JPS62199031A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

Info

Publication number
JPS62199031A
JPS62199031A JP61043341A JP4334186A JPS62199031A JP S62199031 A JPS62199031 A JP S62199031A JP 61043341 A JP61043341 A JP 61043341A JP 4334186 A JP4334186 A JP 4334186A JP S62199031 A JPS62199031 A JP S62199031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
light
intensity
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61043341A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0588529B2 (en
Inventor
Yuji Ashikaga
足利 祐司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP61043341A priority Critical patent/JPS62199031A/en
Publication of JPS62199031A publication Critical patent/JPS62199031A/en
Publication of JPH0588529B2 publication Critical patent/JPH0588529B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To correct the position of a stage by irradiating a wafer on the stage by a luminous element through a mask and calculating an OFF position based on electric signals corresponding to the difference in intensity of the reflected lights from the stage, wafer, and mask so as to move the stage. CONSTITUTION:Light emission of a LED 53 is controlled by a control circuit 57 including a calculator and a wafer 33 on a stage 41 is irradiated through a mask 49 having a mark 51. The reflected lights from the stage 41, wafer 33, and mark 51 on the mask are detected by a CCD 55 which converts them into electric signals and sends them to the control circuit 57. As the intensity of the reflected light from the mark 51 is different from that from the stage or wafer, a circuit 27 determines the position of the mark 51 based on an electric signal corresponding to the difference in intensity. Also, the reflected light intensity of the wafer is different from that of the stage and the OFF position can be determined based on an electric signal corresponding to the intensity difference. The control circuit drives pulse motors 43 and 45 to set the wafer at the optimum position.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は露光装置、特に半導体装置の製造工程で使用さ
れる露光装置のアライメント手段に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an exposure apparatus, and particularly to an alignment means for an exposure apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices.

〈従来の技術〉 第4図は従来の露光装置の概略構成を示す正面図であり
、まず従来例について説明すると、1はプリアライメン
トステーションであり、このプリアライメントステーシ
ョン1にはコンベア(図示せず)によりウェハ3が供給
される。プリアライメントステーション1上のウェハ3
はエアベアリングで浮き上がらされた状態で位置を調整
され、ウェハ3に形成されたオリエンテーションフラッ
ト5をプリアライメントステーション1上の所定位置に
一致させられる。
<Prior Art> FIG. 4 is a front view showing a schematic configuration of a conventional exposure apparatus. First, the conventional example will be explained. 1 is a pre-alignment station, and this pre-alignment station 1 includes a conveyor (not shown). ) the wafer 3 is supplied. Wafer 3 on pre-alignment station 1
The position of the wafer 3 is adjusted while being lifted by an air bearing, and the orientation flat 5 formed on the wafer 3 is aligned with a predetermined position on the pre-alignment station 1.

7はバキュームピンセットを支持する駆動アームを示し
ており、矢印入方向に回動してプリアライメントステー
ション1上のウェハ3を露光装置9内に搬入する。露光
装置9は搬入されたウェハ3を載置する可動ステージ1
1を有しており、この可動ステージ11はパルスモータ
13,15により直交二軸方向に移動可能である。17
は露光装R9の光学系を示しており、該光学系17内に
セットされたガラスマスク(図示せず)に形成されたパ
ターンを可動ステージ11上のウェハ3に転写するもの
である。
Reference numeral 7 indicates a drive arm that supports the vacuum tweezers, and rotates in the direction of the arrow to carry the wafer 3 on the pre-alignment station 1 into the exposure apparatus 9. The exposure apparatus 9 has a movable stage 1 on which the wafer 3 carried in is placed.
1, and this movable stage 11 is movable in two orthogonal axes directions by pulse motors 13 and 15. 17
1 shows an optical system of the exposure device R9, which transfers a pattern formed on a glass mask (not shown) set in the optical system 17 onto the wafer 3 on the movable stage 11.

上記プリフライメントステーション1と可動ステージ1
1との相対的位置関係は、プリアライメントステーショ
ン1に設けられているX方向調整用マイクロメータ19
とY方向調整用マイクロメータ21と傾き調整用マイク
ロメータ23とでプリフライメントステーション1をそ
れぞれの方向に移動または回動させて調整する。
Preflight station 1 and movable stage 1 above
1 is the X-direction adjustment micrometer 19 provided in the pre-alignment station 1.
The Y-direction adjustment micrometer 21 and the tilt adjustment micrometer 23 are used to move or rotate the preflight station 1 in the respective directions for adjustment.

〈発明の解決しようとする問題点〉 一般に半導体装置の製造工程では最初の露光工程でウェ
ハ3に複数のアライメントマークを焼き付け、以後の露
光工程はこれらアライメントマークを基準にしてウェハ
3上にパターンを順次重ね合せて行く。ところが、最初
の露光工程ではウェハ3に形成されてるスクラブライン
等を顕微鏡で観察しながら可動ステージ11を移動させ
て位置合せをしなければならず、プリアライメントステ
ーション1と可動ステージ11との相対的位置が大幅に
狂っていると、ウェハ3が駆動アーム7によりプリアラ
イメントステーション1から可動ステージ11に搬送さ
れたときウェハ3が顕微鏡の視野から大きくずれてしま
い、最初の露光工程のための位置合せを誤るおそれがあ
った。
<Problems to be Solved by the Invention> Generally, in the manufacturing process of semiconductor devices, a plurality of alignment marks are printed on the wafer 3 in the first exposure process, and in the subsequent exposure process, patterns are created on the wafer 3 based on these alignment marks. Layer them one by one. However, in the first exposure process, the movable stage 11 must be moved and aligned while observing the scrub lines formed on the wafer 3 with a microscope, and the relative position between the pre-alignment station 1 and the movable stage 11 must be adjusted. If the position is significantly out of alignment, the wafer 3 will be greatly deviated from the field of view of the microscope when the drive arm 7 transports the wafer 3 from the pre-alignment station 1 to the movable stage 11, making it difficult to align the wafer 3 for the first exposure process. There was a risk of making a mistake.

かかる位置合せにおける誤りを排除するためには、プリ
アライメントステーション1と可動ステージ11との相
対的位置合せに正確を期さなければならないが、この相
対的位置合せをプリアライメントステージ3ン1に設け
られているX方向肩整用マイクロメータ19とY方向調
整用マイクロメータ21と傾き調整用マイクロメータ2
3とで行っていたので、調整が煩雑になり頻繁にプリア
ライメントステーション1と可動ステージ11との相対
的位置合せを行えないという問題点があった。
In order to eliminate errors in such positioning, it is necessary to ensure accurate relative positioning between pre-alignment station 1 and movable stage 11. X-direction shoulder adjustment micrometer 19, Y-direction adjustment micrometer 21, and tilt adjustment micrometer 2
3, the adjustment becomes complicated and the relative positioning of the pre-alignment station 1 and the movable stage 11 cannot be performed frequently.

したがって、本発明の目的は、プリアライメントステー
ションと露光装置のステージとの相対的位置の誤差を許
容し、最初の露光工程におけるウェハの位置を正確に調
整できる露光装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can tolerate errors in relative position between a pre-alignment station and a stage of an exposure apparatus and can accurately adjust the position of a wafer in the first exposure process.

〈問題点を解決するための手段〉 本発明はオリエンテーションフラットを有するウェハを
支持し複数方向に移動可能なステージと、マスクを支持
し該マスクに形成されたパターンを上記ウェハに転写す
る光学露光系とを具えた露光装置において、上記マスク
の透光部分を介してステージ上に到達可能な光を照射す
る発光体と1反射光の強度に対応した電気信号を出力す
る受光体とをさらに設け、上記マスクにステージからの
反射光およびウェハからの反射光とは異なる強度の反射
光を発生させるマークを基準位置に対応させて付し、上
記ステージで反射される反射光と上記ウェハで反射され
る反射光と上記マークで反射される反射光との強度差に
対応した電気信号に基づきステージ上におけるオリエン
テーションフラットの位置を算出し該算出結果に基づき
ステージを移動させ上記ウェハの位置を修正させる演算
手段を具えたことを特徴とする。
<Means for Solving the Problems> The present invention provides a stage that supports a wafer having an orientation flat and is movable in multiple directions, and an optical exposure system that supports a mask and transfers a pattern formed on the mask onto the wafer. The exposure apparatus further includes a light emitter that irradiates light that can reach the stage through the transparent portion of the mask, and a light receiver that outputs an electric signal corresponding to the intensity of one reflected light, A mark that generates reflected light with a different intensity from the reflected light from the stage and the reflected light from the wafer is attached to the mask in correspondence with the reference position, and the reflected light reflected from the stage and the reflected light from the wafer are attached. Calculating means for calculating the position of the orientation flat on the stage based on an electric signal corresponding to the intensity difference between the reflected light and the reflected light reflected by the mark, and moving the stage based on the calculation result to correct the position of the wafer. It is characterized by having the following.

く作用および効果〉 上記構成に係わる露光装置は1発光体からマスクを介し
てステージ上に載置されたウェハに対して照射し、ステ
ージ、ウェハ、マスク上に付されたマークからの反射光
を受光体で反射光の強度に比例した電気信号に変換する
。マスクに付されたマークで反射された反射光の強度は
ステージとウェハとから反射された反射光の強度と異な
るので。
Functions and Effects> The exposure apparatus with the above configuration emits light from one light emitter through a mask onto a wafer placed on a stage, and emits reflected light from marks placed on the stage, wafer, and mask. The photoreceptor converts the reflected light into an electrical signal proportional to its intensity. This is because the intensity of the reflected light reflected from the marks attached to the mask is different from the intensity of the reflected light reflected from the stage and wafer.

演算手段は反射光の強度に対応する電気信号に基づきマ
ークの位置を決定する。また、ウェハは鏡面仕上されて
いるので、ウェハで反射される反射光の強度もステージ
で反射される反射光の強度と異なり、演算手段はこれら
の反射光の強度に対応した電気信号に基づきウェハのオ
リエンテーションフラットの位置を決定することができ
る。したがって、演算手段は上記マークの位置に対する
ウェハのオリエンテーションフラットの位置を定めるこ
とができ、予めマークの位置をステージの所定位置に対
応させておくことにより、ステージ上のオリエンテーシ
ョンフラットの位置を確定することができる。こうして
ステージ上のオリエンテーションフラットの位置を確定
することができれば、ステージを移動させ、ウェハを所
望の位置に位置させることができる。その結果、ウェハ
を常に最適位置に位置させることができ、ウェハの所定
位置にマスクのパターンを焼き・jけることができる。
The calculation means determines the position of the mark based on the electrical signal corresponding to the intensity of the reflected light. In addition, since the wafer has a mirror finish, the intensity of the reflected light reflected by the wafer is different from the intensity of the reflected light reflected by the stage, and the calculation means uses electrical signals corresponding to the intensities of these reflected lights to The orientation of the flat position can be determined. Therefore, the calculation means can determine the position of the orientation flat of the wafer with respect to the position of the mark, and by associating the mark position with a predetermined position of the stage in advance, the position of the orientation flat on the stage can be determined. I can do it. If the position of the orientation flat on the stage can be determined in this way, the stage can be moved to position the wafer at a desired position. As a result, the wafer can always be positioned at the optimum position, and a mask pattern can be printed at a predetermined position on the wafer.

〈実施例〉 第1図は本発明の一実施例の構成を示す概略正面図であ
り、31はプリアライメントステーションを示している
。このプリアライメントステーション31にはコンベア
(図示せず)によりウェハ33が供給される。プリアラ
イメントステーション31上のウェハ33はエアベアリ
ングで浮き上がらされた状態で位置を調整され、ウェハ
33に形成されたオリエンテーションフラット35をプ
リアライメントステーション31上の所定位置に一致さ
せられる。
<Embodiment> FIG. 1 is a schematic front view showing the configuration of an embodiment of the present invention, and numeral 31 indicates a pre-alignment station. A wafer 33 is supplied to this pre-alignment station 31 by a conveyor (not shown). The position of the wafer 33 on the pre-alignment station 31 is adjusted while being floated by an air bearing, so that the orientation flat 35 formed on the wafer 33 is aligned with a predetermined position on the pre-alignment station 31.

37はバキュームピンセットを支持する駆動アームを示
しており、矢印B方向に回動してプリアライメントステ
ーション31上のウェハ33を露光装f[39内に搬入
する。露光装置l!39は搬入されたウェハ33を載置
する可動ステージ41を有しており、この可動ステージ
41はパルスモータ43.45により直交二輪方向に移
動可能である。
Reference numeral 37 indicates a drive arm that supports the vacuum tweezers, and rotates in the direction of arrow B to carry the wafer 33 on the pre-alignment station 31 into the exposure apparatus f[39. Exposure device! 39 has a movable stage 41 on which the loaded wafer 33 is placed, and this movable stage 41 is movable in two orthogonal directions by pulse motors 43 and 45.

47は露光装W139の光学系を示しており、該光学系
47内にセットされたガラスマスク49に形成されたパ
ターンを可動ステージ41上のウェハ33に転写するも
のである。このパターンは透明体表面のクロム膜等をエ
ツチングして形成したものであり、このとき基準位置を
定めるマーク51とアライメントマークも形成される。
Reference numeral 47 indicates an optical system of the exposure device W139, which transfers the pattern formed on the glass mask 49 set in the optical system 47 onto the wafer 33 on the movable stage 41. This pattern is formed by etching a chromium film or the like on the surface of the transparent body, and at this time, a mark 51 for defining a reference position and an alignment mark are also formed.

光学系47には発光体53と受光体55とが設けられて
おり、発光体53はガラスマスク46を介してウェハ3
3とその周辺の可動ステージ41を照射するのに充分な
光量の発光ダイオード群で構成されている。これに対し
て、受光体55はCCD等イメージセンサで構成されて
おり、各画素毎に受光量に対応した値の電気信号を出力
する。
The optical system 47 is provided with a light emitter 53 and a light receiver 55, and the light emitter 53 is connected to the wafer 3 through a glass mask 46.
It is composed of a group of light emitting diodes with a sufficient amount of light to illuminate the movable stage 3 and the movable stage 41 around it. On the other hand, the photoreceptor 55 is composed of an image sensor such as a CCD, and outputs an electric signal having a value corresponding to the amount of light received for each pixel.

上記発光体53は制御回路57からの指令信号で発光し
、受光体55から出力される電気信号はこの制御回路5
7に送出される。この制御回路5゜7はマイクロコンピ
ュータシステムで構成されており、上記パルスモータ4
3,45の駆動回路も含んでいる。
The light emitter 53 emits light in response to a command signal from a control circuit 57, and the electric signal output from the light receiver 55 is transmitted to the control circuit 57.
Sent on 7th. This control circuit 5.7 is composed of a microcomputer system, and controls the pulse motor 4.
It also includes 3.45 drive circuits.

59は可動ステージ41を観察する顕微鏡であり、この
顕微鏡でウニ、ハ33のオリエンテーションフラット3
5の付近を観察すると、第2図のようになる。
Reference numeral 59 denotes a microscope for observing the movable stage 41, and this microscope allows the orientation flat 3
If you observe the area around 5, you will see something like Figure 2.

次に、上記−実施例の作用を第3図(a)。Next, FIG. 3(a) shows the operation of the above embodiment.

(b)のフローチャートを参照しつつ説明する。This will be explained with reference to the flowchart in (b).

まず、スタートスイッチオンイベントにあっては、発光
体53をオンしくステップa)、受光体55の各画素を
走査する(ステップb)、各画素の走査においては、各
画素から出力される電気信号が最大値か否かを判別しく
ステップc)、ステップCの判別結果がノーのときは、
該電気信号が最小値か否かを判別する(ステップd)、
ステップdの判別結果がイエスのときは該電気信号を出
力した画素に最小値Dmin、を付与しくステップe)
、ノーのときは中間値Dint、を付与する(ステップ
f)。これに体して、ステップCの判別結果がイエスの
ときは該電気信号を出力した画素に最小値D m a 
x 、を付与する(ステップg)。これらのステップf
Be fe gの後、各値Dmin、。
First, in the start switch-on event, the light emitter 53 is turned on (step a), each pixel of the photoreceptor 55 is scanned (step b), and in scanning each pixel, an electric signal output from each pixel is Step c) to determine whether or not is the maximum value, if the determination result in step C is no,
determining whether the electrical signal has a minimum value (step d);
When the determination result in step d is YES, the minimum value Dmin is given to the pixel that outputs the electric signal.Step e)
, if no, an intermediate value Dint is given (step f). Based on this, when the determination result in step C is YES, the minimum value D m a is applied to the pixel that outputs the electric signal.
x, (step g). These steps f
After Be fe g, each value Dmin,.

Di n t、、Dma x、はメモリに書き込まれ(
ステップh)、中間値Dint、と最小値Dmin、と
に基づきウェハ33のオリエンテーションフラット35
の位置が決定される(ステップi)、続いて、最大値D
max、と中間値Dint。
D in t, , Dmax, are written to memory (
step h), the orientation flat 35 of the wafer 33 based on the intermediate value Dint and the minimum value Dmin;
is determined (step i), followed by the maximum value D
max, and the intermediate value Dint.

あるいは最小値Dmin、とに基づきマーク51の位置
が決定される(ステップj)、これらのステップ1yJ
の結果に基づきオリエンテーションフラット35とマー
ク51、即ち基準位置とのずれを算出しくステップk)
、該ずれを修正すべくパルスモータ43.45に回転角
を指示する(ステップk)。
Alternatively, the position of the mark 51 is determined based on the minimum value Dmin (step j), and these steps 1yJ
Step k) Calculate the deviation between the orientation flat 35 and the mark 51, that is, the reference position, based on the results of
, instructs the rotation angle to the pulse motors 43, 45 in order to correct the deviation (step k).

こうしてオリエンテーションフラット35とマーク51
とが一致すると、ウェハ33は可動ステージ41は基準
位置に位置させられるので、ガラスマスク49のパター
ンがウェハ33に焼き付けられ、このときアライメント
マークもウェハ33の所定位置に付される。
Thus orientation flat 35 and mark 51
When these match, the movable stage 41 of the wafer 33 is positioned at the reference position, and the pattern of the glass mask 49 is burned onto the wafer 33. At this time, an alignment mark is also placed at a predetermined position on the wafer 33.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の構成を示す概略正面図、第
2図は顕微鏡の視野の一部を示す拡大平面図、第3図(
a)乃至(b)は一実施例の作用を説明するフローチャ
ート図、第4図は従来例の概略正面図である。 33・・・・・・・ウェハ。 35・・・・・・・オリエンテーションフラット。 41・・・・・・・ステージ、 49・・・・・・・マスク、 51・・・・・・・マーク、 53・・・・・・・発光体、 55・・・・・・・受光体、 57・・・・・・・制御手段。 特許出願人      ローム株式会社代理人   弁
理士  桑 井 清 −第2図 第3図(b)
Fig. 1 is a schematic front view showing the configuration of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged plan view showing a part of the field of view of the microscope, and Fig. 3 (
a) to (b) are flowchart diagrams for explaining the operation of one embodiment, and FIG. 4 is a schematic front view of a conventional example. 33...Wafer. 35... Orientation flat. 41... Stage, 49... Mask, 51... Mark, 53... Light emitter, 55... Light receiving body, 57... control means. Patent Applicant: ROHM Co., Ltd. Agent, Patent Attorney: Kiyoshi Kuwai - Figure 2, Figure 3 (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] オリエンテーションフラットを有するウェハを支持し複
数方向に移動可能なステージと、マスクを支持し該マス
クに形成されたパターンを上記ウェハに転写する光学露
光系とを具えた露光装置において、上記マスクの透光部
分を介してステージ上に到達可能な光を照射する発光体
と、反射光の強度に対応した電気信号を出力する受光体
とをさらに設け、上記マスクにステージからの反射光お
よびウェハからの反射光とは異なる強度の反射光を発生
させるマークを基準位置に対応させて付し、上記ステー
ジで反射される反射光と上記ウェハで反射される反射光
と上記マークで反射される反射光との強度差に対応した
電気信号に基づきステージ上におけるオリエンテーショ
ンフラットの位置を算出し該算出結果に基づきステージ
を移動させ上記ウェハの位置を修正させる演算手段を具
えたことを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus that includes a stage that supports a wafer having an orientation flat and is movable in multiple directions, and an optical exposure system that supports a mask and transfers a pattern formed on the mask to the wafer, A light emitter that emits light that can reach the stage through the part and a light receiver that outputs an electrical signal corresponding to the intensity of the reflected light are further provided, and the mask is provided with a light emitter that emits light that can reach the stage and a light receiver that outputs an electrical signal corresponding to the intensity of the reflected light. A mark that generates reflected light with a different intensity from the light is attached in correspondence with the reference position, and the reflected light reflected by the stage, the reflected light reflected by the wafer, and the reflected light reflected by the mark are combined. An exposure apparatus comprising a calculation means for calculating the position of an orientation flat on a stage based on an electric signal corresponding to an intensity difference, and moving the stage based on the calculation result to correct the position of the wafer.
JP61043341A 1986-02-27 1986-02-27 Exposure device Granted JPS62199031A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61043341A JPS62199031A (en) 1986-02-27 1986-02-27 Exposure device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61043341A JPS62199031A (en) 1986-02-27 1986-02-27 Exposure device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62199031A true JPS62199031A (en) 1987-09-02
JPH0588529B2 JPH0588529B2 (en) 1993-12-22

Family

ID=12661139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61043341A Granted JPS62199031A (en) 1986-02-27 1986-02-27 Exposure device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62199031A (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51120180A (en) * 1975-04-15 1976-10-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern printing device
JPS53132271A (en) * 1977-04-20 1978-11-17 Thomson Csf Thin semiconductor plate* method of positioning pattern projected to said plate in projector* and projector
JPS56134737A (en) * 1980-02-29 1981-10-21 Optimetrix Corp Improvement in stepwise repetitive projection matching exposure device having auxiliary optical unit
JPS57145326A (en) * 1980-12-29 1982-09-08 Censor Patent Versuch Method and device for forming pattern on wafer by photosensing semiconductor wafer
JPS587823A (en) * 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd Alignment method and device thereof
JPS59161638U (en) * 1983-04-15 1984-10-29 株式会社日立製作所 Wafer pre-alignment structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51120180A (en) * 1975-04-15 1976-10-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Pattern printing device
JPS53132271A (en) * 1977-04-20 1978-11-17 Thomson Csf Thin semiconductor plate* method of positioning pattern projected to said plate in projector* and projector
JPS56134737A (en) * 1980-02-29 1981-10-21 Optimetrix Corp Improvement in stepwise repetitive projection matching exposure device having auxiliary optical unit
JPS57145326A (en) * 1980-12-29 1982-09-08 Censor Patent Versuch Method and device for forming pattern on wafer by photosensing semiconductor wafer
JPS587823A (en) * 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd Alignment method and device thereof
JPS59161638U (en) * 1983-04-15 1984-10-29 株式会社日立製作所 Wafer pre-alignment structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0588529B2 (en) 1993-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3237522B2 (en) Wafer peripheral exposure method and apparatus
KR19990045608A (en) Wafer Peripheral Exposure Equipment
JP2002365016A (en) Position measurement method using interferometer, interference type position measurement apparatus, algner and exposure method
JP2004004215A (en) Projection aligner and alignment system
US5812271A (en) Reticle pre-alignment apparatus and method thereof
JP2003091069A (en) Device for exposure for belt shape work having zigzag correction mechanism
WO2015145864A1 (en) Position displacement detection method, position displacement detection device, drawing device, and substrate inspection device
JP3324403B2 (en) Method and apparatus for aligning mask and workpiece
JPS6140101B2 (en)
JPS5954225A (en) Projection exposure method
JPS62199031A (en) Exposure device
KR100444263B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006269952A (en) Proximity exposure device
JP2004012598A (en) Projection aligner
JP2587292B2 (en) Projection exposure equipment
JPH01228130A (en) Process and device of exposure
JPH04158364A (en) Projection exposing device
JPH1048845A (en) Method and device for aligning mask with work stage
JPH03289662A (en) Device and method for film exposure
JPS59161815A (en) Device for detecting rotational deflection of exposing equipment
JP3106920B2 (en) Alignment device for the mask pattern and the work linear part
JP3564730B2 (en) Projection exposure apparatus and method
JPH065486A (en) Gap sensor of proximity aligner
JPH10177942A (en) Aligner and method for delivering photosensitive substrate in aligner
JPH10329064A (en) Industrial robot and method for controlling the industrial robot