JPS62188311A - 化合物半導体薄膜の製造装置 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造装置Info
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- JPS62188311A JPS62188311A JP3045186A JP3045186A JPS62188311A JP S62188311 A JPS62188311 A JP S62188311A JP 3045186 A JP3045186 A JP 3045186A JP 3045186 A JP3045186 A JP 3045186A JP S62188311 A JPS62188311 A JP S62188311A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板への光照射を伴う、化合物半導体薄膜の
有機金属化学気相成長法の製造装置に関する。
有機金属化学気相成長法の製造装置に関する。
１一
本発明は、基板への光照射を伴う、化合物半導体薄膜の
有機金属化学気相成長法の製造装置におｉて、前記製造
装置の反応管内へ光を導入する光入射窓を、原料ガス導
入口の上流側とすることにより、前記光入射窓への膜の
付着による麹りを防止したものである。
有機金属化学気相成長法の製造装置におｉて、前記製造
装置の反応管内へ光を導入する光入射窓を、原料ガス導
入口の上流側とすることにより、前記光入射窓への膜の
付着による麹りを防止したものである。
従来の光照射を伴う化合物半導体薄膜の有機金属化学気
相成長法Ｑ製造装＃は、姻２図に示すように、光入射窓
２ｔ：ｆ：反応管１の胴部に設けられて匹た。
相成長法Ｑ製造装＃は、姻２図に示すように、光入射窓
２ｔ：ｆ：反応管１の胴部に設けられて匹た。
しかし、従来の場合光入射窓２は、反応管１内にＨ２の
吹き出し口３０を設けて光入射窓２への膜付着による饋
りを防止して＾たが、光入射窓２が原料ガスの流れに沿
っているうえ、加熱部の直上であるので高温になり原料
が分解されやすいため、膜付着防止が十分に行われず化
合物半導体薄膜の成長を数回行うただけで光入射窓２へ
膜が付着し光が透過されなくなり反応管１の洗浄を行わ
なければならな＾という問題点を有して＾た。そこで本
発明は従来のこのような問題点を解決するため、光入射
窓への膜の付着による曇りを完全に防止した光照射を伴
う化合物半導体薄膜の有機金属化学気相成長法の製造装
［を提供することを目的としている。
吹き出し口３０を設けて光入射窓２への膜付着による饋
りを防止して＾たが、光入射窓２が原料ガスの流れに沿
っているうえ、加熱部の直上であるので高温になり原料
が分解されやすいため、膜付着防止が十分に行われず化
合物半導体薄膜の成長を数回行うただけで光入射窓２へ
膜が付着し光が透過されなくなり反応管１の洗浄を行わ
なければならな＾という問題点を有して＾た。そこで本
発明は従来のこのような問題点を解決するため、光入射
窓への膜の付着による曇りを完全に防止した光照射を伴
う化合物半導体薄膜の有機金属化学気相成長法の製造装
［を提供することを目的としている。
上記問題点を解決するために１本発明の化合物半導体薄
膜の製造装置は、化合物半導体薄膜の有機金属化学気相
成長法の製造装置において、前記製造装置の反応管内へ
光ｖｉ−導入する光入射窓を原料ガス導入口の上流側と
し、前期光入射窓の直近に原料ガス押し出し用のガスの
吹き出し口を設けたことを特数とする。
膜の製造装置は、化合物半導体薄膜の有機金属化学気相
成長法の製造装置において、前記製造装置の反応管内へ
光ｖｉ−導入する光入射窓を原料ガス導入口の上流側と
し、前期光入射窓の直近に原料ガス押し出し用のガスの
吹き出し口を設けたことを特数とする。
上記のように構成された製造装置により、化合物半導体
薄膜を成長させると、原料ガス導入口の上流側では、原
料ガスの濃度は非常に小さくなると共に、加熱部からは
なれており低温になるため原料ガスの熱分解による光入
射窓への膜■付Ｎははぼ完全に防止できるＯである。
薄膜を成長させると、原料ガス導入口の上流側では、原
料ガスの濃度は非常に小さくなると共に、加熱部からは
なれており低温になるため原料ガスの熱分解による光入
射窓への膜■付Ｎははぼ完全に防止できるＯである。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図はガリウムアルミニウム砒素■−Ｖ族化合物半導体
薄膜を製造する場合の本発明の実施ド１である１反応管
１内にはサセプタ４と基板５がセットされ、高周波誘導
（ＲＦ）コイル６によって加熱される。原料のトリメチ
ルガリウム１０ 。
１図はガリウムアルミニウム砒素■−Ｖ族化合物半導体
薄膜を製造する場合の本発明の実施ド１である１反応管
１内にはサセプタ４と基板５がセットされ、高周波誘導
（ＲＦ）コイル６によって加熱される。原料のトリメチ
ルガリウム１０ 。
トリメチルアルミニウム１１とアルシン１２は、キャリ
ア用の水素１３と共に、パルプ２４〜２７．マスフロー
コントローラー１９〜２２、ソシテハルフ１４〜１７ｉ
通して反応管１内の原料ガス導入口３から導入される。
ア用の水素１３と共に、パルプ２４〜２７．マスフロー
コントローラー１９〜２２、ソシテハルフ１４〜１７ｉ
通して反応管１内の原料ガス導入口３から導入される。
また水素１３はパルプ２８、マスフローコントローラー
乙、パルプ１８を通して原料ガスの押し出し用として、
五冨吹き出し口Ｉから導入される。
乙、パルプ１８を通して原料ガスの押し出し用として、
五冨吹き出し口Ｉから導入される。
反応管１には、光が入射される５反応管１は、ロータリ
ーポンプ８．排気システム９によって排気される。
ーポンプ８．排気システム９によって排気される。
第３図は、反応管１を縦型にした場合の池の実施列を示
すもので、ミラー２９を介して入射した光は基板に垂直
に照射される。
すもので、ミラー２９を介して入射した光は基板に垂直
に照射される。
以とのような実施例に：ｔｉ？いて、光入射窓２が原料
ガス導入口３の上流側にありＨ２吹き出し目刃により原
料ガスが押しだされるため光入射窓２付近では、原料ガ
スの濃度ハ匝めて小さくなりさらに、光入射窓２の位置
が加熱部から離れているため低温で原料ガスの熱分解も
起こりにくくなる。
ガス導入口３の上流側にありＨ２吹き出し目刃により原
料ガスが押しだされるため光入射窓２付近では、原料ガ
スの濃度ハ匝めて小さくなりさらに、光入射窓２の位置
が加熱部から離れているため低温で原料ガスの熱分解も
起こりにくくなる。
従って光入射窓２への膜の付着による曇りをほぼ完全に
防止できる。
防止できる。
本発明は１以上説明したように、光入射窓を原料ガス導
入口の上流側とし、前記光入射窓の直近に原料ガス押し
出し用のガスの吹き出し口を設けたことにより以下のよ
うな効果を有する。
入口の上流側とし、前記光入射窓の直近に原料ガス押し
出し用のガスの吹き出し口を設けたことにより以下のよ
うな効果を有する。
光入射窓との膜の付着による曇りをほぼ完全に防止でき
、これによって、従来のように数回の化合物半導体＃膜
の製造を行うたびに、反応管を洗浄する必要がなくなっ
た９反応管の洗浄は多くの場合人体に存置な粉塵、ガス
の発生を伴うことになり、非常に危険であること、また
非常に手間がかかり時間もかかること、さらに洗浄する
前と後では化合物半導体薄膜ｂ 生じ不安定要因になることなど、さまざまの欠点をかか
えてｉる。したがって本発明が、洗浄回数を大幅に少な
くしてｉることハ、翫めて重大な効果を上げるものであ
る。
、これによって、従来のように数回の化合物半導体＃膜
の製造を行うたびに、反応管を洗浄する必要がなくなっ
た９反応管の洗浄は多くの場合人体に存置な粉塵、ガス
の発生を伴うことになり、非常に危険であること、また
非常に手間がかかり時間もかかること、さらに洗浄する
前と後では化合物半導体薄膜ｂ 生じ不安定要因になることなど、さまざまの欠点をかか
えてｉる。したがって本発明が、洗浄回数を大幅に少な
くしてｉることハ、翫めて重大な効果を上げるものであ
る。
従来の場合、化合物半導体薄膜Ｃｔａ造を行なうたびに
、光入射窓への膜の付着は目にみえて進行し、照射され
る光の強度も、膜の付着が進むにつれ大きく変化してし
まったが、本゛発明では光入射窓が常に良好な透過状態
を与えるため、光の強度は一定に保たれる。従って近年
さかんになりつつある光照射を伴う有機金属化学気相成
長法による化合物半導体薄膜の製造において、安定した
膜質を供給することに甑めて大きい効果がある。
、光入射窓への膜の付着は目にみえて進行し、照射され
る光の強度も、膜の付着が進むにつれ大きく変化してし
まったが、本゛発明では光入射窓が常に良好な透過状態
を与えるため、光の強度は一定に保たれる。従って近年
さかんになりつつある光照射を伴う有機金属化学気相成
長法による化合物半導体薄膜の製造において、安定した
膜質を供給することに甑めて大きい効果がある。
＠１図及び第３図は本発明の実施例を示す化合物半導体
薄膜の製造装置の反応管断面を含む主要構成図、第２図
は従来の化合物半導体薄膜の製造装置の反応管断面図を
含む主要構成図である。 １−・・反応管 ２・晦・光入射窓 ３・・・原料ガス導入口 ア・・・光源 以上 出願人 セイコーエプソン沫Ｅ会ｕ ５基張 イと、ｂ’ｉ：ＦＪ４４イ４’ＪＨＬ、、ｌシ、ａ Ｖ
Ｉ ｔｙ＋７ｉ２．を唯？ＩＷ釦１ｆｌ ｈケし・１
々碩へ１ヨ第１図 を先乗／１４シ瞥↑勾牛真洋簿暉６咳遣装置のＴｌ−Ｅ
”ｔ １￥Ｉｒｒｊ！３）ｆｆｉｈ Ａｔ−Ｌ茎’Ｊ％
ｎ １ｆｆｉ第２図 反庚パ琶絆薗■１々φ主、（積賎目 第３図
薄膜の製造装置の反応管断面を含む主要構成図、第２図
は従来の化合物半導体薄膜の製造装置の反応管断面図を
含む主要構成図である。 １−・・反応管 ２・晦・光入射窓 ３・・・原料ガス導入口 ア・・・光源 以上 出願人 セイコーエプソン沫Ｅ会ｕ ５基張 イと、ｂ’ｉ：ＦＪ４４イ４’ＪＨＬ、、ｌシ、ａ Ｖ
Ｉ ｔｙ＋７ｉ２．を唯？ＩＷ釦１ｆｌ ｈケし・１
々碩へ１ヨ第１図 を先乗／１４シ瞥↑勾牛真洋簿暉６咳遣装置のＴｌ−Ｅ
”ｔ １￥Ｉｒｒｊ！３）ｆｆｉｈ Ａｔ−Ｌ茎’Ｊ％
ｎ １ｆｆｉ第２図 反庚パ琶絆薗■１々φ主、（積賎目 第３図
Claims (2)
- （１）基板への光照射を伴う、化合物半導体薄膜の有機
金属化学気相成長法の製造装置において、前記製造装置
の反応管内へ光を導入する光入射窓を原料ガス導入口の
上流側としたことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造
装置。 - （２）前記光入射窓の真近に原料ガス押し出し用のガス
の吹き出し口を設けた特許請求の範囲第１項記載の化合
物半導体薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045186A JPS62188311A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 化合物半導体薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045186A JPS62188311A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 化合物半導体薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188311A true JPS62188311A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12304275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045186A Pending JPS62188311A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 化合物半導体薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188311A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014646A (en) * | 1988-03-25 | 1991-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for writing oxide film |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP3045186A patent/JPS62188311A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014646A (en) * | 1988-03-25 | 1991-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for writing oxide film |
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