JPS62204442A - Optical recording medium and its recording method - Google Patents
Optical recording medium and its recording methodInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、たとえばレーザビームによりヒートモード
記録が行える光記録媒体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an optical recording medium on which heat mode recording can be performed using, for example, a laser beam.
（従来の技術）
近年、多口に発生する文書などの情報を記録し、あるい
はそれを必要に応じて検索、再生し、ハードコピーある
いはソフトコピーとして再生出力し得るｉ！ｉｉｉ情報
フ１情報波１イル装胃画像記録再生装置として、最近、
光ディスク装置が用いられている。このような、光デイ
スク装置に記録媒体として用いられている光ディスクは
、大容量の情報を高密度で記録することが可能なため、
従来、記録媒体として使用されていた磁気ディスクある
いは磁気テープなどに比べ、記録情報の１ビット当りの
コストが１０分の１以下であり、しかも記録情報の保存
性に優れている。(Prior Art) In recent years, the i! Recently, as a gastric image recording and reproducing device,
An optical disk device is used. Optical discs used as recording media in such optical disc devices are capable of recording large amounts of information at high density.
Compared to magnetic disks or magnetic tapes conventionally used as recording media, the cost per bit of recorded information is less than one-tenth, and the storage stability of recorded information is excellent.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、情報の記録と再生のみが可能な光ディス
ク、いわゆる追記型の光ディスクでは記録した情報の消
去、および再書込みを行うことができないため、記録し
た情報が不要となった場合、その情報が記録されている
部分が無駄となってしまうという欠点があった。(Problem to be solved by the invention) However, with optical discs that can only record and reproduce information, so-called write-once optical discs, recorded information cannot be erased or rewritten, so recorded information is unnecessary. When this happens, there is a drawback that the part where that information is recorded becomes wasted.
この発明は、上記の不要となった情報が記録されている
部分が無駄になるという欠点を除去し、１枚の光ディス
クに対して消去不能な記録、および消去可能な記録の両
方を行うことができる光記録媒体を提供しようとするも
のである。This invention eliminates the above-mentioned drawback that the portion where unnecessary information is recorded is wasted, and makes it possible to perform both non-erasable recording and erasable recording on one optical disc. The aim is to provide an optical recording medium that can.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明は、局所的に光学特性の変化を生じさせること
により情報の記録を行うことを可能とし、且つ少なくと
も２種類以上の組成の異なる膜を液体急冷により初期の
状態から非晶質化の状態、あるいは液体徐冷により初期
の状態から結晶化の状態に変化させることが可能な膜厚
比で構成した記録層を有する光記録媒体である。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention makes it possible to record information by locally causing a change in optical properties, and at least two different compositions. An optical recording medium having a recording layer configured with a film thickness ratio that allows the film to be changed from an initial state to an amorphous state by rapid liquid cooling, or from an initial state to a crystallized state by slow liquid cooling. be.
（作用）
この発明にあっては、記録層に記録すべき情報を有する
ビームを照射することにより上記記録層を局所的に単一
層に変換して情報の記録を行うものにおいて、上記記録
層に高出力のビームを短時間照射することにより非晶質
化の状態、あるいは上記記録層に低出力のビームを長時
間照射することにより結晶化の状態に相変化させること
により情報の消去および記録を可能にしたものである。(Function) In the present invention, in which information is recorded by locally converting the recording layer into a single layer by irradiating the recording layer with a beam having information to be recorded, the recording layer is Information can be erased and recorded by irradiating the recording layer with a high-power beam for a short time to change the phase to an amorphous state, or by irradiating the recording layer with a low-power beam for a long time to change the phase to a crystallized state. It made it possible.
（実施例）
以下、この発明の一実ＭＶＡを図面を参照して説明する
。(Example) Hereinafter, an actual MVA of the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図において、１は光記録媒体としての光ディスクで
ある。この光ディスク１に対して、基板２側から対物レ
ンズ１１によってスポット照射されるレーザビームしに
よる熱的エネルギーの付与により記録８１４の光学特性
が変化される。つまり、記録１１４はレーザビームＬの
照射により拡散合金化あるいは溶解合金化される。すな
わち、記録層４は、組成の異なる薄膜により多層膜とし
て構成されており、たとえば低出力のレーザビームＬで
長時間加熱されることにより拡散あるいは溶解合金化さ
れて単一層となり、それが徐冷（徐徐に冷Ｗ）されて合
金結晶化の状態、または高出力のレーザビームＬで短時
間加熱されることにより拡散あるいは溶解合金化されて
単一層となり、それが急冷（急激に冷却）されて合金非
晶質化の状態となる。In FIG. 1, reference numeral 1 indicates an optical disk as an optical recording medium. The optical characteristics of the recording 814 are changed by applying thermal energy to the optical disc 1 by a laser beam spot irradiated from the substrate 2 side by the objective lens 11. That is, the recording 114 is diffused alloyed or melted alloyed by irradiation with the laser beam L. That is, the recording layer 4 is composed of thin films with different compositions as a multilayer film, and is heated for a long time with a low-power laser beam L to diffuse or melt into a single layer, which is then slowly cooled. (gradually cooled W) to crystallize the alloy, or heated for a short time with a high-power laser beam L to diffuse or melt alloy into a single layer, which is then rapidly cooled (rapidly cooled). The alloy becomes amorphous.
第２図は、上記光ディスク１を示すものである。FIG. 2 shows the optical disc 1 described above.
この光ディスク１は、基板２と、この基板２上に保護Ｉ
ＩＩ ３ 、記録層４、保護膜５および保護ＷＡ６が、
たとえばスパッタ法あるいは真空蒸着法などによって順
次積層されて構成されている。また、この光ディスク１
には、スパイラル状にトラック（図示しない）が形成さ
れている。This optical disc 1 includes a substrate 2 and a protection I on this substrate 2.
II 3 , recording layer 4, protective film 5 and protective WA 6,
For example, they are constructed by sequentially laminating layers using a sputtering method or a vacuum evaporation method. Also, this optical disc 1
A track (not shown) is formed in a spiral shape.
上記基板２としては、たとえばポリカーボネイト（ＰＣ
）樹脂、メタクリル（ＰＭＭＡ）樹脂。The substrate 2 may be made of polycarbonate (PC), for example.
) resin, methacrylic (PMMA) resin.
エポキシ副脂などの透明樹脂、あるいは透明なガラス、
石英およびセラミックなどが用いられている。Transparent resin such as epoxy resin, or transparent glass,
Quartz and ceramics are used.
上記保護膜３および５は、記録時にレーザビームＬの照
射により記録層４が飛散または穴空きすることを防止す
るためのものであり、たとえばＳｉＯ，ＳｉＯ２、Ｓｉ
Ｎ３なトノ透明な物質が厚さ２０人〜５ＪＪｒＩＬの範
囲で構成されている。The protective films 3 and 5 are for preventing the recording layer 4 from scattering or forming holes due to irradiation with the laser beam L during recording, and are made of, for example, SiO, SiO2, Si
It is composed of a transparent N3 material with a thickness ranging from 20 to 5JJrIL.
上記保ｉｇｌ膜６は、光ディスク１を取り扱う際に生じ
る傷などを防止するものであり、たとえば紫外線硬化（
ｔＪＶ）樹脂などの透明な樹脂によって構成されている
。The above-mentioned IGL film 6 prevents scratches etc. that occur when handling the optical disc 1, and for example, UV curing (
It is made of transparent resin such as tJV) resin.
上記記録層４は、異なる２種類の物質からなる薄膜４１
および４２が積層されて構成されている。The recording layer 4 includes a thin film 41 made of two different materials.
and 42 are laminated.
上記薄膜４１および４２としては、ＳｉとＡＵ。The thin films 41 and 42 are made of Si and AU.
ＳｉとＡＧ、 ＴｅとＧｅなどがそれぞれ用いられる。Si and AG, Te and Ge, etc. are used, respectively.
上記３ｉとＡＩＪとを記録Ｒ’Ａ ４１および４２とし
て用いた場合には、レーザビームＬの照射により記録１
ｉＩ４は合金化され、ＡｕＳｉ合金の単一層となる。こ
のＡＬＪＳ ｉ合金は共晶組成である２０〜３０ａ ｔ
％（原子パーセント）Ｓｉで、液体急冷（溶解急冷）に
より非晶質化の状態となる性質がある。つまり、ＡｕＳ
ｉ合金は、その組成がＡｕに対するＳｉの割合いが２
０〜３０ａｔ％となっている場合、結晶化の状態にある
合金に高出力のレーザビームＬを短時間照射することに
よって溶解状態にしてから急冷すると非晶質化の状態、
あるいは非晶質化の状態にある合金に低出力のレーザビ
ームＬを長時間照射することによって溶解状態にしてか
ら徐冷すると結晶化の状態となる。When the above-mentioned 3i and AIJ are used as recording R'A 41 and 42, recording 1 is performed by irradiation with laser beam L.
The iI4 is alloyed into a single layer of AuSi alloy. This ALJS i alloy has a eutectic composition of 20~30at
% (atomic percent) Si, and has the property of becoming amorphous by liquid quenching (dissolution quenching). In other words, AuS
The i alloy has a composition with a ratio of Si to Au of 2
In the case of 0 to 30 at%, if the alloy in the crystallized state is irradiated with a high-power laser beam L for a short time to bring it into a melted state and then rapidly cooled, it will become amorphous.
Alternatively, by irradiating an amorphous alloy with a low-power laser beam L for a long time to bring it into a melted state and then slowly cooling it, it becomes a crystallized state.
すなわち、Ｓｉ対ＡｕのｆｉｌＦｌの比を、それぞれ２
対８から３対７の節回内で形成する。たとえば、Ｓｉか
らなる記録層４１を厚さ２００人で構成した場合にはＡ
ｕからなる記録膜４２を厚さ８００人で構成し、またＳ
ｉからなる記録膜４１を厚さ２５０人で構成した場合に
はＡｕからなる記録膜４２を厚さ７５０人で構成し、ま
たＳｉからなる記録１１１４ｔを厚さ３００人で構成し
た場合にはＡＩＪからなる記録層４２を厚さ７００ＡＴ
″構成する。これにより、合金化されたＡｕＳ を合金
、つまり記録層４は照射されるレーザビームＬの熱的エ
ネルギー邑の遠いによって結晶化の状態、あるいは非晶
質化の状態に相変化させることが可能となる。なお、記
録膜４１をＡＬＪ、記録膜４２をＳｉで構成するように
しても良い。That is, the ratio of filFl of Si to Au is set to 2, respectively.
It is formed within the nodal gyrus of pair 8 to 3 and 7. For example, if the recording layer 41 made of Si is constructed with a thickness of 200 layers,
The recording film 42 consisting of U is made up of 800 mm thick and S
When the recording film 41 made of i is made up of 250 people, the recording film 42 made of Au is made of 750 people, and when the recording film 1114t made of Si is made of 300 people, AIJ is used. The thickness of the recording layer 42 is 700 AT.
As a result, the alloyed AuS, that is, the recording layer 4 changes its phase to a crystallized state or an amorphous state depending on the distance from the thermal energy of the irradiated laser beam L. Note that the recording film 41 may be made of ALJ and the recording film 42 may be made of Si.
また、上記ＳｉとＡｇとを記録膜４１および４２として
用いた場合には、レーザビームＬの照射により合金化さ
れ、記録ＷＪ４はＡｇＳ ｉ合金の単一層となる。この
ＡｇＳ ＋合金は共晶組成である１７〜３０８ｔ％（原
子パーセント）Ｓｌで、液体急冷〈溶解急冷）により非
晶質化の状態となる性質がある。つまり、ＡｇＳ ｉ合
金は、その組成がＡｇに対する３ｉの割合いが１７〜３
Ｑａ ｔ％となっている場合、結晶化の状態にある合金
に高出力のレーザビームＬを短時間照射することによっ
て溶解状態にしてから急冷すると非晶質化の状態、ある
いは非晶質化の状態にある合金に低出力のレーザビーム
Ｌを長時間照射することによって溶解状態にしてから徐
冷すると結晶化の状態となる。Moreover, when the above-mentioned Si and Ag are used as the recording films 41 and 42, they are alloyed by irradiation with the laser beam L, and the recording WJ 4 becomes a single layer of AgSi alloy. This AgS + alloy has a eutectic composition of 17 to 308 t% (atomic percent) Sl, and has the property of becoming amorphous by liquid quenching (dissolution quenching). In other words, AgSi alloy has a composition with a ratio of 3i to Ag of 17 to 3.
Qa t%, if the alloy in the crystallized state is irradiated with a high-power laser beam L for a short time to bring it to a melted state and then rapidly cooled, it will become amorphous or become amorphous. When the alloy in the state is irradiated with a low-power laser beam L for a long time to bring it into a melted state and then slowly cooled, it becomes a crystallized state.
すなわち、３ｉ対Ａｇの膜厚の比を、それぞれ１．７対
８．３から３対７の範囲内で形成する。That is, the film thickness ratio of 3i to Ag is formed within the range of 1.7:8.3 to 3:7, respectively.
たとえば、Ｓｉからなる記録１１ｍ１４ｔを厚さ１７０
人で構成した場合にはＡｇからなる記録１１４２を厚さ
８３０人で構成し、またＳｉからなる記録膜４１を厚さ
２５０人で構成した場合にはＡｇからなる記録膜４２を
厚さ７５０人で構成し、またＳｌからなる記録膜４１を
厚さ３００人で構成した場合にはＡａからなる記録Ｋｔ
Ａ４２を厚さ７００人で構成する。これにより、合金化
されたＡ（、Ｉｓ ｉ合金、つまり記録層４は照射され
るレーザビームＬの熱的エネルギー員の逍いにより結晶
化の状態、あるいは非晶質化の状態に相変化させること
が可能となる。なお、記録膜４］をＡｇ。For example, a record made of Si with a thickness of 170 m and 14 t
If it is made up of people, the recording film 1142 made of Ag has a thickness of 830 people, and if the recording film 41 made of Si is made of 250 people, the recording film 42 made of Ag has a thickness of 750 people. In addition, when the recording film 41 made of Sl is made up of a thickness of 300, the recording film Kt made of Aa is
It consists of A42 with a thickness of 700 people. As a result, the alloyed A(, Is i alloy, that is, the recording layer 4 changes its phase to a crystalline state or an amorphous state depending on the thermal energy of the irradiated laser beam L. Note that the recording film 4] is made of Ag.
記録膜４２をＳｌで構成するようにしても良い。The recording film 42 may be made of Sl.
また、上記ＴｅとＧｅとを記録膜４１および４２として
用いた場合には、レーザビームＬの照射により記録層４
は金属間化合物ＧｅＴｅの単一層となる。この金属間化
合物ＧｅＴｅの組成は、原子パーセントでＧｅ対Ｔｅの
割合いが１対１である。つまり、金属間化合物ＧｅＴｅ
は、その組成がＧｅに対するＴｅの割合いが５０ａｔ％
となっている場合、結晶化の状態にある化合物に高出力
のレーザビームＬを短時間照射することによって溶解状
態にしてから急冷すると非晶質化の状態、あるいは非晶
質化の状態にある化合物に低出力のレーザビームＬを長
時間照射することによって溶解状態にしてから徐冷する
と結晶化の状態となる。Furthermore, when Te and Ge are used as the recording films 41 and 42, the recording layer 41 and 42 can be irradiated with the laser beam L.
becomes a single layer of intermetallic compound GeTe. The composition of this intermetallic compound GeTe is such that the ratio of Ge to Te is 1:1 in atomic percent. In other words, the intermetallic compound GeTe
has a composition with a ratio of Te to Ge of 50 at%
If the compound in the crystallized state is irradiated with a high-power laser beam L for a short period of time to make it into a molten state and then rapidly cooled, it will become amorphous or in an amorphous state. By irradiating the compound with a low-power laser beam L for a long period of time, the compound is brought into a dissolved state and then slowly cooled, resulting in a crystallized state.
たとえば、Ｇｅからなる記録Ｍ４ｓを厚さ５００人で構
成した場合には、Ｔｅからなる記録膜４２を厚さ５００
人で構成する。これにより、照射されるレーザビームＬ
の熱的エネルギー量の違いにより金属間化合物ＧｅＴｅ
、つまり記録層４は照射されるレーザビームＬの熱的エ
ネルギー量の違いにより結晶化の状態、あるいは非晶質
化の状態に相変化させることが可能となる。なお、記録
膜４１をＴｅ、記録１１！４２をＧｅで構成するように
しても良い。For example, if the recording film M4s made of Ge is made up of 500 people, the recording film 42 made of Te is made of 500 people.
Consists of people. As a result, the irradiated laser beam L
Due to the difference in the amount of thermal energy, the intermetallic compound GeTe
In other words, the recording layer 4 can undergo a phase change to a crystallized state or an amorphous state depending on the amount of thermal energy of the irradiated laser beam L. Note that the recording film 41 may be made of Te, and the recording films 11!42 may be made of Ge.
また、上記記録層４は、第３図に示すように、それぞれ
の膜厚の比に応じて構成される記録膜４１と４２どを交
互に積層し、多ｙｙｉｎ＊構造としても良い。たとえば
、ＧｅとＴｅからなる記録層４の場合、ＧｅとＴｅとの
膜厚の比は１対１である。Further, as shown in FIG. 3, the recording layer 4 may have a multi-yyin* structure in which recording films 41 and 42 are alternately laminated according to the ratio of their respective film thicknesses. For example, in the case of the recording layer 4 made of Ge and Te, the ratio of the film thicknesses of Ge and Te is 1:1.
したがって、記録ＩＩ（ｉ１４ ｔと記録ｇＩ４２との
膜厚の比が１対１となるように、Ｇｅからなる記録４工
の厚さ１００人に対してＴｅからなる記録膜４２の厚さ
１００人とを交互に！ｉ層し、膜１’！１０００大の記
ＨＦＭ４を構成する。Therefore, so that the film thickness ratio of recording II (i14t and recording gI42 is 1:1), the thickness of the recording film 42 made of Te is 100% for the thickness of the recording film 42 made of Ge, which is 100%. and !i layers are alternately formed to form a film 1'!1000-sized HFM4.
また、上記光ディスク１は、ディスクの片面に記録を行
う単板型ディスクとして説明したが、たとえば２枚の光
ディスク１それぞれの基板２を外側にしてエアーサンド
イッチ構造、あるいは接着層による貼合わせにより両面
光ディスクとすることも可能である。Furthermore, although the optical disc 1 has been described as a single-plate disc in which recording is performed on one side of the disc, for example, two optical discs 1 may be made into a double-sided optical disc by using an air sandwich structure with each substrate 2 on the outside or bonding them together using an adhesive layer. It is also possible to do this.
次に、第２図に基づき、この発明の記録方法の一例につ
いて説明する。Next, an example of the recording method of the present invention will be explained based on FIG.
まず、光ディスク１を追記型のディスクとして使用する
場合について説明する。すなわち、記録層４に対して、
対物レンズ１１によって記録すべき情報を有する出力が
５〜１５ｍＷのレーザビームＬを５〜０．５μｓの間ス
ポット照射する。これにより、レーザビームＬの照射さ
れた記録層４の記録膜４！および４２は単一層に変換さ
れ、除徐に冷却されて合金結晶化の状態となる。この結
果、記録層４に初期の状態と合金結晶化の状態との反射
率の違いを生じさせることにより情報の記録を行う。First, a case where the optical disc 1 is used as a write-once disc will be described. That is, for the recording layer 4,
A laser beam L having an output of 5 to 15 mW and having information to be recorded is spot-irradiated by the objective lens 11 for 5 to 0.5 μs. As a result, the recording film 4 of the recording layer 4 irradiated with the laser beam L! and 42 are converted into a single layer and slowly cooled to a state of alloy crystallization. As a result, information is recorded by causing a difference in reflectance between the initial state and the alloy crystallized state in the recording layer 4.
または、記録Ｈ４に対して、対物レンズ１１によって記
録すべき情報を有する出力が５〜１５ｍＷのレーザビー
ムＬを０．４〜０．０１μｓの間スポット照射する。こ
れにより、レーザビームＬの照射された記録層４の記録
Ｉｌ々４！および４２は単一層に変換され、急激に冷却
されて合金非晶質化の状態となる。この結果、記録層４
に初期の状態と合金非晶質化の状態との反射率の違いを
生じさせることにより情報の記録を行う。Alternatively, the objective lens 11 irradiates the recording H4 with a laser beam L having the information to be recorded and having an output of 5 to 15 mW as a spot for 0.4 to 0.01 μs. As a result, the recording Il4! of the recording layer 4 irradiated with the laser beam L is recorded! and 42 are converted into a single layer and rapidly cooled to an amorphous state of the alloy. As a result, the recording layer 4
Information is recorded by creating a difference in reflectance between the initial state and the amorphous state of the alloy.
次に、光ディスク１を消去可能型のディスクとして使用
する場合について説明する。すなわち、光ディスク１の
全面に対して、ヒータあるいはレーザビームＬで長時間
加熱し、記録膜４！および４２を拡散合金化あるいは溶
解合金化して結晶化の状態にする。そして、この記録Ｗ
ａ４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき情報
を有する出力が３〜１０ｍＷのレーザビームＬを０．３
〜０．０２μｓの間スポット照射する。これにより、レ
ーザビームＬの照射された記録層４は、急冷されて合金
結晶化の状態から非晶質化の状態へと相変化する。この
結果、非晶質化の状態と合金結晶化の状態との反射率の
違いにより情報の記録を行う。この記録した情報を消去
する場合は、その記録１１４に対して、出力が１〜５ｍ
ＷのレーザビームＬを５〜０．５μｓの間スポット照射
することにより、記録１１４を非晶質化の状態から結晶
化の状態に相変化させる。この結果、記録情報の消去が
行える。Next, a case where the optical disc 1 is used as an erasable disc will be described. That is, the entire surface of the optical disc 1 is heated for a long time with a heater or laser beam L, and the recording film 4! and 42 are made into a crystallized state by diffusion alloying or melt alloying. And this record W
A4, a laser beam L with an output of 3 to 10 mW containing information to be recorded by the objective lens 11 is 0.3
Spot irradiation is performed for ~0.02 μs. As a result, the recording layer 4 irradiated with the laser beam L is rapidly cooled and undergoes a phase change from an alloy crystallized state to an amorphous state. As a result, information is recorded based on the difference in reflectance between the amorphous state and the alloy crystallized state. When erasing this recorded information, the output should be 1 to 5 m for the record 114.
By spot irradiating the laser beam L of W for 5 to 0.5 μs, the phase of the recording 114 is changed from an amorphous state to a crystallized state. As a result, recorded information can be erased.
または、光ディスク１の全面に対して、ヒータあるいは
レーザビームしで短時間加熱し、記Ｂ膜４１および４２
を拡散合金化あるいは溶解合金化して合金非晶質化の状
態にする。そして、この記録層４に対して、対物レンズ
１１によって記録すべき情報を有する出力が１〜５ｍＷ
のレーザビームＬを５〜０．５μｓの間スポット照射す
る。これにより、レーザビームＬの照射された記録層４
は、徐冷されて合金非晶質化の状態から結晶化の状態へ
と相変化する。この結果、結晶化の状態と合金非晶質化
の状態との反射率の違いにより情報の記録を行う。この
記録した情報を消去する場合は、その記録層４に対して
、出力が３〜１０ｍＷのレーザビームＬを０．３〜０．
０２μｓの間スポット照射することにより、記録層４を
結晶化の状態から非晶質化の状態に相変化させる。この
結果、記録情報の消去が行える。Alternatively, the entire surface of the optical disc 1 may be heated for a short time using a heater or a laser beam, and the B films 41 and 42 may be heated.
The alloy is made into an amorphous state by diffusion alloying or melt alloying. Then, an output of 1 to 5 mW containing information to be recorded by the objective lens 11 is applied to this recording layer 4.
Spot irradiation is performed with the laser beam L for 5 to 0.5 μs. As a result, the recording layer 4 irradiated with the laser beam L
is gradually cooled and the alloy undergoes a phase change from an amorphous state to a crystallized state. As a result, information is recorded based on the difference in reflectance between the crystallized state and the amorphous state of the alloy. When erasing this recorded information, a laser beam L with an output of 3 to 10 mW is applied to the recording layer 4 for 0.3 to 0.3 mW.
By performing spot irradiation for 02 μs, the phase of the recording layer 4 is changed from a crystallized state to an amorphous state. As a result, recorded information can be erased.
次に、１枚の光ディスク１のある部分は消去不能な記録
、つまり追記型のディスクとして使用し、また別の部分
は消去可能な記録、つまり消去可能型のディスクとして
使用する場合について説明する。まず、第１の例につい
て説明する。たとえば、消去したくない（消去不能）情
報を記録する場合は、記録１１４に対して、対物レンズ
１１によって記録すべき情報を有する出力が５〜１５ｍ
ＷのレーザビームＬを５〜０．５μｓの間スポット照射
する。これにより、レーザビームＬの照射された記録層
４の記録膜４！および４２は単一層に変換され、徐徐に
冷却されて合金結晶化の状態となる。Next, a case will be described in which a certain part of one optical disc 1 is used for non-erasable recording, that is, a write-once type disc, and another part is used for erasable recording, that is, used as an erasable type disc. First, a first example will be explained. For example, when recording information that you do not want to erase (unerasable), the objective lens 11 outputs 5 to 15 m of information that should be recorded with respect to the recording 114.
Spot irradiation is performed with a W laser beam L for 5 to 0.5 μs. As a result, the recording film 4 of the recording layer 4 irradiated with the laser beam L! and 42 are converted into a single layer and slowly cooled to a state of alloy crystallization.
この結果、記録層４に初期の状態と合金結晶化の状態と
の反射率の違いを生じさせることにより、情報の記録を
行う。この場合、合金結晶化の状態から初期の状態へは
戻れないため、情報の消去を行うことはできない。As a result, information is recorded by causing a difference in reflectance between the initial state and the alloy crystallized state in the recording layer 4. In this case, information cannot be erased because it is impossible to return from the alloy crystallized state to the initial state.
また、消去可能な情報を記録する場合は、対応する記録
１１４に対して、ヒータあるいはレーザビームで短時間
加熱し、記録層４１および４２を拡散合金化あるいは溶
解合金化し、合金非晶質化の状態にする。そして、この
記録層４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき
情報を有する出力が１〜５ｍＷのレーザビームＬを５〜
０．５μｓの間スポット照射する。これにより、レーザ
ビームＬの照射された記録Ｆ！！４は、徐徐に冷却され
て合金結晶化の状態となる。この結果、多層膜を合金結
晶化の状態に変換したときと、非晶質化の状態を結晶化
の状態に相変化したときでは、それぞれの結晶粒径が異
なることにより１反射率の違いが生じて情報の記録が行
える。この場合は、その記録層４に対して、出力が３〜
１０ｍＷのレーザビームＬを０．３〜０．０２μｓの間
スポット照射し、記録１１４を結晶化の状態から非晶質
化の状態に相変化させることにより、記録情報の消去が
行える。In addition, when recording erasable information, the corresponding recording 114 is heated for a short time with a heater or a laser beam, and the recording layers 41 and 42 are diffusion alloyed or melt alloyed, and the alloy is made amorphous. state. Then, a laser beam L having an output of 1 to 5 mW and having information to be recorded is applied to this recording layer 4 by an objective lens 11 for 5 to 5 mW.
Spot irradiation is performed for 0.5 μs. As a result, the record F! irradiated with the laser beam L! ! 4 is gradually cooled to a state of alloy crystallization. As a result, when the multilayer film is converted to an alloy crystallized state and when the phase changes from an amorphous state to a crystallized state, there is a difference in reflectance due to the difference in the respective crystal grain sizes. information can be recorded. In this case, the output for the recording layer 4 is 3~
Recorded information can be erased by irradiating a spot with a 10 mW laser beam L for 0.3 to 0.02 μs to change the phase of the recording 114 from a crystallized state to an amorphous state.
または、消去可能な情報を記録する場合、対応する記録
層４に対して、ヒータあるいはレーザビームで長時間加
熱し、記録１！Ｉ４ｔおよび４２を拡散合金化あるいは
溶解合金化し、合金結晶化の状態にする。そして、この
配録層４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき
情報を有する出力が３〜１０ｍＷのレーザビームＬを０
．３〜０．０２μｓの間スポット照射する。これにより
、レーザビームＬの照射された記録１！！Ｉ４は、急激
に冷却されて非晶質化の状態となる。この結果、多ｌｉ
！ｉ膜を合金非晶質化の状態にしたときと、結晶化の状
態を非晶質化の状態に変換したときとでは、それぞれ結
晶粒径が異なることにより、反射率の違いが生じて情報
の記録が行える。この場合は、その記録層４に対して、
出力が１〜５ｍＷのレーザビームＬを５〜０．５μｓの
間スポット照射し、記録層４を非晶質化の状態から結晶
化の状態に相変化させることにより、記録情報の消去が
行える。Alternatively, when recording erasable information, the corresponding recording layer 4 is heated for a long time with a heater or a laser beam, recording 1! I4t and 42 are diffusion alloyed or melt alloyed to bring the alloy into a crystallized state. Then, a laser beam L having an output of 3 to 10 mW containing information to be recorded is applied to this recording layer 4 using an objective lens 11.
．． Spot irradiation is performed for 3 to 0.02 μs. As a result, record 1 irradiated with the laser beam L! ! I4 is rapidly cooled and becomes amorphous. As a result, many
! When the i-film is made into an alloy amorphous state and when the crystallized state is converted to an amorphous state, the crystal grain size is different, resulting in a difference in reflectance and information. can be recorded. In this case, for the recording layer 4,
Recorded information can be erased by spot irradiating the recording layer 4 with a laser beam L having an output of 1 to 5 mW for 5 to 0.5 μs to change the phase of the recording layer 4 from an amorphous state to a crystallized state.
次に、第２の例について説明する。たとえば、消去した
くない（消去不能な）情報を記録する場合は、記録層４
に対して、対物レンズ１１によって記録すべき情報を有
する出力が５〜１５ｍＷのレーザビームＬを０．４〜０
．０１μｓの間スポット照射する。これにより、レーザ
ビームＬの照射された記録層４の記録層４１および４２
は単一層に変換され、急激に冷却されて合金非晶質化の
状態となる。この結果、記録層４に初期の状態と合金非
晶質化の状態との反射率の違いを生じさせることにより
、情報の記録を行う。この場合、合金非晶質化の状態か
ら初期の状態へは戻れないため、情報の消去を行うこと
はできない。Next, a second example will be explained. For example, if you want to record information that you do not want to erase (that cannot be erased),
On the other hand, a laser beam L having the information to be recorded by the objective lens 11 and having an output of 5 to 15 mW is heated to 0.4 to 0.
．． Spot irradiation is performed for 01 μs. This causes the recording layers 41 and 42 of the recording layer 4 to be irradiated with the laser beam L.
is converted into a single layer and rapidly cooled to an amorphous state. As a result, information is recorded by creating a difference in reflectance between the initial state and the alloy amorphous state in the recording layer 4. In this case, information cannot be erased because the alloy cannot return to its initial state from the amorphous state.
また、消去可能な情報を記録する場合は、対応する記録
１４に対して、ヒータあるいはレーザビームで短時間加
熱し、記録膜４１および４２を拡散合金化あるいは溶解
合金化し、合金非晶質化の状態にする。そして、この記
録１１４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき
情報を有する出力が１〜５ｍＷのレーザビームＬを５〜
０．５μｓの間スポット黒用する。これにより、レーザ
ご−ムＬの照射された記録層４は、除徐に冷却されて合
金結晶化の状態となる。この結果、多ＩＩＩを合金結晶
化の状態に変換したときと、非晶質化の状態を結晶化の
状態に相変化したときでは、それぞれの結晶粒径が異な
ることにより、反射率の違いが生じて情報の記録が行え
る。この場合は、その記録層４に対して、出力が３〜１
０ｍＷのレーザビームＬを０．３〜０．０２μｓの間ス
ポット照射し、記録層４を結晶化の状態から非晶質化の
状態に相変化させることにより、記録情報の消去が行え
る。When erasable information is to be recorded, the corresponding record 14 is heated for a short time with a heater or a laser beam, and the recording films 41 and 42 are diffused alloyed or melt alloyed to make the alloy amorphous. state. Then, for this recording 114, a laser beam L having an output of 1 to 5 mW and having information to be recorded by the objective lens 11 is applied for 5 to 5 mW.
The spot remains black for 0.5 μs. As a result, the recording layer 4 irradiated with the laser beam L is gradually cooled down to a state of alloy crystallization. As a result, the difference in reflectance occurs when polyIII is converted to an alloy crystallized state and when the phase changes from an amorphous state to a crystallized state due to the difference in crystal grain size. information can be recorded. In this case, the output for the recording layer 4 is 3 to 1
Recorded information can be erased by spot irradiating the recording layer 4 with a 0 mW laser beam L for 0.3 to 0.02 μs to change the phase of the recording layer 4 from a crystallized state to an amorphous state.
または、消去可能な情報を記録する場合、対応する記録
層４に対して、ヒータあるいはレーザビームして長時間
加熱し、記録膜４１および４２を拡散合金化あるいは溶
解合金化し、合金結晶化の状態にする。そして、この記
録層４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき情
報を有する出力が３〜１０ｍＷのレーザビームＬを０．
３〜０．０２μｓの間スポット照射する。これにより、
レーザビームしの照射された記録層４は、急激に冷却さ
れて合金非晶質化の状態となる。この結果。Alternatively, in the case of recording erasable information, the corresponding recording layer 4 is heated for a long time using a heater or a laser beam, and the recording films 41 and 42 are diffused alloyed or melt alloyed, and the alloy is crystallized. Make it. Then, a laser beam L having an output of 3 to 10 mW and having information to be recorded is applied to this recording layer 4 by an objective lens 11 at 0.0 mW.
Spot irradiation is performed for 3 to 0.02 μs. This results in
The recording layer 4 irradiated with the laser beam is rapidly cooled and the alloy becomes amorphous. As a result.
多層膜を合金結晶化の状態に変換したときと、非晶質化
の状態を結晶化の状態に相変化したときでは、それぞれ
の結晶粒径が異なることにより、反射率の違いが生じて
情報の記録が行える。この場合は、その記録層４に対し
て、出力が１〜５ｍＷのレーザビームＬを５〜０．５μ
ｓの間スポット照射し、記録層４を非晶質化の状態から
結晶化の状態に相変化させることにより、記録情報の消
去が行える。When a multilayer film is converted into an alloy crystallized state and when its phase changes from an amorphous state to a crystallized state, the difference in reflectance occurs due to the difference in crystal grain size, and information is transmitted. can be recorded. In this case, a laser beam L with an output of 1 to 5 mW is applied to the recording layer 4 by 5 to 0.5μ.
Recorded information can be erased by performing spot irradiation for a period of s to change the phase of the recording layer 4 from an amorphous state to a crystallized state.
次に、追記型として使用した光ディスクを消去可能型の
ディスクとして使用する場合について説明する。たとえ
ば、記録１ｉ１４に対して、対物レンズ１１によって記
録すべき情報を有する出力が５〜１５ｍＷのレーザビー
ムを５〜０．５μｓの問スポット照射し、記録層４の記
録膜４１および４２を単一層に変換する。この結果、記
録層４に初期の状態と合金結晶化の状態との反射率の違
いを生じさせることにより、情報の記録を行う。Next, a case will be described in which an optical disc used as a write-once type is used as an erasable type disc. For example, the recording 1i14 is spot irradiated with a laser beam having an output of 5 to 15 mW containing information to be recorded by the objective lens 11 for 5 to 0.5 μs, and the recording films 41 and 42 of the recording layer 4 are formed into a single layer. Convert to As a result, information is recorded by causing a difference in reflectance between the initial state and the alloy crystallized state in the recording layer 4.
このようにして、記録された情報の全て、あるいはその
一部の情報が不要となった場合、光ディスク１の全面、
あるいは不要となった情報が記録されているトラック、
セクタごとをヒータあるいはレーザビームで加熱し、記
録ＩＩ ４１および４２を、拡散合金化あるいは溶解合
金化し、結晶化の状態にする。そして、この記録１４に
対して、記録すべき情報を有する出力が３〜１０ｍＷの
レーザビームＬを０．３〜０．０２μｓの間スポット照
射し、記録層４を結晶化の状態から非晶質化の状態へと
相変化させる。この結果、結晶化の状態と非晶質化の状
態との反射率の違いにより、情報の記録を行う。この場
合は、その記録層４に対して出力が１〜５ｍＷのレーザ
ビームＬを０．５〜５μｓの間スポット照射し、記録１
４を非晶質化の状態から結晶化の状態に相変化させるこ
とにより、記録情報の消去が行える。In this way, when all or part of the recorded information becomes unnecessary, the entire surface of the optical disc 1,
Or a track where information that is no longer needed is recorded.
Each sector is heated with a heater or a laser beam, and records II 41 and 42 are diffused alloyed or melt alloyed and brought into a crystallized state. Then, a laser beam L having an output of 3 to 10 mW containing information to be recorded is spot irradiated to this recording layer 4 for 0.3 to 0.02 μs to transform the recording layer 4 from a crystallized state to an amorphous state. phase change to a state of As a result, information is recorded due to the difference in reflectance between the crystallized state and the amorphous state. In this case, the recording layer 4 is spot irradiated with a laser beam L with an output of 1 to 5 mW for 0.5 to 5 μs, and the recording layer 4 is
Recorded information can be erased by changing the phase of 4 from an amorphous state to a crystallized state.
または、合金結晶化の状態として情報の記録が行なわれ
た光ディスク１に対して、記録された情報の全て、ある
いはその一部の情報が不要となった場合、光ディスク１
の全面、あるいは不要となった情報が記録されているト
ラック、セクタごとをヒータあるいはレーザビームで加
熱し、記録層４を非晶質化の状態にする。そして、この
記録層４に対して、記録すべき情報を有する出力が１〜
５ｍＷのレーザビームＬ＠０．５〜５μｓの間スポット
照射し、記録１１４を非晶質化の状態から結晶化の状態
へと相変化させる。これにより、情報の記録を行う。こ
の場合は、その記録層４に対して、出力が３〜１０ｍＷ
のレーザビームＬを０．３〜０．０２μｓの間スポット
照射し、記録層４を結晶化の状態から非晶質化の状態へ
と相変化させることにより、情報の消去が行える。Alternatively, if all or part of the recorded information is no longer needed for the optical disc 1 on which information has been recorded as a state of alloy crystallization, the optical disc 1
The entire surface of the recording layer 4, or each track or sector in which unnecessary information is recorded, is heated with a heater or a laser beam to turn the recording layer 4 into an amorphous state. Then, for this recording layer 4, outputs having information to be recorded are 1 to 1.
Spot irradiation is performed with a laser beam L of 5 mW for a period of 0.5 to 5 μs to change the phase of the recording 114 from an amorphous state to a crystallized state. This records information. In this case, the output for the recording layer 4 is 3 to 10 mW.
Information can be erased by spot irradiating the recording layer 4 with a laser beam L for 0.3 to 0.02 μs to change the phase of the recording layer 4 from a crystallized state to an amorphous state.
また、たとえば記録層４に対して、対物レンズ１１によ
って記録すべき情報を有する出力が３〜１０ｍＷのレー
ザビームを０．３〜０．０２ｚｚｓの間スポット照射し
、記録層４の記録膜４１および４２を単一層に変換する
。この結果、記録層４に初期の状態と合金非晶質化の状
態との反射率の違いを生じさせることにより、情報の記
録を行う。Further, for example, the recording layer 4 is spot irradiated with a laser beam having an output of 3 to 10 mW having information to be recorded using the objective lens 11 for a period of 0.3 to 0.02zzs, and the recording film 41 of the recording layer 4 and 42 into a single layer. As a result, information is recorded by creating a difference in reflectance between the initial state and the alloy amorphous state in the recording layer 4.
このようにして、記録された情報の全て、あるいはその
一部の情報が不要となった場合、光ディスク１の全面、
あるいは不要となった情報が記録されているトラック、
セクタごとをヒータあるいはレーザビームで加熱し、記
録１１１４ｔおよび４２を拡散合金化あるいは溶解合金
化し、非晶質化の状態にする。そして、この記録１４に
対して、記録すべき情報を有する出力が１〜５ｍＷのレ
ーザビームＬを０．５〜５μｓの間スポット照射し、記
録層４を非晶質化の状態から結晶化の状態へと相変化さ
せる。これにより、非晶質化の状態と結晶化の状態との
反射率の違いにより、情報の記録を行う。この場合は、
その記録層４に対して出力が３〜１０ｍＷのレーザビー
ムＬを０．３〜０．０２μｓの間スポット照射し、記＃
１層４を結晶化の状態から非晶質化の状態に相変化させ
ることにより、記録情報の消去が行える。In this way, when all or part of the recorded information becomes unnecessary, the entire surface of the optical disc 1,
Or a track where information that is no longer needed is recorded.
Each sector is heated with a heater or a laser beam, and the recordings 1114t and 42 are diffused alloyed or melted alloyed and made into an amorphous state. Then, a laser beam L having an output of 1 to 5 mW containing the information to be recorded is spot irradiated onto the recording layer 4 for 0.5 to 5 μs to change the recording layer 4 from an amorphous state to a crystallized state. Change phase to state. Thereby, information is recorded based on the difference in reflectance between the amorphous state and the crystallized state. in this case,
A laser beam L with an output of 3 to 10 mW is spot irradiated to the recording layer 4 for 0.3 to 0.02 μs, and the recording layer 4 is recorded.
Recorded information can be erased by changing the phase of the first layer 4 from a crystalline state to an amorphous state.
または、合金非晶質化の状態として情報の記録が行なわ
れた光ディスク１に対して、記録された情報の全て、あ
るいはその一部の情報が不要となった場合、光ディスク
１の全面、あるいは不要となった情報が記録されている
トラック、セクタごとをヒータあるいはレーザビームで
加熱し、記録１１４を結晶化の状態にする。そして、こ
の記録層４に対して１、記録すべき情報を有する出力が
３〜１０ｍＷのレーザビームＬを０．３〜０．０２μｓ
の間スポット照射し、この記録１４を結晶化の状態から
非晶質化の状態へと相変化させる。これにより、情報の
記録を行う。この場合は、その記録層４に対して、出力
が１〜５ｍＷのレーザビームＬを０．５〜５μｓの間ス
ポット照射し、非晶質化の状態から結晶化の状態へと相
変化させることにより、情報の消去が行える。Or, if all or part of the recorded information is no longer needed for the optical disc 1 on which information has been recorded in the state of alloy amorphization, the entire surface of the optical disc 1 or unnecessary Each track or sector in which the information has been recorded is heated with a heater or a laser beam to bring the recording 114 into a crystallized state. Then, a laser beam L having an output of 3 to 10 mW containing information to be recorded is applied to this recording layer 4 for 0.3 to 0.02 μs.
Spot irradiation is performed during this period to change the phase of this record 14 from a crystallized state to an amorphous state. This records information. In this case, the recording layer 4 is spot irradiated with a laser beam L with an output of 1 to 5 mW for 0.5 to 5 μs to change the phase from an amorphous state to a crystallized state. The information can be deleted.
実施例−１
光ディスク１は、ポリカーボネイト樹脂からなる基板２
上に、保護膜３をＳｉＯ２により膜厚１０００人、記録
層４として記録１１４ｔをＧｅにより膜厚５００人およ
び記録１１１４２をＴｅにより膜厚５００大、保ｒＪｌ
１５ｅＳ ｉ ０２）ｃより膜厚１０００人、紫外線硬
化樹脂により保、１［膜６を順次積層して構成した。Example-1 An optical disc 1 has a substrate 2 made of polycarbonate resin.
On top, the protective film 3 is made of SiO2 with a thickness of 1000 mm, the recording layer 4 is made of 114t with a thickness of 500 mm, and the recording layer 4 is made of Te with a thickness of 500 mm.
From 15eS i 02)c, the film thickness was 1000, the film was maintained by ultraviolet curing resin, and the film 6 was laminated in sequence.
たとえば、消去したくない情報を記録する場合は、記録
部４に対して、対物レンズ１１によって記録すべき情報
を有する出力が９ｍＷのレーザビームＬを２μｓの間ス
ポット照射し、記録層４に初期の状態と合金結晶化の状
態との反射率の違いを生じさせることにより、情報の記
録を行う。また、消去可能な情報を記録する場合は、対
応する記録部４に対して、レーザビームで長時間加熱し
、記録ｌＢ１４ｔおよび４２を拡散合金化あるいは溶解
合金化し、結晶化の状態にする。そして、この記録層４
に対して、記録すべき情報を有する出力が７ｍＷのレー
ザビームｃ＠ｏ、 １μｓの間スポット照射し、非結晶
質化の状態とすることにより情報の記録を行う。この記
録した情報を消去する場合は、その記録層４に対して、
出力が３ｍＷのし一ザビームＬを２μｓの間スポット照
射することにより、記録層４を非結晶質化の状態から結
晶化の状態に相変化させる。これにより、記録層４には
、第４図に示すような、初期の状態、合金結晶化の状態
、結晶化の状態、および非晶質化の状態に対応した異な
る反射率が１ｑられる。For example, when recording information that you do not want to erase, the objective lens 11 irradiates a laser beam L with an output of 9 mW having the information to be recorded as a spot for 2 μs to the recording layer 4 to initialize the recording layer 4. Information is recorded by creating a difference in reflectance between the state of alloy crystallization and the state of alloy crystallization. Further, when erasable information is to be recorded, the corresponding recording portion 4 is heated for a long time with a laser beam, and the recording portions 14t and 42 are diffused alloyed or dissolved and alloyed to be in a crystallized state. And this recording layer 4
On the other hand, a laser beam c@o with an output of 7 mW containing the information to be recorded is spot irradiated for 1 μs to form an amorphous state, thereby recording information. When erasing this recorded information, for the recording layer 4,
By spot irradiating the laser beam L with an output of 3 mW for 2 μs, the phase of the recording layer 4 is changed from an amorphous state to a crystallized state. As a result, the recording layer 4 has different reflectances 1q corresponding to the initial state, alloy crystallization state, crystallization state, and amorphous state, as shown in FIG.
したがって、１枚の光ディスク１のある部分を追記型の
ディスクとして使用し、別の部分を消去可能型のディス
クとして使用ことができる。Therefore, a certain part of one optical disc 1 can be used as a write-once disc, and another part can be used as an erasable disc.
実施例−２
光ディスク１は、ポリカーボネイト樹脂からなる基板２
上に、保！！ｉ １ｍ ３を５ｉＯｚにより膜厚１００
０人、記録層４として記録ｌ！４１をＧｅにより膜厚５
００人および記！１ｊ１４２をＴｅにより膜厚５００人
、保Ｘ！ｌｌ１５を５１０２により膜厚１０００人、紫
外線硬化樹脂により保護膜６を順次積層して構成した。Example-2 The optical disc 1 has a substrate 2 made of polycarbonate resin.
On top, keep it! ! i 1m3 with 5iOz film thickness 100
0 people, recorded as record layer 4! 41 is made of Ge to give a film thickness of 5
00 people and records! 1j142 with Te film thickness of 500, maintained by X! ll15 was constructed by sequentially laminating a protective film 6 made of ultraviolet curing resin with a film thickness of 1000 using 5102.
たとえば、記録部４に対して、記録すべき情報を有する
９ｍＷのレーデビームＬを０．２μｓスポット照射し、
記録ｌ！１４に初期の状態と合金非晶質化の状態との反
射率の違いを生じさせることにより、情報の記録を行う
。For example, the recording unit 4 is irradiated with a 9 mW radar beam L having information to be recorded in a spot for 0.2 μs,
Record l! Information is recorded by creating a difference in reflectance between the initial state and the amorphous state of the alloy.
このようにして、記録された情報の一部が不要となった
場合、その情報が記録されているトラックごとをレーザ
ビームしで加熱することにより、記録＃Ｉ４！および４
２を拡散合金化あるいは溶解合金化し、非晶質化の状態
にする。そして、この記録部４に対して、記録すべき情
報を有する出力が３ｍＷのレーザビームＬを２μｓの間
スポット照射することにより、記録層４を結晶化の状態
に変化させて情報の記録を行う。また、この情報の消去
を行う場合、対応する記録１１４に対して、出力が７ｍ
ＷのレーザビームＬ＠０．１μｓスポット照射し、記録
部４を結晶化の状態から非晶質化の状態へと相変化させ
る。これにより、記録層４には、第５図に示すように、
初期の状態、結晶化の状態、合金非結晶質化の状態、お
よび非晶質化の状態に対応した異なる反射率が得られる
。In this way, when a part of the recorded information is no longer needed, by heating each track where the information is recorded with a laser beam, recording #I4! and 4
2 is made into an amorphous state by diffusion alloying or melting alloying. Then, by spot irradiating this recording layer 4 with a laser beam L having the information to be recorded and having an output of 3 mW for 2 μs, the recording layer 4 is changed to a crystallized state and information is recorded. . In addition, when erasing this information, the output is 7 m for the corresponding record 114.
Spot irradiation with a W laser beam L@0.1 μs is performed to change the phase of the recording portion 4 from a crystallized state to an amorphous state. As a result, the recording layer 4 has the following properties as shown in FIG.
Different reflectances are obtained corresponding to the initial state, the crystallized state, the alloy amorphous state, and the amorphous state.
したがって、追記型として使用した光ディスクを消去可
能型のディスクとして使用することができる。Therefore, an optical disc used as a write-once type can be used as an erasable type disc.
実施例−３
光ディスク１は、ポリカーボネイト樹脂からなる基板２
上に、保ｆｆ１１３をＳｉＯ２により膜厚１０００人、
記録１１４として記録＋１１１４１をＳｉにより膜厚２
００人および記録膜４２をＡｕにより膜厚８００人、保
護ｆｆ５をＳｉＯ２により膜厚１０００人、紫外線硬化
樹脂により保護ｍ６を順次積層して構成した。Example-3 Optical disc 1 has a substrate 2 made of polycarbonate resin
On top, protect ff113 with SiO2 film thickness of 1000,
As record 114, record +11141 with Si film thickness 2
The recording film 42 was made of Au with a thickness of 800, the protection ff5 was made of SiO2 with a thickness of 1000, and the protection m6 was made of ultraviolet curing resin.
たとえば、記録部４に対して、記録すべき情報を有する
５ｍＷのレーザビームＬを５μｓの間スポット照射し、
記録層４に初期の状態と合金結晶化の状態との反射率の
違いを生じさせることにより情報の記録を行う。For example, the recording unit 4 is spot irradiated with a 5 mW laser beam L having information to be recorded for 5 μs,
Information is recorded by creating a difference in reflectance between the initial state and the alloy crystallized state in the recording layer 4.
このようにして、記録された情報の一部が不要となった
場合、その情報が記録されているセクタをレーザビーム
Ｌで加熱することにより、記録膜４１および４２を拡散
合金化あるいは溶解合金化し、結晶化の状態にする。そ
して、この記録層４に対して、記録すべき情報を有する
１０ｍＷのし一ザピームＬを０．０２μｓの間スポット
照射することにより、記録１１４を非晶質化の状態に変
化させて情報の記録を行う。また、この情報の消去を行
う場合、対応する記録１１４に対して、１ｍＷのレーザ
ビームＬを５μｓの間スポット照射し、記録Ｊｉ４を非
晶質化の状態から結晶化の状態へと相変化させる。In this way, when a part of the recorded information is no longer needed, the recording films 41 and 42 are diffusion alloyed or melt alloyed by heating the sector in which the information is recorded with the laser beam L. , to a state of crystallization. Then, by spot irradiating the recording layer 4 with a 10 mW laser beam L having information to be recorded for 0.02 μs, the recording layer 4 is changed to an amorphous state and the information is recorded. I do. In addition, when erasing this information, the corresponding record 114 is spot irradiated with a 1 mW laser beam L for 5 μs to change the phase of the record Ji4 from an amorphous state to a crystallized state. .
したがって、追記型として使用した光ディスク１を消去
可能型のディスクとして使用できる。Therefore, the optical disc 1 used as a write-once type can be used as an erasable type disc.
実施例−４
光ディスク１は、ポリカーボネイト樹脂からなる基板２
上に、保護膜３をＳ Ｉ ０２により膜厚１０００人、
記録１ｉ１４として記録１１！４ｔをＳｉにより膜厚１
７０人および記録膜４２をＡｇにより膜厚８３０人、保
護ＩＩ！１５を５ｉＱ２によりＩＩ膜厚 ０００人、紫
外線硬化制能により保１１１１６を順次積層して構成し
た。Example-4 The optical disc 1 has a substrate 2 made of polycarbonate resin.
On top, a protective film 3 is applied with a film thickness of 1000 using S I 02.
As record 1i14, record 11!4t is made of Si with a film thickness of 1
70 people and the recording film 42 is coated with Ag to a film thickness of 830 people, protection II! 15 was made of 5iQ2 with a film thickness of II 000, and 11116 was sequentially laminated with ultraviolet curing control.
たとえば、消去したくない情報を記録する場合は、記録
１ｉ１４に対して、記録すべき情報を有する１５ｍＷの
レーザビームＬを０．５μｓの間スポット照射し、記録
層４に初期の状態と合金結晶化の状態との反射率の違い
を生じさせることにより、情報の記録を行う。また、消
去可能な情報を記録する場合は、対応する記録層４に対
して、レーザビームで短時間加熱し、非晶質化の状態に
する。For example, when recording information that you do not want to erase, the recording 1i14 is spot irradiated with a 15 mW laser beam L having the information to be recorded for 0.5 μs, and the recording layer 4 is exposed to the initial state and the alloy crystal. Information is recorded by creating a difference in reflectance between the two states. Further, when erasable information is to be recorded, the corresponding recording layer 4 is heated for a short time with a laser beam to make it amorphous.
そして、この記録層４に対して、記録すべき情報を有す
る１ｍＷのレーザビームＬを５μＳの間スポット照射し
、記録層４を非晶質化の状態から結晶化の状態へと相変
化させることにより、情報の記録を行う。この情報の消
去を行う場合、その記録層４に対して、１０ｍＷのレー
ザビームＬを０．０２μｓの間スポット照射することに
より、記録層４を非晶質化の状態へと相変化させる。Then, the recording layer 4 is spot irradiated with a 1 mW laser beam L having information to be recorded for 5 μs to change the phase of the recording layer 4 from an amorphous state to a crystallized state. to record information. When erasing this information, the recording layer 4 is spot irradiated with a laser beam L of 10 mW for 0.02 μs to change the phase of the recording layer 4 to an amorphous state.
したがって、１枚の光ディスクのある部分を追記型の光
ディスクとして使用し、また別の部分を消去可能型の光
ディスクとして使用することができる。Therefore, one part of one optical disc can be used as a write-once optical disc, and another part can be used as an erasable optical disc.
上記実施例によれば、この光ディスクは、多層からなる
記録層を合金結晶化の状態あるいは合金非晶質化の状態
に変換したときと、合金結晶化の状態から非晶質化の状
態あるいは合金非晶質化の状態から結晶化の状態にした
ときとで生じる反射率の違いにより、消去不能な情報の
記録、および消去可能な情報の記録を行うものである。According to the embodiment described above, this optical disc can be produced by converting a multilayer recording layer into an alloy crystallized state or an alloy amorphous state, and when the alloy crystallized state is converted into an amorphous state or an alloy crystallized state. The difference in reflectance that occurs when changing from an amorphous state to a crystallized state is used to record non-erasable information and record erasable information.
これにより、１枚の光ディスクを追記型、消去可能型の
どちらにも使用することができ、省資源化および低コス
トかを図ることができる。As a result, one optical disc can be used for either write-once type or erasable type, and it is possible to save resources and reduce costs.
［発明の効果］
以上、詳述したようにこの発明によれば、１枚の光ディ
スクに対して消去不能な記録、および消去・可能な記録
の両方を行うことができる光記録媒体を提供できる。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide an optical recording medium that can perform both non-erasable recording and erasable recording on one optical disc.
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１図は要部
を説明するための断面図、第２図は光ディスクの構成例
を示す要部の断面図、第３図は他の光ディスクの構成例
を示す要部の断面図、第４図、第５図は光ディスクの表
面反射率の違いを説明するための図である。
１・・・光ディスク、２・・・基板、３，５・・・保護
膜、４・・・記録層、４ｒ 、４２・・・記録膜、６・
・・保ｉＩ！膜、１１・・・対物レンズ、Ｌ・・・レー
ザビーム。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図
第２図
第３図
第 ４９
第 ５ 図
１、事件の表示
特願昭６１−４５９６４号
２、発明の名称
光記録媒体および光記録媒体の記録方法３、補正をする
者
事件との関係 特許出願人
（３０７） 株式会社 東 芝
４、代理人
東京都千代田区霞が関３丁目７Ｉ！２号 ＬＩＢＥビル
７、補正の内容
（１）明ＷＩ口の第１７頁第１６行目乃至第１９行目に
、「この結果、多層膜を合金非晶質化の状態に・・・そ
れぞれ結晶粒径が異なる」とあるを、「この結果、多層
膜を合金結晶化の状態にしたときと、結晶化の状態を非
晶質化の状態に変換したときとでは、それぞれ結晶構造
が異なる」と訂正する。
■ 明細層の第２０頁第７行目乃至第９行目に、「非晶
質化の状態を結晶化の状態・・・それぞれの結晶粒径が
異なる」とあるを、「結晶化の状態を非晶質化の状態に
相変化したときでは、それぞれの結晶構造が異なる」と
訂正する。
（３）明１８１の第３１頁第７行目に、「低コストかと
あるを、「低コスト化」と訂正する。The drawings show one embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the main parts, FIG. 2 is a cross-sectional view of the main parts showing an example of the configuration of an optical disc, and FIG. FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of main parts showing an example of the configuration, and are diagrams for explaining differences in surface reflectance of optical discs. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Optical disc, 2... Substrate, 3, 5... Protective film, 4... Recording layer, 4r, 42... Recording film, 6...
・Koii! Film, 11...Objective lens, L...Laser beam. Applicant's Representative Patent Attorney Takehiko Suzue 1 Figure 2 Figure 3 Figure 49 Figure 5 Figure 1, Indication of the case Japanese Patent Application No. 61-45964 2, Name of the invention Optical recording medium and recording of optical recording medium Method 3: Relationship with the person making the amendment Patent applicant (307) Toshiba Corporation 4, agent 3-7I Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo! No. 2 LIBE Building 7, contents of amendments (1) Mei WI mouth, page 17, lines 16 to 19, it is stated that ``As a result, the multilayer film is in an alloy amorphous state... "The grain size is different" is replaced by "As a result, the crystal structure is different when the multilayer film is in an alloy crystallized state and when the crystallized state is converted to an amorphous state." I am corrected. ■ In the 7th to 9th lines of page 20 of the detailed layer, it is stated that "the amorphous state is the crystallized state...each crystal grain size is different" is replaced with "the crystallized state". When the phase changes to an amorphous state, each crystal structure is different.'' (3) In Mei 181, page 31, line 7, the phrase ``low cost'' is corrected to ``low cost''.
Claims (7)
情報の記録を行うことを可能とし、且つ少なくとも２種
類以上の組成の異なる膜を液体急冷により初期の状態か
ら非晶質化の状態、あるいは液体徐冷により初期の状態
から結晶化の状態に変化させることが可能な膜厚比によ
って多層に構成した記録層を有することを特徴とする光
記録媒体。(1) It is possible to record information by locally causing a change in optical properties, and at least two or more types of films with different compositions are changed from an initial state to an amorphous state by rapid cooling with a liquid. Alternatively, an optical recording medium characterized in that it has a multilayer recording layer with a film thickness ratio that can be changed from an initial state to a crystallized state by slow liquid cooling.
ら結晶化の状態に変化させることが可能な膜厚比によつ
て構成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。(2) The recording layer has a thickness ratio that allows it to be changed from an amorphous state to a crystallized state by slow liquid cooling. Optical recording medium described in Section 1.
非晶質化の状態に変化させることが可能な膜厚比によつ
て構成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光記録媒体。(3) Claim 1, characterized in that the recording layer has a film thickness ratio that allows it to be changed from a crystalline state to an amorphous state by rapid cooling of the liquid. The optical recording medium described.
ｅ膜とＴｅ膜との膜厚比をそれぞれ１対１で構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体
。(4) The recording layer is made of a thin film of Ge and Te,
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the film thickness ratio of the E film and the Te film is 1:1.
ｉ膜とＡｕ膜とをそれぞれ２対８から３対７の膜厚比で
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光記録媒体。(5) The recording layer is made of a thin film of Au and Si, and
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the i-film and the Au film have a thickness ratio of 2:8 to 3:7, respectively.
ｉ膜とＡｇ膜とをそれぞれ１．７対８．３から３対７の
膜厚比で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光記録媒体。(6) The recording layer is made of a thin film of Ag and Si, and
Claim 1 characterized in that the i film and the Ag film are each configured with a film thickness ratio of 1.7:8.3 to 3:7.
Optical recording medium described in Section 1.
せよりなる記録層を設け、この記録層に記録すべき情報
を有するビームを照射することにより上記記録層を局所
的に単一層に変換して情報の記録を行うものにおいて、
上記記録層に高出力のビームを短時間照射することによ
り非晶質化の状態、あるいは上記記録層に低出力のビー
ムを長時間照射することにより結晶化の状態に相変化さ
せることにより情報の消去および記録を行うことを特徴
とする光記録媒体の記録方法。(7) A recording layer made of a superposition of at least two types of thin films is provided on the substrate, and the recording layer is locally converted into a single layer by irradiating the recording layer with a beam having information to be recorded. In those that record information by
By irradiating the recording layer with a high-power beam for a short period of time, it becomes an amorphous state, or by irradiating the above-mentioned recording layer with a low-power beam for a long time, it changes the phase to a crystallized state. A recording method for an optical recording medium, characterized by performing erasing and recording.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045964A JPS62204442A (en) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | Optical recording medium and its recording method |
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| JPS62204442A true JPS62204442A (en) | 1987-09-09 |
Family
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|---|---|---|---|
| JP61045964A Pending JPS62204442A (en) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | Optical recording medium and its recording method |
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