JPS62196857A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62196857A JPS62196857A JP61038570A JP3857086A JPS62196857A JP S62196857 A JPS62196857 A JP S62196857A JP 61038570 A JP61038570 A JP 61038570A JP 3857086 A JP3857086 A JP 3857086A JP S62196857 A JPS62196857 A JP S62196857A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
本発明は、半導体装置、特に半導体装置の封止の改善に
関する。
関する。
本発明は、外部リードを有し、樹脂封止された半導体装
置において、少くとも外部リードと封止樹脂との接触部
分に防水処理を施すことにより、耐湿性の優れた半導体
装置が得られるよりにしたものである。
置において、少くとも外部リードと封止樹脂との接触部
分に防水処理を施すことにより、耐湿性の優れた半導体
装置が得られるよりにしたものである。
樹脂封止された半導体装置を基板に半田付けする前に、
半田浴中に浸漬して外部リードに半田を被着させ、基板
への半田付けを容易かつ確実にすることが行表われてい
る。
半田浴中に浸漬して外部リードに半田を被着させ、基板
への半田付けを容易かつ確実にすることが行表われてい
る。
第２図人に示す、外部リードαυを有し、樹脂（６）に
より封止された半導体装置（至）（全体を・９ツケージ
α◆と呼ぶ）を、第２図Ｂに示すように半田（至）の浴
αＱ中に浸漬することにより、外部リードα追へ半田（
至）を被着させている。（ロ）はリードである。しかし
、第２図ＣＫ示すようＫ、従来の調法によシ得られた半
導体装置（至）の場合、この半田浴←Ｑへの浸漬工程で
樹脂（ロ）に亀裂０榎が生じ、半導体装ｅ（６）の耐湿
性に問題が生じていた。これは、半導体装置（至）に樹
脂封止をした後、次の工程（半田浴への浸漬）を行う間
に特にリードフレームの外部リードα力と樹脂（６）と
の接触部分（至）から水分が入り込み、この水分が半田
浴への浸漬の際の熱で気化して樹脂（６）に亀裂ＤＩを
生じさせるからである。このような亀裂α→が生じるこ
とによシ樹脂（２）と外部リードα役との密着性が悪く
なり、パッケージへ◆の耐湿性が著しく劣化していた。
より封止された半導体装置（至）（全体を・９ツケージ
α◆と呼ぶ）を、第２図Ｂに示すように半田（至）の浴
αＱ中に浸漬することにより、外部リードα追へ半田（
至）を被着させている。（ロ）はリードである。しかし
、第２図ＣＫ示すようＫ、従来の調法によシ得られた半
導体装置（至）の場合、この半田浴←Ｑへの浸漬工程で
樹脂（ロ）に亀裂０榎が生じ、半導体装ｅ（６）の耐湿
性に問題が生じていた。これは、半導体装置（至）に樹
脂封止をした後、次の工程（半田浴への浸漬）を行う間
に特にリードフレームの外部リードα力と樹脂（６）と
の接触部分（至）から水分が入り込み、この水分が半田
浴への浸漬の際の熱で気化して樹脂（６）に亀裂ＤＩを
生じさせるからである。このような亀裂α→が生じるこ
とによシ樹脂（２）と外部リードα役との密着性が悪く
なり、パッケージへ◆の耐湿性が著しく劣化していた。
例えば、半田浴αＩＩＣ浸漬する前、通常ＰＣＴ （プ
レッシャー・クツカー・テスト）法で２００時間以上有
している・母ツケーノα◆が浸漬後４０時間程度に低下
する。
レッシャー・クツカー・テスト）法で２００時間以上有
している・母ツケーノα◆が浸漬後４０時間程度に低下
する。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置を提供するものである。
置を提供するものである。
本発明は、外部リードαｐを有し、樹脂（２）によシ封
止された半導体装置（２）において、少くとも外部リー
ドαめと封止樹脂（２）との接触部分（６）に防水処理
を施すことによりパッケージαゆを構成する。
止された半導体装置（２）において、少くとも外部リー
ドαめと封止樹脂（２）との接触部分（６）に防水処理
を施すことによりパッケージαゆを構成する。
この防水処理は、特に・譬ツケージ（１４を半田α→の
浴（１→に浸漬する前に、パッケージｑ４内に水分が侵
入するのを防止することにその意−Ａを有する。従って
、／４’ツケージα婦の外部リードα玲に半田（転）を
被着させる九めの半田浴ＣＬＩへの浸漬前、即ち樹脂封
止し九百後に行い、ま九半導体装置（至）を基板に半田
付け（リフロー又は半田浴への浸漬）する前にもノ４ツ
ケーゾα→の吸湿を防ぐために施すのが良ｂ０防水処理
剤Ｃυとしては、半田浴αＱへの浸漬によシ気化し、半
田付けに特に悪影響を及ぼさない物質、例えばテフロン
系溶剤、フッ素系防湿コーティング剤、シリコーン系溶
剤、ポリエチレン、ワックス等を使用することができる
。なお、リードフレームにめっきし九Ａｇの変色防止剤
が防水効果を有している場合、又は防水処理剤が添加さ
れている場合、防水処理も兼ねてこの変色防止剤を使用
することができる。
浴（１→に浸漬する前に、パッケージｑ４内に水分が侵
入するのを防止することにその意−Ａを有する。従って
、／４’ツケージα婦の外部リードα玲に半田（転）を
被着させる九めの半田浴ＣＬＩへの浸漬前、即ち樹脂封
止し九百後に行い、ま九半導体装置（至）を基板に半田
付け（リフロー又は半田浴への浸漬）する前にもノ４ツ
ケーゾα→の吸湿を防ぐために施すのが良ｂ０防水処理
剤Ｃυとしては、半田浴αＱへの浸漬によシ気化し、半
田付けに特に悪影響を及ぼさない物質、例えばテフロン
系溶剤、フッ素系防湿コーティング剤、シリコーン系溶
剤、ポリエチレン、ワックス等を使用することができる
。なお、リードフレームにめっきし九Ａｇの変色防止剤
が防水効果を有している場合、又は防水処理剤が添加さ
れている場合、防水処理も兼ねてこの変色防止剤を使用
することができる。
本発明によれば、半田処理する前のノやツケーソ（１４
に防水処理を施し、防水処理剤Ｃυの被膜＠で覆ったこ
とＫよシ、半田処理前に・母ツケージ（１４を放置して
おりても水分が特に外部リードαめと樹脂（２）との接
触部分α呻を通って内部に侵入することがなくなるため
、従来のように半田浴への浸漬の際の熱で水分が気化し
て樹脂（６）に亀裂α砂が生じるということがなくなる
。
に防水処理を施し、防水処理剤Ｃυの被膜＠で覆ったこ
とＫよシ、半田処理前に・母ツケージ（１４を放置して
おりても水分が特に外部リードαめと樹脂（２）との接
触部分α呻を通って内部に侵入することがなくなるため
、従来のように半田浴への浸漬の際の熱で水分が気化し
て樹脂（６）に亀裂α砂が生じるということがなくなる
。
第１図Ａ−Ｆを参照して本発明の実施例をその製法例と
共に説明する。
共に説明する。
先ず第１図Ａに示すように、半導体装置（６）を樹脂（
６）で封止し、樹脂α埴を安定化させるための熱処理を
施したパッケージα→を直ちに例えばテフロン系の溶剤
より成る防水処理剤（２θ中に浸漬する。第１図Ｂは、
この防水処理によシ防水処理剤Ｃυの被膜四が形成され
た）臂ツケージα→を示す。外部リードαυには、防水
処理剤（２０が疎らに付着することがある。なお、防水
処理はこのように樹脂封止後直ちに行うのが好ましいが
、）９ツケージα→にマーク処理を施す場合には、イン
クの付着性を良くし、またインクの前処理により防水処
理剤（２Ｉ）が剥れるのを防止するため、マーク処理の
後に防水処理を施すのが良い。この場合、マークの付さ
れたノ臂ツケージα→を１００℃以上の温度で数時間加
熱して水分を除去した後に防水処理を施すのが好ましい
。
６）で封止し、樹脂α埴を安定化させるための熱処理を
施したパッケージα→を直ちに例えばテフロン系の溶剤
より成る防水処理剤（２θ中に浸漬する。第１図Ｂは、
この防水処理によシ防水処理剤Ｃυの被膜四が形成され
た）臂ツケージα→を示す。外部リードαυには、防水
処理剤（２０が疎らに付着することがある。なお、防水
処理はこのように樹脂封止後直ちに行うのが好ましいが
、）９ツケージα→にマーク処理を施す場合には、イン
クの付着性を良くし、またインクの前処理により防水処
理剤（２Ｉ）が剥れるのを防止するため、マーク処理の
後に防水処理を施すのが良い。この場合、マークの付さ
れたノ臂ツケージα→を１００℃以上の温度で数時間加
熱して水分を除去した後に防水処理を施すのが好ましい
。
防水処理を施した後、乾燥させて、次の工程まで保存す
る。
る。
次に第１図Ｃに示すように、防水処理削りυの被膜（２
２が形成された・々ツケージα◆を半田浴俣・中に浸漬
する。この半田浴αＱへの浸漬によシ、第１図りに示す
ように外部リードα力に半田α９の被着したパッケージ
α→が得られる。防水処理剤Ｃυの被膜＠は、この半田
浴α・の熱で気化して消失する。
２が形成された・々ツケージα◆を半田浴俣・中に浸漬
する。この半田浴αＱへの浸漬によシ、第１図りに示す
ように外部リードα力に半田α９の被着したパッケージ
α→が得られる。防水処理剤Ｃυの被膜＠は、この半田
浴α・の熱で気化して消失する。
外部リードαつに半田（至）を被着させるための半田浴
α・への浸漬において、亀裂の発生を防止するための防
水処理は上記工程でその目的が達成されるが、ノ母ツケ
ージＣ１４を基板にマウントする際の半田付は工程（リ
フロー又は半田浴への浸漬）における熱による亀裂の発
生も防止するためには、再び防水処理を施すのが良い。
α・への浸漬において、亀裂の発生を防止するための防
水処理は上記工程でその目的が達成されるが、ノ母ツケ
ージＣ１４を基板にマウントする際の半田付は工程（リ
フロー又は半田浴への浸漬）における熱による亀裂の発
生も防止するためには、再び防水処理を施すのが良い。
このため、第１図Ｅに示すように、外部リードαηに半
田（至）を被着させた後、直ちに／４’ツケージ（１４
を再び防水処理剤Ｃυ中に浸漬する。第１図Ｆは、この
防水処理にニジ樹脂α２の周囲が防水処理剤ＣＯの被膜
（２２で覆われたパッケージα→を示す。
田（至）を被着させた後、直ちに／４’ツケージ（１４
を再び防水処理剤Ｃυ中に浸漬する。第１図Ｆは、この
防水処理にニジ樹脂α２の周囲が防水処理剤ＣＯの被膜
（２２で覆われたパッケージα→を示す。
この後、このパッケージα噌を所定の基板へりフロー又
は半田浴への浸漬により半田付けする。この際にも、７
４ツケージα→内には吸湿された水分が存在しないため
、水分の気化による亀裂発生の虞れはなくなる。
は半田浴への浸漬により半田付けする。この際にも、７
４ツケージα→内には吸湿された水分が存在しないため
、水分の気化による亀裂発生の虞れはなくなる。
本発明によれば、特に外部リードα■と樹脂（６）との
接触部分−も含めて、・母ツケーゾＣＩ４の樹脂（至）
が防水処理剤ｑυの被膜四によって被覆されている九め
、耐湿性の優れ九半導体装置（至）が得られる。従って
、外部リードαηのみに半田（至）を被着させる際及び
基板にマウントする九めに半田付けする際に、パッケー
ジα棒内に侵入した水分が熱によシ気化してパッケージ
α４に亀裂を生じさせる虞れはなくなる。防水処理剤２
０として特にテフロン系溶剤又はシリコーン系溶剤を使
用した場合には、表面張力が小さく外部リードαυと樹
脂（６）との小さな隙間にも入り込むため、耐湿性が著
しく向上する。防水効果を有するＡｇの変色防止剤を使
用する場合には、半田めっきを施さなくても直接外部リ
ードＣ１１）に半田を被着させることが可能になるとい
う、経済上の利益も得られる。
接触部分−も含めて、・母ツケーゾＣＩ４の樹脂（至）
が防水処理剤ｑυの被膜四によって被覆されている九め
、耐湿性の優れ九半導体装置（至）が得られる。従って
、外部リードαηのみに半田（至）を被着させる際及び
基板にマウントする九めに半田付けする際に、パッケー
ジα棒内に侵入した水分が熱によシ気化してパッケージ
α４に亀裂を生じさせる虞れはなくなる。防水処理剤２
０として特にテフロン系溶剤又はシリコーン系溶剤を使
用した場合には、表面張力が小さく外部リードαυと樹
脂（６）との小さな隙間にも入り込むため、耐湿性が著
しく向上する。防水効果を有するＡｇの変色防止剤を使
用する場合には、半田めっきを施さなくても直接外部リ
ードＣ１１）に半田を被着させることが可能になるとい
う、経済上の利益も得られる。
第１図Ａ−Ｆは本半導体装置の製造例を示す工程図、第
２図Ａ−Ｃは従来の製法例を示す工程図である。 αルは外部リード、（６）は樹脂、（６）は半導体装置
、（ト）は半田、αＱは半田浴、（至）は接触部分、Ｃ
υは防水処理剤、＠は被膜である。
２図Ａ−Ｃは従来の製法例を示す工程図である。 αルは外部リード、（６）は樹脂、（６）は半導体装置
、（ト）は半田、αＱは半田浴、（至）は接触部分、Ｃ
υは防水処理剤、＠は被膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外部リードを有し、樹脂封止された半導体装置におい
て、 少くとも上記外部リードと封止樹脂との接触部分に防水
処理が施されて成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038570A JPS62196857A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038570A JPS62196857A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196857A true JPS62196857A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12528951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038570A Pending JPS62196857A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196857A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038075A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 電子部品 |
| CN110987280A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-10 | 歌尔科技有限公司 | 防水防尘压力传感器及其加工方法 |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61038570A patent/JPS62196857A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038075A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 電子部品 |
| CN110987280A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-04-10 | 歌尔科技有限公司 | 防水防尘压力传感器及其加工方法 |
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