JPS62198211A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS62198211A JPS62198211A JP4123786A JP4123786A JPS62198211A JP S62198211 A JPS62198211 A JP S62198211A JP 4123786 A JP4123786 A JP 4123786A JP 4123786 A JP4123786 A JP 4123786A JP S62198211 A JPS62198211 A JP S62198211A
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- Japan
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- nonvolatile memory
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- frequency
- circuit
- trimmer
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- Pending
Links
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
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- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種受信機高周波回路部の小型化とトラッキン
グ調整の自動化を可能ならしめる半導体集積回路に関す
るものである。
グ調整の自動化を可能ならしめる半導体集積回路に関す
るものである。
従来の技術
近年、各種電子機器の小型、薄型化指向および、調整の
合理化をはかることによるコストダウン指向は著しい。
合理化をはかることによるコストダウン指向は著しい。
受信機を小型化、薄型化するために、各回路部のＩＣ化
、およびＩＣ化しえない部品の小型化、薄型化が進展し
ている。
、およびＩＣ化しえない部品の小型化、薄型化が進展し
ている。
一方、調整の合理化によるコストダウンについても、回
路上の工夫を主として進展しているが、高周波回路部の
トラッキング調整については、まだ十分な技術が確立さ
れていない。
路上の工夫を主として進展しているが、高周波回路部の
トラッキング調整については、まだ十分な技術が確立さ
れていない。
第２図は、ＩＣを利用した一般的なスーパーへテロダイ
ン型受信機の高周波回路部のブロック図である。
ン型受信機の高周波回路部のブロック図である。
第２図において、１はアンテナに接続される受信高周波
信号（以下ＲＦ倍信号称す）入力端子、２は全体として
フロントエンドＩＣを示すものであり、図示のようにＲ
Ｆ増幅器７、ミキサー８、局部発振器９から構成されて
いる。このようなＩＣはたとえば、松下電子工業−のＡ
Ｎ７２１３がある。
信号（以下ＲＦ倍信号称す）入力端子、２は全体として
フロントエンドＩＣを示すものであり、図示のようにＲ
Ｆ増幅器７、ミキサー８、局部発振器９から構成されて
いる。このようなＩＣはたとえば、松下電子工業−のＡ
Ｎ７２１３がある。
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ，２Ｄは夫々、アンテナ同調回路３、
ＲＦ同調回路４、局部発振器用同調回路５および中間周
波トランス（以下ＩＦＴと称す）６と、フロントエンド
ＩＣ２を接続する端子、３゜４．５は夫々全体として上
記のようにアンテナ同調回路、ＲＦ同調回路、局部発振
器用同調回路を示すが、各回路は夫々図示のように、３
Ａ、４Ａ。
ＲＦ同調回路４、局部発振器用同調回路５および中間周
波トランス（以下ＩＦＴと称す）６と、フロントエンド
ＩＣ２を接続する端子、３゜４．５は夫々全体として上
記のようにアンテナ同調回路、ＲＦ同調回路、局部発振
器用同調回路を示すが、各回路は夫々図示のように、３
Ａ、４Ａ。
５Ａで示すコイル、３Ｂ、４Ｂ、５Ｂで示すところの空
気バリコン、ポリバリコン、バラクタ−ダイオードなど
で構成される可変容量素子、３Ｇ。
気バリコン、ポリバリコン、バラクタ−ダイオードなど
で構成される可変容量素子、３Ｇ。
４Ｃ，５Ｃ出示す半固定容量素子（以下トリマーと称す
）から構成される。なお、１０は中間周波（以下ＩＦと
称す）出力端子である。
）から構成される。なお、１０は中間周波（以下ＩＦと
称す）出力端子である。
第２図の基本的動作については特に詳述する必要はない
と考えられるが、要は、入力端子１に加えられた高周波
信号が、アンテナ同調回路３、ＲＦ同調回路４、ＲＦ増
幅器７で、周波数選択増幅がなされ、局部発振出力と共
にミキサー８に加えられ、ＩＦ比出力ミキサー８からＩ
ＦＴ６を介して出力端子１０に得られる。
と考えられるが、要は、入力端子１に加えられた高周波
信号が、アンテナ同調回路３、ＲＦ同調回路４、ＲＦ増
幅器７で、周波数選択増幅がなされ、局部発振出力と共
にミキサー８に加えられ、ＩＦ比出力ミキサー８からＩ
ＦＴ６を介して出力端子１０に得られる。
第２図において可変容量素子３Ｂ、４Ｂ、５Ｂは選局時
に同時に変化させられるものであり、特に調整を要する
ものでないが、トリマー３０．４Ｃ，５Ｃは夫々、トラ
ッキング調整と、受信周波数の上限または下限調整のた
め受信機の製造、出荷時に常に調整作業を必要とする。
に同時に変化させられるものであり、特に調整を要する
ものでないが、トリマー３０．４Ｃ，５Ｃは夫々、トラ
ッキング調整と、受信周波数の上限または下限調整のた
め受信機の製造、出荷時に常に調整作業を必要とする。
発明が解決しようとする問題点
以上のような構成では、上述のようにトリマーの調整が
必要であり、トリマーは一般に機械的可動部を有し、機
械による自動調整も行ないにくい形状を有している素子
であるため、自動調整も行ないにくいと云う問題がある
。また、上記トリマーは、機械的に調整を可能ならしめ
るため、大幅な小型化も困難と云う問題もある。
必要であり、トリマーは一般に機械的可動部を有し、機
械による自動調整も行ないにくい形状を有している素子
であるため、自動調整も行ないにくいと云う問題がある
。また、上記トリマーは、機械的に調整を可能ならしめ
るため、大幅な小型化も困難と云う問題もある。
本発明は、従来の受信機高周波部の機能を損なうことな
く、上記トリマーを除去し、受信機高周波部の小型化と
トラッキング調整の自動化を容易にしようとするもので
ある。
く、上記トリマーを除去し、受信機高周波部の小型化と
トラッキング調整の自動化を容易にしようとするもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明はスーパーヘテロダ
イン型受信機の高周波増幅回路、局部発振回路、ミキサ
ー回路などの信号処理回路用各種能動素子、受動素子と
共に、受信周波数範囲の調整用、および高周波回路のト
ラッキング調整用として、不揮発性メモリ、ＤＡコンバ
ータ、およびＰＮ接合ダイオードの組み合わせからなる
複数組の等価的半固定容量素子（トリマー）を半導体基
板上に集積するものである。
イン型受信機の高周波増幅回路、局部発振回路、ミキサ
ー回路などの信号処理回路用各種能動素子、受動素子と
共に、受信周波数範囲の調整用、および高周波回路のト
ラッキング調整用として、不揮発性メモリ、ＤＡコンバ
ータ、およびＰＮ接合ダイオードの組み合わせからなる
複数組の等価的半固定容量素子（トリマー）を半導体基
板上に集積するものである。
作用
本発明は上記の構成により、受信機高周波回路部の機能
を損なうことなく、トリマーを除去することができ、受
信機高周波部の小型化、トラッキング調整の自動化を容
易ならしめることができる。
を損なうことなく、トリマーを除去することができ、受
信機高周波部の小型化、トラッキング調整の自動化を容
易ならしめることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例の半導体集積回路とその使用例
につき、図面を参照しながら説明する。
につき、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の半導体集積回路とその周辺回路で、受
信機高周波回路部を示すブロック回路図である。
信機高周波回路部を示すブロック回路図である。
第１図に示す各ブロックおよび各回路素子において、第
２図と同じ番号を付しているものは同じ機能を有するた
め、これ以上の詳述は省略する。
２図と同じ番号を付しているものは同じ機能を有するた
め、これ以上の詳述は省略する。
第１図においては、２′は全体として本発明によるフロ
ントエンドＩＣを示すものであり、図示のようにＲＦ増
幅器７、ミキサー８、局部発振器９と、不揮発性メモリ
、ＤＡコンバータ（以下Ｄ／Ａと称す）、抵抗、容量お
よびＰＮ接合ダイオードから構成されている。２’Ａ、
２’Ｂ。
ントエンドＩＣを示すものであり、図示のようにＲＦ増
幅器７、ミキサー８、局部発振器９と、不揮発性メモリ
、ＤＡコンバータ（以下Ｄ／Ａと称す）、抵抗、容量お
よびＰＮ接合ダイオードから構成されている。２’Ａ、
２’Ｂ。
２’Ｃ，２’Ｄは夫々、第２図の場合と同様、アンテナ
同調回路３’、ＲＦ同調回路４′、局部発振器用同調回
路５′、ＩＦＴ６との接続端子、２’Ｅ、２’Ｆは夫々
、不揮発メモリのデータ書き込み時の番地指定用および
データ信号用の各端子である。
同調回路３’、ＲＦ同調回路４′、局部発振器用同調回
路５′、ＩＦＴ６との接続端子、２’Ｅ、２’Ｆは夫々
、不揮発メモリのデータ書き込み時の番地指定用および
データ信号用の各端子である。
３’、４’、５’は夫々、第２図の３． ４． ５で示
す各同調回路であり、第２図の場合と比して、トリマー
３Ｃ，４Ｃ，５Ｃが除去されている。
す各同調回路であり、第２図の場合と比して、トリマー
３Ｃ，４Ｃ，５Ｃが除去されている。
１１は、上記の不揮発性メモリであり、一般にＩＥＦＲ
ＯＭＥＣＰＲＯＭとして用いられているものに相当し、
内部で３ブロツクに分けられている。
ＯＭＥＣＰＲＯＭとして用いられているものに相当し、
内部で３ブロツクに分けられている。
１２、１３．１４は上記の３ブロツクに分けられた不揮
発性メモリの夫々のブロックに対応するものであり、こ
の不揮発性メモリのデータをアナログ信号に変換し、前
述のトリマーに相当するところのＰＮ接合ダイオード２
１．２２．２３に、バイアス供給用抵抗１５．１６．１
７を介して逆バイアス電圧を与える。１Ｂ、 １９．２
０は夫々、上記のＰＮ接合ダイオードが逆バイアスされ
た時に呈する容量を、アンテナ同調回路３′、ＲＦ同調
回路４′、局部発振器用同調回路５′に結合するための
結合容量である。
発性メモリの夫々のブロックに対応するものであり、こ
の不揮発性メモリのデータをアナログ信号に変換し、前
述のトリマーに相当するところのＰＮ接合ダイオード２
１．２２．２３に、バイアス供給用抵抗１５．１６．１
７を介して逆バイアス電圧を与える。１Ｂ、 １９．２
０は夫々、上記のＰＮ接合ダイオードが逆バイアスされ
た時に呈する容量を、アンテナ同調回路３′、ＲＦ同調
回路４′、局部発振器用同調回路５′に結合するための
結合容量である。
上記の不揮発性メモリは、一般に半導体集積回路の技術
分野で使用されているＭＯＳプロセスに新たに浮遊ゲー
トを作るプロセスを導入すればよく、他の回路素子と、
機能回路ブロックは、上記ＭＯＳプロセスおよびＭＯＳ
プロセスと混在しうるバイボークプロセスを用いて容易
に実現できる。
分野で使用されているＭＯＳプロセスに新たに浮遊ゲー
トを作るプロセスを導入すればよく、他の回路素子と、
機能回路ブロックは、上記ＭＯＳプロセスおよびＭＯＳ
プロセスと混在しうるバイボークプロセスを用いて容易
に実現できる。
第１図において、不揮発性メモリ１１、Ｄ ／ Ａ １
２゜１３、１４、抵抗１５．１６．１７および逆バイア
スされたＰＮ接合ダイオード２１．２２．２３は上述の
ように、第２図におけるトリマー３Ｃ，４Ｃ，５Ｃの代
替素子として動作するが、その容量値は不揮発性メモリ
に記憶されているデータにより定められる。
２゜１３、１４、抵抗１５．１６．１７および逆バイア
スされたＰＮ接合ダイオード２１．２２．２３は上述の
ように、第２図におけるトリマー３Ｃ，４Ｃ，５Ｃの代
替素子として動作するが、その容量値は不揮発性メモリ
に記憶されているデータにより定められる。
この不揮発性メモリにデータを書き込む手順は、第２図
に示すトリマーを調整する手順と同じであるため詳述は
省略するが、要は、まず、３ブロツクに分けられた不揮
発性メモリの領域の中の局部発振器用同調回路のトリマ
ーに対応するデータ領域に順次データを書き込み、その
ときの受信周波数の上限または下限を測定し、希望する
上限または下限の周波数が得られるときのデータを上に
不揮発性メモリの１つの領域に記憶させ、ひきつづいて
不揮発性メモリの領域の中のアンテナおよびＲＦ同調回
路のトリマーに対応するデータ領域に、同様に順次デー
タを書き込み、最大のＩＦ比出力得られる値になる時の
これらのデータを上記不揮発性メモリの他の領域に記憶
させるようにすればよい。以上の不揮発性メモリの最適
データ記憶手段は機械的可動部を自ら用いないため容易
に自動化できる。
に示すトリマーを調整する手順と同じであるため詳述は
省略するが、要は、まず、３ブロツクに分けられた不揮
発性メモリの領域の中の局部発振器用同調回路のトリマ
ーに対応するデータ領域に順次データを書き込み、その
ときの受信周波数の上限または下限を測定し、希望する
上限または下限の周波数が得られるときのデータを上に
不揮発性メモリの１つの領域に記憶させ、ひきつづいて
不揮発性メモリの領域の中のアンテナおよびＲＦ同調回
路のトリマーに対応するデータ領域に、同様に順次デー
タを書き込み、最大のＩＦ比出力得られる値になる時の
これらのデータを上記不揮発性メモリの他の領域に記憶
させるようにすればよい。以上の不揮発性メモリの最適
データ記憶手段は機械的可動部を自ら用いないため容易
に自動化できる。
以上のようにして構成された半導体集積回路を用いるこ
とにより、従来、受信機高周波部において必須であった
トリマーを除去することができ、受信機高周波部の小型
化とトラッキング調整の自動化を容易にすることができ
る。
とにより、従来、受信機高周波部において必須であった
トリマーを除去することができ、受信機高周波部の小型
化とトラッキング調整の自動化を容易にすることができ
る。
発明の効果
以上のように本発明は、受信機高周波部の信号処理回路
用能動素子、受動素子と共に、不揮発性メモリ、Ｄ／Ａ
およびＰＮ接合ダイオードからなる複数組の等価的半固
定容量素子（トリマー）を半導体基板上に集積化するこ
とにより、受信機高周波部において必須であったトリマ
ーを除去することができ、受信機高周波部の小型化とト
ラッキング調整の自動化を容易にすることができる。
用能動素子、受動素子と共に、不揮発性メモリ、Ｄ／Ａ
およびＰＮ接合ダイオードからなる複数組の等価的半固
定容量素子（トリマー）を半導体基板上に集積化するこ
とにより、受信機高周波部において必須であったトリマ
ーを除去することができ、受信機高周波部の小型化とト
ラッキング調整の自動化を容易にすることができる。
第１図は本発明の半導体集積回路とその周辺回路部を示
すブロック回路図、第２図は従来のＩＣを利用した受信
機高周波回路部のブロック回路図である。 １・・・・・・ＲＦ信号入力端子、２・・・・・・従来
の受信機のフロントエンドＩＣ１２′・・・・・・本発
明による受信機のフロントエンドＩＣｌ３．３′・・・
・・・アンテナ同調回路、４，４′・・・・・・ＲＦ同
調回路、５，５′・・・・・・局部発振器用同調回路、
３Ａ、４Ａ、５Ａ・・・・・・コイル、３Ｂ、４Ｂ、５
Ｂ・・・・・・可変容量素子、３Ｃ，４Ｃ，５Ｃ・・・
・・・半固定容量素子（トリマー）、６・・・・・・Ｉ
ＦＴ、？・・・・・・ＦＲ増幅器、８・・・・・・ミキ
サー、９・・・・・・局部発振器、１０・・・・・・Ｉ
Ｆ出力端子、１１・・・・・・不揮発性メモリ、１２．
１３．１４・・・・・・Ｄ／Ａ。 １５、１６．１７・・・・・・抵抗、１Ｂ、 １９．２
０・・・・・・結合容量、２Ａ・・・・・・ＩＣのアン
テナ同調回路接続端子、２Ｂ・・・・・・ＩＣのＲＦア
ンテナ同調回路接続端子、２Ｃ・・・・・・ＩＣの局部
発振器用アンテナ同調回路接続端子、２Ｄ・・・・・・
ＩＣの中間周波トランスアンテナ同調回路接続端子、２
Ｅ・・・・・・ＩＣの不揮発性メモリ番地指定端子、２
Ｆ・・・・・・ＩＣの不揮発性メモリデータ書き込み端
子。
すブロック回路図、第２図は従来のＩＣを利用した受信
機高周波回路部のブロック回路図である。 １・・・・・・ＲＦ信号入力端子、２・・・・・・従来
の受信機のフロントエンドＩＣ１２′・・・・・・本発
明による受信機のフロントエンドＩＣｌ３．３′・・・
・・・アンテナ同調回路、４，４′・・・・・・ＲＦ同
調回路、５，５′・・・・・・局部発振器用同調回路、
３Ａ、４Ａ、５Ａ・・・・・・コイル、３Ｂ、４Ｂ、５
Ｂ・・・・・・可変容量素子、３Ｃ，４Ｃ，５Ｃ・・・
・・・半固定容量素子（トリマー）、６・・・・・・Ｉ
ＦＴ、？・・・・・・ＦＲ増幅器、８・・・・・・ミキ
サー、９・・・・・・局部発振器、１０・・・・・・Ｉ
Ｆ出力端子、１１・・・・・・不揮発性メモリ、１２．
１３．１４・・・・・・Ｄ／Ａ。 １５、１６．１７・・・・・・抵抗、１Ｂ、 １９．２
０・・・・・・結合容量、２Ａ・・・・・・ＩＣのアン
テナ同調回路接続端子、２Ｂ・・・・・・ＩＣのＲＦア
ンテナ同調回路接続端子、２Ｃ・・・・・・ＩＣの局部
発振器用アンテナ同調回路接続端子、２Ｄ・・・・・・
ＩＣの中間周波トランスアンテナ同調回路接続端子、２
Ｅ・・・・・・ＩＣの不揮発性メモリ番地指定端子、２
Ｆ・・・・・・ＩＣの不揮発性メモリデータ書き込み端
子。
Claims (1)
- スーパーヘテロダイン型受信機の高周波増幅回路、局部
発振回路、ミキサー回路などの信号処理回路用各種能動
素子、受動素子と共に、受信周波数範囲の調整および高
周波回路のトラッキング調整用として、不揮発性メモリ
、ＤＡコンバータ、およびＰＮ接合ダイオードの組み合
わせからなる複数組の等価的半固定容量素子を半導体基
板上に集積化することを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123786A JPS62198211A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123786A JPS62198211A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198211A true JPS62198211A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12602814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4123786A Pending JPS62198211A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198211A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632820A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | Tuning system of tuner |
| JPS61170116A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-07-31 | Nippon Technical Co Ltd | 同調回路のトラツキング調整回路 |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP4123786A patent/JPS62198211A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632820A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | Tuning system of tuner |
| JPS61170116A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-07-31 | Nippon Technical Co Ltd | 同調回路のトラツキング調整回路 |
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