げられる。
A compound that is colored by radiation irradiation is a compound that is colorless or pale colored before radiation irradiation, but becomes colored by radiation irradiation, and a preferred specific example of this compound is a leuco dye. As the leuco dye, conventional triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramine-based, and spiropyran-based dyes are preferably used. Specifically, 3-[N-(ρ-tolylamino)]-7-anirite fluorane, 3-(N-(Kanotolyl)-N-methylamino]-7-anirite fluorane, 3-[8-( Kanotolyl)-N-ethylamino]-7-
Examples include anirithufluorane, 3-diedylamino-6-methyl to 7-anilitunolurane, crystal violet rough 1-ton, 4.4',4'' trisdimethylaminetriphenylmethanolylmethane, and the like.

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤と
しては、従来から用いられているフェノールポルマリン
樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土
などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させ
る場合は種々公λlの発色剤を組合せて用いることもで
きる。
Color developers that are preferably used with these leuco dyes include electron acceptors such as conventionally used initial polymers of phenol-pormarine resins, aromatic carboxylic acid derivatives, and activated clay. In this case, a combination of various common λl coloring agents can be used.

このような放射線照射によって着色プる化合物は、一旦
有機溶媒などに溶解された俊に接着剤層中に含ませても
よく、また微粉末状にして粘着剤層中に含ませてもよい
。この化合物は、粘着剤層中に0.01〜10屯4%好
ましくは0.5〜5重量%のめで用いられることが望ま
しい。該化合物が10重量%を越えた呈で用いられると
、粘着シートに照射されるlj’i射線がこの化合物に
吸収されりぎてしまうため、粘着剤層の硬化が不十分と
なり好ましくなく、−プj該化合物が0.01Φ最%未
満の吊で用いられると欣割線照QJ Wiに粘ン1シー
1へが充分に着色しないことかあり、ウェハデツプのピ
ック”1ツブ時に誤動作か生じヤ寸くなるtJめ好まし
くない。
Such a compound that can be colored by radiation irradiation may be dissolved in an organic solvent or the like and then included in the adhesive layer, or it may be made into a fine powder and included in the adhesive layer. This compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.01 to 10 tons, 4%, preferably 0.5 to 5% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 10% by weight, the lj'i rays irradiated onto the pressure-sensitive adhesive sheet will be absorbed by the compound, resulting in insufficient curing of the pressure-sensitive adhesive layer, which is undesirable. If the compound is used at a concentration of less than 0.01Φ, the adhesive may not be sufficiently colored, and malfunction may occur when picking the wafer depth. I don't like the tJ.

また場合によっては、粘れ剤層3中に+−記のような粘
着剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散乱性無機化
合物粉末を含有させることもできる。
In some cases, the adhesive layer 3 may contain a light-scattering inorganic compound powder in addition to the adhesive and the radiation-polymerizable compound as shown in + and -.

このような光散乱性無機化合物粉末を粘6剤層3に含ま
せることによって、たとえ半導体ウェハなどの被着物表
面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化しても
、該粘着シートに紫外線などの放射線を照射すると、灰
色化あるいは黒色化した部分で(その接着力が充分に低
下し、シIJかつてウェハチップのピックアップ時につ
1ハヂップ表面に粘着剤が(=j着してしまうことがな
く、しかも放射線の照射前には充分な接着力を41して
いるという効果が得られる。
By including such a light-scattering inorganic compound powder in the adhesive layer 3, even if the surface of the adherend such as a semiconductor wafer turns gray or black for some reason, the adhesive sheet will not be exposed to radiation such as ultraviolet rays. When irradiated, the adhesive strength is sufficiently reduced in the gray or blackened areas, and the adhesive (=j) does not adhere to the surface of the wafer when picking up the wafer chip. The effect is that sufficient adhesive strength is maintained before the irradiation.

この光散乱性無機化合物は、紫外線( U V )ある
いは電子線([B)なとの放射線が照射された場合に、
この放射線を乱反射づることができるような化合物であ
って、具体的には、シリカ粉末、アルミナ粉末、シリカ
アルミナ粉末、マイカ粉末などが例示される。この光散
乱性無機化合物は、上記のような放射線をほぼ完全に反
則するものが好ましいが、もちろ/νある程度敢Q・J
線を吸収してしまうものも用いることができる。
When this light-scattering inorganic compound is irradiated with radiation such as ultraviolet rays (UV) or electron beams ([B),
Compounds that can diffusely reflect this radiation include silica powder, alumina powder, silica-alumina powder, mica powder, and the like. It is preferable that this light-scattering inorganic compound is one that almost completely repels the radiation as described above;
A material that absorbs radiation can also be used.

光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ましく、そ
の粒径は1〜100μm好ましくは1〜20μm程度で
おることが望ましい。この光散乱性無機化合物は、粘着
剤層中に0.1〜10重量%好ましくは1〜4唄母%の
屯で用いられることが望ましい。該化合物を粘着剤層中
に10重呈%を越えた徽で用いると、粘着剤層の接着力
が低下したりすることがあるため好ましくなく、一方0
The light-scattering inorganic compound is preferably in powder form, and the particle size is preferably about 1 to 100 μm, preferably about 1 to 20 μm. This light-scattering inorganic compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 4% by weight. If the compound is used in an adhesive layer in an amount exceeding 10%, it is not preferable because the adhesive force of the adhesive layer may decrease.
.

1重量%未満であると、半導体ウェハ面が灰色化おるい
は黒色化した場合に、その部分にfJ′i.射線照射し
ても、接着力が充分に低下せずピックアップ時にウェハ
表面に粘着剤が残るため好ましくない。
If the amount is less than 1% by weight, if the semiconductor wafer surface becomes gray or black, fJ'i. Even if the wafer is irradiated with radiation, the adhesive strength will not be sufficiently reduced and the adhesive will remain on the wafer surface when it is picked up, which is not preferable.

粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加するとによ
って得られる粘着シートは、半導体つ1ハ面が何らかの
理由によって灰色化あるいは黒色化したような場合に用
いても、この灰色化めるいは黒色化した部分に放射線が
照射されると、この部分においてもその接着力が充分に
低下するのは、次のような理由であろうと考えられる。
The adhesive sheet obtained by adding a light-scattering inorganic compound powder to the adhesive layer can be used even when the surface of a semiconductor has turned gray or black for some reason. It is thought that the reason why the adhesion force is sufficiently reduced even in this part when the blackened part is irradiated with radiation is considered to be as follows.

寸なわら、本発明に係る粘着シート1は粘着剤層3を右
しているが、この粘着剤層3に放射線を照射すると、粘
着剤層3中に含まれる放射線重合性化合物が硬化してそ
の接着力が低下することになる。ところが半導体ウェハ
面に何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化した部
分が生ずることがある。このような場合に粘着剤層3に
放射線を照9J」すると、放射線は粘着剤層3を通過し
てウェハ面に達プるが、もしウェハ面に灰色化あるいは
黒色化した部分があるとこの部分では放射線が吸収され
て、反射することがなくなってしまう。このため本来粘
着剤層3の硬化に利用されるべき放射線か、灰色化ある
いは黒色化した部分では吸収されてしまって粘着剤層3
の硬化が不充分となり、接着ツノが充分には低下しない
ことになる。したがってウェハデツプのピックアップ時
にチップ面に粘着剤が付着してしまうのであろうと考え
られる。
The adhesive sheet 1 according to the present invention has an adhesive layer 3 on the right side, but when this adhesive layer 3 is irradiated with radiation, the radiation polymerizable compound contained in the adhesive layer 3 is cured. The adhesive force will be reduced. However, gray or black areas may appear on the semiconductor wafer surface for some reason. In such a case, if radiation is applied to the adhesive layer 3, the radiation will pass through the adhesive layer 3 and reach the wafer surface, but if there are gray or black areas on the wafer surface, this will occur. The radiation is absorbed and no longer reflected. For this reason, the radiation that should originally be used for curing the adhesive layer 3 is absorbed by the gray or blackened areas, causing the adhesive layer to harden.
curing will be insufficient, and the adhesive peak will not be sufficiently reduced. Therefore, it is thought that the adhesive adheres to the chip surface when the wafer depth is picked up.

ところが粘着剤層3中に光散乱性無機化合物粉末を添加
すると、照射されたtrl射線はウェハ面に達するまで
に該化合物と衝突して方向が変えられる。このため、た
とえウェハデツプ表面に灰色化あるいは黒色化した部分
があっても、この部分の上方の領域にも乱反q4された
放射線が充分に入り込み、したがってこの灰色化あるい
は黒色化した部分も充分に硬化する。このため、粘着剤
層中に光散乱性無機化合物粉末を添加することによって
、たとえ半導体ウェハ表面に何らかの理由によって灰色
化あるいは黒色化した部分があっても、この部分で粘着
剤層の硬化が不充分になることがなく、したがってウェ
ハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着剤が付着
することがなくなる。
However, when a light-scattering inorganic compound powder is added to the adhesive layer 3, the irradiated trl rays collide with the compound and change direction before reaching the wafer surface. Therefore, even if there is a gray or black area on the wafer depth surface, the diffusely reflected q4 radiation will penetrate sufficiently into the area above this area, and therefore this gray or black area will also be fully absorbed. harden. Therefore, by adding light-scattering inorganic compound powder to the adhesive layer, even if there is a gray or black area on the semiconductor wafer surface for some reason, the adhesive layer will not harden in this area. This prevents adhesive from adhering to the chip surface when the wafer chip is picked up.

また上記の粘着剤中に、イソシアナート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とかできる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イソシアナート化合物、たとえば2.4−トリレンジ
イソシアナート、2.6−トリレンジイソシアナート、
1,3−キシレンジイソシアナート、1.4−キシレン
ジイソシアナート、ジフェニルメタン−4,4−ジイソ
シアナート、ジフェニルメタン−2,4−ジイソシアナ
ート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアナート、
ヘキサメヂレンジイソシアナート、インホロンジイソシ
アナート、シシクロギシシルメタンー4,4−ジイソシ
アナート、ジシクロヘキシルメタン−2,4′−ジイソ
シアナート、リジンイソシアナートなどが用いられる。
Further, by mixing an isocyanate curing agent into the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, the initial adhesive strength can be set to an arbitrary value. Examples of such curing agents include polyvalent isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate,
1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4-diisocyanate, diphenylmethane-2,4-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate,
Hexamethylene diisocyanate, inphorone diisocyanate, cyclogysicylmethane-4,4-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate, etc. are used.

ざらに上記の粘着剤中に、Uv@躬用の場合には、Uv
開始剤を混入することにより、Uv照躬による重合硬化
時間ならびにUv照射を少なくなることができる。
In the case of Uv@mugi, Uv is added to Zaraani's above adhesive.
By incorporating an initiator, the polymerization curing time and UV irradiation due to UV illumination can be reduced.

このようなUv開始剤としては、具体的には、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β −クロールアンスラキノンなどが挙げら
れる。
Specifically, such Uv initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β - Examples include chloranthraquinone.

以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。
The method of using the adhesive sheet according to the present invention will be explained below.

本発明に係る粘着シート1の上面に剥離性シート4が設
けられている場合には、該シート4を除去し、次いで粘
着シート1の粘着剤層3を上向きにして載置し、第3図
に示すようにして、この粘着剤層3の上面にダイシング
加工すべき半導体ウェハAを貼着する。この貼着状態で
ウェハAにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディン
グの諸工程が加えられる。この際、粘着剤層3によりウ
ェハチップは粘着シートに充分に接着保持されているの
で、上記各工程の間にウェハチップが脱落することはな
い。
When a releasable sheet 4 is provided on the top surface of the adhesive sheet 1 according to the present invention, the sheet 4 is removed, and then the adhesive sheet 1 is placed with the adhesive layer 3 facing upward, as shown in FIG. A semiconductor wafer A to be diced is attached to the upper surface of the adhesive layer 3 as shown in FIG. In this adhered state, wafer A is subjected to various steps of dicing, cleaning, drying, and expanding. At this time, since the wafer chips are sufficiently adhered and held to the adhesive sheet by the adhesive layer 3, the wafer chips will not fall off during each of the above steps.

次に、各ウェハデツプを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングプるが、この際、ピッ
クアップに先立っであるいはピックアップ時に、第4図
に示すように、紫外線(tJV)あるいは電子線(EB
)などの電離性放射線Bを粘着シート1の粘着剤層3に
照射し、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化合物を
重合硬化uしめる。このように粘着剤層3に放射線を照
射して放射線重合性化合物を重合硬化せしめると、粘着
剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの接着力が残
存するのみとなる。
Next, each wafer depth is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base. At this time, as shown in FIG. EB
The adhesive layer 3 of the adhesive sheet 1 is irradiated with ionizing radiation B such as ), and the radiation polymerizable compound contained in the adhesive layer 3 is polymerized and cured. When the radiation-polymerizable compound is polymerized and cured by irradiating the adhesive layer 3 with radiation in this manner, the adhesive strength of the adhesive is greatly reduced, and only a small amount of adhesive strength remains.

粘着シート1への放射線照射は、基材2の粘着剤層3が
設けられていない面から行なうことが゛好ましい。した
がって前述のように、tJ3LQA線としてUvを用い
る場合には基材2は光透過性であることが必要であるが
、放射線としてEBを用いる場合には基材2は必ずしも
光透過性でおる必要はない。
It is preferable that the adhesive sheet 1 is irradiated with radiation from the side of the base material 2 on which the adhesive layer 3 is not provided. Therefore, as mentioned above, when using Uv as the tJ3LQA line, the base material 2 needs to be light-transparent, but when using EB as the radiation, the base material 2 does not necessarily have to be light-transparent. There isn't.

このようにウェハチップA1.A2・旧・・が設けられ
た部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着剤層3の
接着力を低下せしめた後、この粘着シート1をピックア
ップステーション(°図示せず)に移送し、第5図に示
ずように、ここで常法に従って粘着シート1を廷して基
材2の下面から突き上げ針打5によりピックアップすべ
きチップA ・・・・・・を突き」二げ、このデツプ△
1・・・・・・をたとえばエアピンセット6によりピッ
クアップし、これを所定の基台上にマウンティングする
。このようにしてウェハデツプA1.A2・・・・・・
のピックアップを行なうと、ウェハデツプ面上には粘着
剤が全く付着ケずに筒中にピックアップすることができ
、汚染のない良好な品質のチップが17られる。
In this way, wafer chip A1. After irradiating the adhesive layer 3 in the area where A2/old... is provided to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 3, the adhesive sheet 1 is transferred to a pickup station (°not shown). Then, as shown in FIG. 5, the adhesive sheet 1 is lifted in accordance with the conventional method and pushed up from the bottom surface of the base material 2, and the chip A to be picked up is punched with the needle punch 5. , this depth △
1... is picked up using air tweezers 6, for example, and mounted on a predetermined base. In this way, the wafer depth A1. A2...
When the wafer is picked up, the wafer can be picked up into the tube without any adhesive being adhered to the surface of the wafer depth, and good quality chips 17 without contamination can be obtained.

なお放射線照射は、ピックアップスデーションにおいて
行なうこともできる。
Note that radiation irradiation can also be performed in a pick-up station.

放射線照射は、ウェハAの貼着面の全面にわたって1度
に照射りる必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
タベぎウェハチップA1゜A2・・・・・・の111M
Iごとに、これに対応する裏面にのみ照射づる放射線照
射管により照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下
させた後、突き上げ針打5によりウェハチップA1.A
2・・・・・・を突き上げて順次ピックアップを行なう
こともできる。第6図には、上記の放射線照射方法の変
形例を示覆が、この場合には、突き上げ針杆5の内部を
中空とし、その中空部に敢GEI線発生源7を設けて敢
Q1線照剣とピックアップとを同時に行なえるようにし
ており、このようにづると装置を筒中化できると同時に
ピッアップ操作時間を短縮lることができる。
It is not necessarily necessary to irradiate the entire surface of the wafer A to which the wafer A is attached at once, and it is also possible to irradiate the entire surface of the wafer A several times. A2...111M
For each wafer chip A1. A
It is also possible to pick up the items in sequence by pushing up 2.... FIG. 6 shows a modification of the above-mentioned radiation irradiation method. In this case, the interior of the push-up needle rod 5 is made hollow, and the GEI ray generation source 7 is provided in the hollow part. It is designed to be able to carry out the shooting and picking up at the same time, and in this way, the device can be installed in the cylinder, and at the same time, the picking up operation time can be shortened.

■服り四ヌ 本発明に係るウェハ粘着シートでは、基祠として架橋フ
ィルムを用いているため、粘♀1シートにウェハを貼着
してダイシングづる際に粘着シートに伸びによるたわみ
が生ずることがなく、また粘着シートに放射線照射を行
なう際に粘着シートに新たなたわみが生ずることがなく
、しかもたとえダイシング工程で粘着シートにたわみが
わずかに生じていてもフィルムに放Q1線を照射すると
粘るシートに生じたわずかなたわみが消滅し、したがっ
てウェハが貼着された粘着シートを収納ボックスに確実
に収納できるとともに、収納さ′れた粘着シートが互い
に接触することがないという大きな効果が得られる。し
かも放射線照QAi*にダイシングされたウェハデツプ
をピックアップする際には、木材シートはエキスパンデ
ィング時に充分に伸びるため、ウェハチップのピックア
ップを確実に行なうことができる。
■ Clothing 4 Since the wafer adhesive sheet according to the present invention uses a crosslinked film as the base, the adhesive sheet does not bend due to elongation when a wafer is attached to the adhesive sheet and diced. Moreover, when the adhesive sheet is irradiated with radiation, no new bending occurs in the adhesive sheet, and even if the adhesive sheet is slightly bent during the dicing process, when the film is irradiated with radiation Q1 radiation, the sheet becomes sticky. The slight bending caused by the wafer is eliminated, so that the adhesive sheet to which the wafer is attached can be reliably stored in the storage box, and there is a great effect that the stored adhesive sheets do not come into contact with each other. Moreover, when picking up the wafer chips diced into the radiation-irradiated QAi*, since the wood sheet is sufficiently stretched during expansion, the wafer chips can be picked up reliably.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

夫旌■ニ アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリラートとアクリル
酸との共重合体)100重量部と分子量3000〜10
000のウレタンアクリラート系オリゴマー100ff
lff1部と硬化剤(ジイソシアナート系)25重爪部
と、UV硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系)10m母
部とを混合し、粘着剤組成物を形成した。
100 parts by weight of Niacrylic adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid) and molecular weight 3000-10
000 urethane acrylate oligomer 100ff
A pressure-sensitive adhesive composition was prepared by mixing 1 part of lff, 25 parts of a curing agent (diisocyanate type), and 10 m part of a UV curing reaction initiator (benzophenone type).

この粘着剤組成物を基材でおる厚さ50μm、で電子線
により架橋された架橋ポリエチレンの片面に乾燥厚さ1
0μ7nとなるように塗イIし、100°Cで1分間加
熱して、本発明の粘着シートを作製した。
This pressure-sensitive adhesive composition is applied to a base material to a thickness of 50 μm, and then applied to one side of cross-linked polyethylene cross-linked by an electron beam to a dry thickness of 1 μm.
The pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention was prepared by coating the adhesive sheet to a thickness of 0 μ7n and heating it at 100° C. for 1 minute.

得られた粘着シート上にシリコンウェハと貼付レダイシ
ングした後、シートの状態を目視により確認したところ
、たわみあるいはそれに類するものは確認できなかった
。また収納ボックスへの収納は全てスムーズに行なわれ
た。また収納後はシート同士が接触することはなかった
。紫外線を照射し、粘着力を低下させた後も、同様に、
たわみが生ずることなく、収納ボックスへの収納がスム
ーズに行なわれ粘着シート同士の接触も確認されなかっ
た。また、この後のピックアップ時にも確実にエキスバ
ンドされ正確にセンサーが位置決めをして、ピックアッ
プがスムーズに行なわれた。
After attaching a silicon wafer to the resulting adhesive sheet and performing dicing, the state of the sheet was visually checked, and no bending or similar was observed. Also, everything went smoothly when it was stored in the storage box. Furthermore, the sheets did not come into contact with each other after being stored. Similarly, after irradiating with ultraviolet rays to reduce the adhesive strength,
Storage into the storage box was carried out smoothly without any bending, and no contact between the adhesive sheets was observed. Also, when picking up after this, the sensor was accurately positioned and the pickup was performed smoothly.

止亘廻ユ 上記実施例1において、放射線照射をしていない未架橋
ポリエチレンを塞材として用いた以外は、実施例1と同
様に粘着シートを形成して、シリコンウェハを貼着し、
ダイシング工程及び紫外線照射を行なったところ各々の
工程後、M+Aにたわみが生じ、収納ボックスへの収納
時に粘着シート同士が接触し、トラブルが生じた。また
ピックアップ時に、たわみに起因するとみられる誤動作
が生じた。
An adhesive sheet was formed in the same manner as in Example 1, except that uncrosslinked polyethylene, which had not been irradiated with radiation, was used as the sealing material in Example 1, and a silicon wafer was attached to it.
When the dicing process and ultraviolet irradiation were performed, M+A was bent after each process, and the adhesive sheets came into contact with each other when stored in a storage box, causing trouble. Additionally, a malfunction occurred during pickup, which appeared to be caused by deflection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は本発明に係る粘着シートの断面図
であり、第3図〜第6図は該粘着シートを半導体ウェハ
のダイシング工程からピックアップ工程までに用いた場
合の説明図である。 1・・・粘着シート、2・・・基材、3・・・粘着剤層
、4・・・剥離シート、A・・・ウェハ、B・・・放射
線。
FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views of the adhesive sheet according to the present invention, and FIGS. 3 to 6 are explanatory views when the adhesive sheet is used from the dicing process to the pick-up process of semiconductor wafers. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Adhesive sheet, 2... Base material, 3... Adhesive layer, 4... Peeling sheet, A... Wafer, B... Radiation.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とからな
る粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用の粘着シートに
おいて、基材として、架橋フィルムを用いることを特徴
とするウェハ貼着用粘着シート。
(1) A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer bonding comprising a base material surface coated with a pressure-sensitive adhesive layer consisting of an adhesive and a radiation-polymerizable compound, characterized in that a crosslinked film is used as the base material. adhesive sheet.
(2)架橋フィルムが、架橋ポリオレフィンフィルムで
ある特許請求の範囲第1項に記載の粘着シート。
(2) The adhesive sheet according to claim 1, wherein the crosslinked film is a crosslinked polyolefin film.
(3)架橋フィルムが、架橋ポリエチレンフィルムであ
る特許請求の範囲第1項に記載の粘着シート。
(3) The adhesive sheet according to claim 1, wherein the crosslinked film is a crosslinked polyethylene film.
JP61045785A 1985-12-27 1986-03-03 Adhesive sheet for applying wafer Granted JPS62205179A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012136679A (en) * 2010-12-28 2012-07-19 Nitto Denko Corp Radiation-curable pressure-sensitive adhesive composition and pressure-sensitive adhesive sheet

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