JPS62191038A - 炭化水素転化触媒の再成方法とその装置 - Google Patents
炭化水素転化触媒の再成方法とその装置Info
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- JPS62191038A JPS62191038A JP61316098A JP31609886A JPS62191038A JP S62191038 A JPS62191038 A JP S62191038A JP 61316098 A JP61316098 A JP 61316098A JP 31609886 A JP31609886 A JP 31609886A JP S62191038 A JPS62191038 A JP S62191038A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は炭化水素を有用な炭化水素生成物（３転化）る
触媒反応の技術に関係１−るものであって、さらに詳し
くは、疲弊触媒を炭化水素転化反応に再使用できるよう
にする疲弊触媒の再生に関する。
触媒反応の技術に関係１−るものであって、さらに詳し
くは、疲弊触媒を炭化水素転化反応に再使用できるよう
にする疲弊触媒の再生に関する。
［発明の要約］
本発明はｆｉ’Ａした、換８づれば、不活性化した炭化
水素転化触媒を再生、すなわち再活性化するに必要な多
段処理工程を行うための装置に関する。触媒再生は移動
床方式で遂行され、そこでは触媒がいろいろな処理帯域
を通過する。
水素転化触媒を再生、すなわち再活性化するに必要な多
段処理工程を行うための装置に関する。触媒再生は移動
床方式で遂行され、そこでは触媒がいろいろな処理帯域
を通過する。
触媒は重力により再生装置を下向きに通過する。
触媒は炭化水素転化触媒内にある間に表面に蓄積したコ
ークを除去するため、熱いＭ素含有ガス流と接触する。
ークを除去するため、熱いＭ素含有ガス流と接触する。
コークは主として炭素からなるが、比較的少量の水素も
含有する。コークを除去するメカ二′ズムは、これを二
酸化炭素を水に酸化することである。ｒ５焼帯域を通過
後、触媒は冷却帯域に供給されるが、これは燃焼帯域で
生成された水の内、燃焼ガスで運ばれることなく、触媒
に残った水を乾燥するためである。
含有する。コークを除去するメカ二′ズムは、これを二
酸化炭素を水に酸化することである。ｒ５焼帯域を通過
後、触媒は冷却帯域に供給されるが、これは燃焼帯域で
生成された水の内、燃焼ガスで運ばれることなく、触媒
に残った水を乾燥するためである。
水の除去は触媒に熱い乾燥空気流を通すことで行なわれ
る。乾燥触媒は触媒冷却帯域に供給され、ここで触媒は
乾燥空気流と直接接触することで冷却される。冷ｆＪ′
ｉ後、触媒は本発明の再生装置から取出される。
る。乾燥触媒は触媒冷却帯域に供給され、ここで触媒は
乾燥空気流と直接接触することで冷却される。冷ｆＪ′
ｉ後、触媒は本発明の再生装置から取出される。
乾燥空気流は再生装置の底部に導入され、触媒流と向流
的に上向きに流れる。この空気流は触媒との熱交換によ
って触媒冷却帯域で加熱され、触媒冷却帯域の上に位置
する加熱コイルによってさらに加熱される。加熱された
空気流はその後触媒冷却帯域を通って水を除去し、次い
で燃焼帯域のガス収集部に入り、ここで燃焼で生じたガ
ス及び触媒中を通過した不活性ガスと混合される。煙道
ガスと呼ばれるこの配合物は燃焼帯域から抜出され、そ
の一部は燃焼帯域に循環されてコークを焼払うために触
媒と接触する。１！環されない残部は大気中に排出され
る。
的に上向きに流れる。この空気流は触媒との熱交換によ
って触媒冷却帯域で加熱され、触媒冷却帯域の上に位置
する加熱コイルによってさらに加熱される。加熱された
空気流はその後触媒冷却帯域を通って水を除去し、次い
で燃焼帯域のガス収集部に入り、ここで燃焼で生じたガ
ス及び触媒中を通過した不活性ガスと混合される。煙道
ガスと呼ばれるこの配合物は燃焼帯域から抜出され、そ
の一部は燃焼帯域に循環されてコークを焼払うために触
媒と接触する。１！環されない残部は大気中に排出され
る。
つまり、同じ空気流が触媒の冷却、乾燥及びコークの燃
焼に使用される。炭化水素の接触改質に使用された触媒
を再生する場合には、以下に記すような付加的な再生工
程が必要になろう。
焼に使用される。炭化水素の接触改質に使用された触媒
を再生する場合には、以下に記すような付加的な再生工
程が必要になろう。
本発明の目的の一つは再生された触媒を水冷するための
別のＨＭを排除することにある。
別のＨＭを排除することにある。
本発明の別の目的の一つは再生された触媒から熱を回収
してユーティリティーコス１−を節約することにある。
してユーティリティーコス１−を節約することにある。
本発明のざらに別の目的は、熱い再生触媒を別の冷Ｉｊ
′ｌ装置に通す必要性をなくして、再生手続きの安全性
を確保することにある。
′ｌ装置に通す必要性をなくして、再生手続きの安全性
を確保することにある。
本発明のさらにまた別の目的は、触媒冷却装置とこれに
付帯するコイルを排除し、再生ｇ置とは別の大型の空気
加熱別を、再生装置ないの小型の加熱手段に置き換える
ことにより、主要コストを減少させることにある。
付帯するコイルを排除し、再生ｇ置とは別の大型の空気
加熱別を、再生装置ないの小型の加熱手段に置き換える
ことにより、主要コストを減少させることにある。
広義の具体例に於いて、本発明の装置は、燃焼帯域を形
成する円筒形の上部領域と、この上部領域より直径が小
さい領域であって、下端に触媒の排出ノズルに備え、触
媒冷却帯域と、空気加熱帯域と、触媒冷却帯域を備える
下部領域を有し、触媒粒子が重力によって移動すること
ができる垂直に配置された容器と、この容器の上部領１
欧まで実質的に延びる直径が異なる二つの垂直な円筒形
スクリーンからなり、これを互いに同軸に配置して触媒
床が重力で下降することができる環状帯域を形成し、そ
の環状帯域を前記容器の下部領域の触媒冷却帯域に連通
させ、前記二つの垂直な円筒形スクリーンを前記容器の
上部領域と同軸的に配置して容器の壁と径の大きいスク
リーンとの間に、ガスを分［るための環状空間を形成さ
せた触媒保持スクリーンと、前記容器に設けた少なくと
も一つの疲弊触媒導入ノズルと、この導入ノズルと接続
され、かつ前記触媒保持スクリーン間で保持される環状
の下降粒子床の上部と連通する少なくとも一つの内在的
な触媒尋人管と、前記容器に股番ブられ、前記の環状ガ
ス分配空間と３１１！通する少なくとも一つの再生用ガ
ス導入ノズルと、前記容器に設けられ、前記の径の小さ
い触媒保持スクリーンに囲まれた円筒形の中央空間と連
通する少なくとも一つの煙道ガス排出ノズルと、前記容
器の下部領域の最上部からなり、前記の原状触媒床と連
通する触媒冷却帯域と、前記容器の下部領域にある触媒
冷却帯域の直ぐ下に位置し、上向きの流れる空気流を加
熱するための手段からなる空気加熱帯域と、前記容器に
酸１プだ空気導入ノズルと、この空気導入ノズルと接続
された空気分配装置を有する触ＴＢ、冷ＪｆＩ帯域を、
前記空気加熱帯域の直ぐ下に位置させて前記の空気分配
装置を当該冷却帯域底部の水平面に位置させ、空気が前
記水平面に実質的１こ均一に分配するようにした触媒冷
却帯域を有する。
成する円筒形の上部領域と、この上部領域より直径が小
さい領域であって、下端に触媒の排出ノズルに備え、触
媒冷却帯域と、空気加熱帯域と、触媒冷却帯域を備える
下部領域を有し、触媒粒子が重力によって移動すること
ができる垂直に配置された容器と、この容器の上部領１
欧まで実質的に延びる直径が異なる二つの垂直な円筒形
スクリーンからなり、これを互いに同軸に配置して触媒
床が重力で下降することができる環状帯域を形成し、そ
の環状帯域を前記容器の下部領域の触媒冷却帯域に連通
させ、前記二つの垂直な円筒形スクリーンを前記容器の
上部領域と同軸的に配置して容器の壁と径の大きいスク
リーンとの間に、ガスを分［るための環状空間を形成さ
せた触媒保持スクリーンと、前記容器に設けた少なくと
も一つの疲弊触媒導入ノズルと、この導入ノズルと接続
され、かつ前記触媒保持スクリーン間で保持される環状
の下降粒子床の上部と連通する少なくとも一つの内在的
な触媒尋人管と、前記容器に股番ブられ、前記の環状ガ
ス分配空間と３１１！通する少なくとも一つの再生用ガ
ス導入ノズルと、前記容器に設けられ、前記の径の小さ
い触媒保持スクリーンに囲まれた円筒形の中央空間と連
通する少なくとも一つの煙道ガス排出ノズルと、前記容
器の下部領域の最上部からなり、前記の原状触媒床と連
通する触媒冷却帯域と、前記容器の下部領域にある触媒
冷却帯域の直ぐ下に位置し、上向きの流れる空気流を加
熱するための手段からなる空気加熱帯域と、前記容器に
酸１プだ空気導入ノズルと、この空気導入ノズルと接続
された空気分配装置を有する触ＴＢ、冷ＪｆＩ帯域を、
前記空気加熱帯域の直ぐ下に位置させて前記の空気分配
装置を当該冷却帯域底部の水平面に位置させ、空気が前
記水平面に実質的１こ均一に分配するようにした触媒冷
却帯域を有する。
触媒を再生過程でハロゲン化しなければならない場合、
本発明の装置は、前記した容器の上部領域及び触媒保持
スクリーンの延長部分からなるハロゲン化帯域を備え、
その延長部分は前記燃焼帯域の下に位置し、触媒保持ス
クリーンで形成される環状空間は前記の触媒冷却帯域と
連通し、さらに前記のハロゲン化帯域上部域のガス分配
用環状空間の上部に位置して容器側壁と直径の大きいス
クリーンとの間に延び、ガス分配用環状空間に於ける燃
焼帯域とハロゲン化帯域との間のガスの流れを防止する
ための水平なガス環状隔壁と、容器に設けられてハロゲ
ン化帯域のガス分配用環状空間と１１通するハロゲン導
入ノズルと、少なくとも一つのハロゲン排出ノズルと、
その排出ノズルと接続されて直径の小さいスクリーンで
囲まれた中央空間と連通ずる少なくとも一つのハロゲン
排出導管と、ハロゲン化帯域内の中央空間を上部するガ
スの一部を前記のハロゲン排出導管に′ｌ＃き、触媒床
を通ってハロゲン化帯域内のガス分配用環状空間を流れ
るガスの一部を前記の燃焼帯域の中央空間に導くための
流れ案内手段を備えている。
本発明の装置は、前記した容器の上部領域及び触媒保持
スクリーンの延長部分からなるハロゲン化帯域を備え、
その延長部分は前記燃焼帯域の下に位置し、触媒保持ス
クリーンで形成される環状空間は前記の触媒冷却帯域と
連通し、さらに前記のハロゲン化帯域上部域のガス分配
用環状空間の上部に位置して容器側壁と直径の大きいス
クリーンとの間に延び、ガス分配用環状空間に於ける燃
焼帯域とハロゲン化帯域との間のガスの流れを防止する
ための水平なガス環状隔壁と、容器に設けられてハロゲ
ン化帯域のガス分配用環状空間と１１通するハロゲン導
入ノズルと、少なくとも一つのハロゲン排出ノズルと、
その排出ノズルと接続されて直径の小さいスクリーンで
囲まれた中央空間と連通ずる少なくとも一つのハロゲン
排出導管と、ハロゲン化帯域内の中央空間を上部するガ
スの一部を前記のハロゲン排出導管に′ｌ＃き、触媒床
を通ってハロゲン化帯域内のガス分配用環状空間を流れ
るガスの一部を前記の燃焼帯域の中央空間に導くための
流れ案内手段を備えている。
［従来技術］
米国特許第３．６５２，２３１号はある面で本発明の再
生装置と類似する再生装置を示しているが、この装置は
触媒冷却帯域、換言すれば乾燥空気加熱帯域を有してい
ない。この特許は炭化水素の接触改質と共に使用可能な
連続的触媒再生方法を記載する。米国特許第３．６４７
，６８０号及び第３．６９２，４９６号も改質触媒の再
生を記載する。
生装置と類似する再生装置を示しているが、この装置は
触媒冷却帯域、換言すれば乾燥空気加熱帯域を有してい
ない。この特許は炭化水素の接触改質と共に使用可能な
連続的触媒再生方法を記載する。米国特許第３．６４７
，６８０号及び第３．６９２，４９６号も改質触媒の再
生を記載する。
米国特許第３，８３８，０３８号は移動床再生装置が使
用できる炭化水素転化方法の例を列挙し、そのリストに
はハイドロクラッキング及びその他の水素化処理方法、
異性化、アルキル化及び脱水素化が含まれている。
用できる炭化水素転化方法の例を列挙し、そのリストに
はハイドロクラッキング及びその他の水素化処理方法、
異性化、アルキル化及び脱水素化が含まれている。
飽和ノルマルパラフィン、特に分子当り２〜６の炭素原
子を有するパラフィンの接触的脱水素化を記載した米ｌ
Ｉｌ特許第３，９７８，１５０号は、ハロゲン化領域を
必要としていないものの、前記の米国特許第３．６５２
．２３１号によるＨｕで再生できる触媒を使用する。本
発明の装置で再生可能な他の脱水素化触媒は、米国特許
第４，４３８，２８８号及び第４，５０６，０３２号に
記載されている。
子を有するパラフィンの接触的脱水素化を記載した米ｌ
Ｉｌ特許第３，９７８，１５０号は、ハロゲン化領域を
必要としていないものの、前記の米国特許第３．６５２
．２３１号によるＨｕで再生できる触媒を使用する。本
発明の装置で再生可能な他の脱水素化触媒は、米国特許
第４，４３８，２８８号及び第４，５０６，０３２号に
記載されている。
米国特許第３．７４５．１１２号は本発明の装置で実行
される移動床法で好ましく再生される触媒を記載する。
される移動床法で好ましく再生される触媒を記載する。
［発明の背景］
上に引用した米国特許の幾つか（例えば第３．６９２，
４９６号及び第３，３６７．６８０号）ｌこ示されるよ
うな移動床連続触媒再生系を、接触改質に使用された触
媒の再生に利用した場合、乾燥後の触媒を還元帯域に移
送する前に、その触媒を冷却するのが通例である。この
冷却は再生８置（米国特ｒ＋第３．６５２．２３１Ｍに
示されるような）から取出される触媒を、冷却容器に通
し、冷却容器内に設けたコイルに水を通すことで普通行
なわれる。上に引用した米国特許第４，４３８，２８８
号、第３．７４５．１１２号及び第４．５０６．０３２
号の触媒再生でも、触媒を還元帯域に入れる前に冷却が
必要である。
４９６号及び第３，３６７．６８０号）ｌこ示されるよ
うな移動床連続触媒再生系を、接触改質に使用された触
媒の再生に利用した場合、乾燥後の触媒を還元帯域に移
送する前に、その触媒を冷却するのが通例である。この
冷却は再生８置（米国特ｒ＋第３．６５２．２３１Ｍに
示されるような）から取出される触媒を、冷却容器に通
し、冷却容器内に設けたコイルに水を通すことで普通行
なわれる。上に引用した米国特許第４，４３８，２８８
号、第３．７４５．１１２号及び第４．５０６．０３２
号の触媒再生でも、触媒を還元帯域に入れる前に冷却が
必要である。
［発明の詳述］
第１図〜第３図によって本発明を説明するが、図面は本
発明を限定するものではない。図面は本発明を明確に理
解する上で必須な要素だけを示したものである。先に引
用した米国特許第３．６５２．２３１号、第３６４７．
６８０号及び第３．０９２．４９６号の教示内容はここ
でも適用でき、これらから詳しい情報を得ることができ
る。
発明を限定するものではない。図面は本発明を明確に理
解する上で必須な要素だけを示したものである。先に引
用した米国特許第３．６５２．２３１号、第３６４７．
６８０号及び第３．０９２．４９６号の教示内容はここ
でも適用でき、これらから詳しい情報を得ることができ
る。
上の米国特許に記載されているように、本発明の装置で
再生される触媒のタイプは、直径約１７３２〜約］／４
インチ（ｇ８〜６４ＩＩＩ１１）の球状にあるアルミナ
のような基体を含有する。またこの触媒粒子ｌま基体に
担１）された白金及びハロゲンのよう４１各種の物質を
含有（る。
再生される触媒のタイプは、直径約１７３２〜約］／４
インチ（ｇ８〜６４ＩＩＩ１１）の球状にあるアルミナ
のような基体を含有する。またこの触媒粒子ｌま基体に
担１）された白金及びハロゲンのよう４１各種の物質を
含有（る。
第１図に於いて、触媒粒子はノズル３４によって再生容
器１に導入される。図には二つの触媒導入ノズルが示さ
れているが、ノズルは一つでも多数でもよい。再生容器
１の上部領域内には、二つの触媒保ｊ）スクリーン１６
及び１９がある。二つの触媒保持スクリーンは円筒形で
、それらの中心軸は再生容器の中心軸上にあって、再生
容器の上部領域に同軸的に位置している。スクリーン１
６及び１９は環状帯域を形成し、その帯域内を触媒２６
の下降環状カラム又は環状床が重力によって移動する（
第３図参照）。ノズル３４の延長部分である触媒導入管
は、環状床に触媒を放出する。触媒スクリーンの開口は
触媒粒子が通過できない大きさにあり、また詰まらない
大きさにある。このスクリーンについては米国特許第３
．６５２．２３１号の教示が参考になる。触媒保持スク
リーンは容器１の上部領域全体に伸び、触媒を触媒冷却
帯域８に運ぶ。
器１に導入される。図には二つの触媒導入ノズルが示さ
れているが、ノズルは一つでも多数でもよい。再生容器
１の上部領域内には、二つの触媒保ｊ）スクリーン１６
及び１９がある。二つの触媒保持スクリーンは円筒形で
、それらの中心軸は再生容器の中心軸上にあって、再生
容器の上部領域に同軸的に位置している。スクリーン１
６及び１９は環状帯域を形成し、その帯域内を触媒２６
の下降環状カラム又は環状床が重力によって移動する（
第３図参照）。ノズル３４の延長部分である触媒導入管
は、環状床に触媒を放出する。触媒スクリーンの開口は
触媒粒子が通過できない大きさにあり、また詰まらない
大きさにある。このスクリーンについては米国特許第３
．６５２．２３１号の教示が参考になる。触媒保持スク
リーンは容器１の上部領域全体に伸び、触媒を触媒冷却
帯域８に運ぶ。
触媒の回りにガスを分配覆るのに機能する環状空間は、
触媒保持スクリーン１９と、再生容器１の上部領域の側
壁２８との間に形成される。ガスは循環ノズル３１から
符号１７で示されるこの環状空間に入る。環状の隔壁２
９はガス分配空間１７と、符号１８で示される小さいガ
ス分配空間を区切っている。ガスは環状のガス分配空間
から、スクリーン１６及び１９で保持されるところの符
号２６で示される触媒２６を通り、円筒形の中央空間１
３に流れる。中央空間１３の一部はハロゲン１１１４で
占められている。
触媒保持スクリーン１９と、再生容器１の上部領域の側
壁２８との間に形成される。ガスは循環ノズル３１から
符号１７で示されるこの環状空間に入る。環状の隔壁２
９はガス分配空間１７と、符号１８で示される小さいガ
ス分配空間を区切っている。ガスは環状のガス分配空間
から、スクリーン１６及び１９で保持されるところの符
号２６で示される触媒２６を通り、円筒形の中央空間１
３に流れる。中央空間１３の一部はハロゲン１１１４で
占められている。
容器１の上部領域のうち隔壁２９の上の部分は、燃焼帯
域であって、ここでコークの燃焼が生起する。隔！！！
２９より下の上部領域はハロゲン化帯域である。ハロゲ
ン化格域は場合によって必要ではなく、隔壁２９、ハロ
ゲン導入ノズル１０、ハロゲン排出ノズル４０、ハロゲ
ン排出導管１４は省略できる。ハロゲン含有ガスはハロ
ゲン導入ノズル１０からこの帯域に入り、触媒床を半径
方向に流れてハロゲン化帯域の中央空間１１に入る。
域であって、ここでコークの燃焼が生起する。隔！！！
２９より下の上部領域はハロゲン化帯域である。ハロゲ
ン化格域は場合によって必要ではなく、隔壁２９、ハロ
ゲン導入ノズル１０、ハロゲン排出ノズル４０、ハロゲ
ン排出導管１４は省略できる。ハロゲン含有ガスはハロ
ゲン導入ノズル１０からこの帯域に入り、触媒床を半径
方向に流れてハロゲン化帯域の中央空間１１に入る。
スクリーン１Ｇ及び１９は、第１図に示す通り、上部領
域より半径が小さい下部領域まで伸びる。
域より半径が小さい下部領域まで伸びる。
スクリーン１９の外径は容器の下部領域の内径より僅か
に小さく、スクリーンは下部ｖＡｌｔに嵌合してシール
を形成し、これによって環状の分配空間内の実質的にす
べてのガスは、再生容器の下部領域にバイパスすること
なく、触媒床中に流れる。上記のシール手段としては他
の手段を利用することもできる。触媒保持スクリーン間
の環状帯域から排出される触媒は、加熱手段を包む触媒
スクリーン６の下の空間を除く、容器］の下部領域すべ
てに充満する。触媒は容器の下部領域を下向きに移動し
て、触媒排出ノズル２から取出される。つまり、触媒は
環状床から触媒冷却帯域８．空気加熱帯域９及び触媒冷
却帯域７を通過するのである。
に小さく、スクリーンは下部ｖＡｌｔに嵌合してシール
を形成し、これによって環状の分配空間内の実質的にす
べてのガスは、再生容器の下部領域にバイパスすること
なく、触媒床中に流れる。上記のシール手段としては他
の手段を利用することもできる。触媒保持スクリーン間
の環状帯域から排出される触媒は、加熱手段を包む触媒
スクリーン６の下の空間を除く、容器］の下部領域すべ
てに充満する。触媒は容器の下部領域を下向きに移動し
て、触媒排出ノズル２から取出される。つまり、触媒は
環状床から触媒冷却帯域８．空気加熱帯域９及び触媒冷
却帯域７を通過するのである。
再生容器１のノズル３には、下降触媒に直角な水平面の
各所に空気を分配するための手段４が設けられ、これに
よって空気はすべての触媒と接触して容器内を均一に上
昇する。容器に入る空気は約１００°Ｆ（３８℃）の温
度にあり、乾燥されているので、約５ｐｐｍ（容積）以
上の水を含まない。空気は触媒冷却帯域７で示される部
分の触媒粒子間を上昇し、この間に触媒により約９００
’ Ｆ ｆ４８２℃）に加熱される。一方、触媒は３０
０〜４００″Ｆ Ｆ１４９〜２０４℃）に冷却される。
各所に空気を分配するための手段４が設けられ、これに
よって空気はすべての触媒と接触して容器内を均一に上
昇する。容器に入る空気は約１００°Ｆ（３８℃）の温
度にあり、乾燥されているので、約５ｐｐｍ（容積）以
上の水を含まない。空気は触媒冷却帯域７で示される部
分の触媒粒子間を上昇し、この間に触媒により約９００
’ Ｆ ｆ４８２℃）に加熱される。一方、触媒は３０
０〜４００″Ｆ Ｆ１４９〜２０４℃）に冷却される。
符号９で示される空間には上昇空気を加熱する別の手段
が設けられている。この加熱手段は伝熱流体を流れるチ
ューブでも差支えないが、好ましくは電気抵抗加熱素子
である。第２図は符号２５で示される加熱素子を含む容
器１の断面図である。符号２４は加熱素子を有する加熱
装置のバランスを示す。触媒はプレー１−５及び２３と
容器１の側壁２７で区切られたダウンカマーを通ること
で、加熱手段が設けられている部分を通り過ぎる。垂直
なプレート５及び２３は側壁２７で形成される円の弦に
治って配置され、符号２１及び２２で示される触媒通路
を構成する。加熱手段によって占められる領域の上部は
、当該領域への触媒の侵入を阻止覆るためにスクリーン
６で覆われる。実質的にすべての空気は、ダウンカマー
の触媒間を１屓するのに優先して、領域９の加熱手段部
分を通過する。ダウンカマーを上ｈｉる空気の圧力隣下
は、加熱手段部分を上昇する空気のそれよりかなり大き
いからである。
が設けられている。この加熱手段は伝熱流体を流れるチ
ューブでも差支えないが、好ましくは電気抵抗加熱素子
である。第２図は符号２５で示される加熱素子を含む容
器１の断面図である。符号２４は加熱素子を有する加熱
装置のバランスを示す。触媒はプレー１−５及び２３と
容器１の側壁２７で区切られたダウンカマーを通ること
で、加熱手段が設けられている部分を通り過ぎる。垂直
なプレート５及び２３は側壁２７で形成される円の弦に
治って配置され、符号２１及び２２で示される触媒通路
を構成する。加熱手段によって占められる領域の上部は
、当該領域への触媒の侵入を阻止覆るためにスクリーン
６で覆われる。実質的にすべての空気は、ダウンカマー
の触媒間を１屓するのに優先して、領域９の加熱手段部
分を通過する。ダウンカマーを上ｈｉる空気の圧力隣下
は、加熱手段部分を上昇する空気のそれよりかなり大き
いからである。
加熱帯域を通過した後の上昇空気の平均温度は約１００
０°Ｆ （５３８℃）である。
０°Ｆ （５３８℃）である。
この熱い空気は冷却帯域８で示される部分の触媒間を上
昇し、触媒上の水分を除去する。冷却帯域８から容器内
を上昇する本質的にすべての空気は、触媒保持スクリー
ン１６で包囲され、符号１１で示される円筒形の中央空
間に供給される。次いでその空気の大部分はハロゲン導
管１４に入り、ハロゲン排出ノズル４０から再生容器の
外に流出する。多くの場合、容器は実質的にすべての空
気が導管１４に入るよう設計される。これは符号３０で
示す導管１４の拡張端のような流れ案内手段を設けるこ
とによって実現される。ここで「実質的にすべて」とは
中央空間１１に入る空気の８０〜１００％をＤ味プる。
昇し、触媒上の水分を除去する。冷却帯域８から容器内
を上昇する本質的にすべての空気は、触媒保持スクリー
ン１６で包囲され、符号１１で示される円筒形の中央空
間に供給される。次いでその空気の大部分はハロゲン導
管１４に入り、ハロゲン排出ノズル４０から再生容器の
外に流出する。多くの場合、容器は実質的にすべての空
気が導管１４に入るよう設計される。これは符号３０で
示す導管１４の拡張端のような流れ案内手段を設けるこ
とによって実現される。ここで「実質的にすべて」とは
中央空間１１に入る空気の８０〜１００％をＤ味プる。
ガス分配空間１８から触媒間を通過したハロゲンを含む
ガスも導管１４に入る。
ガスも導管１４に入る。
９１３図は第１図に示す容器１の断面図である。
ハロゲン導管１４は容器の垂直軸の中心にある。
触媒保持スクリーン１６及び１９は触媒２６の下降移動
床を囲んでいる。環状のガス分配空間１７のガスは、触
媒間を半径方向に流れ、スクリーン１６及び導管１４で
区切られた中央空間１３に入る。Ｓ管１４の内部は符号
１２で示される。
床を囲んでいる。環状のガス分配空間１７のガスは、触
媒間を半径方向に流れ、スクリーン１６及び導管１４で
区切られた中央空間１３に入る。Ｓ管１４の内部は符号
１２で示される。
ハロゲン導入ノズル１０から入ったハロゲンを含むガス
の一部は、環状の触媒床を通過するが、中央空間１１に
入らずに中央空間１４に入る。ガスのこの分割は流れ案
内手段３０によって実現される。以下に説明する通り、
燃焼用酸素を提供するのはガスのこの部分である。
の一部は、環状の触媒床を通過するが、中央空間１１に
入らずに中央空間１４に入る。ガスのこの分割は流れ案
内手段３０によって実現される。以下に説明する通り、
燃焼用酸素を提供するのはガスのこの部分である。
ノズル４０を通って容器から出るガスは圧縮され（図示
なし）、ハロゲン導入ノズル１０から再生容器に循環さ
れる。塩素とスチームが循環ガスに添加され、容器に戻
される前に加熱される。
なし）、ハロゲン導入ノズル１０から再生容器に循環さ
れる。塩素とスチームが循環ガスに添加され、容器に戻
される前に加熱される。
このガスは、容器の下部領域から上昇する実質的にすべ
ての空気からなるので、主成分は空気である。ノズル１
０から容器内に入ったガスは隔壁２９によりハロゲン化
帯域に閉じこめられる。
ての空気からなるので、主成分は空気である。ノズル１
０から容器内に入ったガスは隔壁２９によりハロゲン化
帯域に閉じこめられる。
ハロゲンを含有するガスは環状空間１８に分配され、隔
壁２９の下に位置する触媒床を半径方向に通過し、これ
によって触媒のハロゲン化が行なわれる。そして、この
ガスは中央空間１１を上昇する空気と混合され、ハロゲ
ン導管１４に入る。
壁２９の下に位置する触媒床を半径方向に通過し、これ
によって触媒のハロゲン化が行なわれる。そして、この
ガスは中央空間１１を上昇する空気と混合され、ハロゲ
ン導管１４に入る。
循環ガスはノズル３１から環状のガス分配空間１７に入
り、触媒床を半径方向に通過して導管１４の外表面とス
クリーン１６とで区切られた環状の中央空間１３に供給
される。燃焼帯域の触媒床を通過するガスは、触媒上の
炭素を燃焼するための酸素を提供し、導管１４に入らず
にハロゲン化帯域から上昇するガスと混合される。この
混合物が煙道ガスであるが、これはノズル１５から容器
を出る。このガスの一部は、必要に応じてスクラバーを
経て大気中に排出され、残部は圧縮されてノズル３１か
ら容器に戻される。＆ｌｌ酪酸化物を除去する必要があ
れば、ｉ！ｉ１ｍガスは容器に戻される前にスクラッピ
ングされる。
り、触媒床を半径方向に通過して導管１４の外表面とス
クリーン１６とで区切られた環状の中央空間１３に供給
される。燃焼帯域の触媒床を通過するガスは、触媒上の
炭素を燃焼するための酸素を提供し、導管１４に入らず
にハロゲン化帯域から上昇するガスと混合される。この
混合物が煙道ガスであるが、これはノズル１５から容器
を出る。このガスの一部は、必要に応じてスクラバーを
経て大気中に排出され、残部は圧縮されてノズル３１か
ら容器に戻される。＆ｌｌ酪酸化物を除去する必要があ
れば、ｉ！ｉ１ｍガスは容器に戻される前にスクラッピ
ングされる。
ガスの流れは次のように要約することができる。本発明
では二つのガス循環ループがある。
では二つのガス循環ループがある。
ハロゲン化ループでは、空気はノズル４０から出てノズ
ル１０に循環される。少聞のハロゲンとスチームは空気
がノズルに入る前にその空気に添加される。冷却帯域を
離れる実質的にすべての空気は、触媒床を通過した空気
と混合されてノズル４０から排出される。ノズル１０に
入った空気の一部は燃焼帯域に流用される。燃焼帯域に
流用される空気の量は、再生容器の下部領域を上昇する
空気の量にほぼ等しいと思われる。
ル１０に循環される。少聞のハロゲンとスチームは空気
がノズルに入る前にその空気に添加される。冷却帯域を
離れる実質的にすべての空気は、触媒床を通過した空気
と混合されてノズル４０から排出される。ノズル１０に
入った空気の一部は燃焼帯域に流用される。燃焼帯域に
流用される空気の量は、再生容器の下部領域を上昇する
空気の量にほぼ等しいと思われる。
煙道ガスループでは、煙道ガスはノズル１５から容器を
出て、ノズル３１に循環される。このガスはノズル３１
に入る前に、スクラバー又は乾燥機に通すことができる
。ハロゲン化帯域からの空気と煙道ガスループは併合さ
れ燃焼用ｉｉｉを提供する。煙道ガスループには物質収
支を維持をＨ持するために、煙道ガスの人気中への放出
がある。
出て、ノズル３１に循環される。このガスはノズル３１
に入る前に、スクラバー又は乾燥機に通すことができる
。ハロゲン化帯域からの空気と煙道ガスループは併合さ
れ燃焼用ｉｉｉを提供する。煙道ガスループには物質収
支を維持をＨ持するために、煙道ガスの人気中への放出
がある。
ハロゲン排出ノズル４０とハロゲン導管１４は第１図に
示すようにＭｎし、煙道ガス排出ノズル１５内に通す必
要はない。二つの排出ノズル間のガスの流れを区分する
ことができる別の構成を採用してもよい。
示すようにＭｎし、煙道ガス排出ノズル１５内に通す必
要はない。二つの排出ノズル間のガスの流れを区分する
ことができる別の構成を採用してもよい。
触媒再生に関するさらに詳しい情報は、先に引用した米
国特許から（ワることができる。もし湿った触媒が）！
元が行なわれる次の再生工程に供給されると、アルミナ
上での白金の再分散は生起しないであろう。ある種の触
媒は５００” Ｆ（２６０℃）以下に冷却され、充分活
性な触媒を得るために還元ガスの存在下に再加熱される
。
国特許から（ワることができる。もし湿った触媒が）！
元が行なわれる次の再生工程に供給されると、アルミナ
上での白金の再分散は生起しないであろう。ある種の触
媒は５００” Ｆ（２６０℃）以下に冷却され、充分活
性な触媒を得るために還元ガスの存在下に再加熱される
。
以上の説明で使用した温度条件は、本発明のすべての実
施例に適用できものではなく、またこれが本発明を限定
するものでもないことに留意すべきである。例えば、触
媒冷却帯域に入る乾燥ガスは、約１００〜約４００″Ｆ
（３８〜２０４℃）の範囲であり、燃焼帯域に入る空気
は９００〜９００〜約１４００’ Ｆ（４８２〜７６０
℃）の範囲にある。
施例に適用できものではなく、またこれが本発明を限定
するものでもないことに留意すべきである。例えば、触
媒冷却帯域に入る乾燥ガスは、約１００〜約４００″Ｆ
（３８〜２０４℃）の範囲であり、燃焼帯域に入る空気
は９００〜９００〜約１４００’ Ｆ（４８２〜７６０
℃）の範囲にある。
第１図は本発明の実施例の概略図であり、第２図及び第
３図は第１図にお（プる２−２Ｆ２及び３−３ｔ２での
拡大断面図である。 １：再生容器 ２：触媒排出ノズル ３：再生用ガス導入ノズル ４：ガス分配装置５ニブレ
ート ６：スクリーン ７：触媒冷却帯ｂ５８：冷却帯
域 ９：空気加熱帯域１０：ハロゲン導入ノズル １１
．１３ ：中央空間１４：ハロゲン導管 １５：煙道ガ
スｆ１１出ノズル１６．１９：触媒保持スクリーン １
７．１８：ガス分配用環状空間 ２３：ブレ−１−２４
：バランス２５：加熱素子 ２６：触媒床 ２９：１ｍ
状隔壁３０：流れ案内手段 ３４：触媒、導入ノズル４
０：ハロゲン排出ノズル
３図は第１図にお（プる２−２Ｆ２及び３−３ｔ２での
拡大断面図である。 １：再生容器 ２：触媒排出ノズル ３：再生用ガス導入ノズル ４：ガス分配装置５ニブレ
ート ６：スクリーン ７：触媒冷却帯ｂ５８：冷却帯
域 ９：空気加熱帯域１０：ハロゲン導入ノズル １１
．１３ ：中央空間１４：ハロゲン導管 １５：煙道ガ
スｆ１１出ノズル１６．１９：触媒保持スクリーン １
７．１８：ガス分配用環状空間 ２３：ブレ−１−２４
：バランス２５：加熱素子 ２６：触媒床 ２９：１ｍ
状隔壁３０：流れ案内手段 ３４：触媒、導入ノズル４
０：ハロゲン排出ノズル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）燃焼帯域を形成する円筒形の上部領域と、こ
の上部領域より直径が小さい領域であって、下端に触媒
の排出ノズルに備えた下部領域を有し、触媒粒子が重力
によって移動することができる垂直に配置された容器と
、 （ｂ）前記容器の上部領域まで実質的に延びる直径が異
なる二つの垂直な円筒形スクリーンからなり、これを互
いに同軸に配置して触媒床が重力で下降することができ
る環状帯域を形成し、その環状帯域を前記容器の下部領
域に連通させ、前記二つの垂直な円筒形スクリーンを前
記容器の上部領域と同軸的に配置して容器の壁と径の大
きいスクリーンとの間に、ガスを分配するための環状空
間を形成させた触媒保持スクリーンと、 （ｃ）前記容器に設けた少なくとも一つの疲弊触媒導入
ノズルと、この導入ノズルと接続され、かつ前記触媒保
持スクリーン間で保持される環状の下降粒子床の上部と
連通する少なくとも一つの内在的な触媒導入管と、 （ｄ）前記容器に設けられ、前記の環状ガス分配空間と
連通する少なくとも一つの再生用ガスノズルと、 （ｅ）前記容器に設けられ、前記の径の小さい触媒保持
スクリーンに囲まれた円筒形の中央空間と連通する少な
くとも一つの煙道ガスノズルと、 （ｆ）前記容器の下部領域の最上部からなり、前記の環
状触媒床と連通する触媒乾燥帯域と、（ｇ）前記触媒乾
燥帯域の直ぐ下に位置し、上向きの流れる空気流を加熱
するための手段からなる空気加熱帯域と、 （ｈ）前記容器に設けた空気導入ノズルと、この空気導
入ノズルと接続された空気分配装置を有する触媒冷却帯
域を、前記空気加熱帯域の直ぐ下に位置させて前記の空
気分配装置を当該冷却帯域底部の水平面に位置させ、空
位置させ、空気が前記水平面に実質的に均一に分配する
ようにした触媒冷却帯域、 を有する炭化水素転化反応に使用して疲弊した触媒の再
生装置。 ２、前記容器の上部領域及び触媒保持スクリーンの延長
部分からなり、前記の燃焼帯域の下に位置して触媒保持
スクリーンで形成される前記の環状空間が前記の触媒乾
燥帯域と連通するハロゲン化帯域を有し、さらに （ａ）前記ハロゲン化帯域上部域のガス分配用環状空間
の上部に位置して容器即兵器と直径の大きいスクリーン
との間に延び、ガス分配用環状空間に於けるハロゲン化
帯域と燃焼帯域との間のガスの流れを防止するための水
平な環状隔壁と、 （ｂ）容器に設けられてハロゲン化帯域のガス分配用環
状空間と連通する少なくとも一つのハロゲン導入ノズル
と、 （ｃ）少なくとも一つのハロゲン排出ノズルと、その排
出ノズルと接続されて直径の小さいスクリーンで囲まれ
た中央空間と連通する少なくとも一つのハロゲン排出導
管と、 （ｄ）ハロゲン化帯域内の中央空間を上昇するガスの一
部を前記のハロゲン排出導管に導き、触媒床を通ってハ
ロゲン化帯域内のガス分配用環状空間を流れるガスの一
部を前記の燃焼帯域内の中央空間に導くための流れ案内
手段、 を備えていることをさらに特徴とする特許請求の範囲１
項記載の触媒再生装置。 ３、前記の空気加熱帯域が少なくとも一つの触媒通路と
、前記乾燥帯域から降下する触媒を前記乾燥帯域から前
記触媒通路に方向付けるための手段からなることをさら
に特徴とする特許請求の範囲第１項記載の触媒再生装置
。 ４、前記の空気加熱帯域が二つの触媒ダウンカマーから
なり、各ダウンカマーは容器下部領域の側壁部分とその
側壁と弦の関係にある平らな板とで囲まれ、平らな板は
互いに容器の長軸と平行であることをさらに特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の触媒再生装置。 ５、上昇空気流を加熱するための手段が、前記触媒ダウ
ンカマーの側板の間の中央空間に位置する加熱チューブ
からなり、その加熱チューブは前記側板間に延びて空気
の通過は許すが前記中央空間への触媒の侵入を許さない
スクリーンによって覆われていることをさらに特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の触媒再生装置。 ６、（ａ）疲弊触媒粒子をコーク酸化温度に保持された
燃焼帯域に重力によって通過させて、その触媒を酸素含
有再生用ガスと接触させ、（ｂ）前記の燃焼帯域を離れ
る触媒を重力によって触媒乾燥帯域に通過させて、触媒
から水を除去し、 （ｃ）前記の触媒乾燥帯域を離れる触媒を重力によって
触媒冷却帯域に通過させて、触媒の温度を低下させ、前
記の燃焼帯域、冷却帯域及び乾燥帯域は同一容器内に収
め、 （ｄ）乾燥した冷たい空気流を前記の触媒冷却帯域に通
して触媒と向流的に接触させて、触媒を冷却し、空気流
自体を加熱し、 （ｅ）前記の触媒冷却帯域を離れた空気流を、この触媒
冷却帯域と同じ容器に収めた空気加熱帯域でコーク酸化
温度まで加熱し、 （ｆ）前記の空気加熱帯域を離れる空気流を前記の触媒
乾燥帯域に上向きに通過させ、触媒と向流的に接触させ
て触媒から水を除去し、（ｇ）前記乾燥帯域を離れる空
気流を前記の燃焼帯域に通過させ、 （ｈ）触媒冷却帯域から再生され、乾燥され、冷却され
た触媒粒子を取出す、 ことを含む炭化水素転化反応で使用された疲弊触媒の再
生方法。
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