JPS62193190A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS62193190A JPS62193190A JP61032886A JP3288686A JPS62193190A JP S62193190 A JPS62193190 A JP S62193190A JP 61032886 A JP61032886 A JP 61032886A JP 3288686 A JP3288686 A JP 3288686A JP S62193190 A JPS62193190 A JP S62193190A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔］既要〕
本発明は、半導体発光装置に於いて、ストライプ状の発
光領域を含むメサを構成する溝を高抵抗層で埋め、表面
に前記メサと対向する開口を有する絶縁膜を形成し、該
開口から前記高抵抗層とは反対導電型の不純物を導入し
て不純物領域を設け、同じく開口を介して該不純物領域
にコンタクトする電極を形成することに依り、前記絶縁
膜に形成した開口の一部が前記高抵抗層上に存在し、従
って、前記電極の一部が咳高抵抗層上に位置しても、大
きな漏れ電流を発生することがな（、その結果、闇値電
流の低下、カット・オフ周波数の向上を可能とし、安定
なレーザ発振が行われるようにしたものである。
光領域を含むメサを構成する溝を高抵抗層で埋め、表面
に前記メサと対向する開口を有する絶縁膜を形成し、該
開口から前記高抵抗層とは反対導電型の不純物を導入し
て不純物領域を設け、同じく開口を介して該不純物領域
にコンタクトする電極を形成することに依り、前記絶縁
膜に形成した開口の一部が前記高抵抗層上に存在し、従
って、前記電極の一部が咳高抵抗層上に位置しても、大
きな漏れ電流を発生することがな（、その結果、闇値電
流の低下、カット・オフ周波数の向上を可能とし、安定
なレーザ発振が行われるようにしたものである。
本発明は、発光領域の両側にストライプ状の電流制限層
が埋め込まれている形式の所謂ダブル・チャネル（２重
溝付）型半導体発光装置の改良に関する。
が埋め込まれている形式の所謂ダブル・チャネル（２重
溝付）型半導体発光装置の改良に関する。
第７図は従来のダブル・チャネル型半導体発光装置の要
部切断正面図を表している。
部切断正面図を表している。
図に於いて、工はｎ＋型ＩｎＰ基板、２はアン・ドープ
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、２Ａはアン・ドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２の一部であるストライプ状をなす発光
領域、３はｐ型ｒｎＰクラッド層、４は溝、５はｐ型１
ｎＰ電流阻止層、６はｎ型ｒｎＰ電流阻止層、７はｐ型
１ｎＰバッファ層、８はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰ−１’
７ブ層、９はｐ側型ヰヘ、１０はｎ側電掻をそれぞれ示
している。
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、２Ａはアン・ドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層２の一部であるストライプ状をなす発光
領域、３はｐ型ｒｎＰクラッド層、４は溝、５はｐ型１
ｎＰ電流阻止層、６はｎ型ｒｎＰ電流阻止層、７はｐ型
１ｎＰバッファ層、８はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰ−１’
７ブ層、９はｐ側型ヰヘ、１０はｎ側電掻をそれぞれ示
している。
この従来例は、良品の場合には、光の閉じ込め及び電流
の閉じ込めが良好に行われ、優れた特性を示すが、再現
性良（良品を製造することが甚だ困難である。
の閉じ込めが良好に行われ、優れた特性を示すが、再現
性良（良品を製造することが甚だ困難である。
即ち、図に記号ｉｃ、で指示した矢印は正規のレーザ電
流であるが、記号ｉＬで指示した矢印のような経路で流
れる漏れ電流も多く、これが性能向上の大きな障害にな
っている。
流であるが、記号ｉＬで指示した矢印のような経路で流
れる漏れ電流も多く、これが性能向上の大きな障害にな
っている。
第８図は第７図に関して説明した従来例の欠点を解消す
る為に開発された改良ダブル・チャネル型半導体発光装
置の要部切断正面図を表し、第７図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
る為に開発された改良ダブル・チャネル型半導体発光装
置の要部切断正面図を表し、第７図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
図に於いて、１１はｉ （或いはｎ−）型１ｎＰ高抵抗
層、１２は二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）などからなる絶
縁膜、１２Ａは絶縁膜１２に形成した開口をそれぞれ示
している。尚、ＩｎＰは不純物を導入せずｉ型にした場
合であっても、ごく僅かにｎ−型となることは良く知ら
れている。
層、１２は二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）などからなる絶
縁膜、１２Ａは絶縁膜１２に形成した開口をそれぞれ示
している。尚、ＩｎＰは不純物を導入せずｉ型にした場
合であっても、ごく僅かにｎ−型となることは良く知ら
れている。
この従来例では、溝４内にｉ （或いはｎ）型ＩｎＰ高
抵抗層１１が形成され、その上には開口１２Ａを有する
絶縁膜１２が形成され、更にその上に開口１２Ａを介し
てｐ型１ｎＰクラッド層３にコンタクトするｐ側電極９
が形成された構成になっている。
抵抗層１１が形成され、その上には開口１２Ａを有する
絶縁膜１２が形成され、更にその上に開口１２Ａを介し
てｐ型１ｎＰクラッド層３にコンタクトするｐ側電極９
が形成された構成になっている。
さて、この従来例では、絶縁膜１２に形成された開口１
２Ａがアン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２の発光領域
２人に正確に対向するように、従って、ｐ側電極９がｉ
（或いはｎ”−）型ＩｎＰ高抵抗層１１に接触しない
ようにすることが必要である。
２Ａがアン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２の発光領域
２人に正確に対向するように、従って、ｐ側電極９がｉ
（或いはｎ”−）型ＩｎＰ高抵抗層１１に接触しない
ようにすることが必要である。
その理由は、溝４を埋めるｉ （或いはｎ−）型ＩｎＰ
高抵抗層１１は、通常、気相成長（ｖａｐｏｒ ｐｈ
ａｓｅ ｅｐｉ ｔａｘｙ：ＶＰＥ）法に依り形成さ
れていて、抵抗率が〜１０４ （Ω・ｃｍ）程度である
から、完全な絶縁体にはならず、従って、図示されてい
るように、若し、開口１２Ａが位置ずれしてｉ （或い
はｎ−）型１ｎＰ高抵抗層１１にｐ側電極９が接触した
場合には、矢印で示されているような漏れ電流ｉＬが流
れることになるからである。
高抵抗層１１は、通常、気相成長（ｖａｐｏｒ ｐｈ
ａｓｅ ｅｐｉ ｔａｘｙ：ＶＰＥ）法に依り形成さ
れていて、抵抗率が〜１０４ （Ω・ｃｍ）程度である
から、完全な絶縁体にはならず、従って、図示されてい
るように、若し、開口１２Ａが位置ずれしてｉ （或い
はｎ−）型１ｎＰ高抵抗層１１にｐ側電極９が接触した
場合には、矢印で示されているような漏れ電流ｉＬが流
れることになるからである。
一般に、半導体発光装置に於いて、安定にレーザ発振さ
せる為には、ストライプ状をなす発光領域２Ａの幅を１
６５〔μｍ〕以下にすることが必要であり、このように
狭い発光領域２Ａを有する半導体発光装置に対し、第８
図に関して説明したような従来技術を適用することは、
研究段階ではともかくとして、量産段階では不可能に近
いほど困難なことである。
せる為には、ストライプ状をなす発光領域２Ａの幅を１
６５〔μｍ〕以下にすることが必要であり、このように
狭い発光領域２Ａを有する半導体発光装置に対し、第８
図に関して説明したような従来技術を適用することは、
研究段階ではともかくとして、量産段階では不可能に近
いほど困難なことである。
本発明は、第８図について説明した改良された半導体発
光装置を簡単且つ容易に実現する手段を提供する。
光装置を簡単且つ容易に実現する手段を提供する。
第１図は本発明の詳細な説明する為の半導体発光装置の
要部切断正面図であり、第７図及び第８図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
要部切断正面図であり、第７図及び第８図に於いて用い
た記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つ
ものとする。
本発明の半導体発光装置では、表面に開口１２Ａを有す
る絶縁膜１２を形成する点では第８図に見られる従来例
と変わりないが、前記開口１２Ａから不純物を導入して
ｐ型不純物領域１３を形成した点で従来技術に依る半導
体発光装置と相違している。
る絶縁膜１２を形成する点では第８図に見られる従来例
と変わりないが、前記開口１２Ａから不純物を導入して
ｐ型不純物領域１３を形成した点で従来技術に依る半導
体発光装置と相違している。
即ち、本発明に依る半導体発光装置では、活性層（例え
ばアン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２）を含んで積層
された諸半導体層をストライプ状のメサにする為に作成
された二本の溝（例えば溝４）と、該二本の溝を埋め且
つ表面が平坦である高抵抗層（例えばｉ或いはｎ−型１
ｎＰ高抵抗層１１）と、前記諸半導体層の表面及び前記
高抵抗層の表面を覆う絶縁層（例えば絶縁層１２）と、
前記メサに対向する前記絶縁層に形成された開口（例え
ば開口１２Ａ）と、該開口を介して形成され前記高抵抗
層とは反対導電型である不純物領域（例えばｐ型不純物
領域１３）と、前記開口を介して該不純物領域とコンタ
クトする電極（例えばｐ側電極９）とを備えてなる構成
を採っている。
ばアン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２）を含んで積層
された諸半導体層をストライプ状のメサにする為に作成
された二本の溝（例えば溝４）と、該二本の溝を埋め且
つ表面が平坦である高抵抗層（例えばｉ或いはｎ−型１
ｎＰ高抵抗層１１）と、前記諸半導体層の表面及び前記
高抵抗層の表面を覆う絶縁層（例えば絶縁層１２）と、
前記メサに対向する前記絶縁層に形成された開口（例え
ば開口１２Ａ）と、該開口を介して形成され前記高抵抗
層とは反対導電型である不純物領域（例えばｐ型不純物
領域１３）と、前記開口を介して該不純物領域とコンタ
クトする電極（例えばｐ側電極９）とを備えてなる構成
を採っている。
前記手段を採ると、前記絶縁膜に形成した開口の一部が
前記高抵抗層上に存在し、従って、前記電極の一部が該
高抵抗層上に位置した場合であっても、電流は前記高抵
抗層と反対導電型である不純物領域−高抵抗層一基板に
流れ込むよりも、メサの部分に流れるほうが蟲かに容易
であるから、従来の半導体発光装置に於けるような大き
な漏れ電流を発生することがなく、その結果、闇値電流
の低下、カット・オフ周波数の向上が可能となり、安定
なレーザ発振が行われる。
前記高抵抗層上に存在し、従って、前記電極の一部が該
高抵抗層上に位置した場合であっても、電流は前記高抵
抗層と反対導電型である不純物領域−高抵抗層一基板に
流れ込むよりも、メサの部分に流れるほうが蟲かに容易
であるから、従来の半導体発光装置に於けるような大き
な漏れ電流を発生することがなく、その結果、闇値電流
の低下、カット・オフ周波数の向上が可能となり、安定
なレーザ発振が行われる。
第２図乃至第６図は本発明一実施例を解説する為の工程
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
要所に於ける半導体発光装置の要部切断正面図を表し、
以下、これ等の図を参照しつつ説明する。
第２図参照
（１）例えば、液相エピタキシャル成長（Ｉｉｑｕｉｄ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用
し、ｎ＋型１ｎＰ基板２１上にｎ＋型ＩｎＰクラッド層
２２、アン・ドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型
１ｎＰクラッド層２４、ｐ＋型ＩｎＰキャップ層２５を
順に成長させる。
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用
し、ｎ＋型１ｎＰ基板２１上にｎ＋型ＩｎＰクラッド層
２２、アン・ドープＩ ｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型
１ｎＰクラッド層２４、ｐ＋型ＩｎＰキャップ層２５を
順に成長させる。
ここで各部分の主なデータを例示すると次の通りである
。
。
（ａｔ ｎ＋型１ｎＰ基板２１について厚さ：５００
（μｍ〕 大きさ：２０Ｘ２０ （璽１２〕 面指数：（１００） 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−”）（ｂ）
ｎ＋梨型１ｎＰラッド層２２について厚さ：５ 〔μ
ｍ〕 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−’）（Ｃ）
アン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２３について 厚さ：０．１５Ｃμｍ〕 ＰＬピーク波長λＰＬ： １． ２８５ Ｃμｍ）Ｉ
ｎＰと格子整合 （ｄｌ ｐ型１ｎＰクラッド層２４について厚さ：〜
１ 〔μｍ〕 不純物：Ｃｄ 不純物濃度： ５ Ｘ １０” （（Ｊ−”）（ｅ）
ｐ＋型ＩｎＰキャップ層２５について厚さ：〜０．
５ 〔μｍ〕 不純物：Ｚｎ 不純物４度： ３ Ｘ １０” （ｃｍ−’）第３図参
照 （２） 例えば、スパッタリング法を適用し、Ｓ ｉ
Ｏ２からなる絶縁膜２６を例えば〜３０００ （人〕
程度の厚さに形成する。
（μｍ〕 大きさ：２０Ｘ２０ （璽１２〕 面指数：（１００） 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−”）（ｂ）
ｎ＋梨型１ｎＰラッド層２２について厚さ：５ 〔μ
ｍ〕 不純物：Ｓｎ 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ｃｍ−’）（Ｃ）
アン・ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層２３について 厚さ：０．１５Ｃμｍ〕 ＰＬピーク波長λＰＬ： １． ２８５ Ｃμｍ）Ｉ
ｎＰと格子整合 （ｄｌ ｐ型１ｎＰクラッド層２４について厚さ：〜
１ 〔μｍ〕 不純物：Ｃｄ 不純物濃度： ５ Ｘ １０” （（Ｊ−”）（ｅ）
ｐ＋型ＩｎＰキャップ層２５について厚さ：〜０．
５ 〔μｍ〕 不純物：Ｚｎ 不純物４度： ３ Ｘ １０” （ｃｍ−’）第３図参
照 （２） 例えば、スパッタリング法を適用し、Ｓ ｉ
Ｏ２からなる絶縁膜２６を例えば〜３０００ （人〕
程度の厚さに形成する。
（３）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用し、絶縁
膜２６のエツチングを行い、高抵抗層を埋め込む溝を形
成するのに必要な開口２６Ａを設ける。
膜２６のエツチングを行い、高抵抗層を埋め込む溝を形
成するのに必要な開口２６Ａを設ける。
（４）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用し、開口
２６Ａを有する絶縁膜２６をマスクとして表面のｐ＋梨
型１ｎＰキヤフ層２５からｎ＋型ＩｎＰ基板２１に達す
るエツチングを行って溝２７を形成する。
２６Ａを有する絶縁膜２６をマスクとして表面のｐ＋梨
型１ｎＰキヤフ層２５からｎ＋型ＩｎＰ基板２１に達す
るエツチングを行って溝２７を形成する。
この溝２７を形成する際のデータを例示すると次の通り
である。
である。
エツチング液：Ｂｒ２ ：ＨＢｒ ：Ｈ２０＝１ ：１
７：３４ 中央のストライブ部分の幅：１．５（μｍ〕−ａ２７の
幅二〜９ 〔μｍ〕 溝２７の深さ二〜３ 〔μｍ〕 第４図参照 （５）例えば、ＶＰＥ法を適用し、溝２７を埋めるｉ
（或いはｎ−）型１ｎＰ高抵抗層２８を形成する。
７：３４ 中央のストライブ部分の幅：１．５（μｍ〕−ａ２７の
幅二〜９ 〔μｍ〕 溝２７の深さ二〜３ 〔μｍ〕 第４図参照 （５）例えば、ＶＰＥ法を適用し、溝２７を埋めるｉ
（或いはｎ−）型１ｎＰ高抵抗層２８を形成する。
このｉ （或いはｎ−）型１ｎＰ高抵抗層２８の抵抗率
は従来と同様に〜１０４ 〔Ω・ｃｍ）であり、また、
成長は溝２７が完全に埋まり、表面が平坦になったとこ
ろで停止する。
は従来と同様に〜１０４ 〔Ω・ｃｍ）であり、また、
成長は溝２７が完全に埋まり、表面が平坦になったとこ
ろで停止する。
第５図参照
ｆ６１ｓｉ０２からなる絶縁膜２６を除去してから、再
度、スパッタリング法を適用し、５ｉｏ２からなる絶縁
膜２９を例えば〜３０００ （人〕程度の厚さに形成す
る。
度、スパッタリング法を適用し、５ｉｏ２からなる絶縁
膜２９を例えば〜３０００ （人〕程度の厚さに形成す
る。
（７）通常のフォト・リソグラフィ技術を適用し、絶縁
膜２９のエツチングを行い、発光領域２３八に対向する
部分に幅３〔μｍ〕程度のストライプ状の開口２９Ａを
形成する。尚、この場合の工・ソチングン夜としては、
ＨＦ ： Ｎ Ｈ４Ｆ ＝ １：１０を用いることがで
きる。
膜２９のエツチングを行い、発光領域２３八に対向する
部分に幅３〔μｍ〕程度のストライプ状の開口２９Ａを
形成する。尚、この場合の工・ソチングン夜としては、
ＨＦ ： Ｎ Ｈ４Ｆ ＝ １：１０を用いることがで
きる。
（８） イオン注入法を適用し、絶縁膜２９をマスク
として、Ｂｅをドーズ量でＩ Ｘ １０ ” （ｃｌ
ｌｌ−”３程度を注入し、深さ〜０．５〔μｍ〕程度の
ｐ型反転領域３０を形成する。
として、Ｂｅをドーズ量でＩ Ｘ １０ ” （ｃｌ
ｌｌ−”３程度を注入し、深さ〜０．５〔μｍ〕程度の
ｐ型反転領域３０を形成する。
このイオン注入は、表面に現れているｉ （或いはｎ−
）型高抵抗層２８の一部がｐ−型に反転すれば充分であ
る。
）型高抵抗層２８の一部がｐ−型に反転すれば充分であ
る。
第６図参照
（９）蒸着法及び合金化法を適用し、ｐ側電極３１及び
ｎ側電極３２を形成する。
ｎ側電極３２を形成する。
この場合のｐ ４［！１電極３１はＴ ｉ ／ ｐ ｔ
／ Ａ ｕを、ｎ側電極３２はＡｕ−Ｇｅをそれぞれ
用いて構成することができる。
／ Ａ ｕを、ｎ側電極３２はＡｕ−Ｇｅをそれぞれ
用いて構成することができる。
このようにして完成した半導体発光装置は、共振器長：
３００（μｍ〕 平均閾値電流■い： １６ （ｍＡ） カット・オフ周波数： ２． １ （ＧＨｚ）Ｉｄ
／Ｉい＝１．０５ ３ＣｄＢ）ダウン値 が得られた。
３００（μｍ〕 平均閾値電流■い： １６ （ｍＡ） カット・オフ周波数： ２． １ （ＧＨｚ）Ｉｄ
／Ｉい＝１．０５ ３ＣｄＢ）ダウン値 が得られた。
比較の為、第７図に見られる形式の半導体発光装置を同
一ディメンションで同時に作成したところ、 平均闇値電流Ｉい： １８ （ｍＡ） カット・オフ周波数： ｌ ３ （ＧＨｚ〕Ｓ ａ
／ Ｉい＝１．０５ であった。
一ディメンションで同時に作成したところ、 平均闇値電流Ｉい： １８ （ｍＡ） カット・オフ周波数： ｌ ３ （ＧＨｚ〕Ｓ ａ
／ Ｉい＝１．０５ であった。
前記実施例では、ｐ型反転領域３０を形成するのにイオ
ン注入法を適用したが、これに限定されることなく、例
えば、通常の拡散法にて形成することができ、また、実
施する半導体発光装置としては、前記実施例の如き通常
の形式のものだけでなく、例えば、回折格子を有する分
布帰還型のものであっても良い。
ン注入法を適用したが、これに限定されることなく、例
えば、通常の拡散法にて形成することができ、また、実
施する半導体発光装置としては、前記実施例の如き通常
の形式のものだけでなく、例えば、回折格子を有する分
布帰還型のものであっても良い。
本発明に依る半導体発光装置に於いては、ストライプ状
の発光領域を含むメサを構成する溝を高抵抗層で埋め、
表面に前記メサと対向する開口を有する絶縁膜を形成し
、該開口から前記高抵抗層とは反対導電型の不純物を導
入して不純物領域を設け、同じく開口を介して該不純物
領域にコンタクトする電極を形成するようにしている。
の発光領域を含むメサを構成する溝を高抵抗層で埋め、
表面に前記メサと対向する開口を有する絶縁膜を形成し
、該開口から前記高抵抗層とは反対導電型の不純物を導
入して不純物領域を設け、同じく開口を介して該不純物
領域にコンタクトする電極を形成するようにしている。
このような構成を採ることに依り、前記絶縁膜に形成し
た開口の一部が前記高抵抗層上に存在し、従って、前記
電極の一部が咳高抵抗層上に位置したとしても、大きな
漏れ電流を発生することがなく、その結果、闇値電流の
低下、カット・オフ周波数の向上を可能とし、安定なレ
ーザ発振が行われ、また、前記絶縁膜に形成する開口は
寸法的にも、位置合わせの面でも然程の厳密性は要求さ
れないから、加工作業が容易になる。
た開口の一部が前記高抵抗層上に存在し、従って、前記
電極の一部が咳高抵抗層上に位置したとしても、大きな
漏れ電流を発生することがなく、その結果、闇値電流の
低下、カット・オフ周波数の向上を可能とし、安定なレ
ーザ発振が行われ、また、前記絶縁膜に形成する開口は
寸法的にも、位置合わせの面でも然程の厳密性は要求さ
れないから、加工作業が容易になる。
第１図は本発明の詳細な説明する為の半導体発光装置の
要部切断正面図、第２図乃至第６図は本発明一実施例を
製造する場合について説明する為の工程要所に於ける半
導体発光装置の要部切断正面図、第７図は従来例の要部
切断正面図、第８図は改良された従来例の要部切断正面
図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型１ｎＰ基板、２はアン・ドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２Ａはアン・ドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２の一部であるストライプ状をなす発光領域
、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４は溝、５はｐ型１ｎＰ
電流阻止層、６はｎ型ＩｎＰ電流阻止層、７はｐ型１ｎ
Ｐバッフ１層、８はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰキャップ層、
９はｐ側電極、１０はｎ側電極、１１はｉ （或いはｎ
−）型ＩｎＰ高抵抗層、１２はＳｉＯ２などからなる絶
縁層、１３はｐ型不純物領域をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第３図 第６図 従来例の要部切断正面図 第７図
要部切断正面図、第２図乃至第６図は本発明一実施例を
製造する場合について説明する為の工程要所に於ける半
導体発光装置の要部切断正面図、第７図は従来例の要部
切断正面図、第８図は改良された従来例の要部切断正面
図をそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型１ｎＰ基板、２はアン・ドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２Ａはアン・ドープＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２の一部であるストライプ状をなす発光領域
、３はｐ型ＩｎＰクラッド層、４は溝、５はｐ型１ｎＰ
電流阻止層、６はｎ型ＩｎＰ電流阻止層、７はｐ型１ｎ
Ｐバッフ１層、８はｐ＋型１ｎＧａＡｓＰキャップ層、
９はｐ側電極、１０はｎ側電極、１１はｉ （或いはｎ
−）型ＩｎＰ高抵抗層、１２はＳｉＯ２などからなる絶
縁層、１３はｐ型不純物領域をそれぞれ示している。 特許出願人 冨士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 第３図 第６図 従来例の要部切断正面図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層を含んで積層された諸半導体層をストライプ状の
メサにする為に作成された二本の溝と、該二本の溝を埋
め且つ表面が平坦である高抵抗層と、 前記諸半導体層の表面及び前記高抵抗層の表面を覆う絶
縁層と、 前記メサに対向する前記絶縁層に形成された開口と、 該開口を介して形成され前記高抵抗層とは反対導電型で
ある不純物領域と、 前記開口を介して該不純物領域とコンタクトする電極と を備えてなることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032886A JPS62193190A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032886A JPS62193190A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193190A true JPS62193190A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12371359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032886A Pending JPS62193190A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193190A (ja) |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61032886A patent/JPS62193190A/ja active Pending
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