JP4364368B2

JP4364368B2 - Manufacturing method of semiconductor chip

Info

Publication number: JP4364368B2
Application number: JP30567399A
Authority: JP
Inventors: 藤健近; 橋和弘高; 部和義江
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 1999-10-27
Filing date: 1999-10-27
Publication date: 2009-11-18
Anticipated expiration: 2019-10-27
Also published as: JP2001127029A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ裏面研削時に回路表面の保護に用いられる表面保護シートに関し、特に裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ加工方法に用いられる表面保護シートに関する。また、本発明は該表面保護シートを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣカードの普及が進み、さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。
このようなチップの薄厚化を達成する方法として、特開平５−３３５４１１号公報には、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、この裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。ウエハの裏面研削時には、ウエハ表面の回路を保護し、またウエハ(チップ）を固定しておくために、溝が形成されているウエハ表面に表面保護シートが貼着されている。
【０００３】
このような方法で製造された半導体チップは、ウエハ形状のまま、表面保護シートに固定された状態で、ウエハ（チップ）の位置及び方向を認識した上で、次工程に移される。この際、ウエハの方向性はチップ間の溝によって認識される。本来、チップ間の溝の幅は、溝を形成するためのダイシングのブレード幅に依存するが、使用する表面保護シートに内部ひずみが存在すると、ウエハをチップに分割する際に内部ひずみが開放され、チップ間隔が狭小化し、ウエハの方向性の認識ができなくなる。表面保護シートの内部ひずみは、基材の製膜時や、ウエハ貼付時のテンションによる残留応力によって発生し、これをゼロとすることは事実上不可能である。
【０００４】
また、内部ひずみが大き過ぎる場合は、チップ間隔がほとんど無くなり、チップをピックアップする際に、隣接するチップが接触し、チップが破損するおそれもあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、半導体チップの認識を確実に行うことができ、半導体チップを効率よく製造可能な表面保護シートを提供することを目的としている。また、本発明は、半導体チップの認識を確実に行うことにより製造効率を向上できる半導体チップの製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウエハの表面保護シートであって、
基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、
該表面保護シートの引張試験において、１０％伸張時の応力緩和率が、1分後で、４０％以上であることを特徴としている。
【０００７】
このような本発明の表面保護シートのヤング率は、3.0×10⁷〜5.0×10⁹Paであることが好ましい。
また、上記表面保護シートを構成する基材のヤング率×厚さが1.0×10³〜1.0×10⁷N/mであることが好ましい。
このような本発明に係る表面保護シートによれば、半導体チップの製造を効率よく行うことができる。
【０００８】
本発明に係るウエハ裏面研削方法は、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、
該回路形成面に、上記表面保護シートを貼付し、
その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうことを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る表面保護シート１０は、図１に示すように、基材１とその上に形成された粘着剤層２とからなる。
そして、本発明の表面保護シート１０は、応力緩和性に優れ、具体的には引張試験における１０％伸張時の応力緩和率が、1分後で、４０％以上、好ましくは５０％以上、さらに好ましくは６０％以上である。応力緩和率は高いほど好ましく、その上限は、理論的には１００％であり、場合によっては９９．９％、９９％あるいは９５％であってもよい。
【００１０】
本発明の表面保護シート１０は応力緩和性に優れるため、被着体に貼付後速やかに残留応力が減衰し、内部ひずみも速やかに解消する。このため、チップの切断分離を行なった後でも、チップ間隔が狭小化することもない。
なお上記応力緩和率は、以下のように測定される。すなわち、所定長さの表面保護シートサンプルを、速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力Ａと、伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００（％）により算出する。
また本発明の表面保護シート１０のヤング率（ＪＩＳＫ−７１２７準拠）は、好ましくは3.0×10⁷〜5.0×10⁹Pa、さらに好ましくは5.0×10⁷〜1.0×10⁹Paであり、特に好ましく6.0×10⁷〜8.0×10⁸Paの範囲にある。
【００１１】
表面保護シートのヤング率がこの範囲であれば、ウエハに貼付した後にウエハ形状への切断する工程がスムーズに行える。
なお、後述するように本発明においては粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合があるが、この場合に、上記応力緩和率およびヤング率は、粘着剤層のエネルギー線硬化を行う前の値を意味する。
【００１２】
さらに、本発明の表面保護シート１０の基材１においては、そのヤング率と厚さとの積が、好ましくは1.0×10³〜1.0×10⁷N/m、さらに好ましくは3.0×10³〜5.0×10⁶N/m、特に好ましくは5.0×10³〜3.5×10⁶N/mの範囲にある。
基材のヤング率と厚さとの積がこの範囲にあれば、ウエハへ貼付する際の機械適性が向上し、貼付テンションを低めに制御しやすくなる。
【００１３】
また、基材１の厚みは、好ましくは３０〜１０００μｍ、さらに好ましくは５０〜８００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。
基材１は、樹脂製フィルムからなり、上記の物性を満たすかぎり、特に限定されず、樹脂そのものが上記の物性を示すものであっても、他の添加剤を加えることにより、上記物性となるものであっても良い。また、基材１は硬化性樹脂を製膜、硬化したものであっても、熱可塑性樹脂を製膜したものであっても良い。
【００１４】
硬化性樹脂としては、光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくは光硬化型樹脂が用いられる。
光硬化型樹脂としては、たとえば、光重合性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組成物が好ましく用いられる。
ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このようなウレタンアクリレート系オリゴマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、光照射により重合硬化し、被膜を形成する。
【００１５】
本発明で好ましく用いられるウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量は、１０００〜５００００、さらに好ましくは２０００〜３００００の範囲にある。
上記のウレタンアクリレート系オリゴマーは一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
上記のようなウレタンアクリレート系オリゴマーのみでは、成膜が困難な場合が多いため、通常は、光重合性のモノマーで稀釈して成膜した後、これを硬化してフィルムを得る。光重合性モノマーは、分子内に光重合性の二重結合を有し、特に本発明では、比較的嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好ましく用いられる。
【００１６】
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーを稀釈するために用いられる光重合性のモノマーの具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレートなどの脂環式化合物、
フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレートなどの芳香族化合物、もしくはテトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリンアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンまたはＮ−ビニルカプロラクタムなどの複素環式化合物が挙げられる。また必要に応じて多官能（メタ）アクリレートを用いてもよい。
【００１７】
上記光重合性モノマーは、ウレタンアクリレート系オリゴマー１００重量部に対して、好ましくは５〜９００重量部、さらに好ましくは１０〜５００重量部、特に好ましくは３０〜２００重量部の割合で用いられる。
基材１を、上記の光硬化型樹脂から形成する場合には、該樹脂に光重合開始剤を混入することにより、光照射による重合硬化時間ならびに光照射量を少なくすることができる。
【００１８】
このような光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物等の光開始剤、アミンやキノン等の光増感剤などが挙げられ、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが例示できる。
【００１９】
光重合開始剤の使用量は、樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１５重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは０．５〜５重量部である。
上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーまたはモノマーを前述の物性値となるよう種々の組合せの配合より選択することができる。
【００２０】
また、上述の樹脂中に、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、鉄、鉛等の金属フィラー、顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されていてもよい。
基材１の成膜方法としては、液状の樹脂（硬化前の樹脂、樹脂の溶液等）を、たとえば工程シート上に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段によりフィルム化する方法が挙げられる。このような製法によれば、成膜時に樹脂にかかる応力が少なく、フィッシュアイの形成が少ない。また、膜厚の均一性も高く、厚み精度は、通常２％以内になる。
【００２１】
別の成膜方法として、Ｔダイやインフレーション法による押出成形やカレンダー法により製造することが好ましい。
基材１の上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプライマー等の他の層を設けてもよい。
本発明に係る表面保護シート１０は、上記のような基材１上に粘着剤層２を設けることで製造される。なお、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤により構成する場合には、基材１として透明基材を用いる。
【００２２】
本発明において、前記粘着剤層２を構成する粘着剤の２３℃における弾性率は、好ましくは5.0×10⁴〜1.0×10⁸Pa、さらに好ましくは6.0×10⁴〜8.0×10⁷Pa、特に好ましくは7.0×10⁴〜5.0×10⁷Paの範囲にある。粘着剤の弾性率がこの範囲にあれば、表面保護シートのウエハの固定が確実に行え、ウエハの研削適性が向上する。なお、粘着剤層２を、後述するエネルギー線硬化型粘着剤で形成した場合には、上記弾性率は、エネルギー線硬化を行う前の弾性率を意味する。
【００２３】
粘着剤層２の厚さは、その材質にもよるが、通常は３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。
粘着剤層２は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、親水性の粘着剤も用いることができる。特に本発明においてはエネルギー線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
【００２４】
エネルギー線硬化型粘着剤は、一般的には、アクリル系粘着剤と、エネルギー線重合性化合物とを主成分としてなる。
エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００２５】
さらにエネルギー線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、前述の基材１に使用できるウレタンアクリレート系オリゴマーと同様のものが使用できる。
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。この場合には、得られる表面保護シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、裏面研削終了後におけるウエハとエネルギー線硬化型粘着剤層との界面での剥離が容易になる。
【００２６】
また、エネルギー線硬化型粘着剤は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このようなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細が記載されている。
【００２７】
上記のようなアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハに対して充分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、表面保護シート１０とウエハとを充分な接着力で密着させ表面保護を可能にし、エネルギー線照射後には、研削されたウエハ（チップ）から容易に剥離することができる。
【００２８】
また親水性粘着剤としては、例えば特開平１０−２２６７７６号公報に記載の粘着剤が使用できる。このような粘着剤組成物は、カルボキシル基含有モノマーと、該モノマーと共重合可能な他のモノマーからなる共重合体と、中和剤及び架橋剤からなる。
カルボキシル基含有モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸などが用いられる。また、該モノマーと共重合可能な他のモノマーとしては、2-メトキシエチル（メタ）アクリレート、2-エトキシエチル（メタ）アクリレート、3-メトキシブチル（メタ）アクリレート、2-ブトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルやアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸エステルが用いられる。
【００２９】
中和剤は前記共重合体中のカルボキシル基の一部または全部を中和して、粘着剤組成物に親水性を付与するために用いられる。このような中和剤としては、モノエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、N,N,N'-トリメチルエチレンジアミンなどの有機アミノ化合物が用いられる。
【００３０】
架橋剤は、前記共重合体を部分架橋するために用いられる。架橋剤としては、例えばエポキシ系架橋剤、イソシアナート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤などが用いられる。
上記のような親水性粘着剤は、表面保護シートの剥離する際の糊残りが極めて少ないうえ、粘着ポリマー自体に親水性を付与しているため、水洗浄性に優れ、ウエハに粘着剤が付着したとしても、純水のみの洗浄が可能となる。
【００３１】
本発明の表面保護シート１０は、上記粘着剤をナイフコーター、ロールコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって基材１上に適宜の厚さで塗工して乾燥させて粘着剤層２を形成し、次いで必要に応じ粘着剤層上に離型シートを貼り合わせることによって得られる。
【００３２】
このような、本発明に係る表面保護シート１０は、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を行なうウエハ裏面研削方法において、ウエハ表面の保護およびウエハの一時的な固定手段として用いられる。
【００３３】
より具体的には、以下のような工程からなるウエハ裏面研削方法に用いられる。
第１工程：複数の回路を区画するウエハの切断位置に沿って所定の深さの溝４をウエハ３表面から削成する（図２参照）。
第２工程：前記ウエハ３の表面全体を覆う状態に本発明の表面保護シート１０を接着する（図３参照）。
【００３４】
第３工程：前記溝４の底部を除去し、所定の厚さになるまでウエハの裏面を研削して個々のチップ５に分割する（図４参照）。
その後、粘着剤層２をエネルギー線硬化型粘着剤から形成した場合には、エネルギー線照射して接着力を低減させ、チップの位置及び方向を認識し、チップの研磨面に別の粘着テープ（特開平５−３３５４１１号公報におけるマウンティング用テープ）を貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行ってピックアップ用のリングフレームに固定し、表面保護シート１０を剥離する（図５参照）。その後、別の粘着テープよりチップをピックアップし所定の基体上にマウントする。
【００３５】
このようなプロセスによれば、半導体チップの認識性を向上でき、半導体チップを効率よく製造することができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明に係る表面保護シートによれば、半導体チップの認識を確実に行うことができ、半導体チップの製造工程の効率が向上できる。また極薄の半導体チップも歩留まり良く製造することができる。
【００３７】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下において「ヤング率」、「弾性率」、「応力緩和率」、「チップ間隔の小化率」、「整列性」および「チップ間隔の認識性」は次の方法で評価した。
「ヤング率」
試験速度２００mm／分でＪＩＳＫ−７１２７に準拠して測定した。
「弾性率」Ｇ’（捻り剪断法）
試験片：８mmφ×３mmの円柱
測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II (REOMETRIC社製)
周波数：１Hz
「応力緩和率」
実施例および比較例で作成した表面保護シートを幅１５mm、長さ１００mmに切り出し試験片を得る。この試験片を、オリエンテック社製TENSILON RTA-100を用いて速度200mm/minで引っ張り、１０％伸張時の応力Ａと、伸張停止の１分後の応力Ｂとから（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００（％）により算出する。
「チップ間隔の狭小化率」
リンテック社製ダイシングテープ（D-628）を、８インチウエハ（厚み７２０μm）に貼付し、ダイシング装置（ディスコ社製 DAD 2H/6T）を用い、３５μm厚ブレードで切込み深さ４００μm、チップサイズ８mm角と１２mm角の条件で溝を形成した。実施例および比較例で作成した表面保護シートを、テープマウンター（リンテック社製Adwill RAD-3500m/12）を用いて貼付テンションを表１記載の貼付テンション条件にて、溝を形成した面に貼付し、ダイシングテープを剥離後、研削装置（ディスコ社製、DFD-840）を用いて厚さ８０μmになるまで研磨を行い、研磨面を上にして光学顕微鏡の吸着ステージに乗せてチップ間隔を測定した。測定はシート貼付方向に対して垂直のチップ間隔をウエハの上、下、右、左、中央部から２５点測定した。チップ間隔狭小化率は、｛（35μm−測定値の平均値）／35μm｝×１００で算出した。
「整列性」
上記方法で作成したチップ化されたウエハを目視で観察してチップ間隔がウエハの各場所で極端に異なるものや、チップズレが発生したものを「不良」とし、目視でチップ間隔が揃っているものを「良好」とした。
「チップ間隔の認識性」
上記方法で作成したチップ化されたウエハをウエハ転写装置（リンテック社製、LTD-2500f/8）にてチップ間の溝を認識してウエハのアライメント処理を行い、チップ化されたウエハを表面保護シートからマウンティング用テープに転写した。この際、問題なく処理できたものを「良好」とし、エラーが発生したものを「不良」とした。
【００３８】
【実施例１】
重量平均分子量５０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（荒川化学社製）５０重量部と、光重合性モノマーとしてイソボルニルアクリレート２５重量部及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート２５重量部と、光重合開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（イルガキュア１８４、チバ・ガイギー社製）２．０重量部と、フタロシアニン系顔料０．２重量部とを配合して光硬化型樹脂組成物を得た。
【００３９】
得られた樹脂組成物を、ファウンテンダイ方式により、キャスト用工程シートであるポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製：厚み３８μｍ、以下「ＰＥＴフィルム」という）の上に厚みが１１０μｍとなるように塗工して樹脂組成物層を形成した。塗工直後に、樹脂組成物層の上にさらに同じＰＥＴフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプ（１６０Ｗ／cm、高さ１０cm）を用いて、光量２５０ｍＪ／cm²の条件で紫外線照射を行うことにより樹脂組成物層を架橋・硬化させた後、両面のＰＥＴフィルムを剥離して、厚さ１１０μｍの基材フィルムを得た。この基材フィルムのヤング率を上記の方法で測定した。結果を表１に示す。
【００４０】
この基材フィルムの片面に、アクリル系粘着剤（n-ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）１００重量部と、分子量８０００のウレタンアクリレート系オリゴマー１２０重量部と、硬化剤（ジイソシアネート系）１０重量部と、光重合開始剤（ベンゾフェノン系）５重量部とを混合した粘着剤組成物を塗布乾燥し、厚さ２０μｍの粘着剤層を形成し、表面保護シートを得た。粘着剤層の弾性率は1.5×10⁵Ｐａであった。
【００４１】
得られた表面保護シートの応力緩和率およびヤング率を上記のようにして測定した。結果を表１に示す。
また、得られた表面保護シートを用いて、ウエハの裏面研削を行い、チップ間隔の狭小化率、整列性、チップ間隔の認識性を評価した。結果を表１に示す。
【００４２】
【実施例２】
フェニルヒドロキシプロピルアクリレートに代えて、N-ビニルカプロラクタムを用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００４３】
【実施例３】
フェニルヒドロキシプロピルアクリレートを用いずに、イソボルニルアクリレート５０重量部用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００４４】
【比較例１】
スチレン−ビニルイソプレンブロック共重合体（クラレ社製ハイブラーＶＳ−１）のトルエン６０％溶液を、実施例１と同様の支持フィルム上にキャスティングして、ラミネート、紫外線照射を行わずに、１００℃、２分間乾燥して、表１に示すヤング率を有する厚さ３００μｍの基材フィルムを得た。
【００４５】
この基材フィルムを用いて実施例１と同様にして表面保護シートを作製した。結果を表１に示す。
【００４６】
【比較例２】
基材フィルムとして、厚さ１１０μｍの低密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００４７】
【比較例３】
基材フィルムとして、厚さ２００μｍの低密度ポリエチレンフィルム（商品名スミカセンＬ７０５）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】

【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表面保護シートの断面図を示す。
【図２】本発明に係る粘着シートを用いた薄型半導体チップの製造工程を示す。
【図３】本発明に係る粘着シートを用いた薄型半導体チップの製造工程を示す。
【図４】本発明に係る粘着シートを用いた薄型半導体チップの製造工程を示す。
【図５】本発明に係る粘着シートを用いた薄型半導体チップの製造工程を示す。
【符号の説明】
１…基材
２…粘着剤層
３…ウエハ
４…溝
５…チップ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface protective sheet used for protecting a circuit surface during wafer back grinding, and in particular, a wafer processing method for reducing the thickness of a wafer by performing back surface grinding and finally dividing into individual chips. The present invention relates to a surface protective sheet used in the above. The present invention also relates to a method for manufacturing a semiconductor chip using the surface protective sheet.
[0002]
[Prior art]
In recent years, IC cards have been widely used, and further reduction in thickness has been desired. For this reason, it is necessary to reduce the thickness of a semiconductor chip, which has conventionally been about 350 μm, to a thickness of 50 to 100 μm or less.
As a method of achieving such chip thinning, Japanese Patent Laid-Open No. 5-335411 discloses a method for manufacturing a semiconductor chip in which a groove having a predetermined depth is formed from the front surface side of a wafer and then ground from the back surface side. It is disclosed. At the time of grinding the back surface of the wafer, a surface protection sheet is attached to the wafer surface on which grooves are formed in order to protect the circuit on the wafer surface and to fix the wafer (chip).
[0003]
The semiconductor chip manufactured by such a method is transferred to the next process after recognizing the position and direction of the wafer (chip) in a state of being fixed to the surface protection sheet in the wafer shape. At this time, the directionality of the wafer is recognized by the groove between the chips. Originally, the width of the groove between the chips depends on the width of the dicing blade for forming the groove, but if the surface protection sheet used has internal strain, the internal strain is released when the wafer is divided into chips. As a result, the chip interval is narrowed and the directionality of the wafer cannot be recognized. The internal strain of the surface protective sheet is generated by residual stress due to tension at the time of film formation of the base material or at the time of attaching the wafer, and it is virtually impossible to make this zero.
[0004]
Further, when the internal strain is too large, there is almost no gap between the chips, and when the chips are picked up, adjacent chips may come into contact with each other and the chips may be damaged.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a surface protective sheet capable of reliably recognizing a semiconductor chip and capable of efficiently manufacturing a semiconductor chip. Yes. Another object of the present invention is to provide a semiconductor chip manufacturing method capable of improving manufacturing efficiency by reliably recognizing a semiconductor chip.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The surface protection sheet at the time of wafer back grinding according to the present invention is formed by forming a groove having a depth of cut shallower than the wafer thickness from the wafer surface on which the semiconductor circuit is formed, and then grinding the back surface of the semiconductor wafer. A surface protection sheet for a semiconductor wafer used in wafer backside grinding, which is finally divided into individual chips.
It consists of a base material and an adhesive layer formed on it,
In the tensile test of the surface protective sheet, the stress relaxation rate at 10% elongation is 40% or more after 1 minute.
[0007]
The Young's modulus of the surface protective sheet of the present invention is preferably 3.0 × 10 ^{7 to} 5.0 × 10 ⁹ Pa.
Moreover, it is preferable that the Young's modulus × thickness of the base material constituting the surface protective sheet is 1.0 × 10 ^{3 to} 1.0 × 10 ⁷ N / m.
According to such a surface protective sheet according to the present invention, it is possible to efficiently manufacture a semiconductor chip.
[0008]
The wafer back surface grinding method according to the present invention forms a groove having a depth of cut shallower than the wafer thickness from the wafer surface on which the semiconductor circuit is formed,
Affixing the surface protection sheet to the circuit forming surface,
Thereafter, the semiconductor wafer is subjected to back surface grinding to reduce the thickness of the wafer, and finally, the semiconductor wafer is divided into individual chips.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the surface protective sheet 10 according to the present invention includes a base material 1 and a pressure-sensitive adhesive layer 2 formed thereon.
The surface protective sheet 10 of the present invention is excellent in stress relaxation properties. Specifically, the stress relaxation rate at 10% elongation in a tensile test is 40% or more, preferably 50% or more after 1 minute, Preferably it is 60% or more. The higher the stress relaxation rate, the better. The upper limit is theoretically 100%, and may be 99.9%, 99% or 95% depending on the case.
[0010]
Since the surface protective sheet 10 of the present invention is excellent in stress relaxation properties, the residual stress is attenuated immediately after being applied to the adherend, and the internal strain is also quickly eliminated. For this reason, even after cutting and separating the chips, the chip interval is not reduced.
The stress relaxation rate is measured as follows. That is, a surface protection sheet sample of a predetermined length is pulled at a speed of 200 mm / min, and the stress A at 10% elongation and the stress B after 1 minute of the elongation stop (A−B) / A × 100 (% ).
The Young's modulus (based on JIS K-7127) of the surface protective sheet 10 of the present invention is preferably 3.0 × 10 ^{7 to} 5.0 × 10 ⁹ Pa, more preferably 5.0 × 10 ^{7 to} 1.0 × 10 ⁹ Pa, and particularly Preferably it is in the range of 6.0 × 10 ^{7 to} 8.0 × 10 ⁸ Pa.
[0011]
If the Young's modulus of the surface protective sheet is in this range, the process of cutting into a wafer shape can be performed smoothly after being attached to the wafer.
As will be described later, in the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer may be formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. In this case, the stress relaxation rate and the Young's modulus perform energy ray hardening of the pressure-sensitive adhesive layer. Mean previous value.
[0012]
Furthermore, in the base material 1 of the surface protection sheet 10 of the present invention, the product of Young's modulus and thickness is preferably 1.0 × 10 ^{3 to} 1.0 × 10 ⁷ N / m, more preferably 3.0 × 10 ^{3 to} 5.0. × 10 ⁶ N / m, particularly preferably in the range of 5.0 × 10 ^{3 to} 3.5 × 10 ⁶ N / m.
If the product of the Young's modulus and the thickness of the base material is within this range, the mechanical suitability when sticking to the wafer is improved, and the sticking tension can be easily controlled to be low.
[0013]
The thickness of the substrate 1 is preferably 30 to 1000 μm, more preferably 50 to 800 μm, and particularly preferably 80 to 500 μm.
The substrate 1 is made of a resin film and is not particularly limited as long as the above physical properties are satisfied. Even if the resin itself exhibits the above physical properties, the above physical properties are obtained by adding other additives. It may be a thing. Moreover, the base material 1 may be formed by forming and curing a curable resin, or may be formed by forming a thermoplastic resin.
[0014]
As the curable resin, a photocurable resin, a thermosetting resin, or the like is used, and a photocurable resin is preferably used.
As the photocurable resin, for example, a resin composition containing a photopolymerizable urethane acrylate oligomer as a main ingredient is preferably used.
The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and 1,3-xylylene diisocyanate. 1, 4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, and the like, a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxy Ethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc. Obtained by. Such a urethane acrylate oligomer has a photopolymerizable double bond in the molecule and is polymerized and cured by light irradiation to form a film.
[0015]
The molecular weight of the urethane acrylate oligomer preferably used in the present invention is in the range of 1000 to 50000, more preferably 2000 to 30000.
The above urethane acrylate oligomers can be used alone or in combination of two or more.
Since only the urethane acrylate oligomer as described above is often difficult to form, it is usually diluted with a photopolymerizable monomer and then cured to obtain a film. The photopolymerizable monomer has a photopolymerizable double bond in the molecule, and in the present invention, an acrylic ester compound having a relatively bulky group is preferably used.
[0016]
Specific examples of photopolymerizable monomers used for diluting such urethane acrylate oligomers include isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclo Alicyclic compounds such as pentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, adamantane (meth) acrylate,
Aromatic compounds such as phenylhydroxypropyl acrylate and benzyl acrylate, or heterocyclic compounds such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, morpholine acrylate, N-vinyl pyrrolidone and N-vinyl caprolactam can be mentioned. Moreover, you may use polyfunctional (meth) acrylate as needed.
[0017]
The photopolymerizable monomer is used in an amount of preferably 5 to 900 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, and particularly preferably 30 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the urethane acrylate oligomer.
When the substrate 1 is formed from the above-mentioned photocurable resin, the polymerization curing time and the amount of light irradiation by light irradiation can be reduced by mixing a photopolymerization initiator in the resin.
[0018]
Examples of such photopolymerization initiators include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β- Examples include crawl anthraquinone.
[0019]
The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total resin. It is.
The curable resin as described above can be selected from various combinations of oligomers or monomers so as to have the above-described physical property values.
[0020]
The above-mentioned resin may contain additives such as inorganic fillers such as calcium carbonate, silica and mica, metal fillers such as iron and lead, and colorants such as pigments and dyes.
Examples of the film forming method of the substrate 1 include a method in which a liquid resin (resin before curing, resin solution, etc.) is cast into a thin film on a process sheet, and then formed into a film by a predetermined means. It is done. According to such a manufacturing method, the stress applied to the resin during film formation is small, and the formation of fish eyes is small. Moreover, the uniformity of the film thickness is also high, and the thickness accuracy is usually within 2%.
[0021]
As another film forming method, it is preferable to manufacture by extrusion using a T-die or an inflation method or a calendar method.
In order to improve the adhesiveness to the pressure-sensitive adhesive, the top surface of the substrate 1, that is, the surface on the side where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided may be subjected to corona treatment or other layers such as a primer.
The surface protective sheet 10 according to the present invention is manufactured by providing the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the substrate 1 as described above. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is composed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, a transparent base material is used as the base material 1.
[0022]
In the present invention, the elastic modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 5.0 × 10 ^{4 to} 1.0 × 10 ⁸ Pa, more preferably 6.0 × 10 ^{4 to} 8.0 × 10 ⁷ Pa, particularly Preferably it exists in the range of 7.0 * 10 < ⁴ > -5.0 * 10 < ⁷ > Pa. If the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive is within this range, the wafer of the surface protection sheet can be surely fixed, and the grindability of the wafer is improved. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of an energy ray curable pressure sensitive adhesive, which will be described later, the elastic modulus means an elastic modulus before the energy ray curing is performed.
[0023]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is usually about 3 to 100 μm, preferably about 10 to 50 μm, although it depends on the material.
The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of various conventionally known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, but an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. Further, an energy ray curable type, a heating foam type, or a hydrophilic pressure-sensitive adhesive can also be used. In particular, in the present invention, an energy ray curable pressure-sensitive adhesive is preferably used.
[0024]
The energy beam curable pressure-sensitive adhesive generally comprises an acrylic pressure-sensitive adhesive and an energy beam polymerizable compound as main components.
Examples of the energy ray-polymerizable compound used in the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can be three-dimensionally reticulated by light irradiation as disclosed in, for example, JP-A-60-196956 and JP-A-60-223139. Low molecular weight compounds having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule are widely used. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol Tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol Diacrylates, such as the commercially available oligoester acrylates are used.
[0025]
In addition to the acrylate compounds as described above, urethane acrylate oligomers can also be used as the energy beam polymerizable compound. As the urethane acrylate oligomer, the same urethane acrylate oligomer that can be used for the substrate 1 described above can be used.
The compounding ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the energy beam polymerizable compound in the energy ray curable pressure sensitive adhesive is 50 to 200 parts by weight, preferably 50 to 50 parts by weight of the energy ray polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure sensitive adhesive. It is desirable to use in an amount in the range of 150 parts by weight, particularly preferably 70 to 120 parts by weight. In this case, the obtained surface protective sheet has a large initial adhesive force, and the adhesive strength is greatly reduced after irradiation with energy rays. Therefore, peeling at the interface between the wafer and the energy ray curable pressure-sensitive adhesive layer after completion of back surface grinding becomes easy.
[0026]
The energy beam curable pressure-sensitive adhesive may be formed of an energy beam curable copolymer having an energy beam polymerizable group in the side chain. Such an energy beam curable copolymer has the property of having both adhesiveness and energy beam curable properties. Details of the energy beam curable copolymer having an energy beam polymerizable group in the side chain are described in, for example, JP-A Nos. 5-32946 and 8-27239.
[0027]
The acrylic energy ray-curable pressure-sensitive adhesive as described above has a sufficient adhesive force to the wafer before the energy ray irradiation, and the adhesive force significantly decreases after the energy ray irradiation. That is, the surface protection sheet 10 and the wafer are adhered to each other with sufficient adhesive force before energy beam irradiation to enable surface protection, and can be easily peeled off from the ground wafer (chip) after energy beam irradiation. it can.
[0028]
Moreover, as a hydrophilic adhesive, the adhesive as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 10-226776 can be used, for example. Such a pressure-sensitive adhesive composition comprises a carboxyl group-containing monomer, a copolymer composed of another monomer copolymerizable with the monomer, a neutralizing agent and a crosslinking agent.
As the carboxyl group-containing monomer, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and the like are used. Other monomers copolymerizable with the monomer include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, and 2-butoxyethyl (meth) acrylate. Alkoxy group-containing (meth) acrylic acid esters and (meth) acrylic acid esters having an alkyl group with 1 to 18 carbon atoms are used.
[0029]
The neutralizing agent is used for neutralizing part or all of the carboxyl groups in the copolymer to impart hydrophilicity to the pressure-sensitive adhesive composition. As such a neutralizing agent, organic amino compounds such as monoethylamine, monoethanolamine, diethylamine, diethanolamine, triethylamine, triethanolamine, and N, N, N′-trimethylethylenediamine are used.
[0030]
The crosslinking agent is used for partially crosslinking the copolymer. As the crosslinking agent, for example, an epoxy-based crosslinking agent, an isocyanate-based crosslinking agent, a methylol-based crosslinking agent, a chelate-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, or the like is used.
The above hydrophilic pressure-sensitive adhesive has very little adhesive residue when the surface protection sheet is peeled off, and also provides hydrophilicity to the pressure-sensitive adhesive polymer itself, so it has excellent water washability and the pressure-sensitive adhesive adheres to the wafer. Even so, it is possible to clean only pure water.
[0031]
The surface protective sheet 10 of the present invention is coated with an appropriate thickness on the substrate 1 according to a generally known method such as a knife coater, a roll coater, a gravure coater, a die coater, or a reverse coater and dried. Thus, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed, and then, if necessary, a release sheet is bonded onto the pressure-sensitive adhesive layer.
[0032]
Such a surface protective sheet 10 according to the present invention forms a groove having a depth of cut shallower than the wafer thickness from the wafer surface on which the semiconductor circuit is formed, and then grinding the back surface of the semiconductor wafer. Is used as a means for protecting the wafer surface and temporarily fixing the wafer in a wafer back grinding method in which the thickness of the wafer is reduced and finally divided into individual chips.
[0033]
More specifically, it is used in a wafer back grinding method comprising the following steps.
1st process: The groove | channel 4 of predetermined depth is cut | disconnected from the wafer 3 surface along the cutting position of the wafer which divides a some circuit (refer FIG. 2).
2nd process: The surface protection sheet 10 of this invention is adhere | attached in the state which covers the whole surface of the said wafer 3 (refer FIG. 3).
[0034]
Third step: The bottom of the groove 4 is removed, and the back surface of the wafer is ground to a predetermined thickness and divided into individual chips 5 (see FIG. 4).
Thereafter, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the adhesive force is reduced by irradiation with energy rays, the position and direction of the chip are recognized, and another adhesive tape ( A mounting tape in Japanese Patent Laid-Open No. 5-335411 is affixed, and the position and orientation are aligned so that the pickup can be performed, fixed to the ring frame for pickup, and the surface protection sheet 10 is peeled off (see FIG. 5). . Thereafter, the chip is picked up from another adhesive tape and mounted on a predetermined substrate.
[0035]
According to such a process, the recognizability of the semiconductor chip can be improved, and the semiconductor chip can be manufactured efficiently.
[0036]
【The invention's effect】
As described above, according to the surface protective sheet of the present invention, the semiconductor chip can be reliably recognized, and the efficiency of the semiconductor chip manufacturing process can be improved. In addition, an extremely thin semiconductor chip can be manufactured with a high yield.
[0037]
【Example】
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In the following, “Young's modulus”, “elastic modulus”, “stress relaxation rate”, “chip space reduction ratio”, “alignment” and “chip space recognition” were evaluated by the following methods.
"Young's modulus"
The measurement was performed according to JIS K-7127 at a test speed of 200 mm / min.
"Elastic modulus" G '(torsional shear method)
Specimen: Cylinder measuring 8mmφ x 3mm: DYNAMIC ANALYZER RDA II (manufactured by REOMETRIC)
Frequency: 1Hz
"Stress relaxation rate"
The surface protection sheets prepared in Examples and Comparative Examples are cut into a width of 15 mm and a length of 100 mm to obtain test pieces. The test piece was pulled at a speed of 200 mm / min using TENSILON RTA-100 manufactured by Orientec Co., Ltd. From the stress A at the time of 10% elongation and the stress B after 1 minute of the extension stop, (AB) / A Calculated by x100 (%).
"Narrowing rate of chip interval"
A dicing tape (D-628) manufactured by Lintec is attached to an 8-inch wafer (thickness: 720 μm), and a dicing machine (DAD 2H / 6T manufactured by Disco) is used to cut a depth of 400 μm and a chip size of 8 mm square using a 35 μm thick blade. And 12 mm square grooves were formed. The surface protection sheets prepared in the examples and comparative examples were applied to the grooved surface using a tape mounter (Adwill RAD-3500m / 12 manufactured by Lintec Corporation) under the application tension conditions shown in Table 1. Then, after removing the dicing tape, polishing was performed using a grinding device (DFD-840, DFD-840) until the thickness reached 80 μm, and the chip interval was measured by placing the polishing surface on the adsorption stage of an optical microscope. . In the measurement, 25 points were measured from the top, bottom, right, left, and center of the wafer at a chip interval perpendicular to the sheet sticking direction. The chip interval narrowing ratio was calculated by {(35 μm−average value of measured values) / 35 μm} × 100.
"Alignment"
A chip wafer created by the above method is visually observed and the chip interval is extremely different at each location of the wafer, or a chip deviation is defined as “defective”, and the chip interval is aligned visually. Was “good”.
"Recognition of chip interval"
Using the wafer transfer device (Lintec Co., Ltd., LTD-2500f / 8) to recognize the groove between the chips, the wafer is processed by the wafer transfer device (Lintec Corp., LTD-2500f / 8). Transferred from the sheet to the mounting tape. At this time, those that could be processed without problems were judged as “good”, and those that produced an error were judged as “bad”.
[0038]
[Example 1]
50 parts by weight of urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 5000 (Arakawa Chemical Co., Ltd.), 25 parts by weight of isobornyl acrylate and 25 parts by weight of phenylhydroxypropyl acrylate as photopolymerizable monomers, and 1-hydroxy as a photopolymerization initiator A photocurable resin composition was obtained by blending 2.0 parts by weight of cyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba-Geigy) and 0.2 parts by weight of a phthalocyanine pigment.
[0039]
The obtained resin composition was coated on a polyethylene terephthalate film (made by Toray Industries, Inc .: thickness 38 μm, hereinafter referred to as “PET film”), which is a casting process sheet, by a fountain die method so that the thickness becomes 110 μm. Thus, a resin composition layer was formed. Immediately after coating, the same PET film is further laminated on the resin composition layer, and then UV irradiation is performed using a high-pressure mercury lamp (160 W / cm, height 10 cm) under the condition of a light amount of 250 mJ / cm ^2. Thus, after the resin composition layer was crosslinked and cured, the PET films on both sides were peeled off to obtain a substrate film having a thickness of 110 μm. The Young's modulus of this base film was measured by the above method. The results are shown in Table 1.
[0040]
On one side of this base film, 100 parts by weight of an acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid), 120 parts by weight of a urethane acrylate oligomer with a molecular weight of 8000, and a curing agent (diisocyanate type) 10 A pressure-sensitive adhesive composition obtained by mixing parts by weight and 5 parts by weight of a photopolymerization initiator (benzophenone-based) was applied and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 20 μm, thereby obtaining a surface protective sheet. The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer was 1.5 × 10 ⁵ Pa.
[0041]
The stress relaxation rate and Young's modulus of the obtained surface protective sheet were measured as described above. The results are shown in Table 1.
Further, the obtained surface protective sheet was used to grind the back surface of the wafer, and the narrowing rate of the chip interval, the alignment property, and the recognition property of the chip interval were evaluated. The results are shown in Table 1.
[0042]
[Example 2]
The same operation as in Example 1 was performed except that N-vinylcaprolactam was used instead of phenylhydroxypropyl acrylate. The results are shown in Table 1.
[0043]
[Example 3]
The same operation as in Example 1 was performed except that 50 parts by weight of isobornyl acrylate was used without using phenylhydroxypropyl acrylate. The results are shown in Table 1.
[0044]
[Comparative Example 1]
A 60% toluene solution of a styrene-vinylisoprene block copolymer (Kuraray Hibler VS-1) was cast on the same support film as in Example 1 and laminated at 100 ° C. without being irradiated with ultraviolet rays. After drying for 2 minutes, a base film having a Young's modulus shown in Table 1 and a thickness of 300 μm was obtained.
[0045]
Using this base film, a surface protective sheet was produced in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[0046]
[Comparative Example 2]
The same operation as in Example 1 was performed except that a low-density polyethylene film having a thickness of 110 μm (trade name Sumikasen L705) was used as the base film. The results are shown in Table 1.
[0047]
[Comparative Example 3]
The same operation as in Example 1 was performed except that a low-density polyethylene film (trade name: Sumikasen L705) having a thickness of 200 μm was used as the base film. The results are shown in Table 1.
[0048]
[Table 1]

[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a surface protective sheet according to the present invention.
FIG. 2 shows a manufacturing process of a thin semiconductor chip using an adhesive sheet according to the present invention.
FIG. 3 shows a manufacturing process of a thin semiconductor chip using an adhesive sheet according to the present invention.
FIG. 4 shows a manufacturing process of a thin semiconductor chip using an adhesive sheet according to the present invention.
FIG. 5 shows a manufacturing process of a thin semiconductor chip using an adhesive sheet according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Adhesive layer 3 ... Wafer 4 ... Groove 5 ... Chip

Claims

A groove having a depth of cut shallower than the wafer thickness is formed from the wafer surface on which the semiconductor circuit is formed,
A surface protection sheet comprising a substrate and an adhesive layer formed thereon on the circuit forming surface, and having a stress relaxation rate at 10% elongation in a tensile test of 40% or more after 1 minute. Affix,
A method of manufacturing a semiconductor chip, wherein the back surface of the semiconductor wafer is then ground to reduce the thickness of the wafer, and finally, the semiconductor wafer is divided into individual chips.

2. The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein a Young's modulus of the surface protection sheet is 3.0 × 10 ^{7 to} 5.0 × 10 ⁹ Pa. 3.

^{3. The} method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 1, wherein the base material of the surface protection sheet has a Young's modulus × thickness of 1.0 × 10 ^{3 to} 1.0 × 10 ⁷ N / m.