JPS62202571A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62202571A JPS62202571A JP61044785A JP4478586A JPS62202571A JP S62202571 A JPS62202571 A JP S62202571A JP 61044785 A JP61044785 A JP 61044785A JP 4478586 A JP4478586 A JP 4478586A JP S62202571 A JPS62202571 A JP S62202571A
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- Japan
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- signal line
- control electrode
- signal
- operational amplifier
- photodiode
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、信号を伝達する信号ラインを少なくともノル
板上に有する半導体装置に係り、特に信−)が微小領域
にある場合にも正確な信号伝達又は信号処理を行うこと
を企図したでV′:導体装置に関する。
板上に有する半導体装置に係り、特に信−)が微小領域
にある場合にも正確な信号伝達又は信号処理を行うこと
を企図したでV′:導体装置に関する。
本発明による半導体装置は、′e小信号の伝達や信号処
理を行う装置一般に適用され、たとえば光起電力素子の
出力である微小な光電流を処理する装置等に適用される
。
理を行う装置一般に適用され、たとえば光起電力素子の
出力である微小な光電流を処理する装置等に適用される
。
[従来技術およびその問題点]
一般に、微小な領域における信号をラインを通して伝達
し処理する場合、ラインからのリーク電流又は外部から
ラインに流入する電流によって。
し処理する場合、ラインからのリーク電流又は外部から
ラインに流入する電流によって。
正確な信号の伝達および処理は困難であり、あるいは不
可f@である。
可f@である。
たとえば、フォトダイオードの出力をログアンプで増幅
した出力電圧は、照度が小さくフォトダイオードの光起
電流が微小である場合、リーク電流等によってばらつき
が生じてしまい、正確な光電変換出力を得ることができ
なかった(第4図参照)、このために、従来では補正回
路を付加して信号の調整を行っていた。
した出力電圧は、照度が小さくフォトダイオードの光起
電流が微小である場合、リーク電流等によってばらつき
が生じてしまい、正確な光電変換出力を得ることができ
なかった(第4図参照)、このために、従来では補正回
路を付加して信号の調整を行っていた。
しかしながら、出力電圧が第4図の斜線部に示すように
ばらつくと、細かい補正が困難となり正確の信シ)処理
ができなくなるという問題点を有し、更に、補正回路を
付加することは、特に多数の微小信−(を入力する構成
の装置では回路の複雑化を招来し、それに伴なって製造
工程が複雑化し、製造コストがL昇するという問題点も
有していた。
ばらつくと、細かい補正が困難となり正確の信シ)処理
ができなくなるという問題点を有し、更に、補正回路を
付加することは、特に多数の微小信−(を入力する構成
の装置では回路の複雑化を招来し、それに伴なって製造
工程が複雑化し、製造コストがL昇するという問題点も
有していた。
[問題点を解決するための手段]
本発明による半導体装置は、基板上の信号ラインの一方
の側又は両方の側に制御電極手段を併設し、各制御電極
手段の電位が所望の一定電位に設定されていることを特
徴とする。
の側又は両方の側に制御電極手段を併設し、各制御電極
手段の電位が所望の一定電位に設定されていることを特
徴とする。
[作用]
このような所望の一定電位に設定された制御電極手段を
設けることで、信号ラインの信号のばらつきを抑えるこ
とができ、正確な信号処理が可能となる。
設けることで、信号ラインの信号のばらつきを抑えるこ
とができ、正確な信号処理が可能となる。
更に、制御電極手段と信号ラインとの距離を適当に定め
ることによって、リーク電流および流入電流を制御する
こともでき、微小信号レベルでの信−)伝達および信号
処理能力を向上させることができる。このために、従来
必要であった補正回路を省略することができ、構成の簡
略化および製造1ニ程の簡略化も達成することができる
。
ることによって、リーク電流および流入電流を制御する
こともでき、微小信号レベルでの信−)伝達および信号
処理能力を向上させることができる。このために、従来
必要であった補正回路を省略することができ、構成の簡
略化および製造1ニ程の簡略化も達成することができる
。
[実施例]
以ド1本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明による半導体装置の一実施例である光
センサ装置の一部省略の概略的パターン構成図であり、
第2図はその等価回路図である。
センサ装置の一部省略の概略的パターン構成図であり、
第2図はその等価回路図である。
本実施例は、フォトダイオードがログアンプに接続され
た構成を有している。すなわち、第1図。
た構成を有している。すなわち、第1図。
および第2図において、フォトダイオードlのカソード
電極2およびアノード電極3はオペアンプ4の非反転端
子および反転端子に各々接続されている。また、カソー
ド電極2には基準電圧Vcが印加され、アノード電極3
は信号ライン5に接続されている。
電極2およびアノード電極3はオペアンプ4の非反転端
子および反転端子に各々接続されている。また、カソー
ド電極2には基準電圧Vcが印加され、アノード電極3
は信号ライン5に接続されている。
信号ライン5の両側には制御電極ライン6および7が併
設され、各制御電極ラインには一定電圧Vc’およびV
c”が各々印加されている。
設され、各制御電極ラインには一定電圧Vc’およびV
c”が各々印加されている。
信号ライン5はログダイオード8を介してオペアンプ4
の出力端子に接続され、ログアンプを構成している。な
お、ここではログダイオード8としてバイポーラトラン
ジスタのベースオヨヒコレクタが接続されたものが用い
られている。
の出力端子に接続され、ログアンプを構成している。な
お、ここではログダイオード8としてバイポーラトラン
ジスタのベースオヨヒコレクタが接続されたものが用い
られている。
このような構成において、光がフォトダイオードlに入
射すると、光起電流が信号ライン5を通してログダイオ
ード8へ流れ、オペアンプ4の出力端fに対数変換され
た出力電圧が現われる。
射すると、光起電流が信号ライン5を通してログダイオ
ード8へ流れ、オペアンプ4の出力端fに対数変換され
た出力電圧が現われる。
第3図(A)および(B)は、それぞれ制御電極ライン
の設定電位が信号ラインより低い場合および高い場合の
出力電圧の変化を示すグラフである。
の設定電位が信号ラインより低い場合および高い場合の
出力電圧の変化を示すグラフである。
第3図(A)の場合では、制御電極ライン6および7の
設定電位Vc’およびVc”が信号ライン5の電位より
低いために、信−)ライン5から電流が流出し、微小信
t)領域において出力電圧がト昇する傾向を示す、また
第3図(B)の場合では、逆に信号ライン5に電流が流
入し、微小信号領域において出力゛1に圧がド降する傾
向を示す。
設定電位Vc’およびVc”が信号ライン5の電位より
低いために、信−)ライン5から電流が流出し、微小信
t)領域において出力電圧がト昇する傾向を示す、また
第3図(B)の場合では、逆に信号ライン5に電流が流
入し、微小信号領域において出力゛1に圧がド降する傾
向を示す。
しかしながら、いずれにしても出力電圧は、第4図に示
すようにばらつくことはなく、補正回路を設ければ、正
確な出力信1)を容易に得ることができる。
すようにばらつくことはなく、補正回路を設ければ、正
確な出力信1)を容易に得ることができる。
更に、信号ライン5と制御電極ライン6および7との距
離を調整することで、リーク電流および外部からの電流
の流入を防止することができ、補正回路を設けることな
く、入射光量に正確に対応した出力電圧を得ることがで
きる。
離を調整することで、リーク電流および外部からの電流
の流入を防止することができ、補正回路を設けることな
く、入射光量に正確に対応した出力電圧を得ることがで
きる。
なお、本発明は、本実施例に限定されるものではなく、
微小信号を正確に伝達および処理しようとする半導体装
置に適用可能である。
微小信号を正確に伝達および処理しようとする半導体装
置に適用可能である。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明による半導体装置は
、所望の一定電位に設定された制御電極手段を設けるこ
とで、信号ラインの信号のばらつきを抑えることができ
、正確な信号処理が可使となる。
、所望の一定電位に設定された制御電極手段を設けるこ
とで、信号ラインの信号のばらつきを抑えることができ
、正確な信号処理が可使となる。
更に、制御電極手段と信号ラインとの距離を適当に定め
ることによって、リーク電流および流入する電流の制御
を行うこともでき、微小信号レベルでの信号伝達および
信号処理能力を向トさせることができる。このために、
従来必要であった補正回路を省略することができ、構成
の筒略化および製造工程の簡略化も達成することができ
る。
ることによって、リーク電流および流入する電流の制御
を行うこともでき、微小信号レベルでの信号伝達および
信号処理能力を向トさせることができる。このために、
従来必要であった補正回路を省略することができ、構成
の筒略化および製造工程の簡略化も達成することができ
る。
第1図は、本発明による半導体装置の一実施例である光
センサ装置の一部省略の概略的パターン構成図、 第2図は本実施例の等価回路図、 第3図(A)および(B)は、それぞれ本実施例におけ
る制御電極ラインの設定電位が信号ラインより低い場合
および高い場合の照度と出力電圧との関係を示すグラフ
、 第4図は、制御電極ラインを有さないフォトダイオード
およびログアンプの場合の照度と出力電圧との関係を示
すグラフである。 1a@・フォトダイオード 5・・赤信号ライン 6.7・・・制御電極ライン 代理人 弁理F 山 f 穣 f 第1図 第2図
センサ装置の一部省略の概略的パターン構成図、 第2図は本実施例の等価回路図、 第3図(A)および(B)は、それぞれ本実施例におけ
る制御電極ラインの設定電位が信号ラインより低い場合
および高い場合の照度と出力電圧との関係を示すグラフ
、 第4図は、制御電極ラインを有さないフォトダイオード
およびログアンプの場合の照度と出力電圧との関係を示
すグラフである。 1a@・フォトダイオード 5・・赤信号ライン 6.7・・・制御電極ライン 代理人 弁理F 山 f 穣 f 第1図 第2図
Claims (1)
- (1)半導体基板上の信号ラインの一方の側又は両方の
側に制御電極手段を併設し、各制御電極手段の電位が所
望の一定電位に設定されていることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61044785A JPS62202571A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
DE19873706251 DE3706251A1 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-26 | Halbleitervorrichtung |
US07/587,616 US5150189A (en) | 1986-02-28 | 1990-09-24 | Semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61044785A JPS62202571A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62202571A true JPS62202571A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12701059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61044785A Pending JPS62202571A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62202571A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312085A (en) * | 1992-05-20 | 1994-05-17 | Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd. | Control valve |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60214561A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61044785A patent/JPS62202571A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60214561A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312085A (en) * | 1992-05-20 | 1994-05-17 | Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd. | Control valve |
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