JPS62198193A - セラミツクス配線板の製法 - Google Patents
セラミツクス配線板の製法Info
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
この発明は、電子基材として使用されるセラミックス配
線板に関する。
線板に関する。
[背景技術]
セラミックスへのメタライジングには、テレフンケン法
、活性金属法、厚膜法、薄膜法、めっき法等、従来より
種々の方法がとられている。この中でめっき法は、 ■ 金属単体をセラミックス基板に直結メタライズでき
るため、得られる金属層は高導電性を示す、 ■ 金属層の膜厚制御が広範囲にわたって容易に行える
、 ■ スルーホールのメタライジングも容易で信頼性が高
い、゛ ■ 微細パターン形成が可能である、 等のメリットがあるため、実用化の研究がなされている
。
、活性金属法、厚膜法、薄膜法、めっき法等、従来より
種々の方法がとられている。この中でめっき法は、 ■ 金属単体をセラミックス基板に直結メタライズでき
るため、得られる金属層は高導電性を示す、 ■ 金属層の膜厚制御が広範囲にわたって容易に行える
、 ■ スルーホールのメタライジングも容易で信頼性が高
い、゛ ■ 微細パターン形成が可能である、 等のメリットがあるため、実用化の研究がなされている
。
従来、めっき法によるセラミックス配線板は、つぎのよ
うな(1)〜(5)の操作を順次行うバッチ式プロセス
により製造されていた。
うな(1)〜(5)の操作を順次行うバッチ式プロセス
により製造されていた。
fl) セラミックス基板の準備
(2)基板の表面粗化処理
(3)基板の洗浄、乾燥処理
(4) 基板表面の活性化処理
(5)無電解めっき処理
以上のような、(1)〜(5)のプロセスを経て、セラ
ミックス配線板が得られるが1、これらのプロセスによ
って配線板を製造するに当たっては、前述のようにバッ
チ処理を行っていたため、ロフトごとの特性のバラツキ
が大きく、歩留の低下、ひいてはコストアップが避けら
れず、これらの改善が望まれていた。
ミックス配線板が得られるが1、これらのプロセスによ
って配線板を製造するに当たっては、前述のようにバッ
チ処理を行っていたため、ロフトごとの特性のバラツキ
が大きく、歩留の低下、ひいてはコストアップが避けら
れず、これらの改善が望まれていた。
[発明の目的]
この発明は、このような現状に鑑みてなされたものであ
り、セラミックス配線板を製造するにあたり、特性のバ
ラツキが少なく、低コストで製造できるセラミックス配
線板の製造方法を提供することを目的としている。
り、セラミックス配線板を製造するにあたり、特性のバ
ラツキが少なく、低コストで製造できるセラミックス配
線板の製造方法を提供することを目的としている。
[発明の開示]
この発明は、金属を受容するようにセラミックス基板の
表面を活性化処理し、その処理表面に無電解めっきによ
り金属を析出させる工程を含むセラミックス配線板の製
法であって、 (1)アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤を基板
表面に塗布する塗布工程、 (2)基板表面を粗面化処理する反応工程、(3)基板
表面に付着したアルカリを中和する中和工程、 (4)粗面化された基板表面に、無電解めっき用の触媒
を付与する活性化工程、 (5)触媒が付与された表面の一部または全部に無電解
めっきを施すめっき工程、 を順次含ましめた連続的工程からなることを特徴とする
セラミックス基板の製法を提供するものである。
表面を活性化処理し、その処理表面に無電解めっきによ
り金属を析出させる工程を含むセラミックス配線板の製
法であって、 (1)アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤を基板
表面に塗布する塗布工程、 (2)基板表面を粗面化処理する反応工程、(3)基板
表面に付着したアルカリを中和する中和工程、 (4)粗面化された基板表面に、無電解めっき用の触媒
を付与する活性化工程、 (5)触媒が付与された表面の一部または全部に無電解
めっきを施すめっき工程、 を順次含ましめた連続的工程からなることを特徴とする
セラミックス基板の製法を提供するものである。
なお、本発明を実施するに先立って、焼結セラミックス
基板の準備が必要であるが、焼結基板の材質としては、
アルミナ、フォルステライト、ステアタイト、ジルコン
、ムライト、コージライト、チタニア等の酸化物系セラ
ミックスが主として使用されるが、炭化物系および窒化
物系セラミックス基板もあり、これらの何れも対象とな
し得る。しかし、この発明においては、アルカリ化合物
からなる粗面化処理剤により粗面化がされ易いものが対
象として好ましい。通常はアルミナ(Aβ、03)が使
用されるが、特にアルミナの中に助剤としてシリカ、酸
化カルシウム、酸化マグネシウム等を含有するものが、
粗面化がされ易く好ましい。
基板の準備が必要であるが、焼結基板の材質としては、
アルミナ、フォルステライト、ステアタイト、ジルコン
、ムライト、コージライト、チタニア等の酸化物系セラ
ミックスが主として使用されるが、炭化物系および窒化
物系セラミックス基板もあり、これらの何れも対象とな
し得る。しかし、この発明においては、アルカリ化合物
からなる粗面化処理剤により粗面化がされ易いものが対
象として好ましい。通常はアルミナ(Aβ、03)が使
用されるが、特にアルミナの中に助剤としてシリカ、酸
化カルシウム、酸化マグネシウム等を含有するものが、
粗面化がされ易く好ましい。
以下、各工程を詳しく説明する。
(1)アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤を基板
表面に塗布する塗布工程 セラミックス基板面の粗面化処理を行う。これは、アン
カー効果を有効に作用させるために行うものである。粗
面化処理に用いる処理剤としては、H,PO4、ホウ砂
、V2.0.5、HP、アルカリ金属化合物等の溶液、
融液があげられるが、この中でセラミックス基板の粗面
化を深く行うことなく、基板のごく表層を緻密に粗面化
することのできるアルカリ化合物を用いることが望まし
く、アルカリ化合物としては、水酸化物、炭酸塩および
硫酸水素塩およびこれらの混合物を使用するのが好まし
い。これらの1種または2種以上のアルカリ化合物の熔
融物に、セラミックス基板を浸漬し、加熱処理するとい
う方法で粗面化処理を行う。
表面に塗布する塗布工程 セラミックス基板面の粗面化処理を行う。これは、アン
カー効果を有効に作用させるために行うものである。粗
面化処理に用いる処理剤としては、H,PO4、ホウ砂
、V2.0.5、HP、アルカリ金属化合物等の溶液、
融液があげられるが、この中でセラミックス基板の粗面
化を深く行うことなく、基板のごく表層を緻密に粗面化
することのできるアルカリ化合物を用いることが望まし
く、アルカリ化合物としては、水酸化物、炭酸塩および
硫酸水素塩およびこれらの混合物を使用するのが好まし
い。これらの1種または2種以上のアルカリ化合物の熔
融物に、セラミックス基板を浸漬し、加熱処理するとい
う方法で粗面化処理を行う。
一般に、セラミックスを焼結させる際には母材以外に、
焼結助材として5iO1,MgO等を1〜8%程度添加
する。しかし、焼結後のセラミックス表層部のごく薄い
部分では、焼結助材の割合が50%と非常に高くなって
いる。
焼結助材として5iO1,MgO等を1〜8%程度添加
する。しかし、焼結後のセラミックス表層部のごく薄い
部分では、焼結助材の割合が50%と非常に高くなって
いる。
このように、セラミックス基板表層に局在しているSi
O,、MgOなどとアルカリ化合物の溶液あるいは融液
とを反応させ、また、直接Al2O3とも反応させてエ
ツチングすることにより粗面化がなされる。
O,、MgOなどとアルカリ化合物の溶液あるいは融液
とを反応させ、また、直接Al2O3とも反応させてエ
ツチングすることにより粗面化がなされる。
本発明における粗面化処理剤は、アルカリ化合物を使用
する。アルカリ化合物としては水酸化ナトリウム等の水
酸化物、炭酸ナトリウム等の炭酸塩、硫酸水素ナトリウ
ム等の硫酸水素塩等が使用される。なお、これらは単独
でも2種以上併用しても良い。いずれにしても、従来か
ら使用されているアルカリ化合物の範順に属する粗面化
処理剤を使用することが可能である。
する。アルカリ化合物としては水酸化ナトリウム等の水
酸化物、炭酸ナトリウム等の炭酸塩、硫酸水素ナトリウ
ム等の硫酸水素塩等が使用される。なお、これらは単独
でも2種以上併用しても良い。いずれにしても、従来か
ら使用されているアルカリ化合物の範順に属する粗面化
処理剤を使用することが可能である。
なお、得られる粗面化程度のコントロールは、アルカリ
化合物溶液のアルカリ化合物の濃度を調節することによ
り行なう。その−例を第6図のグラフに示す。このグラ
フには、基板に塗布される水酸化す) IJウムの濃度
を変化させ、反応工程において450℃−15分の処理
を行なった時の基板の表面粗さくRmax)の変化が示
されている。
化合物溶液のアルカリ化合物の濃度を調節することによ
り行なう。その−例を第6図のグラフに示す。このグラ
フには、基板に塗布される水酸化す) IJウムの濃度
を変化させ、反応工程において450℃−15分の処理
を行なった時の基板の表面粗さくRmax)の変化が示
されている。
なお、パラメータはアルミナ基板のアルミナ含有量であ
る。
る。
第6図から電解されるように、水溶液中の水酸化ナトリ
ウム濃度を増やすことにより、RvgaxO値は増加す
る。なお、水100gに対する水酸化ナトリウムの溶解
度は、25℃では114gであるが、もっと多量に熔か
したい場合には、液温を上げれば、さらに多量の水酸化
ナトリウムを溶かすことができる。
ウム濃度を増やすことにより、RvgaxO値は増加す
る。なお、水100gに対する水酸化ナトリウムの溶解
度は、25℃では114gであるが、もっと多量に熔か
したい場合には、液温を上げれば、さらに多量の水酸化
ナトリウムを溶かすことができる。
(2)基板表面に付着したアルカリを中和する中和工程
本発明においては、溶融アルカリ化合物によりセラミッ
クス基板表面を粗化するので、処理後の基板表面にはア
ルカリ分が残留している。そこで、セラミックス基板表
面を温水、水、酸等で洗浄した後、よく水洗し、要すれ
ば乾燥する。
クス基板表面を粗化するので、処理後の基板表面にはア
ルカリ分が残留している。そこで、セラミックス基板表
面を温水、水、酸等で洗浄した後、よく水洗し、要すれ
ば乾燥する。
(3) 粗面化された基板表面の活性化工程基板表面
に無電解めっきの受容体となる触媒付与を行って活性化
する工程である。この工程は、使用する活性化処理剤の
種類によっては、センシタイジング工程とアクチベーシ
ッン工程の2工程に分割される。そして2分割した工程
を採用する場合は、その中間に水洗工程を付加する。
に無電解めっきの受容体となる触媒付与を行って活性化
する工程である。この工程は、使用する活性化処理剤の
種類によっては、センシタイジング工程とアクチベーシ
ッン工程の2工程に分割される。そして2分割した工程
を採用する場合は、その中間に水洗工程を付加する。
触媒付与は;たとえば塩化第一錫溶液と塩化パラジウム
溶液を用いたセンシタイジング・アクチベーシッン法に
より、セラミックス基板表面に、たとえば金属パラジウ
ムを析出させる方法が採用される。その後、銅あるいは
ニッケル等の導体層を形成するためのメタライジング、
すなわち無電解めっきを行う。
溶液を用いたセンシタイジング・アクチベーシッン法に
より、セラミックス基板表面に、たとえば金属パラジウ
ムを析出させる方法が採用される。その後、銅あるいは
ニッケル等の導体層を形成するためのメタライジング、
すなわち無電解めっきを行う。
(5)触媒が付与された表面の一部または全部に無電解
めっきを施すめっき工程 無電解めっきは、たとえば基板上に金属パラジウム等の
触媒の付与を行った後、通常の化学めっき液(たとえば
銅、ニッケル等のめっき液)に浸漬することにより0.
8〜10μm程度の厚さの銅等の化学めっき層を形成す
る。高周波回路やディジタル信号回路のように微弱電力
用の配線基板として使用する場合には、この無電解めっ
きだけで充分であるが、大電力用の配線板として用いる
場合には、さらに金属層の厚みを増やす必要があり、電
解めっきにより銅あるいはニッケル等の厚付けを行う。
めっきを施すめっき工程 無電解めっきは、たとえば基板上に金属パラジウム等の
触媒の付与を行った後、通常の化学めっき液(たとえば
銅、ニッケル等のめっき液)に浸漬することにより0.
8〜10μm程度の厚さの銅等の化学めっき層を形成す
る。高周波回路やディジタル信号回路のように微弱電力
用の配線基板として使用する場合には、この無電解めっ
きだけで充分であるが、大電力用の配線板として用いる
場合には、さらに金属層の厚みを増やす必要があり、電
解めっきにより銅あるいはニッケル等の厚付けを行う。
(6)回路パターンの形成
本発明においてセラミックス配線基板と称するのは、具
体的電気回路を形成する前の金属面を有するセラミック
ス基板を指しているものとする。
体的電気回路を形成する前の金属面を有するセラミック
ス基板を指しているものとする。
故に、前記工程の連続実施により得られたセラミックス
配線板を実用するためには、最終的には回路パターンの
形成が必要である。この工程は、本発明と連続させた工
程によって実施しても良く、別の工程で実施しても良い
。回路の形成方法は、一般に用いられているサブトラク
ティブ法による、回路形成はサブトラクティブ法以外に
、アディティブ法、セミアディティブ法も勿論i内用で
きる。これらの方法で回路形成を行う場合には、得られ
たセラミックス配線板の表面に、めっきレジストを所望
のパターン通りに施し、不要の導電体の部分をエツチン
グ等により除去するというプロセスを付は加える。
配線板を実用するためには、最終的には回路パターンの
形成が必要である。この工程は、本発明と連続させた工
程によって実施しても良く、別の工程で実施しても良い
。回路の形成方法は、一般に用いられているサブトラク
ティブ法による、回路形成はサブトラクティブ法以外に
、アディティブ法、セミアディティブ法も勿論i内用で
きる。これらの方法で回路形成を行う場合には、得られ
たセラミックス配線板の表面に、めっきレジストを所望
のパターン通りに施し、不要の導電体の部分をエツチン
グ等により除去するというプロセスを付は加える。
なお、回路形成は、たとえば従来のサブトラクティブ法
により行う。第1図では、フォト法によるサブトラクテ
ィブ回路形成法を示したが、スクリーン印刷による回路
形成を行ってもさしつかえない。回路形成には、サブト
ラクティブ法以外にアディティブ法、セミアディティブ
法も通用できる。これらの方法による場合には、めっき
工程の前に、めっきレジストを所望のパターン通りに施
すという工程を入れることによって行うことができる。
により行う。第1図では、フォト法によるサブトラクテ
ィブ回路形成法を示したが、スクリーン印刷による回路
形成を行ってもさしつかえない。回路形成には、サブト
ラクティブ法以外にアディティブ法、セミアディティブ
法も通用できる。これらの方法による場合には、めっき
工程の前に、めっきレジストを所望のパターン通りに施
すという工程を入れることによって行うことができる。
以上の回路形成においても、キャリングベルト1による
連続化を行うことが窒ましい。
連続化を行うことが窒ましい。
以上、要するにこの発明は、前記(1)〜(5)の各工
程を連続的に結合した点に特徴を有する。なお、さらに
必要に応じてその他の工程を付加することは自由である
。
程を連続的に結合した点に特徴を有する。なお、さらに
必要に応じてその他の工程を付加することは自由である
。
つぎに、製造プロセスを説明する。第1図は、本発明に
係るセラミックス配線板の製造プロセスを例示的に示し
たブロック図であり、第8図は、単位の工程を実施する
装置を複数個連結して一つの連続装置を完成させた例を
示している。
係るセラミックス配線板の製造プロセスを例示的に示し
たブロック図であり、第8図は、単位の工程を実施する
装置を複数個連結して一つの連続装置を完成させた例を
示している。
連続処理を行う場合、セラミックス基板を搬送するため
にはキャリングベルトコンベア等を用いる。第2図(a
)はキャリングベルト1の一例を示すが、キャリングベ
ルト1の底部はメソシェ状1aとなっている。キャリン
グベルト1の材質としては、一般に、ステンレス等の金
属上に耐酸、耐アルカリ性のある弗素樹脂(ポリフッ化
エチレン系樹脂)、ポリプロピレン等の樹脂をコートし
たものを用いるが、反応工程にはニッケル、SuS等を
用いる。なお、水洗工程等の耐酸、耐アルカリ性が要求
されない工程に使用するものには弗素樹脂、ポリプロピ
レン等の樹脂コートはしなくてもかまわない。なお、第
2図(b)は、キ鵞・リング′ベルトlにセラミックス
基板2を載置した例を示す斜視図である。
にはキャリングベルトコンベア等を用いる。第2図(a
)はキャリングベルト1の一例を示すが、キャリングベ
ルト1の底部はメソシェ状1aとなっている。キャリン
グベルト1の材質としては、一般に、ステンレス等の金
属上に耐酸、耐アルカリ性のある弗素樹脂(ポリフッ化
エチレン系樹脂)、ポリプロピレン等の樹脂をコートし
たものを用いるが、反応工程にはニッケル、SuS等を
用いる。なお、水洗工程等の耐酸、耐アルカリ性が要求
されない工程に使用するものには弗素樹脂、ポリプロピ
レン等の樹脂コートはしなくてもかまわない。なお、第
2図(b)は、キ鵞・リング′ベルトlにセラミックス
基板2を載置した例を示す斜視図である。
第3図および第4図は、本発明において使用する装置の
一例を示す略図であり、実質的にこの2種の装置が複数
個連結されてセラミックス配線基板の製造プロセスが実
現され易。
一例を示す略図であり、実質的にこの2種の装置が複数
個連結されてセラミックス配線基板の製造プロセスが実
現され易。
第4図に示した装置は、粗面化処理の反応工程において
使用する反応炉であり、実際上基板粗面化のためにアル
カリ化合物で処理する反応工程のみに使用される。
使用する反応炉であり、実際上基板粗面化のためにアル
カリ化合物で処理する反応工程のみに使用される。
第3図の装置は、前記反応工程における反応炉以外の、
液状の処理剤等を使用する幾つかのプロセスを実施する
ための装置として、複数連結されて使用される。そして
これらは、基板を各処理液に浸漬し、処理する場合のも
ので、その処理が水洗であれば処理槽3中に処理液とし
て水を入れ、中和であれば処理槽3中に処理液として酸
を入れて使用する。処理は、上記のキャリングベルト1
が処理槽3中に引き込まれ、各処理液に基板が浸漬され
、そして引き上げられた後、キャリングベルト1上の基
板2は次の工程に渡される。一方、空になったキャリン
グベルト1はエンドレス状に下方に回され、下部に設置
された超音波洗浄装置等を具備した超音波洗浄槽4によ
り、洗浄され、ついで乾燥機5により乾燥され、つぎの
基板の処理に備える。なお、処理槽3の材質には、塩化
ビニル樹脂を使用するが、耐酸、耐アルカリ性のあるも
のであれば、他の材質のものを使用してもかまわない。
液状の処理剤等を使用する幾つかのプロセスを実施する
ための装置として、複数連結されて使用される。そして
これらは、基板を各処理液に浸漬し、処理する場合のも
ので、その処理が水洗であれば処理槽3中に処理液とし
て水を入れ、中和であれば処理槽3中に処理液として酸
を入れて使用する。処理は、上記のキャリングベルト1
が処理槽3中に引き込まれ、各処理液に基板が浸漬され
、そして引き上げられた後、キャリングベルト1上の基
板2は次の工程に渡される。一方、空になったキャリン
グベルト1はエンドレス状に下方に回され、下部に設置
された超音波洗浄装置等を具備した超音波洗浄槽4によ
り、洗浄され、ついで乾燥機5により乾燥され、つぎの
基板の処理に備える。なお、処理槽3の材質には、塩化
ビニル樹脂を使用するが、耐酸、耐アルカリ性のあるも
のであれば、他の材質のものを使用してもかまわない。
また、活性化工程前までの水洗、アルカリ脱脂、洗浄、
中和の各工程においては、超音波洗浄を併用した方が効
果的である。
中和の各工程においては、超音波洗浄を併用した方が効
果的である。
上述したものは、基板2を処理槽3中の処理浴に、浸漬
し、処理する場合のものであるが、必ずしも浸漬する必
要はなく、水洗、アルカリ化合物塗布、洗浄、中和工程
等は処理槽3の中を、キャリングベルト1が通過する時
に、ベルトの上下方向から水または処理液をスプレー等
により吹きつけて行ってもかまわない。
し、処理する場合のものであるが、必ずしも浸漬する必
要はなく、水洗、アルカリ化合物塗布、洗浄、中和工程
等は処理槽3の中を、キャリングベルト1が通過する時
に、ベルトの上下方向から水または処理液をスプレー等
により吹きつけて行ってもかまわない。
反応工程には第4図のようなマツフル炉6を用い、炉材
としてはニッケル、Su S %耐火レンガ等を用いる
。炉内は、第7図のグラフに示すように、3つのゾーン
に分かれている。基板はキャリングベルト1により一定
の速度でマツフル炉6内を送られ、まず乾燥ゾーンに入
り、徐々に反応温度まで昇温される。この場合、アルカ
リ化合物溶液を使用している場合は、それに含まれる水
分を蒸発させる。つぎに、基板は反応温度に保たれた反
応ゾーンに入り、アルカリ化合物溶液または融液とセラ
ミックス基板表面が反応し、粗化される、さらに、除冷
ゾーンに進むことにより、基板は室温まで冷却される。
としてはニッケル、Su S %耐火レンガ等を用いる
。炉内は、第7図のグラフに示すように、3つのゾーン
に分かれている。基板はキャリングベルト1により一定
の速度でマツフル炉6内を送られ、まず乾燥ゾーンに入
り、徐々に反応温度まで昇温される。この場合、アルカ
リ化合物溶液を使用している場合は、それに含まれる水
分を蒸発させる。つぎに、基板は反応温度に保たれた反
応ゾーンに入り、アルカリ化合物溶液または融液とセラ
ミックス基板表面が反応し、粗化される、さらに、除冷
ゾーンに進むことにより、基板は室温まで冷却される。
基板かつぎの工程に渡された後、キャリングベルト1は
、下部の洗浄槽4により洗浄され、乾燥機5により乾燥
され、つぎの基板の処理に備える。
、下部の洗浄槽4により洗浄され、乾燥機5により乾燥
され、つぎの基板の処理に備える。
めっき用の処理装置としては、第3図に示すように、基
板を連続的に処理槽3中に浸漬することのできるものを
用いるが、その間に含まれる洗浄槽(超音波洗浄槽4)
は、ベルトの上下方向からスプレーまたはシャワーによ
り、水を基板にかけて洗浄するような装置でもかまわな
い。
板を連続的に処理槽3中に浸漬することのできるものを
用いるが、その間に含まれる洗浄槽(超音波洗浄槽4)
は、ベルトの上下方向からスプレーまたはシャワーによ
り、水を基板にかけて洗浄するような装置でもかまわな
い。
なお、電解めっきを行うには、第3ryJに示した装置
に電極を付加した装置を使用する。その状態が第5図に
示されている。すなわち、第5図はめっき槽内を説明す
る概略図であり、銅製のキャリングベルト9を使用し、
これが陰極になるようにしである。そして、キャリング
ベルト9の上下に銅製の陽極7.7が配置されている。
に電極を付加した装置を使用する。その状態が第5図に
示されている。すなわち、第5図はめっき槽内を説明す
る概略図であり、銅製のキャリングベルト9を使用し、
これが陰極になるようにしである。そして、キャリング
ベルト9の上下に銅製の陽極7.7が配置されている。
第8図は、電解めっき終了までの連続工程を含む本発明
実施例に係る装置の略図である。ここでは、16個の単
位の装置が連結されていて、本発明にかかる製法を連続
的に実施できるようにしである。この図で10はアルカ
リ脱脂工程であり、後の各工程において使用する処理剤
による濡れを良くするためのものである。11は水洗工
程であり、アルカリ脱脂後のセラミックス基板面の洗浄
を行う。12はアルカリ化合物塗布工程であり、セラミ
ックス基板面の粗化を行うための処理剤の塗布を行う。
実施例に係る装置の略図である。ここでは、16個の単
位の装置が連結されていて、本発明にかかる製法を連続
的に実施できるようにしである。この図で10はアルカ
リ脱脂工程であり、後の各工程において使用する処理剤
による濡れを良くするためのものである。11は水洗工
程であり、アルカリ脱脂後のセラミックス基板面の洗浄
を行う。12はアルカリ化合物塗布工程であり、セラミ
ックス基板面の粗化を行うための処理剤の塗布を行う。
13は表面粗化のための反応工程であり、前の工程で塗
布したアルカリ化合物によりセラミックス基板表面を侵
食させる。14は洗浄工程であり、15は中和工程、1
6は水洗工程である。これらの工程は、表面粗化用に使
用した処理剤の除去のためのものである。17はセンシ
タイジング工程、1Bは水洗工程、19はアクチベイシ
ョン工程であり、18の水洗工程はセンシタイジング工
程で使用する還元剤が後の工程に混入しないようにする
ための工程である。20は水洗工程、21は無電解めっ
き工程、22は電解めっき工程であり、必要に応じて付
加する。23は整面工程でありζ電解めっき後の金属面
の表面を研磨し、回路パターンを描くための準備の工程
である。24は水洗工程、25は乾燥工程であり、第3
図、第4図に示した装置の基本構造とは異なっていて、
単に乾燥ができる機能が備わっておれば良い、これらの
工程は、一つの工程で処理された基板が、つぎの工程に
送られるように各工程のキャリングベルトが配置されて
いる。第8図に例示した工程の数は限定的な趣旨ではな
く、必須的でない工程は省略可能である。また、この図
では活性化工程が、センシタイジング工程とアクチベイ
シジン工程に分割して記載しである。
布したアルカリ化合物によりセラミックス基板表面を侵
食させる。14は洗浄工程であり、15は中和工程、1
6は水洗工程である。これらの工程は、表面粗化用に使
用した処理剤の除去のためのものである。17はセンシ
タイジング工程、1Bは水洗工程、19はアクチベイシ
ョン工程であり、18の水洗工程はセンシタイジング工
程で使用する還元剤が後の工程に混入しないようにする
ための工程である。20は水洗工程、21は無電解めっ
き工程、22は電解めっき工程であり、必要に応じて付
加する。23は整面工程でありζ電解めっき後の金属面
の表面を研磨し、回路パターンを描くための準備の工程
である。24は水洗工程、25は乾燥工程であり、第3
図、第4図に示した装置の基本構造とは異なっていて、
単に乾燥ができる機能が備わっておれば良い、これらの
工程は、一つの工程で処理された基板が、つぎの工程に
送られるように各工程のキャリングベルトが配置されて
いる。第8図に例示した工程の数は限定的な趣旨ではな
く、必須的でない工程は省略可能である。また、この図
では活性化工程が、センシタイジング工程とアクチベイ
シジン工程に分割して記載しである。
つぎに、本発明にかかるセラミックス配線板の連続製造
法を実施例に基づき説明する。
法を実施例に基づき説明する。
〔実施例1〕
第1図に示したプロセスに従って実施した。このプロセ
スは連続的に実施できるような、連続装置として組み立
てられている。前述したように、セラミックス基板とし
ては酸化物系、炭化物系、窒化物系のいずれのセラミッ
クス基板も使用できるが、ここでは、92.96.99
%Aβ103コンテントの3種類のアルミナ基板を用い
た。
スは連続的に実施できるような、連続装置として組み立
てられている。前述したように、セラミックス基板とし
ては酸化物系、炭化物系、窒化物系のいずれのセラミッ
クス基板も使用できるが、ここでは、92.96.99
%Aβ103コンテントの3種類のアルミナ基板を用い
た。
これらの基板を第2図(a)に示すような、キャリング
ベルト1にのせ、アルカリ脱脂を行なった。JI JI
FIのための装置は第3図に示すようなタイプのもので
、キャリングベルト1にのせた基板2を処理槽3中に浸
漬し、脱脂を行なった。
ベルト1にのせ、アルカリ脱脂を行なった。JI JI
FIのための装置は第3図に示すようなタイプのもので
、キャリングベルト1にのせた基板2を処理槽3中に浸
漬し、脱脂を行なった。
処理槽3には、20〜30 g/12のケイ酸ナトリウ
ム水溶液を入れ、処理時間は3〜5分であり、液温は2
5℃とした。
ム水溶液を入れ、処理時間は3〜5分であり、液温は2
5℃とした。
水洗は、第3図に示したような、超音波洗浄装置を具備
した水洗槽に浸漬し、3〜5分間洗浄し、つぎのアルカ
リ化合物の溶液の塗布も、浴中に基板を1〜2分間浸漬
することにより塗布した。
した水洗槽に浸漬し、3〜5分間洗浄し、つぎのアルカ
リ化合物の溶液の塗布も、浴中に基板を1〜2分間浸漬
することにより塗布した。
アルカリ化合物としては、前述のように、水酸化物、炭
酸塩、硝酸塩、硫酸水素塩、およびこれらの混合物を用
いるが、ここでは、1kg/1(25℃)の水酸化ナト
リウム水溶液を処理浴として用いた。
酸塩、硝酸塩、硫酸水素塩、およびこれらの混合物を用
いるが、ここでは、1kg/1(25℃)の水酸化ナト
リウム水溶液を処理浴として用いた。
つづいて、基板は第4図に示す反応炉に送られる。反応
条件は、400〜600℃の温度、5〜30分の時間が
好ましいが、ここでは450℃、15分の条件を用いた
。炉内の基板はキャリングベルト1により一定の速度で
送られ昇温・乾燥ゾーンを10分間で通過し乾燥、予熱
される。つぎに、450℃に保持された反応ゾーンを1
5分間で通過し、この間にアルカリ化合物は融解し、ア
ルミナ基板と反応する。さらに、除冷ゾーンを10分間
で通過し、室温まで冷却される。
条件は、400〜600℃の温度、5〜30分の時間が
好ましいが、ここでは450℃、15分の条件を用いた
。炉内の基板はキャリングベルト1により一定の速度で
送られ昇温・乾燥ゾーンを10分間で通過し乾燥、予熱
される。つぎに、450℃に保持された反応ゾーンを1
5分間で通過し、この間にアルカリ化合物は融解し、ア
ルミナ基板と反応する。さらに、除冷ゾーンを10分間
で通過し、室温まで冷却される。
また、反応条件を変更する場合には、反応ゾーンの温度
とベルトスピードを変え、時間を変更することにより所
望の条件を得る。
とベルトスピードを変え、時間を変更することにより所
望の条件を得る。
つぎに、洗浄工程および中和工程に移る。いずれも、先
の水洗と同様、超音波洗浄装置を併用した処理槽3中に
、キャリングベルト1に基板をのせたまま浸漬すること
により行なわれる。
の水洗と同様、超音波洗浄装置を併用した処理槽3中に
、キャリングベルト1に基板をのせたまま浸漬すること
により行なわれる。
洗浄手段としての処理槽3内には水を入れ、水に可溶な
反応生成物を熔解除去する。つぎの中和工程の処理8w
3中には10〜20%の塩酸を入れ、この中を洗浄済み
の基板を潜らせて、余分のアルカリ分を中和する。なお
、本実施例においては、いずれの処理も3〜5分程度で
行なった。
反応生成物を熔解除去する。つぎの中和工程の処理8w
3中には10〜20%の塩酸を入れ、この中を洗浄済み
の基板を潜らせて、余分のアルカリ分を中和する。なお
、本実施例においては、いずれの処理も3〜5分程度で
行なった。
つぎに、センシタイジング前の水洗に移る。この水洗は
、先の水洗と同様、水洗槽中の水の中に基板を3〜5分
間浸漬することにより行った。
、先の水洗と同様、水洗槽中の水の中に基板を3〜5分
間浸漬することにより行った。
つぎに、めっき工程に移る。まず、通常のセンシタイジ
ング・アクチベーション法により、基板表面に金属パラ
ジウムの付与を行なった。処理時間は、センシタイジン
グ2分、アクナベ−95フ1分とした。その間の水洗お
よび化学めっき前の水洗′も約1分とした。なお、処理
方法は、各処理槽3中に、キャリングベルト1上に乗せ
たままの基板を浸漬する方法によった。
ング・アクチベーション法により、基板表面に金属パラ
ジウムの付与を行なった。処理時間は、センシタイジン
グ2分、アクナベ−95フ1分とした。その間の水洗お
よび化学めっき前の水洗′も約1分とした。なお、処理
方法は、各処理槽3中に、キャリングベルト1上に乗せ
たままの基板を浸漬する方法によった。
水洗した基板は、つぎの銅の化学めっき槽に送られる。
めっき液は、高速厚付はタイプのものを用い、この浴中
を、基板をのせたキャリングベルト1を移動させながら
浸漬して65℃で3時間処理し、約10μmの化学めっ
き銅層を形成した。
を、基板をのせたキャリングベルト1を移動させながら
浸漬して65℃で3時間処理し、約10μmの化学めっ
き銅層を形成した。
なお、本実施例の場合、ベルトスピードは5CIl/分
とした。処理槽は塩化ビニル樹脂を材料として用い、キ
ャリングベルトは弗素樹脂をステンレスにコートしたも
のを材料として用い、反応工程のキャリングベルトだけ
はニッケルを用いた。
とした。処理槽は塩化ビニル樹脂を材料として用い、キ
ャリングベルトは弗素樹脂をステンレスにコートしたも
のを材料として用い、反応工程のキャリングベルトだけ
はニッケルを用いた。
以上により、特性バラツキの少ないセラミックス銅張板
を連続的に得た。
を連続的に得た。
回路は、一般に行われているサブトラクティブ法で形成
することができた。
することができた。
〔実施例2〕
センシタイジング・アクチベーシ目ン工程までは1、お
よび装置の材質、ベルトスピードは実施例1と同様の処
理を行ない、化学めっき処理はつぎのように変更した。
よび装置の材質、ベルトスピードは実施例1と同様の処
理を行ない、化学めっき処理はつぎのように変更した。
化学めっき液として、常温タイプの化学銅めっき液を用
い、ステンレス上に弗素樹脂をコートした。キャリング
ベルト上に、基板をのせたまま、めっき槽中を移動させ
、25℃−20分の処理条件で、0.8μmの化学銅め
っき層を基板上に形成させた。
い、ステンレス上に弗素樹脂をコートした。キャリング
ベルト上に、基板をのせたまま、めっき槽中を移動させ
、25℃−20分の処理条件で、0.8μmの化学銅め
っき層を基板上に形成させた。
つぎに、基板を水洗槽中に1分程度キャリングベルト1
にのせたまま、浸漬し、潜らせた後、さらに10%硫酸
水溶液中をキャリングベルトに乗せたままの基板を1〜
2分くぐらせ、化学銅めっき表面を活性化させた後、つ
ぎの硫酸銅めっき槽に送った。
にのせたまま、浸漬し、潜らせた後、さらに10%硫酸
水溶液中をキャリングベルトに乗せたままの基板を1〜
2分くぐらせ、化学銅めっき表面を活性化させた後、つ
ぎの硫酸銅めっき槽に送った。
ここで使用するキャリングベルトは、鋼材に弗素樹脂を
コートしたものを用い、給電部のみは弗素樹脂のコート
がなく、導電性が持たされている。その概略断面図を第
5図に示す。キャリングベルト1をはさんで上下に陽極
銅板があり、両面が同時に厚付めっきされる。めっき条
件としては、25℃2A/w”−80分とし、35μm
の銅膜が形成される。
コートしたものを用い、給電部のみは弗素樹脂のコート
がなく、導電性が持たされている。その概略断面図を第
5図に示す。キャリングベルト1をはさんで上下に陽極
銅板があり、両面が同時に厚付めっきされる。めっき条
件としては、25℃2A/w”−80分とし、35μm
の銅膜が形成される。
このようにして、35μmの銅の厚みをもち、特性バラ
ツキのない、セラミックス銅張板が、連続的に製造され
た。
ツキのない、セラミックス銅張板が、連続的に製造され
た。
なお、回路は、サブトラクティブ法によって行った。
〔実施例3〕
実施例1のアルカリ化合物の塗布、反応後の洗浄および
水洗工程において、処理槽中に浸漬する代わりに、キャ
リングベルト1が通過する処理槽3上で、そのベルト1
の上下に設置したスプレー等により、水または処理液を
吹きつけ、洗浄または塗布した。その他の装置、処理条
件等は、実施例1と同様にした。実施例1と同様の結果
が得られた。
水洗工程において、処理槽中に浸漬する代わりに、キャ
リングベルト1が通過する処理槽3上で、そのベルト1
の上下に設置したスプレー等により、水または処理液を
吹きつけ、洗浄または塗布した。その他の装置、処理条
件等は、実施例1と同様にした。実施例1と同様の結果
が得られた。
[発明の効果]
この発明は、金属を受容するようにセラミックス基板の
表面を活性化処理し、その処理表面に無電解めっきによ
り金属を析出させる工程を含むセラミックス配線板の製
法であって、アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤
を基板表面に塗布する塗布工程、基板表面を粗面化処理
する反応工程、基板表面に付着したアルカリを中和する
中和工程、粗面化された基板表面に無電解めっき用の触
媒を付与するための活性化工程、触媒が付与された表面
の一部または全部に無電解めっきを施すめっき工程を順
次含ましめた連続的工程からなることを特徴とするので
、特性にバラツキのないセラミックス配線基板が連続的
に製造できる効果がある。
表面を活性化処理し、その処理表面に無電解めっきによ
り金属を析出させる工程を含むセラミックス配線板の製
法であって、アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤
を基板表面に塗布する塗布工程、基板表面を粗面化処理
する反応工程、基板表面に付着したアルカリを中和する
中和工程、粗面化された基板表面に無電解めっき用の触
媒を付与するための活性化工程、触媒が付与された表面
の一部または全部に無電解めっきを施すめっき工程を順
次含ましめた連続的工程からなることを特徴とするので
、特性にバラツキのないセラミックス配線基板が連続的
に製造できる効果がある。
第1図は本発明に係る製造工程の一例を示すブロック図
、第2図(a)はキャリングベルトの一例を示す斜視図
、第2図(b)は基板を載置したキャリングベルトの一
例を示す斜視図、第3図は処理装置の一例を示す略図、
第4図は反応装置の一例を示す略図、第5図は電解めっ
き槽の一例を示す略図、第6図は苛性ソーダの濃度と処
理された基板の表面粗さとの関係を示すグラフ、第7図
は反応工程におけるゾーンと反応温度の関係を示すグラ
フ、第8図は本発明を連続工程として実現した例を示す
装置の略図である。 1はキャリングベルト 2はセラミックス基板 3は処理槽 4は洗浄槽 5は乾燥機 6はマンフル炉 7は陽極 8は無電解めっきセラミックス基板 9は樹脂コートキャリングベルト 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹元敏丸(はが2名)第2図 (a) 第5図 第6図 へLaOH水溶勺避e+’*’W= (25”c) (
kg/l)第7図 cXJi
、第2図(a)はキャリングベルトの一例を示す斜視図
、第2図(b)は基板を載置したキャリングベルトの一
例を示す斜視図、第3図は処理装置の一例を示す略図、
第4図は反応装置の一例を示す略図、第5図は電解めっ
き槽の一例を示す略図、第6図は苛性ソーダの濃度と処
理された基板の表面粗さとの関係を示すグラフ、第7図
は反応工程におけるゾーンと反応温度の関係を示すグラ
フ、第8図は本発明を連続工程として実現した例を示す
装置の略図である。 1はキャリングベルト 2はセラミックス基板 3は処理槽 4は洗浄槽 5は乾燥機 6はマンフル炉 7は陽極 8は無電解めっきセラミックス基板 9は樹脂コートキャリングベルト 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹元敏丸(はが2名)第2図 (a) 第5図 第6図 へLaOH水溶勺避e+’*’W= (25”c) (
kg/l)第7図 cXJi
Claims (1)
- (1)金属を受容するようにセラミックス基板の表面を
活性化処理し、その処理表面に無電解めっきにより金属
を析出させる工程を含むセラミックス配線板の製法であ
って、アルカリ金属化合物からなる粗面化処理剤を基板
表面に塗布する塗布工程、基板表面を粗面化処理する反
応工程、基板表面に付着したアルカリを中和する中和工
程、粗面化された基板表面に無電解めっき用の触媒を付
与するための活性化工程、触媒が付与された表面の一部
または全部に無電解めっきを施すめっき工程を順次含ま
しめた連続的工程からなることを特徴とするセラミック
ス配線板の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3984286A JPS62198193A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | セラミツクス配線板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3984286A JPS62198193A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | セラミツクス配線板の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62198193A true JPS62198193A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12564218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3984286A Pending JPS62198193A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | セラミツクス配線板の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62198193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013019044A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toray Eng Co Ltd | パラジウムアンミン錯塩水溶液からなるパラジウム触媒付与液およびそれを用いた銅配線基板の無電解ニッケルめっき方法 |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP3984286A patent/JPS62198193A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013019044A (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-31 | Toray Eng Co Ltd | パラジウムアンミン錯塩水溶液からなるパラジウム触媒付与液およびそれを用いた銅配線基板の無電解ニッケルめっき方法 |
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