JPS62191827A

JPS62191827A - 強誘電性液晶電気光学素子

Info

Publication number: JPS62191827A
Application number: JP3187286A
Authority: JP
Inventors: Tomonori Korishima; 友紀郡島; Masaki Yuki; 結城　正記; Yukio Endo; 幸雄遠藤
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1986-02-18
Filing date: 1986-02-18
Publication date: 1987-08-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、強誘電性液晶を用いた、マトリクス表示装置
及びプリンター用光シヤツター等に用いる強誘電性液晶
心気光学素子−に関するものである。

［従来の技術］強誘電性液晶を用いた液晶電気光字素ｆは、その応答が
従来のネマチック液晶を用いた液晶電気光字素ｒ−に比
較して１０〜１０００倍速く、高速光シャッター装置へ
の応用が期待され、また電界に対して双安定性をもたせ
ることも可能であることにより、大型かつ高密度の表示
装置への応用が期待されている。

しかしながら、この双安定性を有する液晶を用いる光学
変調素ｒ−が所定の駆動特性を発揮するだめには、　・
対の＋１行基板間に配設される液晶が、電界の方向で定
まる一つの安定状態の間での変換が効果的に起るような
分子配列状態にあることが必°及である。たとえばカイ
ラルスメクチックＣまたはカイラルスメクチックＨ相を
有する強誘電性液晶については、カイラルスメクチック
ＣまたはカイラルスメクチックＨ相を有する液晶分子層
が基板面に対して重訂で、したがって、液晶分子軸か基
板面にほぼ平行に配列した均一配向領域が形成される必
要がある。

しかしながら、従来の双安定性を有する液晶を用いる光
学変調素ｒ−においては、このような均−配向状７ｇが
、必ずしも満足に形成されなかったために、充分な特性
が得られなかったのが実情である。

例えば、このような配向状態をかえるために、磁界を印
加する方法、せん断力を印加する方法、温度勾配によっ
て強誘電性液晶の相成長をおこなう方法、基板表面に一
軸配向処理する方法が提案されているが、しかしながら
、これは必ずしも満足すべき結果を！ｊ−えるものでは
なかった。これらの処理において、理想双安定状ｆＥを
得ることは困難であり、基板と強誘電性液晶の相伍作用
により巾安定状態やツイスト状態を′ｊえるため、充分
なコントラスト表示が得られなかった。基板表面に・軸
配向処理をする方法（特開昭８０−２２０３１８等）に
おいては、電極間の電圧を零とした時の強誘電性液晶の
１１均分子輛方向と　−軸配向処理力向となす角度（０
）は一定方向の電圧を印加した該強誘電性液晶の乎均分
子−軸方向と、−軸配向処理方向のなす角度（０）より
著しく小さいため、高コントラストのトントマトリクス
表示がし難いという欠点があった。

［発明の解決しようとする問題点］従来の強誘電性液晶電気光学素子−は１強話電性液晶の
配向状７Ｅが均一配向でないため、高コン］・ラストの
トラ［・マＩ・リクス表示か難しいという欠点かあった
。

［問題点を解決するためのＬ段］本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、走査電極群の設けられた基板と、信号−電極群の設
けられた基板との間に、強誘電性液晶が挟持された液晶
電気光学素子において、前記走査電極群または信号電極
群の少なくとも一方が薄膜強誘゛屯体によって被覆され
ていることを特徴とする液晶電気光学素子を提供するも
のである。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ１本発明を更に詳
細に説明する。

本発明で用いる液晶材料として、特に適したものは、カ
イラルスメクチック液晶であって、強誘電性を有するも
のである。具体的にはカイラルスメクチックＣ相（Ｓ＋
５Ｃ１）、カイラルスメクチックＧ相（ＳＩＩＧｏ）、
カイラルスメクチックＦ相（ＳｍＦつ、カイラルスメク
チックＩ相（ＳｍＩＩ）又はカイラルスメクチックＨ相
（ＳｍＨ”　）の液晶を用いることができる。

しかし、応答性が速いカイラルスメクチ、りＣ相を有す
る液晶を用することが特に好ましい。

強誘電性液晶の詳細については、たとえば”ＬＥ　ＪＯ
ＵＲＮＡＬ　ＤＥ　ＰＨＹＳＩＱＵＥ　ＬＥＴＴＥＲＳ
″耳（Ｌ−８９）１９７５、ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒ７ｓｔａｌａに”Ａｐｐｌｉ
ｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　”　３Ｂ（１
１）１９８０ｒｓｕｂ＋５ｉｃｒｏ　５ｅｑｏｎｄ　Ｂ
１−５ｔａｄｌｅ　ＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃＳｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ　ｉｎ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ」
；　”固体物理パ艮（１４１）１９８１ｒ液晶」等に記
載されており。

本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いるこ
とができる。

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシルオキシベ
ンジリデン−ｐ′〜アミノ−２−メチルブチルシンナメ
ート（ＤＯＢＡＭＢＧ）、ヘキシルオキシベンジリデン
−ｐ′〜アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（Ｈ
ＯＢＡＣＰＣ）、　４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレ
ゾルシリテン−４′〜オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）
が挙げられる。

特に好ましい強誘電性液晶としては、ビフェニルエステ
ル系スメクチック液晶のように比較的加水分解などに対
してＩ耐久性の大きいものが挙げられる。

その相系列としては、カイラルスメクチックＣ相におい
て良好な配向状態を得るためにスメクチックＡ相を有す
るものが望ましい。

また、強誘電性液晶のピッチの長は、１０μ層以りが良
好な配向状態を得るため好ましい、またアントラキノン
系、アゾ系の如き２色染料を含有する強誘電性液晶はカ
ラー表示をおこなう場合には好ましい、さらに、各種２
色性染料を混合してブラー２クシヤツターとして使用す
ることもできる。

第１図は、本発明の強誘電性電気光学素子の一例である
。

第１図は、本発明で駆動する強誘電性液晶電気光学素子
の断面図である。２枚の透明基板（ｌａ）、（１ｂ）の
表面に、それぞれ透明な導電膜（２ａ）、（２ｂ）と薄
膜強誘電体（３ａ）、（３ｂ）を形成する。

導電膜（２ａ）、（２ｂ）は、基板間に保持されだ液晶
層（４）に電界を印加するための電極であり、夫々走査
電極群と信号電極群を構成し、電気光学的応答を生じさ
せる目的で設けられているもので、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ
＋、薄膜の金属等からなり、所定のパターンに形成され
ている。

薄膜強誘電体（３ａ）、（３ｂ）は、電界に応答し、そ
の自発分極の反転を強誘電性液晶に伝える役割をはたす
ものであり、電界の方向により、その自発分極の方向が
基板面に対してはＣＳ垂直の方向で逆転する双安定性を
有するものを使用する。

配向層は液晶を水上配向させるものであり、薄１１り強
誘電体の表面又は薄膜強誘電体が設けられない導電膜で
は、その導電膜の表面を直接配向処理させてもよいし、
オーバーコート膜を設け、このオーバーコート膜の表面
を配向処理してもよい。このオーバーコート膜の代表的
なものとしては、有機高分子−膜、特にポリイミド系高
分子膜を形成し、ｌＩｊで一定方向にラビングしたもの
が好ましいが、その他、ポリアミド系高分子膜、ポリイ
ミドアミド系高分子膜、ポリパラキシリレン等の高分子
膜をラビングしたもの及びＳ　ｉ０２等の斜め蒸着１嘆
も有効である。また前述の如くオーバーコート膜を形成
せずに、直接、薄膜強誘電体をラビングして配向制御膜
を形成してもよい。

このような配向処理を行ったのち、該基板が平行、かつ
一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例えば、
有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤（５）で
周囲を固定し、セルとする。この際、２枚の基板の配向
制御方向は、互いに下行になるようにする。

その後１強誘電性液晶組成物をコレステリック相、ある
いは等方相まで加熱し、セルに注入した後、封止する。

セルの外側に２枚の偏光板（６ａ）、（６ｂ）をその偏
光軸が互いに直交または下行し、かつ基板の配向制御方
向と一定角度をなすように配置する。この角度は、液晶
材料、装置の動作温度、駆動方法等によって変わり最も
コントラスト特性等のよい角度を選べばよく、また場合
によっては２枚の偏光板の偏光軸を直交またはモ行から
僅かにずらして配置する場合もある。なお、−色性染料
を混入した液晶組成物を用いる場合には偏光板は１枚と
することもできる。

基板（ｌｂ）側に光源（７）を置き、反対側へ光が透過
するようにする。なお、反射型で用いる場合には、偏光
板（６ｂ）の外側に反射板を設ければよい。

第２図は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）のパターン例を
示し、ドツトマトリクス表示素子−等に使われるもので
ある。一方の基板には、横方向の縞状の走査′電極群Ｃ
１〜Ｃｎがパターニングされ、他方の基板には、縦力向
の縞状の信号電極群Ｓ１〜Ｓｓ＋がパターニングされて
いる。２Ｍ１の電極群の交差点ＡＩｌ〜八闘がへ素とな
る。走査電極群のうち−・つの走査電極群Ｃｉを後述の
方法で選択を行ない、その際に信号電極群Ｓ１〜Ｓｓに
印加する信じによって１画素Ａｉｌ〜Ａｉ■を占き込み
、その後Ｃｉ÷１を選択し、これを繰り返すことで全画
素の９き込みを行う。

第３図は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）の他のパターン
例を示しプリンターヘッド用光シャッター素ｆとして使
われる。この例では１／４デユーテイで駆動される場合
のパターン例を示している。

ＡＩｌ　〜Ａｌ１１は開口部を示し、これ以外の部分は
遮光膜を形成し用いる。

本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、電界の
極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶が使用
できるが、応答性の点でカイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ＩＩＣ０相）の液晶が好ましい、具体的な例としては、
４−（４−ｎ−デシルオキシベンジリデンアミン）ケイ
皮酸−２−メチルブチルエステル等がある。

また、本発明に用いられる液晶としては、後述の作用の
項で説明するように、負の誘電率異方性をもつ液晶が好
ましい、Ａ体重な例としては、ｐ−デシルオキシベンジ
リデン−ｐ−アミン−２−メチルブチル−α−シアノ−
シンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＧ）等がある。また、材
料単体ではなくいくつかの材料を混合して特性を実現し
でもよく、例えば、表１に示すような混合物が用いられ
る。

表　　１構造式　　　　　　　　　　　濃度（ｗＨ）転移温度５１．０℃　　８９．１’０　　８９．４℃　　９８．
３℃Ｃｒ　　−５ＬｌＧ’　　−Ｓｍ八−Ｃｈ　　−１
Ｒ會　・　Ｃ７Ｈ５−ＣＨ−ＣＨ７− Ｈａまた、本発明で用いる液晶としては、強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲においてスメクチックＡ相（Ｓ
ｍＡ相）をもつ液晶が双安定性を実現するため好ましい
。即ち、ＳｍＡ相ヲモ−）液晶においては、液晶分子層
の方向が１種類しかなく、電界印加等のｆ段が必要なく
、従って双安定性が電圧に対して対称的になり双安定性
がよい。

また、本発明で用いる液晶としては１強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲でＣｈ相をもつことが配向の均
一性の点で好ましい。

強誘電性液晶組成物として５ｔａＣ”相をもち、それよ
り高い温度においてｃｂ相をもち、かっＣｈ相における
らせんピッチの長さくｐ）が基板（１ｄ）と（ｌｂ）間
の距離（ｄ）の４倍以り長い液晶を用いる。またＣｈ相
とＳ、ａｅＣ：”相の間にＳｍＡ相をもっことが、配向
の均一性の点で望ましい、このような液晶としては、光
学活性物質、スメクチック液晶化合物、ネマチック液晶
化合物を適当な割合で混合することで得られ、必要に応
じて非液晶添加物を加える場合もある。特に、Ｃｈ相に
おけるピッチを長くするには、左らせんを生じさせる光
学活性物質と、右らせんを生しさせる光学活性物質を、
らせんを生じさせる力の大きさに応じて混合するのが有
効である。

本発明で用いられる薄膜強誘電体は有機、無機の公知の
物質が用いられるが、無機強１″Ａ電体が自発分極が大
きいので好ましく、それらの例を挙げれば、ペブロスカ
イト型としては。

ＰｂＴ　ｉ０３、ＢａＴ　ｉｏｚ、５ｒＴｉ０１笠、ま
たその固溶体としてはＰｂＴ　１ｏ３−　ＰｂＺｒ０３
（ＰＺＴと略記）　、　Ｌａ２０３−ＰｂＴｉ０３−Ｐ
ｂＺｒ０３　（ＰＬＺＴと略記）’Ｖがある。また。

イルミナイト型としては　ＬｉＮｂＯ２，ＬｉＴａ０：
＋等がある。また、タングステンブロンズ型としてはＢ
ａ７ＮａＮｂ５０＋５（ＢＮＮと略記）等がある。また
１層状型としては、Ｂ１４Ｔｉ３０＋２等があり、その
他ＧｄＭｏ３０＋　２等がある。

使用する薄膜強誘電体は、透明電極の上に被覆されて使
用されるが、その被覆方法としては蒸着法、ＥＢ法、ス
パッター法、ＣＶＤ法等が使用される。

使用する薄膜強誘電体と透明電極との接着性を増加する
ために透明電極をＦ地処理してもよい。又、薄膜強誘電
体は、基板にも被覆しても良い。

薄１１り無機強誘電体を使用する場合、その厚みは、低
電圧で駆動するため５μ層以下が好ましいが、より好ま
しくは充分な透明性が得られ、しかも低電圧で駆動さ、
れるためには１μ■以下が好ましく、さらに好ましくは
０．５μ鋤以下であって、強誘電性液晶の駆動を助ける
効果を有する程度の厚みであることが好ましい。

また、この素子の駆動方法としては、直流駆動は液晶材
料の劣化から好ましくなく、交流駆動方法が好ましい、
交流駆動方法としては、１９８５年ＳＩＤにおけるセイ
コー電Ｐ社の発表（ＳＩ　Ｄ　８５　Ｄｉｇｅｓｔ　　
ｐ１３１）等種々の駆動法が可能である。

［作用］第４図は、この交流駆動法の点灯画素に対する印加波形
Ｃ８）と非点灯画素に対する印加波形（ｂ）とを示す波
形図であり、第５図はその改良例の波形図である。

なお、ここでいう点灯とは双安定性を示す強誘電性液晶
が一方の安定状態をとる状態を示しており、非点灯とは
他方の安定、状態をとる状態を示しており、偏光膜の貼
り方によって光の透過率が変わる２つの状態を示してい
るものであり、以下の説明も同様とする。

第４図の駆動法は８本の走査電極を順次選択して駆動す
る例を示しており、１回の走査が前半の点灯状態書き込
み走査Ｔ　１１　”　Ｔ　＋　８と後半の非点灯状態書
き込み走査Ｔｅｌ”’Ｔａ１ｌとからなり、点灯画素に
対しては前トの走査時に高電圧の交流パルスを印加し、
非点灯画素に対しては後半の走査時に前半とは対称の高
電圧の交流パルスを印加する。

第４図（ａ）では第３図の画素Ａｌｌが点灯状態とされ
る例を示しており、前半の走査の選択期１１ｉ１　Ｔ　
＋　＋に前トが一■＾、後半がＶｎの交流パルスであっ
て、強誘電性液晶がその安定状態を変化させることがで
きる電圧量１−の高電圧のパルスが印加させ、この期間
Ｔｌｌの後トに印加されるパルスの極性によって、どち
らの安定状態をとるかが決定される。以下説明の都合Ｅ
、このＶ＾のパルスの印加により得られる安定状態を安
定状ｉｌｌ、　ｌとし、逆極性の一■へのパルスの印加
により得られる安定状態を安定状態２とする。このため
この例では、強誘電性液晶が安定状ＪＴｉｌの場合に、
安定状態２の場合に比して光の透過率が高くなるように
偏光板の偏光軸を配置しておけばよい。

この期間Ｔｌ＋の後、その他の走査電極が走査されてい
るＴＩ２〜Ｔ１８の期間には１選択されている画素の書
き込みに応じた位相の強誘電性液晶の安定状態が変化し
ない士Ｖｃの交流パルスが印加され１期間Ｔｌｌの後半
のパルスの極性により決まった安定状ｊｌｆｊである安
定状７８１、即ち点灯状態がＴＩ２”’Ｔ＋８の期間も
継続する。

次いで、後半の非点灯走査に入り、選択期間Ｔ２１には
、前トの点灯走査とは対称で強誘電性液晶の安定状態を
変化させない交流パルスが印加されるものであり１期間
Ｔ７１の前トにはＶＢ。

後トが−Ｖ（３のパルスが印加される。

この走査期間ＴＩ’ｌ　の後の非選択期間Ｔ？？〜Ｔ　
？　Ｈには、点灯走査の非選択期間Ｔ１７〜Ｔ１８と同
様の工Ｖｃの交流パルスか印加される。これにより、点
灯状ｙ魚の場合には、期間Ｔ　＋　ｔの後吟に安定状態
１となった強誘電性液晶は、この期間Ｔ１７〜Ｔ２．Ｉ
の間口−の安定状ｆＥである安定状１懲ｌか継続され点
灯状ｆＥが継続する。逆に画素Ａｌｌが非点灯状７ｐの
場合には第４図（ｂ）のように前半の点灯走査Ｔｌｌ〜
Ｔ１８では前の安定状態を継続しており、後゛ｉの非点
灯走査の選択期間Ｔ　７１の前トにＶＡ　、後トに−Ｖ
Ａの高電圧のパルスか印加され１強誘電性液晶はこの−
ＶＡのパルスにより定まる安定状１ル２となり、非点灯
状態となる。

次いで非選択の走査間開Ｔ２２〜Ｔ７Ｂには±ＶＣの交
流パルスが印加され５安定状丁懲２が継わ“６し、ノ］
点灯状ｙＬが継続することとなる。

この例で具体的に走査電極、信５￥電極に印加される波
形としては、前゛ｈの点灯走査においては走査電極の選
択時に前半に（ＶＯ＋Ｖｌ　）、後半に（ＶＯ−Ｖｌ　
）の交流パルスが、非選択時にはＶＯが、信号電極の点
灯信りとしては前トに（ＶＯ−Ｖ２　）　、後半に（Ｖ
ｏ　＋ｖ７　）の交流パルスが、非点灯信号としては＋
ｉｉｉ　’ｔ８□に（ＶＯ＋Ｖ７　）の交流パルスが、
非点灯信号としては前トに（ＶＯ＋Ｖ２　）　、後トに
（Ｖｏ　−Ｖ２　）の交流パルスが印加されればよく、
これニヨリＶＡ　＝Ｖ＋　　＋Ｖ２　、Ｖｎ　＝Ｖ＋　
　−Ｖ２　　。

ＶＣ＝Ｖ２の電圧が第４図（ａ）、（ｂ）　（１）如＜
　ニ印加される。

第５図（ａ）　、　（ｂ）は、この第４図（ａ）、（ｂ
）　ｃｙ＞改良例を示す波形図であり、走査電極の選択
期間Ｔ１は第４図の例の選択期間ＴｌｌとＴ　２１とを
設けたものであり、−回の選択期間中に点灯と非点灯の
走査をしている。このような走査をすることにより、点
灯と非点灯のタイミングのずれが少なくなり、かつ第４
図の期間Ｔ１３〜Ｔ１５に生じるような周期が２倍のパ
ルスが一周期続けて生じることがなく、古き込みパター
ンによるクロストークの変化が少なくなる。

ここで、第４図及び第５図の波形で駆動しても、非選択
状ＩＥや半選択状態で強誘電性液晶の安定状ｆｆ、は変
化しないが、液晶分子が動くため光がもれてくるクロス
トークをある程度生じることとなる。

しかし、本発明では、電極と強誘゛ＩＶ性液晶との間に
薄膜強誘導体が配置されているため、強誘電性液晶は？
ｔル膜強誘電体の自発分極と同方向に整列するため、こ
の液晶分子の動揺が減少し、クロストークが減少するこ
ととなる。

第６図（ａ）　、　（ｂ）は、本発明の薄１１！２強誘
電体と強誘電性液晶の動きを説明するだめの原理である
。

第６図（ａ）は導電膜（２ａ）と導電膜（２ｂ）との間
にＥｌ　の電界をかけた時を示しており、薄膜強誘電体
（３ａ）、　（３ｂ）内ではこの電界Ｅ１の方向に沿っ
て自発分極の方向（ｌｌａ）　、　（Ｉｌｂ）を生ずる
。

この薄１模強請１に体の自発分極と同じ方向に液晶分子
−の自発分極の方向（１２）がなるように液晶分子（１
３）が配列する。

又、第６図（ｂ）は導電膜（２ａ）と導電膜（２ｂ）と
の間に（ａ）のＥｌ　と逆方向のＥ２の電界をかけた時
を示しており、薄膜強誘電体（３ａ）、　（３ｂ）内で
はこの電界Ｅ２の方向に沿って自発分極の方向（２１＆
）、　（２１ｂ）を生ずる。この薄膜強誘電体の［１発
分極と同じ方向に液晶分極の自発分極の方向（２２）が
なるように液晶分子（２３）が配列する。

この強誘電性液晶の両面に強誘電体を配置した強誘電性
液晶では、強誘電体の自発分極の方向が導電膜からなる
電極間に印加された電界により、基板面にほぼ爪直にか
つ、その電界方向により反対の方向に向く双安定性を有
する強、銹゛屯体を使用し、この強誘電体の自発分極の
力で強誘電性液晶の自発分極の方向を同一方向にそろえ
、その液晶分子−を特定方向に配列させる。

参考までに、従来知られているネマチック液晶の両面に
強１誘電体を配置したツイストネマチック液晶の場合に
は、双安定性を有しない強、Ｊ重体を用い液晶の誘電率
異方性を利用して液品分子の状態を変化させるとされて
いる。

［実施例］実施例２枚のピッチ５００μｍで幅３５０μＩのストライプ状
のＩＴＯを透明電極として設けた正方形状ガラス基板を
用意し、このＩＴＯ透明電極側に基板温度５００℃、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタ法でＰｂＴ　ｉＯ：＋の膜厚２
０００人の薄膜無機強誘電体を形成した。

ついで木綿布で一方向にこすって水平配向処理を行なっ
た。次いで、この処理を終ったガラス基板をストライブ
状パターン電極が直交するように重ね合せ２枚の電極板
の間隙が２μ諷となるようにポリイミドスペーサーで保
持して周辺をエボギシ接着剤で接着した。

このようにして作成したセル内に竿方相となっているビ
フェニルエステル系スメクナック液晶組成物を注入１−
１から注入し、その注入口を封じた。この液晶組成物は
９℃において結晶から、カイラルスメクチックＣ相に転
移し、５７℃においてスメクチックＡ相に転移し、６５
℃においてコレステリック相に転移し、１０１℃におい
て等方性液体に転移した。またこの液晶組成物の６６°
Ｃにおけるピッチ長は４０μ層以上であり、３０℃にお
ける自発分極値は１７ｎｃ／ｃｍ２　であった。

３０℃において第４図に示した駆動波形を印加して走査
線数３２の駆動を行なった。

なお第４図においてＴ１１を０．４ｍ５ｅｃ、　Ｖ　Ａ
　＝２０Ｖ、Ｖｎ　　＝１０Ｖ、Ｖｃ　　＝５Ｖとした
。

なお、一方の偏光板はその偏光軸方向が、水平配向処理
方向と２２．５°角度をなすように貼付け、他の偏光板
は、その偏光軸方向がクロスニコル状態となるように貼
りつけた。

この時のオン状態とオフ状Ｊｇのコントラストは１２で
あった。

比較例実施例においてＰｂＴｉＯ３である薄膜無機強誘電体を
形成しない以外は、同様にして素ｆを形成した。そのコ
ントラストは２．３であった。このように本発明によれ
ば、飛躍的なコントラストの向上が見られた。

［発明の効果］本発明は１強誘電性液晶電気光字素ｆの高コントラスト
の表示を可能とする効果をもつものである。

また本発明は高走査線数においても高コントラスト表示
を可能としたため、大面積の強誘電性液晶電気光字素ｆ
を可能とする。

また本発明は、基板間の距離を厚くした素子においても
充分大きな高コントラスト表示を可能としたため１強誘
電性液晶電気光字素Ｔ−の製造りの困難さを軽減でき、
かつ液晶電気光字素Ｔ−内の対向する電極間での短絡の
発生を少なくする効果も認められる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明で駆動する素ｆの断面図。第２図、第３図は、本発明の駆動法の好ましい適用例の
電極パターンの例のモ面図。第４図（ａ）、（ｂ）及び第５図（ａ）、（ｂ）は、交
流駆動法による駆動波形図。第６図（ａ）、（ｂ）は１本発明の詳細な説明図である
。ｌａ、　ｌｂ：透明基板２ａ、２ｂ＝導電膜３ａ、３ｂ＝薄膜強誘電体４：液晶層５：シール剤８ａ、　８ｂ：偏光板 ′舅　１　］Δ 鷺　２ｚ信号電柱７チ箪３　ロイき　号　１と石と７！千Ｓｔ　　　　ｆ、　　　　　　　　　、ｓ−・、鴛４図孝ダワ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設
けられた基板との間に、強誘電性液晶が挟持された液晶
電気光学素子において、前記走査電極群または信号電極
群の少なくとも一方が薄膜強誘電体によって被覆されて
いることを特徴とする液晶電気光学素子。
（２）前記薄膜強誘電体が薄膜無機強誘電体である特許
請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶電気光学素子。
（３）前記薄膜無機強誘電体の厚みが５μｍ以下である
特許請求の範囲第２項記載の強誘電性液晶電気光学素子
。
（４）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックＣ相で
ある特許請求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性
液晶電気光学素子。
（５）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックＡ相を
有する特許請求の範囲第４項記載の強誘電性液晶電気光
学素子。
（６）前記強誘電性液晶の層の厚みが１〜１０μｍであ
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性液
晶電気光学素子。
（７）前記強誘電性液晶のピッチの長さが１０μｍ以上
である許請求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性
液晶電気光学素子。
（８）前記強誘電性液晶が二色性染料を含有する特許請
求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性液晶電気光
学素子。
（９）前記強誘電性液晶が水平配向するように処理され
た特許請求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性液
晶電気光学素子。
（１０）基板の少なくとも一方に偏光板を設置した特許
請求の範囲第１項または第２項記載の強誘電性液晶電気
光学素子。
（１１）交流波形によって駆動される特許請求の範囲第
１項または第２項記載の強誘電性液晶電気光学素子。
（１２）少なくとも一方の基板が有機樹脂薄膜によって
被覆されている特許請求の範囲第１項または第２項記載
の強誘電性液晶電気光学素子。