JPH04158364A - Projection exposing device - Google Patents
Projection exposing deviceInfo
- Publication number
- JPH04158364A JPH04158364A JP2285330A JP28533090A JPH04158364A JP H04158364 A JPH04158364 A JP H04158364A JP 2285330 A JP2285330 A JP 2285330A JP 28533090 A JP28533090 A JP 28533090A JP H04158364 A JPH04158364 A JP H04158364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- warp
- warpage
- light
- projection exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レチクルを用いて基板上に所定のパターンを形成する投
影露光装置に関し、
レチクルに反りかあったとしても精度の高いパターン転
写を行うことを目的とし、
原画パターンか形成されたレチクルに光源から光を照射
し、該レチクルを透過した光を基板に投光して該原画パ
ターンを該基板に投影する投影露光装置において、該レ
チクルに加重を掛けることにより、該レチクルに発生し
た反りを補正する反り補正機構を設けた構成とする。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a projection exposure apparatus that forms a predetermined pattern on a substrate using a reticle, the purpose of this invention is to perform highly accurate pattern transfer even if the reticle is warped, and the original pattern is In a projection exposure apparatus that irradiates a reticle formed with light from a light source and projects the original pattern onto the substrate by projecting the light that has passed through the reticle onto the substrate, by applying weight to the reticle, The configuration includes a warp correction mechanism that corrects warpage that occurs in the reticle.
また、原画パターンか形成されたレチクルに光源から光
を照射し、該レチクルを透過した光を基板に投光して該
原画パターンを該基板に投影する投影露光装置において
、該レチクルに発生している反りを検出する反り検出手
段と、該レチクルに加重を掛けることにより、該レチク
ルに発生した反りを補正する反り補正機構とを設け、該
反り検出手段により検出される該レチクルの反りの程度
に応じて、該レチクルに印加する加重の強さを制御する
構成とした。Furthermore, in a projection exposure apparatus that irradiates a reticle on which an original image pattern is formed with light from a light source, and projects the original image pattern onto the substrate by projecting the light that has passed through the reticle onto the substrate, and a warp correction mechanism that corrects the warpage that occurs in the reticle by applying a weight to the reticle. Accordingly, the strength of the load applied to the reticle is controlled.
本発明は投影露光装置に係り、特にレチクルを用いて基
板上に所定のパターンを形成する投影露光装置に関する
。The present invention relates to a projection exposure apparatus, and more particularly to a projection exposure apparatus that forms a predetermined pattern on a substrate using a reticle.
投影露光装置の一つとして半導体装置の製造に用いられ
る縮小投影露光装置か知られている。この縮小投影露光
装置は、レチクルに形成された所定の原画パターンを光
学的に縮小して基板（ウェハ）上に投影するこにより、
上記所定の原画パターンをウェハ上に転写する構成の装
置である。A reduction projection exposure apparatus used for manufacturing semiconductor devices is known as one type of projection exposure apparatus. This reduction projection exposure apparatus optically reduces a predetermined original image pattern formed on a reticle and projects it onto a substrate (wafer).
This apparatus is configured to transfer the above-mentioned predetermined original pattern onto a wafer.
近年、半導体装置は高密度化、高集積化が図られており
、これに伴い微細パターンを高精度に形成しうる投影露
光装置か望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become more dense and highly integrated, and as a result, a projection exposure apparatus that can form fine patterns with high precision is desired.
第５図は従来における縮小投影露光装置ｌの要部構成図
である。同図において、２は例えは水銀ランプ等の光源
であり、光源２から照射された光はレチクル３．縮小レ
ンズ４を介してウェハ５に照射される。FIG. 5 is a block diagram of the main parts of a conventional reduction projection exposure apparatus 1. As shown in FIG. In the figure, 2 is a light source such as a mercury lamp, and the light emitted from the light source 2 is emitted from the reticle 3. The wafer 5 is irradiated via the reduction lens 4.
レチクル３にはウェハ５に転写する所定のパターンか大
きなパターンで形成されている。また、レチクル３は吸
着機構に吸着されることに・よりレチクルプラテン上に
固定される構成となっている（尚、第５図では吸着機構
及びレチクルプラテンの図示を省略している）。The reticle 3 is formed with a predetermined pattern or a large pattern to be transferred onto the wafer 5. Further, the reticle 3 is fixed on the reticle platen by being attracted by a suction mechanism (note that the suction mechanism and the reticle platen are not shown in FIG. 5).
このレチクル３を透過した光は縮小レンズ４に入射し、
この縮小レンズ４によりレチクル３に形成されているパ
ターンは縮小されてウェハ５に照射される。これにより
微細なパターンをウェハ５上に形成することかできる。The light transmitted through this reticle 3 enters the reduction lens 4,
The pattern formed on the reticle 3 is reduced by the reduction lens 4 and irradiated onto the wafer 5. Thereby, a fine pattern can be formed on the wafer 5.
従来、レチクル３を縮小投影露光装置ｌに装着する構造
は、上記のようにプラテンにレチクル３を吸着により固
定するのみの構造とされていた。Conventionally, the structure for mounting the reticle 3 on the reduction projection exposure apparatus l has been such that the reticle 3 is simply fixed to the platen by suction as described above.
レチクル３は、石英板上に例えばクロム等の光を遮断す
る遮光材料を所定のパターンで形成した構成を有する。The reticle 3 has a structure in which a light-shielding material such as chromium that blocks light is formed in a predetermined pattern on a quartz plate.
また、石英板と遮光材料は熱膨張係数か異なるため、レ
チクル製造時にレチクル３に反りか発生する場合かある
。Furthermore, since the quartz plate and the light shielding material have different coefficients of thermal expansion, the reticle 3 may be warped during reticle manufacture.
このように反りが発生したレチクル３を用いて縮小投影
露光を行った場合、レチクル３に形成された原画パター
ンをウェハ５上に精度良くパターン転写することがてき
ないという課題かあった。When reduction projection exposure is performed using the reticle 3 with such warpage, there is a problem that the original pattern formed on the reticle 3 cannot be accurately transferred onto the wafer 5.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、レチク
ルに反りかあったとしても精度の高いパターン転写を行
いうる投影露光装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus that can perform highly accurate pattern transfer even if the reticle is warped.
上記課題を解決するために、本発明では、原画パターン
が形成されたレチクルに光源から光を照射し、レチクル
を透過した光を基板に投光して前記原画パターンを上記
基板に投影する投影露光装置において、
上記レチクルに加重を掛けることにより、レチクルに発
生した反りを補正する反り補正機構を設けたことを特徴
とするものである。In order to solve the above problems, the present invention provides a projection exposure method in which a reticle on which an original pattern is formed is irradiated with light from a light source, and the light transmitted through the reticle is projected onto a substrate to project the original pattern onto the substrate. The apparatus is characterized in that it is provided with a warpage correction mechanism that corrects warpage that occurs in the reticle by applying a load to the reticle.
また、原画パターンが形成されたレチクルに光源から光
を照射し、レチクルを透過した光を基板に投光して前記
原画パターンを上記基板に投影する投影露光装置におい
て、
上記レチクルに発生している反りを検出する反り検出手
段と、
レチクルに加重を掛けることにより、レチクルに発生し
た反りを補正する反り補正機構とを設け、上記反り検出
手段により検出されるレチクルの反りの程度に応じて、
レチクルに印加する加重の強さを制御する構成としたこ
とを特徴とするものである。In addition, in a projection exposure apparatus that projects light from a light source onto a reticle on which an original image pattern is formed, and projects the original image pattern onto the substrate by projecting the light that has passed through the reticle onto the substrate, A warpage detection means for detecting warpage, and a warpage correction mechanism for correcting warpage generated in the reticle by applying a weight to the reticle, and depending on the degree of warpage of the reticle detected by the warpage detection means,
The present invention is characterized by a configuration in which the strength of the load applied to the reticle is controlled.
上記構成とされた投影露光装置よれは、レチクルに反り
が発生していたとしても、反り補正機構によりレチクル
に加重を掛けることにより反りを補正することかできる
。よって、基板に投影される転写パターンを原画パター
ンに高精度に対応させることかできる。In the projection exposure apparatus configured as described above, even if the reticle is warped, the warp can be corrected by applying weight to the reticle using the warp correction mechanism. Therefore, the transfer pattern projected onto the substrate can be made to correspond to the original pattern with high precision.
また、反り検出手段によりレチクルに発生している反り
を検出する構成とすることにより、反りの程度によりレ
チクルに印加する加重の程度を可変することができるた
め、レチクルの平面度の精度をより高めることかできる
。これにより、更に転写パターンの精度を高めることか
できる。In addition, by using a configuration in which the warp that has occurred on the reticle is detected by the warp detection means, the degree of weight applied to the reticle can be varied depending on the degree of warp, thereby further increasing the accuracy of the flatness of the reticle. I can do it. This makes it possible to further improve the accuracy of the transferred pattern.
次に本発明の実施例について図面と共に説明する。第１
図は本発明の一実施例である投影露光装置１０（本実施
例では縮小投影露光装置を例に挙げ説明する）を示す全
体構成図であり、また第２図は縮小投影露光装置ｌＯの
レチクル装着位置を拡大して示す要部構成図である。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1st
The figure is an overall configuration diagram showing a projection exposure apparatus 10 (in this embodiment, a reduction projection exposure apparatus will be explained as an example) which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a reticle of the reduction projection exposure apparatus IO. FIG. 2 is an enlarged configuration diagram of main parts showing the mounting position.
同図中、１１は水銀ランプ等の光源であり、光源１１か
ら照射された光は露光照明系１２て露光に適した光が選
択され、この光かレチクル１３に照射される
レチクル１３は、前記したように石英板上にクロム等の
光を遮断する遮光材料を所定のパターンで形成した構成
を有している。また、石英板と遮光材料は熱膨張係数か
異なるため、レチクル製造時にレチクル３に反りか発生
する場合かある。具体的には、遮光材料としてクロムを
用いた場合には、クロムは石英板に対して熱膨張係数か
小さいく、また遮光材料は通常石英板の背面側に配設さ
れるため、レチクル１３の反りは上に凸となる状態て発
生する（第２図に反った状態のレチクル１３を示す）。In the figure, reference numeral 11 denotes a light source such as a mercury lamp, and the light emitted from the light source 11 is used by an exposure illumination system 12 to select light suitable for exposure, and the reticle 13 is irradiated with this light. As described above, it has a structure in which a light-shielding material such as chromium that blocks light is formed in a predetermined pattern on a quartz plate. Furthermore, since the quartz plate and the light shielding material have different coefficients of thermal expansion, the reticle 3 may be warped during reticle manufacture. Specifically, when chromium is used as the light-shielding material, the coefficient of thermal expansion of chromium is smaller than that of the quartz plate, and the light-shielding material is usually disposed on the back side of the quartz plate, so the reticle 13 is Warpage occurs in an upwardly convex state (FIG. 2 shows the reticle 13 in a warped state).
また、この反りによるレチクル１３の突出量は約７μｍ
程度である。Furthermore, the amount of protrusion of the reticle 13 due to this warping is approximately 7 μm.
That's about it.
上記レチクル１３はレチクルプラテン１４に装着される
。レチクルプラテン１４は、第２図に示すようにレチク
ル１３の外周部分と当接すると共に、中央開口部を図示
しない吸引機構により吸引することによりレチクル１３
を保持するものである。このレチクルプラテン１４は、
微調整機構１５．１６により図中Ｘ、Ｙ方向に移動しう
る構成となっている。The reticle 13 is mounted on a reticle platen 14. As shown in FIG. 2, the reticle platen 14 comes into contact with the outer periphery of the reticle 13, and the reticle 13 is moved by suctioning the central opening by a suction mechanism (not shown).
It is intended to hold the following. This reticle platen 14 is
It is configured to be movable in the X and Y directions in the figure by fine adjustment mechanisms 15 and 16.
また、図中１７はレチクルアライメント機構であり、１
８はパターン検出器である。周知のようにレチクル１３
及びウェハ１９の所定位置にはパターン形成位置を位置
決めするためのアライメントマークか形成されている。In addition, 17 in the figure is a reticle alignment mechanism;
8 is a pattern detector. As is well known, reticle 13
Also, alignment marks are formed at predetermined positions on the wafer 19 for positioning the pattern forming position.
レチクルアライメント機構１７及びパターン検出器１８
は、レチクル１３とウェハ１９に形成されたアライメン
トマークを一致させるための機構である。Reticle alignment mechanism 17 and pattern detector 18
is a mechanism for aligning the alignment marks formed on the reticle 13 and the wafer 19.
更に、レチクルプラテン１４の近傍位置には、本発明の
要部となる反り補正機構２０．２１及び反り検出手段と
なるレーザ変位計（レーザ発射装置２２とレーザ受光装
置２３とより構成される）が配設されている。尚、反り
補正機構２０．２１及びレーザ変位計については説明の
便宜上、後に詳述する。Furthermore, in the vicinity of the reticle platen 14, there are a warp correction mechanism 20.21, which is the main part of the present invention, and a laser displacement meter (comprised of a laser emitting device 22 and a laser receiving device 23), which is a warp detecting means. It is arranged. Note that the warp correction mechanism 20.21 and the laser displacement meter will be described in detail later for convenience of explanation.
レチクル１３を透過した光は縮小レンズ２４に入射し、
この縮小レンズ２４によりレチクル１３に形成された原
画パターンは所定の縮小率に縮小されてウェハ１９に照
射され、これにより原画パターンに対応した微細なパタ
ーンをウェハ１９上に形成する構成とされている。The light transmitted through the reticle 13 enters the reduction lens 24,
The original image pattern formed on the reticle 13 by the reduction lens 24 is reduced to a predetermined reduction ratio and irradiated onto the wafer 19, thereby forming a fine pattern corresponding to the original image pattern on the wafer 19. .
ウェハ１９はＸ−Ｙステージ２５上に載置されており、
この駆動装置２６．２７により図中矢印Ｘ、 Ｙて示す
方向に移動しつる構成となっている。The wafer 19 is placed on an X-Y stage 25,
The driving devices 26 and 27 move in the directions shown by arrows X and Y in the figure, creating a hanging configuration.
駆動機構２６．２７によりＸ−Ｙステージ２５を移動さ
せることにより、ウェハ１９には縮小された原画パター
ンか複数個形成される。尚、２８はＸ−Ｙステージ２５
の位置検出を行うためのレーサ測長系である。A plurality of reduced original patterns are formed on the wafer 19 by moving the XY stage 25 using the drive mechanisms 26 and 27. In addition, 28 is the X-Y stage 25
This is a laser length measurement system for position detection.
続いて本発明の要部となる反り補正機構２０゜２１及び
レーザ変位計について以下説明する。Next, the warpage correction mechanism 20, 21 and the laser displacement meter, which are the main parts of the present invention, will be explained below.
反り補正機構２０．２１はアクチュエータ２９゜３０と
把持部３１，３２とにより構成されており、アクチュエ
ータ２９．３０の動作により、把持部３１．３２はレチ
クル１３の面方向（第２図中矢印へ方向）と、このレチ
クル１３の面方向に対し垂直な方向（同図中、矢印Ｂ方
向）に移動しうる構成となっている。また、把持部３１
．３２は、レチクル１３の対角線上のエツジ部を把持す
る構成となっている。The warpage correction mechanism 20.21 is composed of an actuator 29.30 and gripping parts 31, 32. By the operation of the actuator 29.30, the gripping parts 31.32 move in the direction of the surface of the reticle 13 (in the direction of the arrow in FIG. 2). direction) and in a direction perpendicular to the surface direction of the reticle 13 (direction of arrow B in the figure). In addition, the grip part 31
．． 32 is configured to grip a diagonal edge portion of the reticle 13.
一方、レーザ変位計は前記のようにレーザ発射装置２２
とレーザ受光装置２３とより構成されるされており、レ
チクル１３を挟んだ両側位置に対向した状態で配設され
ている。レーザ発射装置２２はレチクル１３上にレーザ
光を照射し、その反射光をレーザ受光装置２３が受光す
るこにより、レチクル１３の反り（変位）を検出する構
成となっている。On the other hand, the laser displacement meter uses the laser emitting device 22 as described above.
and a laser light receiving device 23, which are disposed opposite to each other on both sides of the reticle 13. The laser emitting device 22 is configured to irradiate a laser beam onto the reticle 13 and detect the warpage (displacement) of the reticle 13 by receiving the reflected light by the laser light receiving device 23.
第３図は反り補正機構２０．２１及びレーザ変位計を平
面的に見た図である。尚、同図てはレチクル１３の変位
計測の精度を向上させるため、４台のレーザ変位計を設
けた態様を示しており、またレチクル１３の反りの補正
制御を行う制御回路３３も合わせて示している。FIG. 3 is a plan view of the warp correction mechanism 20, 21 and the laser displacement meter. In addition, this figure shows an embodiment in which four laser displacement meters are provided in order to improve the accuracy of measuring the displacement of the reticle 13, and also shows a control circuit 33 that performs correction control for warpage of the reticle 13. ing.
レーザ変位計を構成する４台のレーザ発射装置２２ａ〜
２２ｄは、レチクル１３の所定位置に向はレーザ光を照
射し、レーザ受光装置２３ａ〜２３ｂはレチクル１３て
反射されたレーザ光を受光し、その計測結果を制御回路
３３に供給する。Four laser emitting devices 22a~ constituting a laser displacement meter
22 d irradiates a predetermined position of the reticle 13 with laser light, and the laser light receiving devices 23 a to 23 b receive the laser light reflected by the reticle 13 and supply the measurement results to the control circuit 33 .
制御回路３３は、レーザ受光装置２３ａ〜２３ｂから供
給された計測結果信号に基すきレチクル１３の反りの発
生状態を求める。続いて制御回路３３は、レチクル１３
に発生している反りを補正するのに適した反り補正機構
２０．２１の動作を演算し、この演算結果に基すき各反
り補正機構２０゜２１を駆動する。The control circuit 33 determines the state of warpage of the plow reticle 13 based on the measurement result signals supplied from the laser light receiving devices 23a to 23b. Subsequently, the control circuit 33 controls the reticle 13
The operation of the warp correction mechanisms 20, 21 suitable for correcting the warp that has occurred is calculated, and each warp correction mechanism 20, 21 is driven based on the calculation result.
前記したようにアクチュエータ２９．３０は、矢印入方
向及び同図において紙面に垂直方向に把持部３１．３２
を移動しうる構成となっており、上記制御回路３３に制
御されることにより各反り補正機構２０．２１はレチク
ル１３に加重を掛け、これによりレチクルＩ３に発生し
ている反りは補正される。As described above, the actuators 29 and 30 move the gripping parts 31 and 32 in the direction of the arrow and in the direction perpendicular to the plane of the paper in the figure.
Under the control of the control circuit 33, each warpage correction mechanism 20.21 applies a weight to the reticle 13, thereby correcting the warpage occurring in the reticle I3.
このようにレチクル１３の反りは反り補正機構２０．２
１により補正されるか、加重印加によるレチクル１３の
変位はレーザ変位計により計測され、その計測結果は再
び制御回路３３に供給され反り補正制御に反映される。In this way, the warp of the reticle 13 is corrected by the warp correction mechanism 20.2.
1 or the displacement of the reticle 13 due to the application of a weight is measured by a laser displacement meter, and the measurement results are again supplied to the control circuit 33 and reflected in the warp correction control.
このようなフィードバック系の制御機構により制御され
るため、レチクル１３が所定の平面度となるまで反りの
補正制御は実行される。Since it is controlled by such a feedback system control mechanism, the warp correction control is executed until the reticle 13 reaches a predetermined flatness.
上記のように、縮小投影露光装置ＩＯは反り補正機構２
０．２１及びレーザ変位計を設けることにより、レチク
ル１３の反りを補正することかでるため、レチクル１３
に形成されている原画パターンを高精度にニウムＩ９に
パターン転写することができ、高密度、高集積な半導体
装置の製造に対応することかできる。As described above, the reduction projection exposure apparatus IO has a warpage correction mechanism 2.
0.21 and a laser displacement meter, it is possible to correct the warpage of the reticle 13.
The original pattern formed on the substrate can be transferred to the Ni-I9 with high precision, making it possible to manufacture high-density, highly integrated semiconductor devices.
第４図は本実施例の変形例である縮小投影露光装置のレ
チクル装着位置近傍を拡大して示す要部構成図である。FIG. 4 is an enlarged view of the main part of a reduction projection exposure apparatus which is a modification of this embodiment, showing the vicinity of the reticle mounting position.
尚、第１図で示した構成と同一構成については同一符号
を付してその説明を省略する。Components that are the same as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and their explanations will be omitted.
同図に示す縮小投影露光装置は、レチクルＩ３を保持す
る機構として、レチクルプラテンに代えて反り補正機構
２０．２１を用いたことを特徴とするものである。この
ため、微調整機構３４゜３５は反り補正機構２０．２１
を微調整移動しうる構成となっている。The reduction projection exposure apparatus shown in the figure is characterized in that a warp correction mechanism 20.21 is used instead of the reticle platen as a mechanism for holding the reticle I3. For this reason, the fine adjustment mechanisms 34 and 35 are similar to the warpage correction mechanisms 20 and 21.
It has a structure that can be moved to make fine adjustments.
反り補正機構２０，２］は前記したように把持部３１．
３２によりレチクル１３を把持しており、反り補正機構
２０．２１によりレチクル１３を保持することができる
。この構成とすることにより、形状の比較的大きなレチ
クルプラテン及び吸引機構は不要となり、縮小投影露光
装置の構造の簡単化及び小型化を図ることができる。The warp correction mechanism 20, 2] is the gripping portion 31.
32 grips the reticle 13, and the warp correction mechanism 20.21 can hold the reticle 13. This configuration eliminates the need for a relatively large reticle platen and a suction mechanism, making it possible to simplify and downsize the structure of the reduction projection exposure apparatus.
尚、上記した実施例ではレチクル１３に発生する反りの
程度を検出するために、レーザ変位計を設けた構成をし
めしたか、レチクル１３の反りを検出する機構はこれに
限るものではなく、他の構成の反り検出手段を用いても
よい。また、反りの発生が定常的であり、かつ発生する
反りの程度も定常的であるような場合においては、反り
検出手段及び制御回路を除いた構成とすることも可能で
ある。また、本発明は縮小投影に限定されるものではな
く、拡大投影等にも適用することは可能である。Note that in the above-described embodiment, a configuration is shown in which a laser displacement meter is provided in order to detect the degree of warpage that occurs in the reticle 13, but the mechanism for detecting the warp of the reticle 13 is not limited to this, and other methods may be used. A warp detection means of the configuration may also be used. Furthermore, in a case where the occurrence of warpage is steady and the degree of warpage that occurs is also steady, it is also possible to adopt a configuration in which the warp detection means and the control circuit are omitted. Further, the present invention is not limited to reduction projection, but can also be applied to enlargement projection, etc.
上述の如く、本発明によれは、レチクルに発生する反り
を補正することかできるため、基板に投影される転写パ
ターンを原画パターンに高精度に対応させることかでき
る等の特徴を有する。As described above, the present invention is characterized in that it is possible to correct the warpage that occurs in the reticle, so that the transfer pattern projected onto the substrate can be made to correspond to the original pattern with high precision.
第１図は本発明の一実施例である縮小投影露光装置の全
体構成図、
第２図はレチクル装着位置を拡大して示す要部側面図、
第３図はレチクル装着位置を拡大して示す要部平面図、
第４図は第１図に示す投影露光装置の変形例のレチクル
装着位置を拡大して示す要部側面図、第５図は従来の縮
小投影露光装置の一例を示す要部構成図である。
図において、
ＩＯは縮小投影露光装置、
１１は光源、
１３はレチクル、
１４はレチクルプラテン、
１９はウェハ、
２０．２１は反り補正機構、
２２．２２ａ 〜２２ｄはレーザ発射装置、２３．２３
ａ 〜２３ｄはレーザ受光装置、２９．３０はアクチュ
エータ、
３１．３２は把持部、
３３は制御回路
を示す。
ｍ縮小投影露光装置
本発明の一実施例である投影露光装置の全体構成図第１
図
レチクル装着位置を拡大して示す要部平面図第３図Fig. 1 is an overall configuration diagram of a reduction projection exposure apparatus which is an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a side view of main parts showing an enlarged view of the reticle mounting position, and Fig. 3 shows an enlarged view of the reticle mounting position. 4 is an enlarged side view of the main parts showing the reticle attachment position of a modified example of the projection exposure apparatus shown in FIG. 1; FIG. 5 is a main part showing an example of the conventional reduction projection exposure apparatus. FIG. In the figure, IO is a reduction projection exposure device, 11 is a light source, 13 is a reticle, 14 is a reticle platen, 19 is a wafer, 20.21 is a warpage correction mechanism, 22.22a to 22d are laser emitting devices, 23.23
29.30 is an actuator, 31.32 is a gripping portion, and 33 is a control circuit. m reduction projection exposure apparatus First overall configuration diagram of a projection exposure apparatus which is an embodiment of the present invention
Figure 3: Main part plan view enlarged showing the reticle mounting position
Claims (4)
源（１１）から光を照射し、該レチクル（１３）を透過
した光を基板（１９）に投光して該原画パターンを該基
板（１９）に投影する投影露光装置において、 該レチクル（１３）に加重を掛けることにより、該レチ
クル（１３）に発生した反りを補正する反り補正機構（
２０、２１）を設けてなることを特徴とする投影露光装
置。(1) The reticle (13) on which the original pattern is formed is irradiated with light from the light source (11), and the light transmitted through the reticle (13) is projected onto the substrate (19) so that the original pattern is formed on the substrate ( In the projection exposure apparatus that projects onto the reticle (19), a warp correction mechanism (
20, 21).
源（１１）から光を照射し、該レチクル（１３）を透過
した光を基板（１９）に投光して該原画パターンを該基
板（１９）に投影する投影露光装置において、 該レチクル（１３）に発生している反りを検出する反り
検出手段（２２、２２ａ〜２２ｄ、２３、２３ａ〜２３
ｄ）と、 該レチクル（１３）に加重を掛けることにより、該レチ
クル（１３）に発生した反りを補正する反り補正機構（
２０、２１）とを設け、 該反り検出手段（２２、２２ａ〜２２ｄ、２３、２３ａ
〜２３ｄ）により検出される該レチクル（１３）の反り
の程度に応じて、該レチクル（１３）に印加する加重の
強さを制御する構成としたことを特徴とする投影露光装
置。(2) The reticle (13) on which the original image pattern is formed is irradiated with light from the light source (11), and the light that has passed through the reticle (13) is projected onto the substrate (19) to form the original pattern on the substrate ( In the projection exposure apparatus for projecting onto the reticle (19), warp detection means (22, 22a to 22d, 23, 23a to 23) detects the warp occurring in the reticle (13).
d); and a warpage correction mechanism (13) that corrects warpage generated in the reticle (13) by applying a weight to the reticle (13).
20, 21), and the warp detection means (22, 22a to 22d, 23, 23a).
A projection exposure apparatus characterized in that the intensity of the weight applied to the reticle (13) is controlled according to the degree of warpage of the reticle (13) detected by the reticle (13).
、３２）と、 該把持部（３１、３２）を該レチクル（１３）の面方向
と、前記レチクル（１３）の面方向に対し垂直な方向に
駆動する駆動機構（２９、３０）とにより構成されるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の投影露光装置。(3) The warpage correction mechanism (20, 21) includes a gripping portion (31) that grips the edge portion of the reticle (13).
, 32), and a drive mechanism (29, 30) that drives the gripping parts (31, 32) in the plane direction of the reticle (13) and in a direction perpendicular to the plane direction of the reticle (13). The projection exposure apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that:
１３）の反りを補正した状態て、該レチクル（１３）を
所定投影位置に位置決めし保持することを特徴とする請
求項１または２記載の投影露光装置。(4) The warpage correction mechanism (20, 21) is configured so that the reticle (
3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the reticle (13) is positioned and held at a predetermined projection position with the warpage of the reticle (13) corrected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285330A JPH04158364A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Projection exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2285330A JPH04158364A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Projection exposing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158364A true JPH04158364A (en) | 1992-06-01 |
Family
ID=17690154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2285330A Pending JPH04158364A (en) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | Projection exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158364A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021997A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithography apparatus and device manufacturing method |
| JP2008098633A (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography |
| JP2011123461A (en) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Nsk Ltd | Exposure device and exposure method |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP2285330A patent/JPH04158364A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021997A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithography apparatus and device manufacturing method |
| JP2008098633A (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography |
| US7946837B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2011123461A (en) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Nsk Ltd | Exposure device and exposure method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6727978B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
| JP2785146B2 (en) | Automatic focus adjustment controller | |
| WO1999031462A1 (en) | Stage device and exposure apparatus | |
| JPH09320933A (en) | Scanning type aligner | |
| US4420233A (en) | Projecting apparatus | |
| JP3884098B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| US6124922A (en) | Exposure device and method for producing a mask for use in the device | |
| US4798470A (en) | Pattern printing method and apparatus | |
| US6744512B2 (en) | Position measuring apparatus and exposure apparatus | |
| JPH10223528A (en) | Projection aligner and aligning method | |
| US5161176A (en) | Exposure apparatus | |
| JP3335126B2 (en) | Surface position detecting apparatus and scanning projection exposure apparatus using the same | |
| WO1999050893A1 (en) | Exposure method and exposure system | |
| JPH04158364A (en) | Projection exposing device | |
| JPH08236419A (en) | Positioning method | |
| US6750950B1 (en) | Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and making method for producing the same, and device and method for manufacturing the same | |
| JPH0147007B2 (en) | ||
| JPH11307436A (en) | Projection aligner, reticle and reticle aligning method | |
| JPH10209030A (en) | Method and apparatus for projection exposure | |
| JP2006269952A (en) | Proximity exposure device | |
| JP2926581B1 (en) | Reduction projection exposure equipment | |
| JPH1187233A (en) | Projection aligner | |
| JPH0618166B2 (en) | Projection exposure device | |
| JP2008089993A (en) | Method of measuring gap amount of exposure apparatus | |
| JP2555970Y2 (en) | Imaging monitor for projection type exposure machine |