JPH01151254A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ及びその製造方法

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JPH01151254A
JPH01151254A JP62310536A JP31053687A JPH01151254A JP H01151254 A JPH01151254 A JP H01151254A JP 62310536 A JP62310536 A JP 62310536A JP 31053687 A JP31053687 A JP 31053687A JP H01151254 A JPH01151254 A JP H01151254A
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JP
Japan
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sealing member
semiconductor package
moisture
package
polymer material
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Pending
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JP62310536A
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English (en)
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Junichi Kasai
純一 河西
Hirotaka Sato
裕孝 佐藤
Hideaki Kotsuru
英昭 小水流
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Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体パッケージ及びその！！！造方決方法し、半導体
チップ内に水分が入ることを阻止することを目的とし、 リード内端と半導体チップを封止した樹脂よりなる封止
部材の表面を、耐水性の高分子材によって覆うとともに
、上記封止部材により覆われた上記リード周囲の隙間を
、上記高分子材により満たした半導体パッケージを含み
構成し、さらに、樹脂よりなる封止部材によってリード
内端と半導体チップを封止した後、該封止部材を高分子
材の溶液に浸漬し、低圧の雰囲気下で加熱する加熱工程
と、該加熱工程を経た上記溶液を、高圧の雰囲気下に置
く加圧工程と、該加圧工程を経た上記溶液から上記封止
部材を取り出して加熱乾燥する乾燥工程とを含み構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する
。
〔従来の技術〕
半導体集積回路（ＩＣ）等のパッケージングａして、例
えば第４［；！Ｉに見られるように、エポキシ系樹脂材
よりなる封止材により半導体チップａとリードｂを封止
するものがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、樹脂は水分を浸透し易く、パッケージＣが熱を
受けた場合に、樹脂内に入り込んだ水分が膨張してパッ
ケージＣに亀裂が発生するぽかりでなく、パッケージＣ
内の水分により半導体が劣化するといった問題がある。
特に、半田浸漬法によって半導体のデイバイスを機器に
装着する場合に、パッケージの亀裂現象が顕著に現れる
ため、浸漬する前に、パッケージを乾燥する必要があり
、半導体デイバイスの取付けに手間がかかる。
このため、パッケージの底面から半導体チップの底部に
到る小孔ｄを設け、水分をここから排出するようにした
ものも提案されているが、湿気によって半導体が劣化す
るという問題は依然として残っている。
そこで本発明は、半導体チップ内に水分が入ることを阻
止できる半導体チップ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
〔問題を解決するための手段〕
上記問題点は、樹脂よりなる封止部材によってリード内
端と半導体チップを封止した後、該封止部材を高分子材
の溶液に浸漬し、低圧の雰囲気下で加熱する加熱工程と
、該加熱工程を経た上記溶液を、高圧の雰囲気下に置く
加圧工程と、該加圧工程を経た上記溶液から上記封止部
材を取り出して加熱乾燥する乾燥工程とから構成する半
導体パッケージの製造方法、さらに、リード内端と半導
体チップを封止した樹脂よりなる封止部材の表面を、耐
水性の高分子材によって覆うとともに、上記封止部材に
より覆われた上記リード周囲の隙間を、上記高分子材に
より満たした半導体パンケージによって達成される。
〔作　用〕
即ち本発明は、加熱工程により高分子材料の空気を抜く
とともに、樹脂材により形成された半導体パッケージの
水分を蒸発させた後、加圧工程によって封止部材に高分
子材を押しつけるようにして、封止部材とリードとの隙
間に入りこませるとともに、その表面に付着させる。
そして、高分子材により覆われた半導体パッケージを乾
燥工程により固化して半導体パッケージを作成する。
高分子材により覆われた半導体パッケージは、水分の内
部への浸透を排除する。
〔実施例〕
そこで以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第１〜３回は、本発明の一実施例を示すもので、図中符
号ｌは、封止部材６よりなる半導体パッケージで、その
封止部材６は、例えばシリカ、カップリング剤、カーボ
ンブラック等を加えたエポキシ樹脂よりなり、ワイヤボ
ンディングした半導体チップ２と導電性リード端子３・
・の内端とをモールド成形によって覆うものである。
４は、例えば表１に示す高分子材よりなる被膜で、次に
示す工程を経てこの′ａｌ１２４が形成される。
即ち、高分子材に所定の溶剤を混ぜた溶液５を加熱し、
５０１１ｍＨｇ程度に減圧した雰囲気中において、封止
部材６により覆われた半導体パッケージ１を溶液５中に
浸漬させることにより、高分子材溶液５中の空気と封止
部材６内の水分を抜く処理を行い（第２図イ）、その後
、温度を常温にするとともに圧力を８　ｋｇ／ｃｍ”に
加圧してさらに約４時間、半導体パッケージ１を溶液５
中に浸漬することにより（同図口）、封止部材６の表面
、及びリード３と封止部材６との隙間に高分子材を付着
する処理を施す。
そして、これらの工程を経た半導体パッケージ■を、高
分子材の溶液から取り出した後（同図へ）、１５０℃の
雰囲気中で乾燥固化する（同図二）。
次に、微粒状のガラス等の研磨剤を添加した水を噴射す
るホーニング法により、リード３外端に付着した被膜４
を除去しく同図ホ）、パッケージ工程を終了する。
次に、本発明の製造過程を説明する。
即ち本発明は、減圧した雰囲気下において、加熱工程に
より高分子溶液５の空気を抜くとともに、半導体パッケ
ージ１の封止部材６に含まれた水分を蒸発させた後（第
３図ａ）、加圧工程によって高分子材を押しつけるよう
にして、封止部材６表面とり一ド３周囲の隙間に入り込
ませる（同図ｂ）。
そして、高分子材により覆われた＊導体パッケージｌを
溶液５から取り出し、その表面上の高分子材を乾燥工程
により固化した後（同図Ｃ）、研磨剤を添加した水によ
り、リード３の先端に付着した高分子材をホーニングし
く同図ｄ）、半導体パッケージの作成が終了する。
なお、上記した工程を経て製造した半導体パッケージ１
を、常温の下で６ケ月放置した後、半田浸漬により機器
に取付け、ブレシャー・クツカーテスター（ＰＣＴ）に
より耐湿性試験を行った結果、半田浸漬による亀裂の発
生や、水分による半導体チップの劣化が生じなかった。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、封止部材により封止
した半導体パッケージ表面を耐水性の高分子材膜で覆う
とともに、封止部材と導電性リード端子との隙間に同一
高分子材を詰めたので、半導体パッケージが半田浸漬法
等により熱衝撃を受けた場合に、水分膨張によるパッケ
ージの破壊を未然に防止することができるばかりでなく
、湿気による半導体チップの劣化を抑えることができる
。
また、封止部材により封止された半導体パッケージを高
分子材の溶液中に浸漬した後、加熱彰燥して高分子材を
固化する工程により半導体パッケージに被膜を形成した
ので、パッケージ表面だけでなく、リードとパッケージ
の隙間を高分子材により満たすことができ、パッケージ
内への水分の浸透を完全に排除することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図、 第２図は、本発明の製作工程を示すフローチャート図、 第３図は、本発明の製造方法による加工過程を示す半導
体パッケージの断面図、 第４図は、従来装置の一例を示す断面図である。 （符号の説明） １・・・半導体パッケージ、 ２・・・半導体チップ、 ３・　・・リード端子、 ４・・・被膜、 ５・・・高分子材溶液、 本で朗の契藝プ米１： 、γる〃ロニ優Ｌ１Ｌ１斤でＩＩｃハ０・・ノ１−ジめ
跡ｉ口筒　３　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ［１］リード（３）内端と半導体チップ（２）を封止し
    た樹脂よりなる封止部材（６）の表面を、耐水性の高分
    子材（４）によって覆うとともに、上記封止部材（６）
    により覆われた上記リード（３）周囲の隙間を、上記高
    分子材（４）により満たしたことを特徴とする半導体パ
    ッケージ。 ［２］樹脂よりなる封止部材によってリード内端と半導
    体チップを封止した後、該封止部材を高分子材の溶液に
    浸漬し、低圧の雰囲気下で加熱する加熱工程と、 該加熱工程を経た上記溶液を、高圧の雰囲気下に置く加
    圧工程と、 該加圧工程を経た上記溶液から上記封止部材を取り出し
    て加熱乾燥する乾燥工程とから構成する半導体パッケー
    ジの製造方法。
JP62310536A 1987-12-08 1987-12-08 半導体パッケージ及びその製造方法 Pending JPH01151254A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5566051A (en) * 1990-08-01 1996-10-15 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5566051A (en) * 1990-08-01 1996-10-15 Staktek Corporation Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus

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